JP2012009686A - テンプレートおよび製造方法、加工方法 - Google Patents
テンプレートおよび製造方法、加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012009686A JP2012009686A JP2010145238A JP2010145238A JP2012009686A JP 2012009686 A JP2012009686 A JP 2012009686A JP 2010145238 A JP2010145238 A JP 2010145238A JP 2010145238 A JP2010145238 A JP 2010145238A JP 2012009686 A JP2012009686 A JP 2012009686A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- template
- convex
- concavo
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態のテンプレート10は、第1凹凸パターンに硬化剤を充填して硬化させることにより第1凹凸パターンを硬化剤に転写して硬化剤からなる第2凹凸パターンを被加工層上に形成するインプリントに用いるテンプレートである。このテンプレート10は、基板の一面側に第1凹凸パターンを備える。第1凹凸パターンは、凹部の底面の高さ位置が略同一であり、凹部の底面からの高さが異なる2種類以上の凸部11pa、11pbを有する。
【選択図】図2
Description
以下、第1の実施の形態にかかるナノインプリントリソグラフィ(NIL)の工程を説明する。まず、NILに用いるテンプレート基板(以下、テンプレートと呼ぶ)を作製する。図1−1および図1−2は、第1の実施の形態にかかるテンプレートの作製方法の一例を示す断面図である。最初に、例えば略長方形状の石英基板11の一面上にクロム(Cr)膜12を形成し、該クロム膜12上にレジスト13を塗布する(図1−1(a))。
第2の実施の形態では、図8に示すような設計パターンの加工を実施する方法について説明する。図8は、第2の実施の形態にかかる基板21の設計パターンを示す図であり、図8(a)は上面図、図8(b)は断面図である。図8(b)は、図8(a)の線分F−Fにおける断面図である。図8に示す設計パターンにおいては、基板21上の被加工層が加工されて形成された被加工層パターン22pとして、凹パターン22pcを有するラインアンドスペース(L/S)の回路パターンCPの周辺に大面積の非パターン周辺領域(凸パターン)22pdが設けられている。
Claims (5)
- 第1凹凸パターンに硬化剤を充填して硬化させることにより前記第1凹凸パターンを前記硬化剤に転写して硬化剤からなる第2凹凸パターンを被加工層上に形成するインプリントに用いるテンプレートであって、
基板の一面側に前記第1凹凸パターンを備え、
前記第1凹凸パターンは、凹部の底面の高さ位置が略同一であり、前記凹部の底面からの高さが異なる2種類以上の凸部を有すること、
を特徴とするテンプレート。 - 前記2種類以上の凸部は、
前記第2凹凸パターンをマスクに用いた前記被加工層に対する加工において前記被加工層が凹加工されるパターンに対応した第1凸部と、
前記凹部の底面からの高さが前記第1凸部よりも低く、前記第2凹凸パターンをマスクに用いた前記被加工層に対する加工において前記被加工層が加工されない領域に対応する第2凸部と、
を有することを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。 - 第1凹凸パターンに硬化剤を充填して硬化させることにより前記第1凹凸パターンを前記硬化剤に転写して硬化剤からなる第2凹凸パターンを被加工層上に形成するインプリントに用いるテンプレートの製造方法であって、
テンプレート用基板の一面側を加工して略同一な高さの複数の凸部を含む凹凸パターンを形成する第1工程と、
前記複数の凸部のうちの一部の凸部の高さを低く加工して高さの異なる2種類以上の凸部を有する前記第1凹凸パターンを形成する第2工程と、
を含むことを特徴とするテンプレートの製造方法。 - 前記第1工程は、
前記テンプレート用基板の一面上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンをマスクとして前記テンプレート用基板の一面側をエッチングすることにより略同一な高さの複数の凸部を含む凹凸パターンを前記テンプレート用基板に形成する工程と、
を含み、
前記第2工程は、
前記マスクパターンのうちの一部を残して前記マスクパターンを除去する工程と、
前記テンプレート用基板上に残した前記マスクパターンをマスクとして前記テンプレート用基板の一面側をエッチングすることにより、高さの異なる2種類以上の凸部を有する前記第1凹凸パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項3に記載のテンプレートの製造方法。 - 被加工層上に硬化剤を塗布する工程と、
凹部の底面の高さ位置が略同一であり前記凹部の底面からの高さが異なる2種類以上の凸部を有する第1凹凸パターンを前記硬化剤に接触させた状態で前記硬化剤を硬化させることにより前記第1凹凸パターンを前記硬化剤に転写して、底面の高さ位置が異なる2種類以上の凹部を有する第2凹凸パターンを形成する工程と、
前記第1凹凸パターンを前記硬化した硬化剤から離間させる工程と、
前記第2凹凸パターンをマスクに用いて、前記第2凹凸パターンのうち底面の高さ位置が高い凹部の底面に前記硬化剤が残存する条件で前記被加工層を加工する工程と、
を含むことを特徴とする加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010145238A JP5426489B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | テンプレートの製造方法 |
US13/051,729 US20110315077A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-03-18 | Template, manufacturing method, and processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010145238A JP5426489B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | テンプレートの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012009686A true JP2012009686A (ja) | 2012-01-12 |
JP5426489B2 JP5426489B2 (ja) | 2014-02-26 |
Family
ID=45351304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010145238A Active JP5426489B2 (ja) | 2010-06-25 | 2010-06-25 | テンプレートの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110315077A1 (ja) |
JP (1) | JP5426489B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013202974A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント用のモールドおよび微細構造の形成方法 |
JP2013254913A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2014175134A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及びダミーパターン設計方法 |
JP2015201562A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 保護膜形成方法 |
JP2016004840A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 |
JP2016207717A (ja) * | 2015-04-16 | 2016-12-08 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用マスターモールド及びその製造方法、インプリント用フィルムモールド及びその製造方法、並びにワイヤーグリッド偏光子の製造方法 |
US10040219B2 (en) | 2013-03-25 | 2018-08-07 | Toshiba Memory Corporation | Mold and mold manufacturing method |
WO2019108379A1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | Applied Materials, Inc. | Method of direct etching fabrication of waveguide combiners |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104681743B (zh) * | 2013-11-29 | 2017-02-15 | 清华大学 | 有机发光二极管的制备方法 |
JP2021145076A (ja) | 2020-03-13 | 2021-09-24 | キオクシア株式会社 | 原版および半導体装置の製造方法 |
CN113078279A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004071587A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法 |
JP2007266193A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント用の型部材とその作製方法、およびこれらに用いられる積層基板 |
JP2009515350A (ja) * | 2005-11-09 | 2009-04-09 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク | リソグラフィマスクなどの形状体を搭載する支持体を形成する方法 |
JP2009292150A (ja) * | 2003-04-14 | 2009-12-17 | Minuta Technology Co Ltd | 有機モールドおよびその製造方法 |
JP2010103415A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011159850A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | テンプレート、テンプレートの製造方法およびパターン形成方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7927525B2 (en) * | 2007-08-24 | 2011-04-19 | Lizotte Todd E | Vacuum isostatic micro molding of micro/nano structures and micro transfer metal films into PTFE and PTFE compounds |
-
2010
- 2010-06-25 JP JP2010145238A patent/JP5426489B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-18 US US13/051,729 patent/US20110315077A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004071587A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Hitachi Ltd | スタンパとスタンパを用いたパターン転写方法及び転写パターンによる構造体の形成方法 |
JP2009292150A (ja) * | 2003-04-14 | 2009-12-17 | Minuta Technology Co Ltd | 有機モールドおよびその製造方法 |
JP2009515350A (ja) * | 2005-11-09 | 2009-04-09 | コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク | リソグラフィマスクなどの形状体を搭載する支持体を形成する方法 |
JP2007266193A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント用の型部材とその作製方法、およびこれらに用いられる積層基板 |
JP2010103415A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2011159850A (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | テンプレート、テンプレートの製造方法およびパターン形成方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013202974A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント用のモールドおよび微細構造の形成方法 |
JP2013254913A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 |
US10040219B2 (en) | 2013-03-25 | 2018-08-07 | Toshiba Memory Corporation | Mold and mold manufacturing method |
WO2014175134A1 (ja) * | 2013-04-22 | 2014-10-30 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及びダミーパターン設計方法 |
JP2014216328A (ja) * | 2013-04-22 | 2014-11-17 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及びダミーパターン設計方法 |
JP2015201562A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 保護膜形成方法 |
JP2016004840A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社東芝 | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 |
JP2016207717A (ja) * | 2015-04-16 | 2016-12-08 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用マスターモールド及びその製造方法、インプリント用フィルムモールド及びその製造方法、並びにワイヤーグリッド偏光子の製造方法 |
WO2019108379A1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | Applied Materials, Inc. | Method of direct etching fabrication of waveguide combiners |
US11327218B2 (en) | 2017-11-29 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Method of direct etching fabrication of waveguide combiners |
US11662516B2 (en) | 2017-11-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Method of direct etching fabrication of waveguide combiners |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5426489B2 (ja) | 2014-02-26 |
US20110315077A1 (en) | 2011-12-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5426489B2 (ja) | テンプレートの製造方法 | |
JP5214683B2 (ja) | インプリントレシピ作成装置及び方法並びにインプリント装置及び方法 | |
JP5395757B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5615311B2 (ja) | テンプレートの製造方法 | |
JP2011066238A (ja) | パターン形成用テンプレートの作製方法 | |
KR20110093654A (ko) | 패턴 형성 방법 | |
JP5289006B2 (ja) | パターン形成方法およびプログラム | |
KR20090119041A (ko) | 임프린트 기판의 제조방법 및 임프린팅 방법 | |
US20110070733A1 (en) | Template and pattern forming method | |
JP2012023109A (ja) | テンプレートの欠陥修正方法、テンプレートの作成方法および半導体装置の製造方法 | |
JP6338938B2 (ja) | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 | |
JP2018101780A (ja) | インプリント・テンプレート複製処理中の押出しを制御する方法 | |
JP2015037152A (ja) | モールド製造方法、モールド製造装置及びパターン形成方法 | |
JP2015138928A (ja) | インプリント用モールドの製造方法 | |
JP6115300B2 (ja) | インプリント用モールド、インプリント方法、パターン形成体 | |
JP6107078B2 (ja) | インプリントモールドの製造方法、および、パターン形成方法と半導体装置の製造方法 | |
KR101118409B1 (ko) | 식별 마크를 갖는 템플릿 및 그 제조 방법 | |
US10474028B2 (en) | Template, method for fabricating template, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2013182962A (ja) | テンプレートの製造方法 | |
US20210096461A1 (en) | Defect repairing method and template manufacturing method | |
JP2015147360A (ja) | インプリントモールドとこれを用いたインプリント方法およびインプリントモールドを製造するためのマスターモールド | |
JP6314609B2 (ja) | インプリントレプリカモールド及びインプリントレプリカモールドの製造方法 | |
JP2013140917A (ja) | ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法 | |
JP6015140B2 (ja) | ナノインプリントモールドおよびその製造方法 | |
KR101418976B1 (ko) | 패드 인쇄법을 위한 미세 요철 패턴 구조을 구비하는 원판 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120808 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130919 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131128 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5426489 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |