JP2009212448A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1上に形成されたMISFET3と、MISFET3を形成した半導体基板1上に形成される第1の層間絶縁膜20と、MISFET3の一方のソース/ドレイン領域10B上にコンタクトプラグ26Bを介して接続される下部電極33、PZTの組成式を有する強誘電体膜34および上部電極35を含む強誘電体キャパシタ30と、を備え、下部電極33表面に、高さと面内方向のサイズがともに1〜50nmである微小構造75を備え、強誘電体膜34を構成する下部強誘電体膜34Cは、該下部強誘電体膜34C上に形成される上部強誘電体膜34Dに比して組成、結晶方向および結晶粒子の粒径の少なくとも1つを変化させた結晶粒子からなる部分を含む。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態にかかる半導体記憶装置の構成の一例を模式的に示す一部断面図である。図1に示すように、P型シリコン基板などの半導体基板1の上面内には、シリコン酸化膜などからなる素子分離絶縁膜2が形成されている。素子分離絶縁膜2によって規定される素子形成領域内には、金属/絶縁体/半導体接合を持つMIS(Metal Insulator Semiconductor)型電界効果型トランジスタ(以下、MISFETという)3が形成されている。MISFET3は、ゲート絶縁膜4、ワード線となるゲート電極5およびゲートキャップ膜6が積層したゲート積層膜7とこのゲート積層膜7の線幅方向両側側面に形成されるゲート側壁膜8とからなるゲート構造9と、ゲート構造9の下方のチャネル領域を挟んで対を成すソース/ドレイン領域10A,10Bと、を有している。たとえば、ゲート絶縁膜4としては、シリコン酸化膜を用いることができ、ゲート電極5としては、n型多結晶シリコン膜5AとWSi2膜5Bとが積層されたポリサイド構造を用いることができ、ゲートキャップ膜6とゲート側壁膜8としては、シリコン窒化膜を用いることができる。
つぎに、第2の実施の形態にかかる半導体記憶装置およびその製造方法について説明する。第1の実施の形態においては、下部電極33とは異なる材料を用いて下部電極表面に微小構造を形成した場合について説明したが、第2の実施の形態においては、下部電極の表面形状を加工することによって第1の実施の形態における微小構造と同じ機能を有する凹凸形状を下部電極表面に形成する場合について説明する。
3 MIS型電界効果型トランジスタ(MISFET)
20 第1の層間絶縁膜
26A,26B コンタクトプラグ
30 強誘電体キャパシタ
33,433,433a 下部電極
34 強誘電体膜、PZT膜
34C,234C 下部強誘電体膜
34D 上部強誘電体膜
35 上部電極
40 水素バリア膜
75 微小構造
Claims (5)
- 基板上に形成された電界効果型トランジスタと、
前記電界効果型トランジスタを形成した前記基板上に形成される層間絶縁膜と、
前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域の一方の領域上にプラグを介して接続される下部電極、強誘電体膜および上部電極を含む強誘電体キャパシタと、
を備える半導体記憶装置であって、
前記下部電極表面に、高さと面内方向のサイズがともに1〜50nmである微小構造を備え、
前記強誘電体膜は、前記下部電極から所定の厚さを有する下部強誘電体膜と、該下部強誘電体膜上に形成され、前記下部強誘電体膜と同じ元素の強誘電体材料からなる上部強誘電体膜と、から構成され、
前記下部強誘電体膜は、前記上部強誘電体膜に比して組成、結晶方向および結晶粒子の粒径の少なくとも1つを変化させた結晶粒子からなる部分を含むことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記微小構造は、導電性酸化物によって形成されるとともに、前記下部電極の表面領域のうち20%から80%を覆うことを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 基板上に形成された電界効果型トランジスタと、
前記電界効果型トランジスタを形成した前記基板上に形成される層間絶縁膜と、
前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域の一方の領域上にプラグを介して接続される下部電極、強誘電体膜および上部電極を含む強誘電体キャパシタと、
を備える半導体記憶装置であって、
前記下部電極は、高さと面内方向のサイズがともに1〜50nmである凹凸形状を表面に有し、
前記強誘電体膜は、前記下部電極から所定の厚さを有する下部強誘電体膜と、該下部強誘電体膜上に形成され、前記下部強誘電体膜と同じ元素の強誘電体材料からなる上部強誘電体膜と、から構成され、
前記下部強誘電体膜は、前記上部強誘電体膜に比して組成、結晶方向および結晶粒子の粒径の少なくとも1つを変化させた結晶粒子からなる部分を含むことを特徴とする半導体記憶装置。 - 基板上に電界効果型トランジスタを形成し、前記電界効果型トランジスタを覆う層間絶縁膜を形成し、前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域に連通するコンタクトホールを前記層間絶縁膜に形成して、前記コンタクトホールにコンタクトプラグを形成する工程と、
前記コンタクトプラグが形成された前記層間絶縁膜上に導電性材料からなる下部電極を形成する工程と、
前記下部電極表面に、高さと電極の面内方向のサイズがともに1〜50nmである微小構造を形成する工程と、
前記微小構造を設けた下部電極上に強誘電体膜をその場で結晶化させて形成する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 基板上に電界効果型トランジスタを形成し、前記電界効果型トランジスタを覆う層間絶縁膜を形成し、前記電界効果型トランジスタのソース/ドレイン領域に連通するコンタクトホールを前記層間絶縁膜に形成して、前記コンタクトホールにコンタクトプラグを形成する工程と、
前記コンタクトプラグが形成された前記層間絶縁膜上に、導電性材料からなる下部電極であって、表面に1−50nmの凹凸を有する下部電極を形成する工程と、
前記凹凸を有する下部電極上に強誘電体膜をその場で結晶化させて形成する工程と、
前記強誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
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