KR20210052256A - 슈퍼스트레이트 척, 사용 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

슈퍼스트레이트 척, 사용 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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KR20210052256A
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케이 닐라브 로이
요하네스 마리오 메이슬
제이 세쓰 베임스버거
오즈칸 오즈터크
병진 최
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

슈퍼스트레이트 또는 템플릿을 보유하기 위한 척. 척은 척의 표면 상에 형성된 기하학적 구조물을 포함한다. 기하학적 구조물은 둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 부분 중 적어도 하나를 포함하고, 그에 따라 기하학적 구조물 및 기하학적 구조물에 인접하는 척의 영역을 통해 투과하는 광의 강도 변동 이 감소된다.

Description

슈퍼스트레이트 척, 사용 방법 및 물품의 제조 방법{SUPERSTRATE CHUCK, METHOD OF USE, AND METHOD OF MANUFACTURING AN ARTICLE}
본 개시내용은 기판 처리에 관한 것이고, 더 구체적으로는 반도체 제조에서의 표면의 평탄화에 관한 것이다.
평탄화 기술은 반도체 디바이스를 제조하는데 유용하다. 예를 들어, 반도체 디바이스를 생성하기 위한 처리는 기판에 대해 재료를 반복적으로 추가 및 제거하는 것을 포함한다. 이 처리는 불규칙한 높이 변동(즉, 토포그래피)을 갖는 적층형 기판을 생성할 수 있고, 더 많은 층이 추가됨에 따라, 기판 높이 변동이 증가할 수 있다. 높이 변동은 적층형 기판에 추가적인 층을 추가하는 능력에 대해 부정적인 영향을 준다. 별개로, 반도체 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 자체는 항상 완벽하게 편평하지는 않고 초기 표면 높이 변동(즉, 토포그래피)을 포함할 수 있다. 이러한 문제를 해결하는 하나의 방법은 기판을 적층화 단계들 사이에서 평탄화하는 것이다. 다양한 리소그래피 패터닝 방법이 평탄한 표면에서의 패터닝으로부터 이익을 얻는다. ArFi 레이저 기반 리소그래피에서, 평탄화는 초점 심도(DOF), 임계 치수(CD) 및 임계 치수 균일성을 향상시킨다. 극자외선 리소그래피(EUV)에서, 평탄화는 특징부 배치(feature placement) 및 DOF를 향상시킨다. 나노임프린트 리소그래피(NIL)에서, 평탄화는 패턴 전사 후의 특징부 충전 및 CD 제어를 향상시킨다.
때때로 잉크젯-기반 적응성 평탄화(IAP)라고 지칭되는 평탄화 기술은, 기판과 슈퍼스트레이트 사이에 중합성 재료의 가변 액적 패턴을 분배하는 것을 수반하며, 여기서 액적 패턴은 기판 토포그래피에 따라 달라진다. 이어서, 슈퍼스트레이트가 중합성 재료와 접촉하고, 그 후에 재료가 기판 상에서 중합되고, 슈퍼스트레이트가 제거된다. IAP 기술을 포함한 평탄화 기술의 개선은, 예를 들어, 전체 웨이퍼 처리 및 반도체 디바이스 제조를 개선시키기 위해 요망된다.
슈퍼스트레이트 또는 템플릿을 보유하기 위한 광 투과 척이 제공된다. 척은 척의 표면 상에 형성된 기하학적 구조물을 포함한다. 기하학적 구조물은 둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 부분 중 적어도 하나를 포함하고, 그에 따라 기하학적 구조물 및 기하학적 구조물에 인접하는 척의 영역을 통해 투과하는 광의 강도 변동이 감소된다. 기하학적 구조물은 척의 표면과 평행한 평행 표면 부분 및 척의 표면으로부터 평행 표면까지 연장되는 조면화된 표면을 포함할 수 있다. 조면화된 에지 부분은 평행한 표면 부분 주위의 제1 조면화된 에지 및 척의 표면 주위의 제2 조면화된 에지를 포함할 수 있다.
기하학적 구조물은 척의 복수의 구역을 형성하기 위해서 표면으로부터 연장되는 복수의 랜드, 척의 표면으로부터 함몰된 적어도 하나의 채널, 척을 통해서 연장되는 적어도 하나의 포트, 또는 이러한 구조물의 조합을 포함할 수 있다. 척의 표면은 바람직하게는 슈퍼스트레이트 또는 템플릿의 지지 표면이다.
방법이 제공된다. 방법에서, 슈퍼스트레이트 또는 템플릿은 기하학적 구조물을 포함하는 광 투과 척에 의해 보유된다. 기하학적 구조물은 둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 부분 중 적어도 하나를 포함한다. 슈퍼스트레이트 또는 템플릿은 기판 상에 분배된 성형가능 재료와 접촉하도록 전진된다. 이어서, 슈퍼스트레이트 또는 템플릿은 척으로부터 해방되고, 척 및 슈퍼스트레이트 또는 템플릿을 통해 광을 조사함으로써 성형가능 재료에 경화 처리가 행해진다. 둥글게 된 코너 및 조면화된 표면은 기하학적 구조물을 통해서 투과되는 광의 강도 변동 및 기하학적 구조물에 인접한 척의 영역이 감소될 수 있게 한다. 바람직하지만 선택적으로, 성형가능 재료를 경화시키기 위한 광은 UV 광을 포함한다.
물품의 제조 방법이 또한 제공된다. 물품을 제조하기 위해서, 성형가능 재료가 기판 상에 분배되고, 광 투과 척에 의해 보유된 슈퍼스트레이트가 성형가능 재료와 접촉하여 전진된다. 척은 둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 부분 중 적어도 하나를 포함하는 기하학적 구조물을 포함한다. 이어서, 슈퍼스트레이트는 척으로부터 해방되고, 이어서 척 및 슈퍼스트레이트 또는 템플릿을 통해 광을 조사하여 성형가능 재료를 경화시킨다. 기하학적 구조물 및 기하학적 구조물에 인접한 척의 영역을 통해 투과하는 광의 강도 변동은 둥글게 된 코너 및 조면화된 표면 중 적어도 하나에 의해 감소된다.
본 개시내용의 이들 목적, 특징 및 장점과 다른 목적, 특징 및 장점은, 첨부 도면 및 제공되는 청구항과 함께 취해지는 본 개시내용의 예시적인 실시예의 이하의 상세한 설명을 판독시 명백하게 될 것이다.
본 발명의 특징 및 장점이 상세하게 이해될 수 있도록, 첨부 도면에 도시되는 실시예를 참조하여 본 발명의 실시예에 대한 보다 상세한 설명이 이루어질 수 있다. 그러나, 첨부 도면은 본 발명의 전형적인 실시예를 예시하기 위한 것일 뿐이며, 따라서 본 발명은 다른 균등한 효과의 실시예를 허용할 수 있으므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안된다는 것에 유의해야 한다.
도 1은 평탄화에 사용될 수 있는 장치를 도시하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 평탄화 처리를 도시한다.
도 3은 일 실시예의 다중-구역 슈퍼스트레이트 척을 도시한다.
도 4a 내지 도 4b는 슈퍼스트레이트 척의 기하학적 구조물을 도시한다.
도 5a 내지 도 5b는 일 실시예에 따른 슈퍼스트레이트 척의 기하학적 구조물을 도시한다.
도 6은 도 5a 및/또는 도 5b에 도시되는 바와 같은 구조물을 갖는 슈퍼스트레이트 척을 사용하는 방법의 처리 흐름이다.
도면에 걸쳐, 동일한 참조 번호 및 문자는 다르게 언급되지 않는 한 도시되는 실시예의 유사한 특징, 요소, 구성부품 또는 부분을 지시하도록 사용된다. 또한, 본 개시내용은 이제 도면을 참조하여 상세히 설명되지만, 이는 예시된 예시적인 실시예와 관련하여 이루어진다. 첨부된 청구범위에 의해 정의된 본 개시내용의 진정한 범위 및 사상을 벗어나지 않고 설명된 예시적인 실시예에 변경 및 수정이 이루어질 수 있는 것으로 의도된다.
평탄화 시스템
도 1은 무엇보다도 기판(102) 상의 막을 평탄화하는데 사용될 수 있는 장치(100)를 도시하고 있다. 기판(102)은 기판 척(104)에 결합될 수 있다. 기판 척(104)은 진공 척, 핀-타입 척, 홈-타입 척, 정전식 척, 전자기식 척, 및/또는 기타 등등일 수 있지만 이것으로 한정되지 않는다.
기판(102) 및 기판 척(104)은 기판 위치설정 스테이지(106)에 의해 더 지지될 수 있다. 기판 위치설정 스테이지(106)는 x, y, z, θ, Ψ, 및 φ축 중 하나 이상을 따라 병진 및/또는 회전 운동을 제공할 수 있다. 기판 위치설정 스테이지(106), 기판(102), 및 기판 척(104)은 또한 베이스(도시되지 않음) 상에 위치설정될 수 있다. 기판 위치설정 스테이지는 위치설정 시스템의 일부일 수 있다.
기판(102)에 대면하는 작업 표면(112)을 갖는 슈퍼스트레이트(108)가 기판(102)으로부터 이격된다. 슈퍼스트레이트(108)는, 용융 실리카, 석영, 실리콘, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속, 경화된 사파이어 및/또는 기타 등등을 포함하지만 이에 한정되지 않는 재료로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 슈퍼스트레이트는 UV 광을 쉽게 통과시킨다. 표면(112)은 일반적으로 기판(108)의 표면과 동일한 면적 크기를 갖거나 약간 더 작다. 슈퍼스트레이트(108)의 표면(112)은 평탄한 접촉 표면을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 접촉 표면은 기판(102) 상에 형성될 패턴의 기초를 형성하는 임의의 원본 패턴을 형성하는 특징부를 포함할 수 있다.
슈퍼스트레이트(108)는 슈퍼스트레이트 척(118)에 결합되거나 그에 의해 보유될 수 있다. 슈퍼스트레이트 척(118)은 진공 척, 핀-타입 척, 홈-타입 척, 정전식 척, 전자기식 척 및/또는 다른 유사 척 타입일 수 있지만 이것으로 한정되지 않는다. 슈퍼스트레이트 척(118)은 슈퍼스트레이트(108)에 걸쳐 변하는 응력, 압력 및/또는 변형(strain)을 슈퍼스트레이트(108)에 가하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 슈퍼스트레이트 척은 마찬가지로 UV 광을 쉽게 통과시킨다. 슈퍼스트레이트 척(118)은 슈퍼스트레이트(108)의 배면에 압력차를 인가하여 템플릿이 굴곡 및 변형되게 할 수 있는 구역 기반 진공 척, 액추에이터 어레이, 압력 블래더 등과 같은 시스템을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 슈퍼스트레이트 척(118)은 슈퍼스트레이트의 배면에 압력차를 인가하여 본원에서 더 상세히 설명되는 바와 같이 슈퍼스트레이트가 굴곡 및 변형되게 할 수 있는 구역 기반 진공 척을 포함한다.
슈퍼스트레이트 척(118)은 위치설정 시스템의 일부인 헤드(120)에 결합될 수 있다. 헤드(120)는 브리지에 이동가능하게 결합될 수 있다. 헤드(120)는, 적어도 z축 방향 및 잠재적으로는 다른 방향(예를 들어, x, y, θ, ψ, 및 φ축)으로 기판(102)에 대해 슈퍼스트레이트 척(118)을 이동시키도록 구성되는 보이스 코일 모터, 압전형 모터, 리니어 모터, 너트 및 스크류 모터 등과 같은 하나 이상의 액추에이터를 포함할 수 있다.
장치(100)는 유체 분배기(122)를 더 포함할 수 있다. 유체 분배기(122)는 또한 브리지에 이동가능하게 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 유체 분배기(122) 및 임프린트 헤드(120)는 모든 위치설정 구성요소 중 하나 이상을 공유한다. 대안적인 실시예에서, 유체 분배기(122) 및 임프린트 헤드(120)는 서로 독립적으로 이동한다. 유체 분배기(122)는 액체 성형가능 재료(124)(예를 들어, 광경화성 중합가능 재료)의 액적을 기판(102) 상에 퇴적시키기 위해 사용될 수 있고, 퇴적되는 재료의 체적은 그 토포그래피 프로파일에 적어도 부분적으로 기초하여 기판(102)의 영역에 걸쳐 상이하다. 상이한 유체 분배기(122)는 성형가능 재료(124)를 분배하기 위해 상이한 기술을 사용할 수 있다. 성형가능 재료(124)가 분사가능할 때, 잉크젯 타입 분배기가 성형가능 재료를 분배하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 열 잉크 젯팅, 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 기반 잉크 젯팅, 밸브 제트 및 압전형 잉크 젯팅이 분사가능 액체를 분배하기 위한 일반적인 기술이다.
장치(100)는 노광 경로(128)를 따라 화학 에너지, 예를 들어 UV 방사선을 보내는 방사선 공급원(126)을 포함하는 경화 시스템을 더 포함할 수 있다. 헤드(120) 및 기판 위치설정 스테이지(106)는 슈퍼스트레이트(108) 및 기판(102)을 노광 경로(128)와 중첩하는 상태로 위치설정하도록 구성될 수 있다. 방사선 공급원(126)은 슈퍼스트레이트(108)가 성형가능 재료(128)와 접촉한 후에 노광 경로(128)를 따라 화학 에너지를 전송한다. 도 1은 슈퍼스트레이트(108)가 성형가능 재료(124)와 접촉하지 않을 때의 노광 경로(128)를 도시한다. 이는 개별 구성요소의 상대 위치가 용이하게 식별될 수 있도록 설명 목적을 위해 이루어진 것이다. 통상의 기술자는 슈퍼스트레이트(108)가 성형가능 재료(124)와 접촉할 때 노광 경로(128)가 실질적으로 변하지 않을 것임을 이해할 것이다.
장치(100)는 평탄화 처리 동안 슈퍼스트레이트(108)가 성형가능 재료(124)와 접촉할 때 성형가능 재료(124)의 확산을 관찰하도록 위치설정된 카메라(136)를 더 포함할 수 있다. 도 1은 필드 카메라의 촬상 필드의 광축(138)을 도시한다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 장치(100)는 카메라(136)에 의해 검출될 광과 화학 방사선을 조합하는 하나 이상의 광학 구성요소(다이크로익 미러, 빔 결합기, 프리즘, 렌즈, 미러 등)를 포함할 수 있다. 카메라(136)는 슈퍼스트레이트(108) 아래에 있으며 성형가능 재료(124)와 접촉하는 영역과 슈퍼스트레이트(108) 아래에 있지만 성형가능 재료(124)와 접촉하지 않는 영역 사이의 대비를 나타내는 파장의 광을 모으도록 구성되는, CCD, 센서 어레이, 라인 카메라 및 광검출기 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 카메라(136)는 슈퍼스트레이트(108) 아래의 성형가능 재료(124)의 확산, 및/또는 경화된 성형가능 재료(124)로부터의 슈퍼스트레이트(108)의 분리의 화상을 제공하도록 구성될 수 있다. 카메라(136)는 성형가능 재료(124)가 패턴화 표면(112)과 기판 표면 사이의 간극 사이에서 확산될 때 변화되는 간섭 무늬를 측정하도록 구성될 수도 있다.
장치(100)는 기판 척(104), 기판 위치설정 스테이지(106), 슈퍼스트레이트 척(118), 헤드(120), 유체 분배기(122), 방사선 공급원(126) 및/또는 카메라(136)와 같은 하나 이상의 구성요소 및/또는 서브시스템과 통신하는 하나 이상의 프로세서(140)(제어기)에 의해 조절, 제어 및/또는 관리될 수 있다. 프로세서(140)는 비일시적 컴퓨터 판독가능 메모리(142)에 저장된 컴퓨터 판독가능 프로그램 내의 명령어에 기초하여 동작될 수 있다. 프로세서(140)는 CPU, MPU, GPU, ASIC, FPGA, DSP, 및 범용 컴퓨터 중 하나 이상이거나 이를 포함할 수 있다. 프로세서(140)는 목적형 구축 제어기일 수 있거나, 또는 제어기가 되도록 구성되는 범용 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 비일시적 컴퓨터 판독 가능 메모리의 예는 RAM, ROM, CD, DVD, 블루-레이, 하드 드라이브, 네트워크형 부착 저장장치(NAS), 인트라넷 연결형 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 디바이스, 및 인터넷 연결형 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 디바이스를 포함하지만 이것으로 제한되지 않는다.
동작 시에, 헤드(120), 기판 위치설정 스테이지(106) 또는 양자 모두는 성형가능 재료(124)로 충전되는 원하는 공간(3차원에서의 한정된 물리적 범위)을 형성하기 위해 슈퍼스트이트(118)와 기판(102) 사이의 거리를 변화시킨다. 예를 들어, 헤드(120)는 기판을 향해 이동되고, 본원에 더 상세히 설명되는 바와 같이 슈퍼스트레이트가 성형가능 재료(124)의 액적과 접촉하고 이를 확산시키도록 슈퍼스트레이트(108)에 힘을 가할 수 있다.
평탄화 처리
평탄화 처리는 도 2a 내지 도 2c에 개략적으로 도시되는 단계를 포함한다. 도 2a에 도시되는 바와 같이, 성형가능 재료(124)는 액적의 형태로 기판(102) 상에 분배된다. 앞에서 설명된 바와 같이, 기판 표면은 이전의 처리 동작에 기초하여 알 수 있거나, Zygo NewView 8200 같은 광학 간섭 효과에 기초한 프로파일로미터, AFM, SEM, 또는 광학 표면 프로파일러를 사용하여 측정될 수 있는 일부 토포그래피를 갖는다. 퇴적된 성형가능 재료(124)의 국소 체적 밀도는 기판 토포그래피에 따라 달라진다. 슈퍼스트레이트(108)는 그후 성형가능 재료(124)와 접촉하는 상태로 위치설정된다.
도 2b는 슈퍼스트레이트(108)가 성형가능 재료(124)와 완전히 접촉된 후이지만 중합 처리가 시작되기 전의 접촉후 단계를 도시한다. 슈퍼스트레이트(108)가 성형가능 재료(124)와 접촉할 때, 액적이 병합되어 슈퍼스트레이트(108)와 기판(102) 사이의 공간을 충전하는 성형가능 재료 막(144)을 형성한다. 바람직하게는, 충전 처리는 미충전 결함을 최소화하기 위해 슈퍼스트레이트(108)와 기판(102) 사이에 어떠한 공기 또는 가스 기포도 포획되지 않는 상태로 균일하게 일어난다. 성형가능 재료(124)의 중합 처리 또는 경화는 화학 방사선(예를 들어, UV 방사선)에 의해 개시될 수 있다. 예를 들어, 도 1의 방사선 공급원(126)은 성형가능 재료 막(144)이 경화, 응고 및/또는 교차 결합되게 하여 기판(102) 상에 경화된 평탄화된 층(146)을 형성하게 하는 화학 방사선을 제공할 수 있다. 대안적으로, 성형가능 재료 막(144)의 경화는 또한 열, 압력, 화학 반응, 다른 유형의 방사선, 또는 이들의 임의의 조합을 사용하여 개시될 수 있다. 일단 경화되면, 평탄화된 층(146)이 형성되고, 슈퍼스트레이트(108)는 그로부터 분리될 수 있다. 도 2c는 슈퍼스트레이트(108)의 분리 후의 기판(102) 상의 경화된 평탄화된 층(146)을 도시한다. 이후 기판 및 경화된 층은 예를 들어, 패터닝, 경화, 산화, 층 형성, 퇴적, 도핑, 평탄화, 에칭, 성형가능 재료 제거, 다이싱, 본딩, 및 패키징 등을 포함하는, 디바이스(물품) 제조를 위한 추가의 공지된 단계 및 처리를 더 받을 수 있다. 기판은 복수의 물품(디바이스)을 생산하도록 처리될 수 있다.
슈퍼스트레이트와 기판 사이의 평탄화 재료의 경화
도 3에 도시되는 바와 같이, 광 투과 척, 특히 슈퍼스트레이트 척(118) 또는 템플릿을 보유하기 위한 척(118)은 척 본체 내로 통합되는 포트(305), 일련의 랜드(307) 및 복수의 채널(308)과 같은 복수의 기하학적 구조물을 포함할 수 있다. 그러나, 성형가능 재료의 경화 중에, 이러한 기하학적 특징부는 척을 통해 투과되는 경화 광의 국소적으로 불균일한 투과율을 유발할 수 있다. 불균일한 광 투과율은 경화 동안 불균일한 경화 속도 및 재료 수축을 초래할 수 있고, 에칭 및 다른 후속 처리를 위한 평탄화 층의 품질에 영향을 줄 수 있다. 이러한 기하학적 구조물에 의해서 유발되는 불균일한 투과율은 예시적인 기하학적 특징부로서의 채널 또는 랜드와 관련하여 이하에서 더 구체적으로 설명된다.
도 4a는 슈퍼스트레이트 척(118)의 표면(118a)과 평행한 저부 표면(308b)을 포함하는 채널(308)의 단면을 도시한다. 채널(308)은 또한 저부 표면(308b)과 척(118)의 표면(118a) 사이에서 연장되는 매끄러운 측벽(308s)을 포함한다. 채널(308)은 또한 척(118)의 표면(118a)에 있는 한 쌍의 예리한 상위 코너 또는 에지(308a) 및 저부 표면(308b)에 있는 한 쌍의 둥글게 된 하위 코너(308le)를 포함한다. 도 4b는 슈퍼스트레이트 척(118) 상에 형성된 랜드(307)의 단면을 도시한다. 랜드(307)는 유사하게 척 표면(118a)과 평행한 상단 표면(307t) 및 상단 표면(307t)과 슈퍼스트레이트 척의 표면(118a) 사이에서 연장되는 매끄러운 측벽(307s)을 포함하며, 마찬가지로 상단 표면(307t)에 있는 한 쌍의 예리한 상위 코너 또는 에지(307a) 및 척(118)의 표면(118a)에 있는 한 쌍의 둥글게 된 하위 코너(307le)를 갖는다. 채널(308) 및 채널에 인접한 영역에서 척(118)을 통해 투과하는 광의 강도는 예리한 에지에서의 2개의 강도 급증(spike) 및 채널(308)의 측벽(308s)에 바로 인접한 2개의 저강도 구역을 갖는 것이 관찰되었다.
채널의 예리한 코너(308a)에서의 강도 급증은 직선 에지에서의 프레넬 회절에 기인하는 강도 분포와 유사하다. 또한, 광이 채널(308)을 통해 조사될 때, 측벽(308s)과 채널(308)의 저부 표면 사이의 둥글게 된 코너(308le)는 렌즈로서 작용하고 입사광을 재분배한다. 렌즈 효과에 의한 광의 재분배는 큰 면적의 낮은 투과율 또는 낮은 강도를 유발한다. 프레넬 회절과 렌즈 효과의 조합은 경화 동안 성형가능 재료에 도달하는 광 강도에서 큰 국소화된 공간적 구배를 초래한다. 이러한 불균일한 광 투과는 성형가능 재료의 경화에 부정적인 영향을 미치고, 형성된 평탄화된 층의 품질에 더 영향을 미친다.
도 5a는 척을 통해 투과하는 광의 투과율의 균일성을 향상시키기 위해, 회절 효과 및 렌즈 효과를 최소화하는 구조물을 갖는 채널(308)의 단면을 도시한다. 도시되는 바와 같이, 채널(308)은 슈퍼스트레이트 척(118)의 표면(118a)과 평행한 저부 표면(308b)을 포함한다. 채널(308)은 또한 저부 표면(308b)과 척(118)의 표면(118a) 사이에서 연장되는 측벽(308s)을 포함한다. 예리한 에지에 의해서 유발되는 회절 효과를 감소시키기 위해서, 척 표면(118a)과 측벽(308s) 사이의 상위 에지(308ue) 및 저부 표면(308b)과 측벽(308s) 사이의 하위 에지(308le) 모두가 둥글게 되거나 모따기된다. 일 실시예에서, 둥글게 된 에지(308ue, 308le)의 곡률 반경은 대략 0.05 mm 내지 1 mm의 범위이다. 렌즈 효과를 최소화하기 위해, 측벽(308s)은 그 위에 입사되는 광을 확산시키는 거친 표면으로 조면화된다. 바람직하게는 그러나 선택적으로, 측벽의 조도는 대략 100 nm 내지 1μm의 범위이다. 에지(308a 및 308c)의 진원도 및 측벽(308s)의 조도의 범위는 채널(308)의 실제 치수 및 슈퍼스트레이트 척(118)을 통해 투과하는 광의 특성에 따라 변할 수 있다는 것을 알 수 있다.
도 5b는 슈퍼스트레이트 척(118) 상에 형성된 랜드(307)의 단면을 도시한다. 랜드(307)는 척 표면(118a)과 평행한 상단 표면(307t) 및 상단 표면(307t)과 슈퍼스트레이트 척(118)의 표면(118a) 사이에서 연장되는 측벽(307s)을 포함한다. 채널(308)과 유사하게, 상단 표면(307t)과 측벽(307s) 사이의 상위 에지(307ue) 및 하위 에지(307le)는 바람직하게는 0.05 mm과 1 mm 사이의 곡률 반경으로 둥글게 된다. 측벽(307s)은 약 100 nm 내지 약 1 ㎛ 의 조도를 갖는 거친 표면으로 조면화된다. 둥글게 된 에지 및 조면화된 측벽의 실제 치수는 랜드(307) 의 치수 및 투과 광의 특성에 의존한다.
도 5a 또는 도 5b에 도시되는 바와 같은 구조물을 갖는 척은 도 6의 흐름도에 도시되는 바와 같은 단계를 갖는 방법에 사용될 수 있다. 단계 S501에서는, 기하학적 구조물을 포함하는 광 투과 척이 제공된다. 기하학적 구조물은 적어도 둥글게 된 에지 부분, 조면화된 표면, 또는 둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 모두를 포함한다. 단계 S502에서 슈퍼스트레이트 또는 템플릿이 척에 의해 보유된다. 단계 S503에서, 슈퍼스트레이트 또는 템플릿은 기판 상에 분배된 성형가능 재료와 접촉하도록 전진되고, 따라서 성형가능 재료의 전방은 기판의 중심으로부터 주변부로 전진될 수 있다. 성형가능 재료는 이어서 단계 S904에서 척 및 슈퍼스트레이트 또는 템플릿을 통해 광을 조사함으로써 경화된다. 기하학적 특징부의 둥글게 된 코너 및/또는 거친 측벽에 의해, 기하학적 구조물 및 기하학적 구조물에 인접한 영역을 통해 투과하는 광의 강도 변동은 효과적으로 감소된다.
도 5a 및 도 5b의 구조물을 갖는 척은 또한 물품을 제조하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 성형가능 재료가 기판 상에 분배될 수 있다. 슈퍼스트레이트는 기하학적 구조물을 포함하는 광 투과 척에 의해 보유된다. 기하학적 구조물은 둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 부분 중 적어도 하나를 포함한다. 슈퍼스트레이트는 기판 상에 분배된 성형가능 재료와 접촉하도록 전진되며, 따라서 성형가능 재료의 전방은 기판의 중심으로부터 주변부로 전진될 수 있다. 이어서, 슈퍼스트레이트는 선택적으로 척으로부터 해방되고, 성형가능 재료는 척을 통해 광을 조사함으로써 경화된다. 기하학적 구조물 및 기하학적 구조물에 인접한 척의 영역을 통해 투과하는 광의 강도 변동이 둥글게 된 코너 및 조면화된 표면 중 적어도 하나에 의해 감소된다.
다양한 양태의 추가의 변형예 및 대안적인 실시예가 이러한 설명의 견지에서 통상의 기술자들에게 명백할 것이다. 따라서, 이 설명은 단지 예시로서 해석되어야 한다. 본 명세서에 도시되고 설명된 형태는 실시예의 예로서 취해져야 한다는 것이 이해되어야 한다. 요소 및 재료는 본원에 도시되고 설명된 것에 대해 대체될 수 있고, 부품 및 처리는 반대로 될 수 있으며, 일부 특징은 독립적으로 이용될 수 있으며, 이들 모두는 본 설명의 도움을 받은 후에 통상의 기술자에게 명확할 것이다.

Claims (14)

  1. 슈퍼스트레이트 또는 템플릿을 보유하기 위한 광 투과 척이며, 상기 척의 표면 상에 형성된 기하학적 구조물을 포함하고, 상기 기하학적 구조물은 둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 부분 중 적어도 하나를 포함하며, 따라서 상기 기하학적 구조물 및 상기 기하학적 구조물에 인접한 척의 영역을 통해 투과되는 광의 강도 변동이 감소되는 광 투과 척.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기하학적 구조물은 상기 척의 상기 표면과 평행한 평행 표면 부분 및 상기 척의 상기 표면으로부터 상기 평행 표면 부분까지 연장되는 상기 조면화된 표면 부분을 포함하는 광 투과 척.
  3. 제1항에 있어서, 상기 조면화된 에지 부분은 상기 평행 표면 부분 주위의 제1 조면화된 에지 및 상기 척의 상기 표면 주위의 제2 조면화된 에지를 포함하는 광 투과 척.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기하학적 구조물은 상기 척의 복수의 구역을 형성하기 위해서 상기 표면으로부터 연장되는 복수의 랜드를 포함하는 광 투과 척.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기하학적 구조물은 적어도 상기 척의 상기 표면으로부터 함몰된 채널을 포함하는 광 투과 척.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기하학적 구조물은 적어도 상기 척을 통해서 연장되는 포트를 포함하는 광 투과 척.
  7. 제1항에 있어서, 상기 척의 표면은 상기 슈퍼스트레이트 또는 상기 템플릿의 지지 표면인 광 투과 척.
  8. 방법이며,
    둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 부분 중 적어도 하나를 포함하는 기하학적 구조물을 포함하는 광 투과 척에 의해 슈퍼스트레이트 또는 템플릿을 보유하는 단계;
    기판 상에 분배된 성형가능 재료와 접촉하도록 상기 슈퍼스트레이트 또는 상기 템플릿을 전진시키는 단계;
    상기 슈퍼스트레이트 또는 상기 템플릿을 상기 척으로부터 해방하는 단계; 및
    상기 성형가능 재료를 경화시키기 위해서 상기 척 및 상기 슈퍼스트레이트 또는 상기 템플릿을 통해 광을 조사하는 단계로서, 상기 기하학적 구조물 및 상기 기하학적 구조물에 인접하는 상기 척의 영역을 통해 투과하는 상기 광의 강도 변동이 둥글게 된 코너 및 상기 조면화된 표면 중 적어도 하나에 의해 감소되는, 광을 조사하는 단계를 포함하는 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기하학적 구조물은 상기 척의 표면과 평행한 평행 표면 부분 및 상기 평행 표면 부분으로부터 상기 척의 표면까지 연장되는 상기 조면화된 표면 부분을 포함하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 조면화된 에지 부분은 상기 평행 표면 부분 주위의 제1 조면화된 에지 및 상기 척의 상기 표면 주위의 제2 조면화된 에지를 포함하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 기하학적 구조물은 상기 척의 표면으로부터 연장되는 복수의 랜드를 포함하는 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 기하학적 구조물은 상기 척의 표면으로부터 함몰된 채널을 포함하는 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 기하학적 구조물은 상기 척을 통해서 연장되는 포트를 포함하는 방법.
  14. 물품의 제조 방법이며,
    성형가능 재료를 기판 상에 분배하는 단계;
    광 투과 척에 의해 슈퍼스트레이트를 보유하는 단계로서, 상기 척은 기하학적 구조물을 포함하고, 상기 기하학적 구조물은 둥글게 된 에지 부분 및 조면화된 표면 부분 중 적어도 하나를 포함하는, 슈퍼스트레이트를 보유하는 단계;
    상기 슈퍼스트레이트를 상기 기판 상에 분배된 상기 성형가능 재료와 접촉하도록 전진시키는 단계;
    상기 슈퍼스트레이트를 상기 척으로부터 해방하는 단계; 및
    상기 성형가능 재료를 경화시키기 위해서 상기 척 및 상기 슈퍼스트레이트 또는 상기 템플릿을 통해 광을 조사하는 단계로서, 상기 기하학적 구조물 및 상기 기하학적 구조물에 인접하는 상기 척의 영역을 통해 투과하는 상기 광의 강도 변동이 둥글게 된 코너 및 상기 조면화된 표면 중 적어도 하나에 의해 감소되는, 광을 조사하는 단계를 포함하는 물품의 제조 방법.
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