JP2005327847A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下部電極(200)、誘電体(300)、及び上部電極(400)からなるキャパシタを有する半導体装置において、前記上部電極に接しスパッタ法により成膜された柱状構造をなす第1の保護膜(122,123)と、前記第1の保護膜の上側にCVD法により成膜された第2の保護膜(124,126)と、を備えている。
【選択図】 図1
Description
Claims (8)
- 下部電極、誘電体、及び上部電極からなるキャパシタを有する半導体装置において、
前記上部電極に接しスパッタ法により成膜された柱状構造をなす第1の保護膜と、
前記第1の保護膜の上側にCVD法により成膜された第2の保護膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記CVD法はALD法であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の保護膜は前記誘電体に接することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の保護膜としてAl酸化物を用いることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
- 下部電極、誘電体、及び上部電極からなるキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、
前記上部電極に接する第1の保護膜をスパッタ法により成膜し、
前記第1の保護膜の上側の第2の保護膜をCVD法により成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記CVD法はALD法であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の保護膜は前記誘電体に接することを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1及び第2の保護膜としてAl酸化物を用いることを特徴とする請求項5乃至7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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