JP2013202974A - インプリント用のモールドおよび微細構造の形成方法 - Google Patents

インプリント用のモールドおよび微細構造の形成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】所望の凹凸構造の凹部への気泡の閉じ込めを抑制できるインプリント用のモールドと、このモールドを使用した微細構造の形成方法を提供する。
【解決手段】基材12の主面12aに主領域13Aと該主領域に隣接した補助領域13Bからなる凹凸構造領域13を有し、主領域13Aは転写すべき凹凸構造を備え、補助領域13Bは主領域から被転写材料とともに気泡を誘引するための凹凸構造を備えたモールド11を準備し、該モールド11の主領域の凹凸構造の反転したパターンを転写するために必要な量を超える量の被転写材料31を、転写基材21上に滴下して供給し、モールドの少なくとも主領域13Aが被転写材料31と接触するようにモールド11と転写基材21とを近接させて両者間に被転写材料を介在させ、その後、モールドの主領域13Aで余剰となった被転写材料31をモールドの補助領域13Bに移動させ、次いで、被転写材料を硬化させた後、被転写材料とモールドとを引き剥がすことにより、微細構造を形成する。
【選択図】 図8

Description

本発明は、所望の凹凸構造を形成するインプリント用のモールドとこれを用いた微細構造の形成方法に関する。
微細加工技術として、基材の表面に微細な凹凸構造を形成した型部材(モールド)を用いて微細構造を形成するインプリント方法に注目が集まっている。このインプリント方法では、転写基材にコーティングにより薄膜フィルムを形成し、このフィルムにモールドを押し当て、モールドの凹凸構造をフィルムに転写し硬化させ、その後、モールドとフィルムとを引き離すことで、転写基材上にモールドの凹凸構造が反転した等倍パターンの微細構造を形成する(特許文献1)。
このようなインプリント方法では、モールドの凹凸構造に被転写材料が完全に充填されることが重要であり、モールドの凹凸構造の凹部に気泡が閉じ込められた場合、この気泡は形成する微細構造の欠陥の原因となる。このような気泡の閉じ込めを防止するために、例えば、モールドの凹凸構造の凹部のコーナー部にマイクロトレンチ(微小凹部)を形成する方法(特許文献2)等が提案されている。
米国特許第5,772,905号 特開2007−42715号公報
しかしながら、上記のモールドの凹部のコーナー部にマイクロトレンチを設けるためには、モールドの凹部よりも更に微細なリソグラフィを実施する必要があり工程が煩雑なものとなる。また、インプリント時にモールドの凹部に閉じ込められる気泡の体積は、使用する被転写基材の濡れ性、粘性、被転写材へのモールドの押し当て圧力、押し当て状態での保持時間等により変動するため、あらゆる条件に対応できるマイクロトレンチを形成することは困難であり、条件毎にモールドが必要となりインプリント方法のコスト低減に支障を来すものとなる。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、所望の凹凸構造の凹部への気泡の閉じ込めを抑制できるインプリント用のモールドと、このモールドを使用した微細構造の形成方法を提供することを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明は、凹凸構造を備えるモールドと転写基材との間に被転写材料を介在させて、前記凹凸構造の反転したパターンを前記被転写材料に転写する微細構造の形成方法において、凹凸構造を備えた凹凸構造領域を基材の主面に有するモールドであって、該凹凸構造領域は転写すべき凹凸構造を備えた主領域と、気泡捕捉用の凹凸構造を備え前記主領域に隣接する補助領域と、有するモールドを準備する工程と、該モールドの前記主領域の凹凸構造の反転したパターンを転写するために必要な量を超える量の被転写材料を、転写基材上に滴下して供給する工程と、前記モールドの少なくとも前記主領域が前記被転写材料と接触するように前記モールドと前記転写基材とを近接させ、前記モールドと前記転写基材との間に被転写材料を介在させ、前記モールドの前記主領域で余剰となった前記被転写材料を前記モールドの前記補助領域に移動させるとともに、前記主領域に発生した気泡を前記補助領域に移送する工程と、前記被転写材料を硬化させる工程と、硬化後の前記被転写材料と前記モールドとを引き剥がす工程と、を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記モールドの主領域と補助領域との境界から、該境界の最近傍に位置する主領域の凹凸構造における凹部までの距離を1000nm以下とするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記モールドの前記補助領域の凹凸構造を、前記主領域の凹凸構造における凹部よりも浅い凹部を備える構造とするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記モールドの前記補助領域の凹凸構造を、前記主領域の凹凸構造における凹部よりも深い凹部を備える構造とするような構成とした。
また、本発明は、転写基材に供給された被転写材料に所望のパターンを転写するインプリント用のモールドにおいて、基材と、該基材の一主面に位置する凹凸構造領域と、を有し、該凹凸構造領域は転写すべき凹凸構造を備える主領域と、該主領域に隣接するとともに気泡を捕捉するための凹凸構造を備える補助領域と、を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記主領域と前記補助領域との境界から、該境界の最近傍に位置する主領域の凹凸構造における凹部までの距離は、1000nm以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記補助領域の凹凸構造は、前記主領域の凹凸構造における凹部よりも浅い凹部を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記補助領域の凹凸構造は、前記主領域の凹凸構造における凹部よりも深い凹部を備えるような構成とした。
本発明の微細構造の形成方法では、モールドの主領域と転写基材との間隙空間に収容しきれずに余剰となった被転写材料が、主領域から補助領域へ移動し、このとき、主領域の凹凸構造の凹部に存在する気泡も被転写材料と共に補助領域に移送されて、補助領域およびこの補助領域の凹凸構造の凹部に気泡が捕捉され、これにより、主領域の凹凸構造での気泡の閉じ込めを抑制することができ、微細構造の形成における欠陥の発生を大幅に低減することが可能となる。
また、本発明のインプリント用のモールドは、転写すべき凹凸構造を備える主領域に隣接して、気泡を捕捉するための凹凸構造を備える補助領域を有するので、インプリント時にモールドと転写基材との間に被転写材料が介在した状態で、主領域の凹部に気泡が発生しても、余剰となった被転写材料が主領域から補助領域へ移動するのに伴って、主領域の凹部に発生した気泡が補助領域に移送されて、補助領域およびこの補助領域の凹凸構造の凹部に気泡が捕捉され、これにより、主領域の凹凸構造での気泡の閉じ込めを抑制することができる。
図1は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を説明するための平面図である。 図2は、図1に示されるインプリント用のモールドのI−I線における縦断面図である。 図3(A)〜(C)は、モールドの主領域と補助領域の境界部位の部分拡大断面図である。 図4は、モールドの主領域と補助領域の境界部位の部分拡大断面図である。 図5(A)〜(B)は、モールドの主領域と補助領域の境界部位の部分拡大断面図である。 図6は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を説明するための平面図である。 図7は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を説明するための平面図である。 図8は、本発明の微細構造の形成方法の一実施形態を説明するための工程図である。 図9は、本発明の微細構造の形成方法の他の実施形態を説明するための図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
[インプリント用のモールド]
図1は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を説明するための平面図であり、図2は、図1に示されるインプリント用のモールドのI−I線における縦断面図である。図1および図2において、インプリント用のモールド11は基材12を有し、この基材12の一主面12aには、凹凸構造領域13が位置している。図示例では、この凹凸構造領域13は、転写すべき凹凸構造を備える主領域13Aと、この主領域13Aの周囲に位置し、気泡を捕捉するための凹凸構造を備える補助領域13Bに画定されている。そして、主領域13Aの凹凸構造は凹部14Aを有し、補助領域13Bの凹凸構造は凹部14Bを有している。尚、図2における凹凸構造は便宜的に示したものであり、これに限定されるものではない。
インプリント用のモールド11の基材12は、被転写材料が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。また、使用する被転写材料が光硬化性ではない場合や、転写基材側から被転写材料を硬化させるための光を照射可能である場合には、モールドは光透過性の材料でなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
また、被転写材料とモールドとの引き剥がしを容易とするために、モールド11の基材12は、主面12aに離型剤層を備えていてもよい。しかし、離型剤層が主面12aに存在し、被転写材料と主面12aとの濡れ性が低下することにより、後述するキャピラリーフォース(毛細管現象)による主領域13Aから補助領域13Bへの被転写材料の移動容易性が低下するので、離型剤層を設ける場合は、離型性と移動容易性を考慮することが好ましい。
モールド11の基材12の厚みは、主面12aに備える凹凸構造の形状、基材の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、300μm〜10mm程度の範囲で適宜設定することができる。また、モールド11は、凹凸構造を有する主面12aが、その周囲の領域に対して1段、あるいは、2段以上の凸構造となっている、いわゆるメサ構造であってもよい。
モールド11の基材12の一主面12aに位置する凹凸構造領域13は、上述のように、転写すべき凹凸構造を備える主領域13Aと、気泡捕捉用の凹凸構造を備える補助領域13Bに画定されている。主領域13Aの凹凸構造は凹部14Aを有し、補助領域13Bの凹凸構造は凹部14Bを有しており、この凹部14Bは気泡捕捉用の凹部として機能する。モールド11では、モールド11の主領域13Aと転写基材との間隙空間に収容しきれずに余剰となった被転写材料が、キャピラリーフォース(毛細管現象)によって、モールド11と転写基材との間隙空間を主領域13Aから補助領域13Bへ移動する。そして、主領域13Aの凹部14Aに気泡が発生した場合、被転写材料の主領域13Aから補助領域13Bへの移動に伴って、主領域13Aの凹部14Aに発生した気泡が補助領域13Bに移送され、補助領域13Bおよびこの補助領域13Bの凹凸構造の凹部14Bに気泡が捕捉される。これにより、主領域13Aの凹凸構造での気泡の閉じ込めを抑制することができる。本発明のインプリント用のモールドでは、主領域13Aに発生した気泡を補助領域13Bに移送することにより、主領域13Aから気泡を排除することを目的としており、この目的からすると、気泡が補助領域13Bに移送された時点で主領域13Aから気泡が排除されたとすることができ、補助領域13Bの凹部14Bに気泡が捕捉されることを必須とするものではない。
ここで、本発明のモールド11において、補助領域13Bは、主領域13Aに存在する気泡が補助領域13Bへの被転写材料の移動に伴って移送され得る位置に存在することが必要である。例えば、気泡が数分間以内、好ましくは1分間以内で到達できる位置に補助領域13Bを存在させることが好適である。一方、主領域13Aでは、モールド11と転写基材との間隙空間を、被転写材料がキャピラリーフォース(毛細管現象)によって広がり、補助領域13B方向へ移動する。このため、主領域13Aで発生した気泡は、この被転写材料の広がりに伴って、主領域13A内を順次補助領域13Bとの境界方向に移送される。したがって、その後の主領域13Aから補助領域13Bへの余剰の被転写材料の移動による主領域13Aからの気泡の排除は、主領域13Aと補助領域13Bとの境界の最近傍に位置する主領域13Aの凹部14Aから補助領域13Bへの気泡の移送として想定することができる。そして、この気泡の移送を数分間以内、好ましくは1分間以内に行うためには、主領域13Aと補助領域13Bとの境界の最近傍に位置する主領域13Aの凹部14Aから補助領域13Bまでの距離L(図2を参照)を、1000nm以下、好ましくは500nm以下、より好ましくは100〜300nmの範囲で設定することができる。主領域13Aの凹部14Aから補助領域13Bまでの距離が1000nmを超えると、主領域13Aから補助領域13Bへの余剰の被転写材料の移動に伴って、気泡を主領域13Aから排除するのに要する時間が1分以上、場合によっては数分間となり、被転写材料の揮発による体積減少が生じて気泡の増加や、主領域13Aの凹凸構造での気泡の閉じ込めが生じるおそれがあり、また、インプリントのスループットが低下して好ましくない。
モールド11の補助領域13Bの凹凸構造の凹部14Bは、その形状、寸法を、主領域13Aから補助領域13Bへ移動する余剰の被転写材料の想定される量等に応じて適宜設定することができる。図3は、モールド11の主領域13Aと補助領域13Bの境界部位の部分拡大断面図であり、図3(A)に示される例では、補助領域13Bの凹凸構造の凹部14Bの深さdは、主領域13Aの凹凸構造の凹部14Aの深さdと同じである。このように補助領域13Bの凹部14Bの深さと主領域13Aの凹部14Aの深さを同じとすることにより、モールド11は製造が容易なものとなる。
また、図3(B)に示される例では、補助領域13Bの凹凸構造の凹部14Bの深さd′は、主領域13Aの凹凸構造の凹部14Aの深さdよりも小さいものである。このように補助領域13Bの凹部14Bを、主領域13Aの凹部14Aよりも浅くすることにより、補助領域13Bにおいて被転写材料に作用するキャピラリーフォース(毛細管現象)がより強くなり、主領域13Aから補助領域13Bへの被転写材料の移動に伴う気泡の移送、捕捉がより効果的に行われる。
また、図3(C)に示される例では、補助領域13Bの凹凸構造の凹部14Bの深さd″は、主領域13Aの凹凸構造の凹部14Aの深さdよりも大きいものである。同じ開口面積の凹部14B同士で比較した場合、このように補助領域13Bの凹部14Bを主領域13Aの凹部14Aよりも深くすることにより、主領域13Aから補助領域13Bへ移動する余剰の被転写材料の収容量が多くなり、平面視的により狭い面積の補助領域13Bで気泡の捕捉を行うことができる。
また、補助領域13Bの複数の凹部14Bは、同じ深さでなくてもよい。例えば、図4に示されるように、補助領域13Bの凹部14Bが、主領域13Aの凹部14Aと同じ深さdの凹部と、深さがd′であって主領域13Aの凹部14Aよりも浅い凹部との組み合わせであってもよい。この場合、主領域13Aと補助領域13Bの境界部位の最近傍に位置する凹部14Bは、深さdの凹部、深さd′の凹部のいずれであってもよい。また、主領域13Aの凹部14Aよりも深い凹部を組み合わせてもよく、組み合わせる凹部の種類、位置は特に限定されない。
また、主領域13Aの凹部14Aの深さが均一でない場合も、補助領域13Bの凹部14Bの深さは、凹部14Bの幅、形状、および、主領域13Aから補助領域13Bへ移動する余剰の被転写材料の想定される量等に応じて適宜設定することができる。例えば、図5(A)に示されるように、主領域13Aの凹部14Aが、深さd1の浅い凹部と、深さd2の深い凹部からなるとき、補助領域13Bの凹部14Bを深さd1としてもよい。また、図5(B)に示されるように、補助領域13Bの凹部14Bを深さd1の浅い凹部と、深さd2の深い凹部との組み合わせとしてもよい。この場合、主領域13Aと補助領域13Bの境界部位の最近傍に位置する凹部14Bは、深さd1の凹部、深さd2の凹部のいずれであってもよい。また、主領域13Aの凹部14Aよりも更に深い凹部、あるいは、更に浅い凹部を組み合わせてもよく、組み合わせる凹部14Bの種類、位置は特に限定されない。
上述の補助領域13Bの凹部14Bの例では、主領域13Aと補助領域13Bとの境界から離間する方向に複数列で凹部14Bが配置されているが、これに限定されるものではなく、所望の形状、寸法の凹部14Bが主領域13Aと補助領域13Bとの境界に沿って1列で配置されるものであってもよい。また、凹部14Bを、開口部形状が長方形のライン状の凹部とし、この凹部14Bの長手方向が主領域13Aと補助領域13Bとの境界に対して直角をなすように設けることもできる。このような補助領域13Bの凹部14Bは、主領域13Aから補助領域13Bへの余剰の被転写材料の移動をより円滑にし、気泡の捕捉をより確実なものとすることができる。
上述のインプリント用のモールドの実施形態は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。上述の実施形態では、凹凸構造領域13を構成する補助領域13Bは主領域13Aを囲むように位置するが、主領域13Aに隣接して1個、あるいは、複数個の補助領域13Bが位置するものであってもよい。例えば、図6に示されるように、主領域13Aが備える転写すべき凹凸構造が、図示の矢印a方向に被転写材料の移動容易性をもつ場合、補助領域13Bを主領域13Aの両側2箇所に画定することにより、矢印a方向に沿って主領域13Aから補助領域13Bへの余剰の被転写材料の移動が容易に行われる。
また、図7に示されるように、補助領域13Bが主領域13Aの矢印a方向の一端部側に画定されるものであってもよい。
[微細構造の形成方法]
図8は、本発明の微細構造の形成方法の一実施形態を説明するための工程図である。
本発明の微細構造の形成方法では、凹凸構造を備えた凹凸構造領域を基材の主面に有するモールドであって、この凹凸構造領域が、転写すべき凹凸構造を備えた主領域と、気泡捕捉用の凹凸構造を備え主領域に隣接する補助領域と、有するモールドを準備する。このようなモールドとして、上述の本発明のインプリント用のモールドを使用することができ、当該実施形態では、本発明のインプリント用のモールドとして図1、図2および図3(A)に示されるモールド11を準備する。したがって、モールド11の詳細な説明は、ここでは省略する。尚、図8におけるモールド11の凹凸構造は便宜的に示したものであり、これに限定されるものではない。
次に、モールド11の主領域13Aの凹凸構造の反転したパターンを転写するために必要な量を超える量の被転写材料31を、転写基材21上に滴下して供給する(図8(A))。転写基材21において被転写材料31を供給する領域は、少なくともモールド11の主領域13Aの所望部位に相対する領域であればよい。したがって、被転写材料31を供給する転写基材21の領域は、モールド11の主領域13Aの全域に相対する領域であってもよく、また、モールド11の補助領域13Bの一部の部位に相対する領域を含むものでもよく、さらに、モールド11の凹凸構造領域13を除く主面12aの一部の部位に相対する領域を含むものでもよい。
使用する被転写材料31は、インプリントが可能な流動性を有する材料であればよく、例えば、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等の樹脂を挙げることができる。また、例えば、石英、ソーダライムガラス、金属イオン含有ガラス等の加熱により流動性を発現する無機材料、あるいは、無機材料と有機材料との混合物等を用いることも可能である。このような被転写材料31は、インクジェットやディスペンサ等を用いて液滴として転写基材21上に供給することができる。
また、被転写材料31の供給量は、上記のように、モールド11の主領域13Aの凹凸構造の反転したパターンを転写するために必要な量を超える量である。すなわち、モールド11の主領域13Aと転写基材21との間隙空間とモールド11の主領域13Aの凹部14A内とに収容可能な量を超える量となるように、被転写材料31の供給量を適宜設定する。例えば、モールド11の主領域13Aと転写基材21との間隙空間と主領域13Aの凹部14A内とに収容可能な量に、モールド11の補助領域13Bと転写基材21との間隙空間と補助領域13Bの凹部14B内とに収容可能な量を加えた量を供給量とすることができる。このような被転写材料31の供給量設定により、後工程において、余剰となった被転写材料が、キャピラリーフォース(毛細管現象)によって、モールド11と転写基材21との間隙空間を主領域13Aから補助領域13Bへ移動可能となる。
次に、モールド11の少なくとも主領域13Aが被転写材料31と接触するようにモールド11と転写基材21とを近接させ、モールド11と転写基材21との間に所望の残膜厚となるように被転写材料31を介在させ(図8(B))、モールド11の主領域13Aで余剰となった被転写材料31をモールド11の補助領域13Bに移動させる(図8(C))。少なくとも主領域13Aが被転写材料31と接触するようにモールド11と転写基材21とを近接させることにより、モールド11と転写基材21との間に介在することとなった被転写材料31は、主領域13Aに位置する転写すべき凹凸構造と接触し、主領域13Aの凹部14A内に充填される。この接触充填段階で、気泡35が主領域13Aの凹部14A内に発生する場合がある(図8(B)参照)。この主領域13Aでは、モールド11と転写基材21との間隙空間を、キャピラリーフォース(毛細管現象)によって被転写材料が広がり、補助領域13B方向へ移動する。このため、主領域13Aで発生した気泡は、この被転写材料の広がりに伴って、主領域13A内を順次補助領域13Bとの境界方向に移送される。そして、余剰の被転写材料31は、更にキャピラリーフォース(毛細管現象)によって、モールド11と転写基材21との間隙空間を補助領域13Bへ移動する。このような余剰の被転写材料31の主領域13Aから補助領域13Bへの移動に伴って、主領域13Aの凹部14Aに発生した気泡35が補助領域13Bに移送され、補助領域13Bの凹凸構造の凹部14Bに捕捉される(図8(C)参照)。尚、本発明の微細構造の形成方法では、主領域13Aの凹凸構造での気泡の閉じ込めを抑制することを目的としており、この目的からすると、気泡が補助領域13Bに移送された時点で主領域13Aから気泡が排除されたとすることができ、補助領域13Bの凹部14Bに気泡が捕捉されることを必須とするものではない。
次いで、モールド11と転写基材21との間に被転写材料31が介在する状態で、被転写材料31を硬化する。被転写材料31の硬化は、被転写材料31が光硬化性であり、モールド11がこれらを硬化させるための照射光を透過可能である場合には、モールド11側から光照射することができる。また、転写基材21が光を透過可能である場合には、転写基材21側から光照射を行ってもよく、さらに、モールド11側と転写基材21側の両方から光照射を行ってもよい。また、被転写材料31が熱硬化性、あるいは、熱可塑性である場合には、それぞれ被転写材料31に対して加熱処理、あるいは、冷却(放冷)処理を施すことができる。
次に、硬化後の被転写材料31とモールド11とを引き剥がすことにより、転写基材21上に微細構造41が形成される(図8(D))。この微細構造41は、モールド11の主領域13Aの凹凸構造の反転パターンである微細構造41Aを有するとともに、モールド11の補助領域13Bの凹凸構造の反転パターンである微細構造41Bを備えている。このため、例えば、微細構造41を用いて転写基材21のエッチングパターン形成を行い、所望のパターン形状を転写基材21に形成した後、微細構造41Bを用いて形成さした部位をダイシングして除去することにより、微細構造41Aのパターン形状を反映したパターン構造体を得ることができる。また、微細構造41Bのパターン形状を反映したパターン構造体が共存することが許容される場合には、上記のようなダイシングを行わず、微細構造41の全パターン形状を反映したパターン構造体とすることができる。
このような本発明の微細構造の形成方法では、モールド11の主領域13Aと転写基材21との間隙空間に収容しきれずに余剰となった被転写材料が、モールド11の主領域13Aから補助領域13Bへ移動し、このとき、主領域13Aの凹凸構造の凹部14Aに存在する気泡も被転写材料31と共に補助領域13Bの凹凸構造に移送されて、補助領域13Bの凹部14Bに気泡が捕捉される。これにより、主領域13Aの凹凸構造での気泡の閉じ込めを抑制することができ、微細構造41Aの形成における欠陥の発生を大幅に低減することが可能となる。
さらに、上記のような本発明の作用効果を以下のように利用することができる。従来はモールドと転写基材21とを近接させる際、気泡が生じないように、モールドの凹凸構造の凹部に被転写材料が完全に充填されるような低速で近接させたり、モールドと被転写材料との濡れ性を良好なものとする必要があった。しかし、本発明では、主領域13Aに発生した気泡は、余剰の被転写材料が主領域13Aに隣接する補助領域13Bに移動するのに伴って、補助領域13Bの凹部14Bに捕捉されることから、主領域13Aでの気泡の発生を許容するような条件でモールド11と転写基材21とを近接させることができる。これにより、インプリントに要する時間短縮、インプリントの使用する部材の前処理の簡素化、インプリントの工程管理の簡素化が可能となる。
ここで、気泡の発生を許容するような条件とは、モールド11の主領域13Aと転写基材21とがなす間隙空間に被転写材料が展開した段階で、主領域13Aの凹部14Aに閉じ込められた気泡が存在するような条件である。このような条件は、モールド11の主領域13Aの凹凸構造、モールド11に対する被転写材料の濡れ性、転写基材21に対する被転写材料の濡れ性、近接段階でのモールド11と転写基材21とがなす角度等により適宜設定することができる。例えば、モールド11と被転写材料の接触開始から被転写材料がモールド11の主領域13Aの全域に展開完了するまでの時間が10秒以下であるような高速での近接条件を挙げることができる。また、モールド11に対する被転写材料の接触角を、転写基材21に対する被転写材料の接触角よりも大きいものとし、例えば、モールド11に対する被転写材料の接触角が30°以上であるような低い濡れ性条件とすることができる。このような気泡の発生を許容するような条件でインプリントを行えることにより、モールド11と転写基材21との近接時間の短縮や、硬化後の被転写材料とモールド11との引き剥がし時間の短縮が可能となり、インプリントのスループットを向上させることができる。尚、上記の接触角は、温度25℃、湿度30%、大気圧下でマイクロシリンジから液滴(液量5μL)を滴下して10秒後に接触角測定器(協和界面科学(株)製 CA−Z型)を用いて測定する。
上述の微細構造の形成方法の実施形態は例示であり、本発明はこのような実施形態に限定されるものではない。したがって、上述の本発明のインプリント用のモールドは、いずれも使用することができる。例えば、上述の図7に示したモールド11を使用する場合、図9に示すように、モールド11と転写基材21との間に被転写材料31を介在させる操作を、図示の矢印a方向に沿って、主領域13Aから補助領域13Bへ徐々に移行するように行う。これにより、キャピラリーフォース(毛細管現象)による矢印a方向に沿った主領域13Aから補助領域13Bへの余剰の被転写材料31の移動が確実に行われ、主領域13Aの凹凸構造での気泡の閉じ込めを抑制することができる。
インプリント方法による種々の微細構造の形成、微細加工等に利用可能である。
11…モールド
12…基材
12a…主面
13…凹凸構造領域
13A…主領域
13B…補助領域
14A…主領域の凹部
14B…補助領域の凹部
21…転写基材
31…被転写材料
41…微細構造

Claims (8)

  1. 凹凸構造を備えるモールドと転写基材との間に被転写材料を介在させて、前記凹凸構造の反転したパターンを前記被転写材料に転写する微細構造の形成方法において、
    凹凸構造を備えた凹凸構造領域を基材の主面に有するモールドであって、該凹凸構造領域は転写すべき凹凸構造を備えた主領域と、気泡捕捉用の凹凸構造を備え前記主領域に隣接する補助領域と、有するモールドを準備する工程と、
    該モールドの前記主領域の凹凸構造の反転したパターンを転写するために必要な量を超える量の被転写材料を、転写基材上に滴下して供給する工程と、
    前記モールドの少なくとも前記主領域が前記被転写材料と接触するように前記モールドと前記転写基材とを近接させ、前記モールドと前記転写基材との間に被転写材料を介在させ、前記モールドの前記主領域で余剰となった前記被転写材料を前記モールドの前記補助領域に移動させるとともに、前記主領域に発生した気泡を前記補助領域に移送する工程と、
    前記被転写材料を硬化させる工程と、
    硬化後の前記被転写材料と前記モールドとを引き剥がす工程と、を有することを特徴とする微細構造の形成方法。
  2. 前記モールドの主領域と補助領域との境界から、該境界の最近傍に位置する主領域の凹凸構造における凹部までの距離を1000nm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の微細構造の形成方法。
  3. 前記モールドの前記補助領域の凹凸構造を、前記主領域の凹凸構造における凹部よりも浅い凹部を備える構造とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の微細構造の形成方法。
  4. 前記モールドの前記補助領域の凹凸構造を、前記主領域の凹凸構造における凹部よりも深い凹部を備える構造とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに微細構造の形成方法。
  5. 転写基材に供給された被転写材料に所望のパターンを転写するインプリント用のモールドにおいて、
    基材と、該基材の一主面に位置する凹凸構造領域と、を有し、該凹凸構造領域は転写すべき凹凸構造を備える主領域と、該主領域に隣接するとともに気泡を捕捉するための凹凸構造を備える補助領域と、を有することを特徴とするインプリント用のモールド。
  6. 前記主領域と前記補助領域との境界から、該境界の最近傍に位置する主領域の凹凸構造における凹部までの距離は、1000nm以下であることを特徴とする請求項5に記載のインプリント用のモールド。
  7. 前記補助領域の凹凸構造は、前記主領域の凹凸構造における凹部よりも浅い凹部を備えることを特徴とする請求項5または請求項6に記載のインプリント用のモールド。
  8. 前記補助領域の凹凸構造は、前記主領域の凹凸構造における凹部よりも深い凹部を備えることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかにインプリント用のモールド。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150003194A (ko) * 2012-04-13 2015-01-08 나노그립테크, 엘엘씨 평면 또는 비평면 성형체 및 표면 모두에 단순 또는 복잡한 마이크로 및/또는 나노패턴 구조체를 성형하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 성형체
JP2015204399A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 キヤノン株式会社 モールド、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2018101781A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 キヤノン株式会社 リセッションを含むインプリントリソグラフィのためのテンプレート、そのテンプレートを使用する装置及び方法
WO2020067102A1 (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 富士フイルム株式会社 モールド、及び、経皮吸収シートの製造方法
JP2020189440A (ja) * 2019-05-22 2020-11-26 デクセリアルズ株式会社 モールド、及び樹脂シート

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6685886B2 (ja) 2016-12-08 2020-04-22 キオクシア株式会社 テンプレート及び半導体装置の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02106322A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Canon Inc 光カード用加圧成型金型
JP2007305895A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Apic Yamada Corp インプリント方法およびナノ・インプリント装置
JP2009220350A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Toppan Printing Co Ltd 針状体金型
JP2010030153A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Toshiba Corp パターン形成方法及びパターン形成装置
JP2012009686A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Toshiba Corp テンプレートおよび製造方法、加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02106322A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Canon Inc 光カード用加圧成型金型
JP2007305895A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Apic Yamada Corp インプリント方法およびナノ・インプリント装置
JP2009220350A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Toppan Printing Co Ltd 針状体金型
JP2010030153A (ja) * 2008-07-29 2010-02-12 Toshiba Corp パターン形成方法及びパターン形成装置
JP2012009686A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Toshiba Corp テンプレートおよび製造方法、加工方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150003194A (ko) * 2012-04-13 2015-01-08 나노그립테크, 엘엘씨 평면 또는 비평면 성형체 및 표면 모두에 단순 또는 복잡한 마이크로 및/또는 나노패턴 구조체를 성형하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 성형체
KR101943145B1 (ko) 2012-04-13 2019-04-17 나노그립테크, 엘엘씨 평면 또는 비평면 성형체 및 표면 모두에 단순 또는 복잡한 마이크로 및/또는 나노패턴 구조체를 성형하는 방법 및 이를 이용하여 제조된 성형체
JP2015204399A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 キヤノン株式会社 モールド、インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
JP2018101781A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 キヤノン株式会社 リセッションを含むインプリントリソグラフィのためのテンプレート、そのテンプレートを使用する装置及び方法
WO2020067102A1 (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 富士フイルム株式会社 モールド、及び、経皮吸収シートの製造方法
JP2020189440A (ja) * 2019-05-22 2020-11-26 デクセリアルズ株式会社 モールド、及び樹脂シート
JP7287833B2 (ja) 2019-05-22 2023-06-06 デクセリアルズ株式会社 モールド、及び樹脂シート

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