JP2015201562A - 保護膜形成方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 15
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
また、上記ヘッドが、ウェーハの分割予定領域より小さい領域を区画する外周壁を有するよう場合は、格子状の分割予定領域に対応する領域のみに現像液を効率よく供給することが可能となる。
まず、図1に示すように、中央部が開口した環状のフレームFの下部にテープTを貼着し、中央部から露出したテープTにウェーハWの裏面Wb側を貼着することでテープTを介してフレームFとウェーハWとを一体に形成する。続いて、図2に示すスピンコータ10を用いてフレームFと一体となったウェーハWの表面Waに保護膜を被覆する。スピンコータ10は、ウェーハWを保持し回転可能な保持テーブル11を有している。保持テーブル11の外周側には、フレームFが載置される載置台12と、フレームFをクランプするクランプ手段13とを備えている。クランプ手段13は、載置台12に配設された軸部130と、軸部130を中心に回転して載置台12に載置されるフレームFを固定するクランプ部131とにより構成されている。
レジスト被覆ステップを実施した後、図1で示したウェーハWの表面Waにマスクをかけた状態で分割予定領域Sに光を照射して露光するとともに、当該露光された領域にヘッドを介して現像液を供給する。
次に、図4で示したヘッド20を用いて図1に示したウェーハWの分割予定領域Sの一部分に対して部分現像を施す場合について説明する。まず、図6に示すように、ガラス基台21に配設された複数のヘッド20(図示の例では2列)を用いて現像液吸い上げ工程を実施する。なお、1列や3列以上のヘッド20を用いて部分現像を実施してもよい。
次に、図8に示す一括現像用のヘッド20aを用いて図1に示したウェーハWの分割予定領域Sの全域に対して一括現像を施す場合について説明する。一括現像用のヘッド20aは、図4で示したヘッド20と同様の構成のヘッド200がガラス基台21に固定されて構成されている。複数のヘッド200は、ウェーハWの分割予定領域Sに対応させた位置においてガラス基台21に間欠的に整列して配設されている。複数のヘッド200は、分割予定領域Sに沿って縦横に整列しており、縦方向の分割予定領域Sと横方向の分割予定領域Sとが交差する部分に対応する部分では、十字状に交差している。
5:水 6:膜除去部
10:スピンコータ 11:保持テーブル 12:載置台
13:クランプ手段 130:軸部 131:クランプ部
14:回転軸 15:モータ 16:カバー部 17:ケース 18:ノズル
19:モータ
20,20a,200:ヘッド 21:ガラス基台 21a:上面
22:柱状部材 22a:先端部
30:ヘッド 31:外周壁 32:供給領域
40:ヘッド 41:外周壁 42:供給領域
H1,H2,H3:高さ L1,L2,L3:幅 G1,G2,G3 狭小隙間
W:ウェーハ Wa:表面 Wb:裏面 S:分割予定領域 D:デバイス
S1:露光領域
Claims (4)
- 複数の分割予定領域が形成されたウェーハ上に該分割予定領域を露出させる保護膜を形成する保護膜形成方法であって、
ウェーハの表面をポジ型レジストで被覆するレジスト被覆ステップと、
該レジスト被覆ステップを実施した後、該分割予定領域に光を照射し、該分割予定領域上に現像液を供給して現像する現像ステップと、を備え、
該現像ステップは、狭小隙間を有したヘッドで該現像液を毛細管現象で吸い上げる現像液吸い上げ工程と、該現像液吸い上げ工程を実施した後、該ヘッドに蓄えられた該現像液を該分割予定領域に接触させて該分割予定領域に該現像液を供給する現像液供給工程と、を含む、保護膜形成方法。 - 前記ヘッドは、前記分割予定領域より小さい領域に複数の柱状部材が配設されて構成される請求項1に記載の保護膜形成方法。
- 前記ヘッドは、前記分割予定領域より小さい領域を区画する外周壁を有する請求項1に記載の保護膜形成方法。
- 前記現像ステップでは、複数の前記ヘッドでウェーハ上の前記分割予定領域全域に一括で前記現像液を供給する請求項1、2及び3に記載の保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014080077A JP6298690B2 (ja) | 2014-04-09 | 2014-04-09 | 保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014080077A JP6298690B2 (ja) | 2014-04-09 | 2014-04-09 | 保護膜形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015201562A true JP2015201562A (ja) | 2015-11-12 |
JP6298690B2 JP6298690B2 (ja) | 2018-03-20 |
Family
ID=54552576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014080077A Active JP6298690B2 (ja) | 2014-04-09 | 2014-04-09 | 保護膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6298690B2 (ja) |
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