JP7025235B2 - パターン形成方法および物品製造方法 - Google Patents
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- パターン形成方法であって、
半導体基板を含む基板を準備する工程と、
前記基板の上にインプリント材を配置し、前記基板の上の前記インプリント材に型のパターン部を接触させ、前記インプリント材を硬化させることによって、前記基板の上に前記インプリント材の硬化物からなるパターンを形成する工程と、を含み、
前記半導体基板は、互いに反対側の第1面および第2面と、前記第1面の外縁と前記第2面の外縁とを接続する端部面とを有し、
少なくとも前記第1面は、単結晶半導体で構成され、
前記端部面は、前記第1面が属する平面から1マイクロメートル以上離れた環状面と、前記第1面の前記外縁と前記環状面の内縁とを接続する接続面と、前記端部面における最も外側の面を構成する側面と、前記環状面の外縁と前記側面とを接続するテーパ面とを含み、
前記接続面は、前記第1面に対して垂直である、
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 径方向における前記第1面の前記外縁と前記側面が属する円筒面との距離は、120マイクロメートル以上かつ3000マイクロメートル以下である、
ことを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。 - 前記端部面は、前記第2面の前記外縁と前記側面とを接続するテーパ面を更に含む、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のパターン形成方法。 - 前記環状面と前記第1面が属する平面との距離と、前記側面の前記平面の側の端部と前記第1面が属する前記平面との距離との差は、20マイクロメートル以上であり、前記パターンを形成する工程は、1マイクロメートル以上の寸法を有する異物が前記基板と前記型との間に存在しないように管理されたインプリント装置において行われる、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記環状面は、前記第1面が属する前記平面に対して平行である、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記第1面が属する前記平面と前記環状面との距離は、50マイクロメートル以上である、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記第2面が前記単結晶半導体で構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記パターンを形成する工程では、前記第1面の前記外縁によって形状が規定される欠けショット領域の上に前記インプリント材を配置し、前記欠けショット領域の上の前記インプリント材と前記パターン部とを接触させ、前記インプリント材を硬化させる、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記基板は、前記半導体基板の上に層を有する、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記基板は、前記半導体基板の上に層を有し、前記層は、前記第1面の端部に被さった層を含む、
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 請求項1乃至10のいずれか1項に記載のパターン形成方法によって基板の上にパターンを形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を含み、前記処理が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
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