JP2010278059A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】良好な特性の半導体装置を良好な歩留りで製造可能な方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハー10Aのチップ領域A1とベベル領域A3とにメタル膜41b、42b、51を形成する工程と、チップ領域A1以外の領域に形成され、且つ、少なくともベベル領域A3に形成されたメタル膜51を除去する工程と、除去する工程の後に、チップ領域A1に形成されたメタル膜42bの上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、を含む。強誘電体キャパシタを形成する工程中において、または、強誘電体キャパシタを形成する工程の後において、酸素雰囲気で熱処理する工程を備える。
【選択図】図4
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハー10Aのチップ領域A1とベベル領域A3とにメタル膜41b、42b、51を形成する工程と、チップ領域A1以外の領域に形成され、且つ、少なくともベベル領域A3に形成されたメタル膜51を除去する工程と、除去する工程の後に、チップ領域A1に形成されたメタル膜42bの上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、を含む。強誘電体キャパシタを形成する工程中において、または、強誘電体キャパシタを形成する工程の後において、酸素雰囲気で熱処理する工程を備える。
【選択図】図4
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
従来から、強誘電体材料の自発分極を利用した強誘電体キャパシタが知られている。強誘電体キャパシタを用いると、低電圧動作及び高速動作が可能な不揮発メモリー素子を構成することができる。1つのメモリーセルは、端的には1つのトランジスターと1つの強誘電体キャパシタにより構成される。したがって、メモリー素子をDRAMと同程度に高集積することが可能であり、大容量のメモリー装置を構成することもできる。
スタック型の強誘電体キャパシタを形成する方法としては、例えば以下のような方法がある。シリコンウエハーのチップ領域の表層にトランジスターを形成し、トランジスターを覆って下地絶縁膜を形成する。そして、下地絶縁膜にコンタクトホールを形成し、コンタクトホール内壁にチタン等からなるバリアメタル膜を形成し、バリアメタル膜とトランジスターのソース/ドレイン領域を導通させる。コンタクトホール内においてバリアメタル膜を内壁とする凹部内にタングステン等を埋設してプラグ導電部を形成する。そして、プラグ導電部上に、下部電極膜、強誘電体膜、上部電極膜を形成した後、これらの膜をパターニングすることにより強誘電体キャパシタを形成する。
強誘電体材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3、PZTと称す)等のペロブスカイト型酸化物や、タンタル酸ビスマスストロンチウム(SrBi2Ta2O9)等のビスマス層状化合物等が有望視されている。強誘電体膜は、金属酸化物からなり還元されると特性が低下するので、通常は酸素雰囲気で形成される。強誘電体膜の結晶性を回復させるために、強誘電体膜を酸素雰囲気で熱処理することもある。
ところで、シリコンウエハーの外周部は、シリコンウエハーの欠けを防止するために面取りがなされており、シリコンウエハーの平坦面に対して傾斜した部分(ベベル)を含んでいる。強誘電体膜の形成過程や形成後の熱処理過程において、ベベルにはトランジスターやプラグ導電部等の形成に用いたメタル材料が露出して残留していることが多い。残留したメタル材料は、酸素雰囲気により酸化されて、シリコンウエハーに対する密着性が低下する。すると、メタル材料の酸化物が脱離して異物となってしまい、半導体装置の特性や歩留りの低下を招いてしまう。
このような不都合を回避する技術として、特許文献1に開示されている技術が挙げられる。特許文献1では、タングステンの成膜時にシリコンウエハーの外周部を冷却することにより、外周部におけるタングステンの成長を抑制している。
特許文献1の技術によれば、タングステンがベベルに残留しにくくなり、タングステンに起因する異物が低減されると考えられる。しかしながら、特許文献1の技術では、シリコンウエハーが大口径化すると周縁部の冷却機構が大型化すること等により、成膜装置のコストが高騰してしまう。また、シリコンウエハーの周縁部の温度を急峻に変化させることが難しいので、タングステンが成膜されない領域を狭くすることが難しい。この領域を確保するとチップ領域が狭くなることにより、半導体装置の製造効率が低下するおそれもある。また、特許文献1の技術は、スパッタリング法等により形成されるメタル材料、例えばバリアメタル膜の形成に用いられるチタン等に適用することができない。
本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、良好な特性の半導体装置を良好な歩留りで製造可能な方法を提供することを目的の1つとする。
本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハーのチップ領域とベベル領域とにメタル膜を形成する工程と、前記チップ領域以外の領域に形成され、且つ、少なくとも前記ベベル領域に形成された前記メタル膜を除去する工程と、前記除去する工程の後に、前記チップ領域に形成された前記メタル膜の上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、を含み、前記強誘電体キャパシタを形成する工程中において、または、前記強誘電体キャパシタを形成する工程の後において、酸素雰囲気で熱処理する工程を備えることを特徴とする。
このようにすれば、強誘電体膜を形成するよりも前に、ベベルに対応するベベル領域に形成されたメタル膜を除去するので、ベベルにメタル膜が残留していない状態で強誘電体膜を形成することができる。したがって、ベベルにメタル膜の酸化物を残留させることなく、強誘電体膜を酸素雰囲気で形成することができる。よって、メタル膜の酸化物がウエハーから脱離することにより異物を生じることが格段に低減されるとともに、良好な特性の強誘電体膜を形成することができる。このように、本発明によれば、異物による半導体装置の特性低下や歩留り低下が防止され、良好な特性の半導体装置を良好な歩留りで製造することができる。
また、前記除去する工程では、前記メタル膜をウエットエッチングにより除去することが好ましい。この場合には、前記ウエットエッチングは、前記ウエハーをエッチャントに浸漬することにより行うことがさらに好ましい。
このようにすれば、メタル膜を、研磨処理やドライエッチングにより除去する場合と比較して、製造効率を高めることができる。メタル膜を形成する工程では、メタル材料がベベルを回り込むことによりウエハー裏面にもメタル膜の一部が形成されることがありえる。ウエットエッチングによれば、エッチャントがウエハー裏面に回り込みやすいので、ウエハー裏面に形成された部分のメタル膜も除去することができる。特に、ウエハーをエッチャントに浸漬することにより、ウエハー裏面のメタル膜をほぼ確実に除去することができる。
前記メタル膜を形成する工程より前に、前記ウエハーの表層にトランジスターを形成する工程と、前記トランジスターの上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜に前記トランジスターの不純物領域に通じるコンタクトホールを形成する工程と、を有し、
前記メタル膜を形成する工程では、前記コンタクトホールの内壁面と前記不純物領域の表面とに連続する前記メタル膜を形成することもできる。
前記メタル膜を形成する工程では、前記コンタクトホールの内壁面と前記不純物領域の表面とに連続する前記メタル膜を形成することもできる。
このようにすれば、強誘電体膜がトランジスターとメタル膜を介して電気的に接続され、製造された半導体装置において強誘電体膜に印加される電圧をトランジスターによりスイッチングすることができる。
また、前記強誘電体膜を形成する工程の後に、前記強誘電体膜を酸素雰囲気で熱処理する工程を有することが好ましい。
通常の製造方法において強誘電体膜を酸素雰囲気で熱処理すると、ベベルに残留したメタル材料が酸化して脱離し、異物となるおそれがある。前記のように、本発明においてはベベルのメタル膜が除去されているので、メタル膜の酸化物に起因する異物を生じることなく、強誘電体膜を酸素雰囲気で熱処理することができる。これにより、強誘電体膜の酸素欠陥等を補修することができ、強誘電体膜の結晶性を回復させることができる。したがって、良好なヒステリシス特性の強誘電体膜にすることができ、良好な特性の半導体装置を良好な歩留りで製造することができる。
通常の製造方法において強誘電体膜を酸素雰囲気で熱処理すると、ベベルに残留したメタル材料が酸化して脱離し、異物となるおそれがある。前記のように、本発明においてはベベルのメタル膜が除去されているので、メタル膜の酸化物に起因する異物を生じることなく、強誘電体膜を酸素雰囲気で熱処理することができる。これにより、強誘電体膜の酸素欠陥等を補修することができ、強誘電体膜の結晶性を回復させることができる。したがって、良好なヒステリシス特性の強誘電体膜にすることができ、良好な特性の半導体装置を良好な歩留りで製造することができる。
前記除去する工程では、前記メタル膜を保護するマスクを形成するとともに、前記ウエハーの外周から2mm以上5mm以下の範囲を前記マスクの非形成領域にとし、前記マスクをエッチングマスクとして前記メタルマ膜をエッチングすることにより、前記ベベル領域に形成された前記メタル膜を除去することが好ましい。
ベベル表面は、ウエハーの平坦面に対して傾斜している。マスクの非形成領域をウエハーの外周から2mm以上にすれば、ベベルから離れたウエハーの平坦面上にマスクを形成するので、マスクを高精度な形状や位置に形成することができる。また、マスクの非形成領域をウエハーの外周から5mm以下にすれば、チップ領域の面積の低下を最小限度にすることができる。
以下、本発明の一実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。なお、本発明に係る製造方法の実施形態を説明する前に、本実施形態の製造方法により得られる半導体装置の構成について説明する。
図1は、本発明により得られる半導体装置(強誘電体メモリー装置)の構成例を示す側断面図である。強誘電体メモリー装置1は、多数のメモリーセルを含んでおり、図1にはその1つを図示している。メモリーセルの各々は、トランジスター2、強誘電体キャパシタ3を含んでいる。本例ではメモリーセルが、スタック型になっている。
詳しくは、シリコン基板10の表層に複数の素子分離領域11が形成されており、素子分離領域11の間が1つのメモリーセルになっている。シリコン基板10の表層には、トランジスター2が設けられている。トランジスター2を覆って、下地絶縁膜12が設けられている。下地絶縁膜12を貫通して、第1プラグ41及び第2プラグ42が設けられている。下地絶縁膜12上の第2プラグ42と重なる位置に、強誘電体キャパシタ3が設けられている。
強誘電体キャパシタ3を覆って、層間絶縁膜13が設けられている。層間絶縁膜13を貫通して、第1プラグ41と重なる位置に第3プラグ43が設けられている。第3プラグ43は、第1プラグ41と導通させて接続(以下、導通接続と称することがある)されている。層間絶縁膜13を貫通して、強誘電体キャパシタ3と重なる位置に第4プラグ44が設けられている。層間絶縁膜13上に、配線層4が設けられている。配線層4には図示略のグランド線、ビット線等の配線が設けられている。
ここでは、グランド線が、第1プラグ41及び第3プラグ43を介して、トランジスター2と電気的に接続されている。トランジスター2は、第2プラグ42を介して強誘電体キャパシタ3と電気的に接続されている。強誘電体キャパシタ3は、第4プラグ44を介してビット線と電気的に接続されている。以下、強誘電体メモリー装置1の構成要素を詳しく説明する。
トランジスター2は、単結晶シリコンからなるシリコン基板10の表層を活性層として形成されている。詳しくは、シリコン基板10の表層に、ソース領域21及びドレイン領域22が形成されている。シリコン基板10の表層において、ソース領域21とドレイン領域22との間の領域がチャネル領域になっている。ソース領域21、ドレイン領域22、チャネル領域を覆ってゲート絶縁膜23が設けられている。チャネル領域と平面的に重なる部分のゲート絶縁膜23上に、ゲート電極24が設けられている。ゲート電極24の周辺に、ゲート電極24の側壁に当接してサイドウォール25が設けられている。ソース領域21、ドレイン領域22は、それぞれ高濃度不純物領域と、低濃度不純物領域とを含んでおり、サイドウォール25と重なる部分が低濃度不純物領域になっている。ソース領域21の高濃度不純物領域は、第1プラグ41と導通接続されている。ドレイン領域22の高濃度不純物領域は、第2プラグ42と導通接続されている。
下地絶縁膜12は、シリコン酸化物やシリコン窒化物等の絶縁材料からなる。下地絶縁膜12を貫通して、ソース領域21の高濃度領域に通じるコンタクトホール41aと、ドレイン領域22の高濃度領域に通じるコンタクトホール42aとが形成されている。コンタクトホール41a、42a内に、それぞれ第1プラグ41、第2プラグ42が埋設されている。
第1プラグ41は、メタル膜41bとコア部41cとからなっている。メタル膜41bは、チタン等からなり、コンタクトホール41aの内壁とソース領域21の表面とに連続して設けられている。コア部41cは、タングステン等からなり、コンタクトホール41a内において、メタル膜41bを内壁とする凹部内に埋設されている。メタル膜41bは、コア部41cとコンタクトホール41aの内壁との密着性を高める密着層として機能し、またコア部41cの形成材料が下地絶縁膜12内に拡散することを防止する拡散防止膜として機能する。第2プラグ42は、第1プラグ41と同様の構造になっており、メタル膜42bとコア部42cとからなっている。
強誘電体キャパシタ3は、下部電極31、強誘電体膜32、上部電極33を含んでいる。ここでは、下部電極31と下地絶縁膜12との間に、下地導電部34が設けられている。下地導電部34は、第2プラグ42と重なる部分に設けられており、第2プラグ42と導通接続されている。下地導電部34は、第2プラグ42の酸化を防止するともに、強誘電体膜32の結晶配向を制御するものである。下地導電部34は、自己配向性と酸素バリア性とを有する導電材料、例えばチタンアルミニウムナイトライド(TiAlN)からなる。
下部電極31は、下地導電部34上に設けられており、下地導電部34と導通接続されている。上部電極33は、強誘電体膜32上に設けられている。下部電極31、上部電極33は、単層あるいは複数層の導電膜からなる。下部電極31、上部電極33を構成する導電膜としては、イリジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウムのうちから少なくとも1つからなる膜、またはこれらの合金からなる膜、あるいはこれらの酸化物からなる膜等から選択される。イリジウムや白金等の貴金属からなる膜を用いれば、熱的・化学的に安定な下部電極31になる。ここでは、下部電極31、上部電極33が単層のイリジウム膜からなっている。
強誘電体膜32は、一般式がABO3で示される強誘電体材料からなっている。Aサイト金属は、例えば鉛、あるいは鉛の一部をランタンあるいはカルシウム、ストロンチウムに置換したものからなる。またBサイト金属は、例えばジルコニウム又はチタンからなり、これにバナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、及びマグネシウムのうちの1つ以上を添加してもよい。
強誘電体材料の具体例としては、PZTや、PZTのBサイト金属としてニオブを添加したPZTN等が挙げられる。自発分極量を大きくする観点から、Tiの含有量をZrの含有量よりも多くすることが好ましい。この場合には、ヒステリシス特性を良好にする観点から、結晶構造が正方晶に属する(111)配向であるものが好ましい。ここでは、強誘電体膜32が、PTZNからなり、正方晶に属する(111)配向のペロブスカイト型の結晶構造になっている。
強誘電体キャパシタ3の側面及び上面、強誘電体キャパシタ3の周辺部を覆って、水素バリア膜35が設けられている。水素バリア膜35は、強誘電体膜32の還元を防止するようになっている。水素バリア膜35は、例えばアルミニウム酸化物からなる。
水素バリア膜35と下地絶縁膜12とを覆って、層間絶縁膜13が設けられている。層間絶縁膜13は、下地絶縁膜12と同様に、シリコン酸化物等の絶縁物からなる。層間絶縁膜13を貫通して、第1プラグ41に通じるコンタクトホール43aと、上部電極33に通じるコンタクトホール44aとが形成されている。コンタクトホール43a、44a内に、それぞれ第3プラグ43、第4プラグ44が埋設されている。第3プラグ43、第4プラグ44は、第1プラグ41と同様の構成になっている。第3プラグ43は、メタル膜43b、コア部43cからなり、第4プラグ44は、メタル膜44b、コア部44cからなっている。
以上のような構成の強誘電体メモリー装置1において、トランジスター2のゲート電極24に電圧が印加されるとチャネル領域がオンとなる。チャネル領域がオンになった状態で、ビット線からソース領域21に電気信号が供給されると、この電気信号がチャネル領域、ドレイン領域22、第2プラグ42、下地導電部34を介して、下部電極31に伝達される。これにより、下部電極31と上部電極33との間に電圧を印加され、強誘電体膜32に電荷(データ)が蓄積される。強誘電体メモリー装置1は、電気信号をトランジスター2によってスイッチングすることにより、強誘電体キャパシタ3へデータを書込むことや、強誘電体キャパシタ3からデータを読出すことが可能になっている。
次に、強誘電体メモリー装置1の構成に基づいて、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する。図2(a)は、強誘電体メモリー装置1の製造に用いるシリコンウエハーを模式的に示す平面図、図2(b)は、図2(a)のB−B’線矢視断面図である。図3(a)〜(d)、図4(a)〜(d)、図5(a)〜(c)、図6(a)〜(c)は、本実施形態の半導体装置の製造方法を概略して示す断面工程図である。図3(a)〜(d)、図4(a)〜(d)には、シリコンウエハー10Aの外周部と、チップ部A4において1つのメモリーセルを形成する領域(セル領域と称する)とを並列して図示している。外周部の縮尺は、セル領域の縮尺と異なっている。図5(a)以降の図には、セル領域のみを図示しており、下地絶縁膜12の下層構造の図示を省略している。
まず、図2(a)、(b)に示すようなシリコンウエハー10Aを用意する。シリコンウエハー10Aは、チップ領域A1、非チップ領域A2、ベベルA3を含んでいる。チップ領域A1は、多数のチップ部A4を含んでいる。複数のチップ部A4の各々に強誘電体メモリー装置1の構成要素を形成した後、シリコンウエハー10Aをチップ部A4ごとに個片化することにより、強誘電体メモリー装置1が得られる。すなわち、1つのチップ部A4を用いて1つの強誘電体メモリー装置1が製造される。図1に示したシリコン基板10は、シリコンウエハー10Aの1つのチップ部A4に相当する。
シリコンウエハー10Aの外周部は、ベベルA3になっている。ベベルA3は、シリコンウエハー10Aの外周部における欠けを防止するために、端面が面取り(ベベリング)された後に研磨等により丸められた部分である。ベベルA3とチップ領域A1との間の領域が非チップ領域A2になっている。チップ領域A1と非チップ領域A2は、シリコンウエハー10Aの製造過程で高精度に平坦化されており、その表面が平坦面になっている。ベベルA3の表面は、チップ領域A1や非チップ領域A2の平坦面に対して傾斜している。ベベルA3の範囲は、例えばシリコンウエハー10Aの外周から数百μm程度の範囲である。シリコンウエハー10Aの外周には、シリコンウエハー10Aの結晶方向等を示すノッチNが設けられている。なお、ノッチNに代えてオリフラが設けられる場合もある。
次いで、図3(a)に示すように、シリコンウエハー10Aのセル領域A5にトランジスター2を形成した後に、トランジスター2を覆ってシリコンウエハー10A上のほぼ全域に下地絶縁膜12を形成する。具体的には、セル領域A5におけるシリコンウエハー10Aに例えばLOCOS法やSTI法等で素子分離領域11を形成する。そして、素子分離領域11の間におけるシリコンウエハー10A上に熱酸化法等によりゲート絶縁膜23を形成する。そして、ゲート絶縁膜23上に多結晶シリコン等からなるゲート電極24を形成する。そして、素子分離領域11間のシリコンウエハー10Aの表層に、ゲート電極24をマスクとして低濃度に不純物を注入する。そして、エッチバック法等を用いてサイドウォール25を形成する。そして、素子分離領域11間のシリコンウエハー10Aの表層に、ゲート電極24とサイドウォール25とをマスクとして濃度に不純物を注入する。これにより、低濃度不純物領域と高濃度不純物領域とを含んだ、ソース領域21及びドレイン領域22が得られる。以上のようにして、トランジスター2を形成する。そして、トランジスター2が形成されたシリコンウエハー10A上に、例えばCVD法でシリコン酸化物を成膜する。この膜上をCMP法等により研磨して平坦化することにより、下地絶縁膜12を形成する。
次いで、図3(b)に示すように、ソース領域21上とドレイン領域22上とにおける下地絶縁膜12をエッチングして、ソース領域21を露出させるコンタクトホール41aと、ドレイン領域22を露出させるコンタクトホール42aとを形成する。
次いで、図3(c)に示すように、コンタクトホール41a内のソース領域21の表面と、コンタクトホール42a内のドレイン領域22の表面と、下地絶縁膜12上とに連続するメタル膜51を形成する。ここでは、シリコンウエハー10A上のほぼ全域にわたってチタンをスパッタリング法で成膜し、チタンからなるメタル膜51を形成する。メタル膜51は、チップ領域A1、非チップ領域A2、ベベルA3にわたって形成される。メタル膜51は、スパッタ粒子の回り込みによりシリコンウエハー10A裏面のベベルA3にも形成されることがある。
次いで、図3(d)に示すように、コンタクトホール41a、42a内においてメタル膜51を内壁とする凹部内を含み、メタル膜51を覆ってコア部41c、42cの形成材料を成膜する。ここでは、コア部41a、42cの形成材料としてタングステンを用い、シリコンウエハー10A上のほぼ全域にわたってタングステンをCVD法で成膜して、タングステン膜52を形成する。
次いで、図4(a)に示すように、下地絶縁膜12上をCMP法により研磨して、下地絶縁膜12上のメタル膜51とタングステン膜とを除去する。これにより、コンタクトホール41aに第1プラグ41が埋設され、コンタクトホール42aに第2プラグ42が埋設される。一般にCMP法は、シリコンウエハーを回転させながら行われる。シリコンウエハーの外周部において中心部よりも速度が高くなることや、スラリーが遠心力により外周部に偏ること等により、一般にシリコンウエハーの外周部は中心部よりも研磨量が大きくなる。したがって、ベベルA3においてもタングステン膜52の一部又は全部が除去され、ベベルA3にメタル膜51が露出して残留する。
次いで、図4(b)に示すように、シリコンウエハー10AのベベルA3を除いた領域にマスクMを形成する。後述するエッチングにおいて、マスクMをエッチングマスクとして機能させる。マスクMの形成材料や形成方法については、エッチング方法やエッチャントの種類等に応じて適宜選択される。ここでは、マスクMとしてシリコン酸化物からなるハードマスクを形成する。
本実施形態では、シリコンウエハー10Aの面方向の端から距離がL以下である領域をマスクMの非形成領域にする。距離Lとしては、2mm以上5mm以下の範囲から選択するとよい。距離Lを2mm以上にすれば、マスクMの形成領域が平坦面上になるので、マスクMの周縁部の形状や位置を高精度にすることができる。また、距離Lを5mm以下にすれば、チップ領域A1が狭くなることが回避される。ベベルA3は、シリコンウエハー10Aの端から数百μm程度の範囲であり、距離Lを前記の範囲内から選択すれば、非チップ領域A2の一部とベベルA3がマスクMの非形成領域になる。
次いで、図4(c)に示すように、マスクMをエッチングマスクとして、メタル膜51をエッチングして除去する。エッチング方法としては、ドライエッチング、ウエットエッチングのいずれを採用してもよい。本実施形態では、アンモニア過水をエッチャントに用いたウエットエッチングを行う。ここでは、エッチャントを貯留した容器に、複数のシリコンウエハー10Aを一括して浸漬して、ウエットエッチングを行う。これにより、低コストで効率よくウエットエッチングを行うことができる。また、シリコンウエハー10Aの裏面に形成されたメタル膜51を良好に除去することができる。なお、トランジスターの形成時に用いたメタル材料や、コア部41c、42cの形成に用いたタングステン等がマスクMの非形成領域に付着している場合には、この付着物も除去するとよい。そして、図4(d)に示すように、マスクMを除去する。
次いで、図5(a)に示すように、第2プラグ42上と第2プラグ42周辺の下地絶縁膜12上とに、下地導電部34と強誘電体キャパシタ3とを形成する。
具体的には、第2プラグ42上と下地絶縁膜12上とに、下地導電部34の形成材料として、例えばチタンアルミニウムの窒化物をスパッタリング法により成膜する。
そして、チタンアルミニウム窒化膜上に、下部電極31の形成材料として例えばイリジウムをスパッタリング法等により形成する。
そして、イリジウム膜上に、強誘電体膜32の形成材料として例えばPZTNを、ゾルゲル法(CSD法)やMOCVD法、スパッタリング法等により酸素雰囲気で成膜する。
そして、PZTN膜上に、上部電極33の形成材料として例えばイリジウムをスパッタリング法等により形成する。
そして、上層のイリジウム膜上にハードマスク等のマスクパターンを形成する。マスクパターンをエッチングマスクとして、上層のイリジウム膜、PZTN膜、下層のイリジウム膜、チタンアルミニウム窒化膜をエッチングする。以上のようにして、強誘電体キャパシタ3を形成する。強誘電体キャパシタ3の形成後、結晶性回復のために、酸素雰囲気中で熱処理を行うことが好ましい。
具体的には、第2プラグ42上と下地絶縁膜12上とに、下地導電部34の形成材料として、例えばチタンアルミニウムの窒化物をスパッタリング法により成膜する。
そして、チタンアルミニウム窒化膜上に、下部電極31の形成材料として例えばイリジウムをスパッタリング法等により形成する。
そして、イリジウム膜上に、強誘電体膜32の形成材料として例えばPZTNを、ゾルゲル法(CSD法)やMOCVD法、スパッタリング法等により酸素雰囲気で成膜する。
そして、PZTN膜上に、上部電極33の形成材料として例えばイリジウムをスパッタリング法等により形成する。
そして、上層のイリジウム膜上にハードマスク等のマスクパターンを形成する。マスクパターンをエッチングマスクとして、上層のイリジウム膜、PZTN膜、下層のイリジウム膜、チタンアルミニウム窒化膜をエッチングする。以上のようにして、強誘電体キャパシタ3を形成する。強誘電体キャパシタ3の形成後、結晶性回復のために、酸素雰囲気中で熱処理を行うことが好ましい。
チタンアルミニウムの窒化物が自己配向性を有する材質であるので、チタンアルミニウム窒化膜の結晶配向が良好になる。イリジウム膜やPZTN膜は、下地となるチタンアルミニウム窒化膜の結晶配向を反映して、結晶配向が良好になる。また、PZTN膜を酸素雰囲気で成膜しているが、チタンアルミニウム窒化膜が酸素バリア性を有しているので、第1プラグ41や第2プラグ42の酸化が防止される。また、シリコンウエハー10Aの外周部におけるメタル膜51を除去しているので、外周部に付着したメタル材料が酸化されて脱離することにより異物となることがない。
次いで、図5(b)に示すように、強誘電体キャパシタ3の側壁及び上面、下地導電部34の側壁、下地導電部34の周辺における下地絶縁膜12上を連続して覆う水素バリア膜35を形成する。ここでは、シリコンウエハー10A上のほぼ全域にわたってアルミニウム酸化物を成膜し、この膜をパターニングすることにより水素バリア膜35を形成する。
次いで、図5(c)に示すように、水素バリア膜35上と、下地絶縁膜12上とを覆って、層間絶縁膜13を形成する。ここでは、テトラエトキシシランを含んだ原料ガスを用いてCVD法でシリコン酸化物を成膜し、層間絶縁膜13を形成する。原料ガスの反応により水素ガスや水分等の還元性物質が生成されることがある。強誘電体キャパシタ3が水素バリア膜35に覆われているので、強誘電体膜32の還元による劣化が格段に低減される。
次いで、図6(a)に示すように、層間絶縁膜13と水素バリア膜35を貫通するコンタクトホール44aを形成し、コンタクトホール44a内に上部電極33の表面を露出させる。
次いで、図6(b)に示すように、コンタクトホール44aが形成されたシリコンウエハー10Aを酸素雰囲気で熱処理して、強誘電体膜32の結晶性を回復させる。これにより、強誘電体膜32に酸素欠陥を生じていた場合でも、これを補修することができ、強誘電体膜32を良好な特性にすることができる。シリコンウエハー10Aの外周部におけるメタル膜51を除去しているので、メタル膜51の残留物の酸化に起因する異物を生じることがない。
次いで、層間絶縁膜13を貫通するコンタクトホール43aを形成し、コンタクトホール43a内に第1プラグ41の表面を露出させる。
そして、図6(c)に示すように、コンタクトホール43a、44a内に第3プラグ43、第4プラグ44を埋設する。第3プラグ43、第4プラグ44は、第1プラグ41、第2プラグ42と同様にして形成することができる。すなわち、コンタクトホール43a、44aの内壁と、コンタクトホール43a内の上部電極33の表面と、コンタクトホール44a内の第1プラグ41の表面とを連続的に覆うようにメタル材料(例えばチタン)を成膜する。ここでは、シリコンウエハー10A上のほぼ全域にわたって、メタル材料としてチタンを成膜する。そして、コンタクトホール43a、44a内を含むチタン膜を覆って、シリコンウエハー10A上のほぼ全域にわたって、タングステンを成膜する。そして、層間絶縁膜13上をCMP法で研磨することにより、層間絶縁膜13上のチタンとタングステンとを除去する。
そして、図6(c)に示すように、コンタクトホール43a、44a内に第3プラグ43、第4プラグ44を埋設する。第3プラグ43、第4プラグ44は、第1プラグ41、第2プラグ42と同様にして形成することができる。すなわち、コンタクトホール43a、44aの内壁と、コンタクトホール43a内の上部電極33の表面と、コンタクトホール44a内の第1プラグ41の表面とを連続的に覆うようにメタル材料(例えばチタン)を成膜する。ここでは、シリコンウエハー10A上のほぼ全域にわたって、メタル材料としてチタンを成膜する。そして、コンタクトホール43a、44a内を含むチタン膜を覆って、シリコンウエハー10A上のほぼ全域にわたって、タングステンを成膜する。そして、層間絶縁膜13上をCMP法で研磨することにより、層間絶縁膜13上のチタンとタングステンとを除去する。
これにより、コンタクトホール43a内に、チタンからなるメタル膜43bとタングステンからなるコア部43cが埋設され、メタル膜43bとコア部43cとからなる第3プラグ43が形成される。コンタクトホール44a内にも同様に、メタル膜44bとコア部44cとからなる第4プラグ44が形成される。また、層間絶縁膜13上に配線層4を形成すること等により、図1に示した強誘電体メモリー装置1が得られる。
以上のように、本実施形態の半導体装置の製造方法にあっては、強誘電体膜32の形成や、強誘電体膜32の結晶性を回復させる熱処理等の酸素雰囲気で行う工程を行うよりも前に、シリコンウエハー10AのベベルA3に残留したメタル膜51を除去している。したがって、メタル膜51の残留物が酸化されて脱離することにより異物の発生が防止され、異物の混入が防止される。よって、異物による半導体装置の特性低下や歩留り低下が防止され、良好な半導体装置を良好な歩留りで製造することができる。
なお、本発明の技術範囲は前記実施形態に限定されるものではない。本発明の主旨を逸脱しない範囲内で多様な変形が可能である。例えば、前記実施形態では、メタル膜51をウエットエッチングにより除去しているが、以下に説明する変形例のようにドライエッチングにより除去することも可能であり、CMP等の研磨処理により除去することも可能である。
図7(a)〜(d)は、変形例の製造方法を概略して示す工程図である。変形例の製造方法は、図7(a)に示すようにコンタクトホール41a、42a内に第1プラグ41、第2プラグ42を埋設する工程までは、前記実施形態と同様にして行う。
次いで、図7(b)に示すように、シリコンウエハー10AのベベルA3を除いた領域にレジストパターン(マスク)Rを形成する。レジストパターンRの形成領域については、前記実施形態におけるマスクMの形成領域と同様である。
次いで、図7(c)に示すように、レジストパターンRをエッチングマスクとして、メタル膜51をドライエッチングして除去する。ドライエッチングによれば、レジストパターンRの厚みにより選択比を確保することができるので、マスクとしてハードマスクを用いる必要性が低くなる。
次いで、図7(d)に示すように、レジストパターンRを除去した後、前記実施形態と同様の工程を行うことにより、図1に示した強誘電体メモリー装置1が得られる。
次いで、図7(b)に示すように、シリコンウエハー10AのベベルA3を除いた領域にレジストパターン(マスク)Rを形成する。レジストパターンRの形成領域については、前記実施形態におけるマスクMの形成領域と同様である。
次いで、図7(c)に示すように、レジストパターンRをエッチングマスクとして、メタル膜51をドライエッチングして除去する。ドライエッチングによれば、レジストパターンRの厚みにより選択比を確保することができるので、マスクとしてハードマスクを用いる必要性が低くなる。
次いで、図7(d)に示すように、レジストパターンRを除去した後、前記実施形態と同様の工程を行うことにより、図1に示した強誘電体メモリー装置1が得られる。
1・・・強誘電体メモリー装置(半導体装置)、2・・・トランジスター、3・・・強誘電体キャパシタ、10A・・・シリコンウエハー(ウエハー)、12・・・下地絶縁膜、31・・・下部電極、32・・・強誘電体膜、33・・・上部電極、41a、42a、43a、44a・・・コンタクトホール、51、41b、41c・・・メタル膜、A1・・・チップ領域、A3・・・ベベル領域、M・・・マスク、R・・・レジストパターン(マスク)
Claims (6)
- ウエハーのチップ領域とベベル領域とにメタル膜を形成する工程と、
前記チップ領域以外の領域に形成され、且つ、少なくとも前記ベベル領域に形成された前記メタル膜を除去する工程と、
前記除去する工程の後に、前記チップ領域に形成された前記メタル膜の上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、を含み、
前記強誘電体キャパシタを形成する工程中において、または、前記強誘電体キャパシタを形成する工程の後において、酸素雰囲気で熱処理する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記除去する工程では、前記メタル膜をウエットエッチングにより除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウエットエッチングは、前記ウエハーをエッチャントに浸漬することにより行うことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メタル膜を形成する工程より前に、前記ウエハーの表層にトランジスターを形成する工程と、前記トランジスターの上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜に前記トランジスターの不純物領域に通じるコンタクトホールを形成する工程と、を有し、
前記メタル膜を形成する工程では、前記コンタクトホールの内壁面と前記不純物領域の表面とに連続する前記メタル膜を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記強誘電体膜を形成する工程の後に、前記強誘電体膜を酸素雰囲気で熱処理する工程を有することを特徴する請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除去する工程では、前記メタル膜を保護するマスクを形成するとともに、前記ウエハーの外周から2mm以上5mm以下の範囲を前記マスクの非形成領域にとし、前記マスクをエッチングマスクとして前記メタルマ膜をエッチングすることにより、前記ベベル領域に形成された前記メタル膜を除去することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2017010962A (ja) * | 2015-06-16 | 2017-01-12 | 株式会社東芝 | デバイス基板およびデバイス基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
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