JP2017010962A - デバイス基板およびデバイス基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、素子を構成する膜を含む多層膜12が基板11上に配置されたデバイス基板10が提供される。素子が配置される主面は、インプリント処理時にレジストが配置されるパターニング領域RPと、パターニング領域RPの周縁部からデバイス基板10の端部までのベベル領域RBと、を有する。ベベル領域RBは、上面が、パターニング領域RPの上面に比して、デバイス基板10の端部に向かって低くなる領域を有する。パターニング領域RPとベベル領域RBとの境界で、ベベル領域RBの上面のパターニング領域RPの上面に対する傾斜角が10度以上90度以下である。
【選択図】図1
Description
Claims (5)
- 素子を構成する膜を含む多層膜が基板上に配置されたデバイス基板であって、
前記素子が配置される主面は、
インプリント処理時にレジストが配置されるパターニング領域と、
前記パターニング領域の周縁部から当該デバイス基板の端部までのベベル領域と、
を有し、
前記ベベル領域は、上面が、前記パターニング領域の上面に比して、当該デバイス基板の端部に向かって低くなる領域を有し、
前記パターニング領域と前記ベベル領域との境界で、前記ベベル領域の上面の前記パターニング領域の上面に対する傾斜角が10度以上90度以下であるデバイス基板。 - 前記パターニング領域の前記周縁部から当該デバイス基板の前記端部までの距離は、3mm以下である請求項1に記載のデバイス基板。
- 前記ベベル領域の多層膜は、前記パターニング領域の多層膜のうち最上層の膜を含む1層以上の膜が除去されている請求項1に記載のデバイス基板。
- 素子を構成する膜を含む多層膜が基板上に配置されたデバイス基板上の全面に第1膜を形成し、
前記デバイス基板のインプリント処理時にレジストが配置されるパターニング領域の周縁部から前記デバイス基板の端部までのベベル領域の前記第1膜を除去し、
前記パターニング領域上の前記第1膜の上面を平坦化するデバイス基板の製造方法。 - 素子を構成する膜を含む多層膜が基板上に配置されたデバイス基板上の全面に第1膜を形成し、
前記デバイス基板のインプリント処理時にレジストが配置されるパターニング領域の周縁部から前記デバイス基板の端部までのベベル領域の前記第1膜を除去し、
前記パターニング領域上の前記第1膜の上面を平坦化し、
前記第1膜上に第1レジストを滴下し、
凹凸パターンが形成された第1テンプレートを、前記第1レジストを介して前記第1膜から所定の距離となるように配置しながら、前記第1レジストを硬化してレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして前記多層膜を加工する半導体装置の製造方法。
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