JP7154995B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の一実施の形態に係る処理カップユニットおよび基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の一方向に沿った概略断面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、回転保持装置10、処理ノズル20、カップ30、整流部40および気体供給部50を備える。
図4は、基板処理装置100の動作を説明するための図である。図4に示すように、基板処理時には、上面が上方に向けられた状態で、基板Wが基板保持部13により水平姿勢で保持される。この状態で、図4に細い矢印で示すように、基板Wが基板保持部13により回転される。また、処理ノズル20から基板Wの上面の中心付近に処理液が吐出される。これにより、基板Wの上面の中心付近に吐出された処理液が、基板Wの回転に伴う遠心力により基板Wの上面の全体に拡げられ、基板Wの上面に処理液の膜が形成される。
本実施の形態においては、各開口部44により分離された整流部40の上面41の部分が支柱45により整流部40の底部に固定されるが、本発明はこれに限定されない。図5は、第1の変形例における整流部40の構成を示す概略平面図である。図5に示すように、第1の変形例においては、各開口部44により分離された整流部40の上面41の部分が、当該開口部44を交差するように形成された1以上の連結部46により互いに連結される。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、基板保持部13の上面上に基板Wが保持され、基板保持部13の下面および基板保持部13に保持された基板Wの下面の下方に整流部40が配置される。整流部40の内部空間V1には気体が充填されている。また、基板保持部13の下面および基板Wの下面に対向する整流部40の上面41には、複数の開口部44が形成されている。
上記実施の形態においては、基板Wが基板の例であり、基板処理装置100が基板処理装置の例であり、基板保持部13が基板保持部の例であり、駆動部11が駆動部の例である。内部空間V1が内部空間の例であり、整流部40が整流部の例であり、上面41が整流部の上面の例であり、開口部44が開口部の例であり、下方空間V2が空隙の例である。気体供給部50が気体供給部の例であり、保持部対向面41aが保持部対向面の例であり、基板対向面41bが基板対向面の例であり、回転軸12が回転軸の例である。
(6)参考形態
(6-1)本参考形態に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、上面および下面を有し、上面上に基板を保持する基板保持部と、基板保持部を回転駆動する駆動部と、基板保持部の下面および基板保持部に保持された基板の下面の下方に配置されかつ気体が充填される内部空間を有する整流部とを備え、整流部は、基板保持部の下面および基板の下面に対向する上面を有し、整流部の上面には、複数の開口部が形成され、基板の下面および基板保持部の下面と整流部の上面との間に空隙が形成され、基板保持部の回転により空隙に発生する負圧により内部空間内の気体が複数の開口部を通して空隙に排出されるように整流部が構成される。
この基板処理装置においては、基板保持部の上面上に基板が保持され、基板保持部の下面および基板保持部に保持された基板の下面の下方に整流部が配置される。整流部の内部空間には気体が充填されている。また、基板保持部の下面および基板の下面に対向する整流部の上面には、複数の開口部が形成されている。ここで、基板に所定の処理を行うために基板保持部が駆動部により回転駆動されると、基板の下面および基板保持部の下面と整流部の上面との間の空隙に負圧が発生し、内部空間内の気体が複数の開口部を通して空隙に排出される。
この構成によれば、基板の下面および基板保持部の下面と整流部の上面との間の空隙が負圧になることが回避される。この場合、汚染物が当該空間に吸い込まれることがないので、基板の下面に汚染物が付着して基板の下面が汚染することが防止される。したがって、基板の下面を洗浄する必要がない。これにより、洗浄液の使用量を削減することができる。
(6-2)基板処理装置は、整流部の内部空間の気圧が大気圧以上に維持されるように内部空間に空気を供給する気体供給部をさらに備えてもよい。この場合、簡単な構成で内部空間内の気体を空隙に排出することができる。
(6-3)整流部の上面は、基板保持部の下面と対向する保持部対向面と、基板保持部に保持された基板の下面に対向する基板対向面とを含み、複数の開口部のうち一部の開口部は保持部対向面に形成され、複数の開口部のうち他の開口部は基板対向面に形成されてもよい。
この場合、空隙の領域ごとの圧力の差が小さくなる。これにより、空隙に汚染物が吸い込まれることがより確実に防止される。その結果、基板の下面が汚染することをより確実に防止することができる。
(6-4)保持部対向面は、基板対向面よりも下方に位置してもよい。この場合、保持部対向面を基板保持部の下面に近づけるとともに、基板対向面を基板の下面に近づけることができる。これにより、空隙が負圧になることをより効率よく回避することができる。
(6-5)保持部対向面と基板保持部の下面との間隔は、基板対向面と基板の下面との間隔と等しくてもよい。この場合、空隙の圧力分布はより一様に近づく。これにより、空隙に汚染物が吸い込まれることがさらに確実に防止される。その結果、基板の下面が汚染することをさらに確実に防止することができる。
(6-6)複数の開口部は、基板保持部の回転軸を中心とする複数の同心円に沿って延びるように形成されてもよい。この場合、基板の周方向および径方向に沿って空隙に空気が排出される。これにより、空隙の圧力分布を容易に一様に近づけることができる。その結果、空隙に汚染物が吸い込まれることおよび基板の下面が汚染することを容易に防止することができる。
Claims (6)
- 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
上面および下面を有し、上面上に基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転駆動する駆動部と、
前記基板保持部の下面および前記基板保持部に保持された基板の下面の下方に配置されかつ気体が充填される内部空間を有する整流部とを備え、
前記整流部は、前記基板保持部の下面および基板の下面に対向する上面を有し、
前記整流部の上面には、複数の開口部が形成され、
基板の下面および前記基板保持部の下面と前記整流部の上面との間に空隙が形成され、
前記基板保持部の回転により前記空隙に発生する負圧により前記内部空間内の気体が前記複数の開口部を通して前記空隙に排出されるように前記整流部が構成され、
前記複数の開口部は、前記基板保持部の下面の下方に位置する第1の開口部と、前記基板の下面の下方に位置する第2の開口部とを含み、
前記第2の開口部は、前記第1の開口部よりも上方に位置する、基板処理装置。 - 前記整流部の前記内部空間の気圧が大気圧以上に維持されるように前記内部空間に空気を供給する気体供給部をさらに備える、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記整流部の上面は、前記基板保持部の下面と対向する保持部対向面と、前記基板保持部に保持された基板の下面に対向する基板対向面とを含み、
前記第1の開口部は前記保持部対向面に形成され、前記第2の開口部は前記基板対向面に形成された、請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記保持部対向面は、前記基板対向面よりも下方に位置する、請求項3記載の基板処理装置。
- 前記保持部対向面と前記基板保持部の下面との間隔は、前記基板対向面と基板の下面との間隔と等しい、請求項4記載の基板処理装置。
- 前記複数の開口部は、前記基板保持部の回転軸を中心とする複数の同心円に沿って延びるように形成された、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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---|---|---|---|---|
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JP2009277796A (ja) | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
JP2015138859A (ja) | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 三菱電機株式会社 | ウエハチャックおよびウエハチャック補助具 |
Family Cites Families (14)
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---|---|---|---|---|
JPH04174848A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
JPH056855A (ja) * | 1991-06-28 | 1993-01-14 | Fujitsu Ltd | 塗布装置及び塗布方法 |
JPH05161865A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-06-29 | Dainippon Ink & Chem Inc | 回転塗布装置 |
JP2913363B2 (ja) * | 1994-03-09 | 1999-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 回転処理装置 |
JPH08173883A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-09 | Nec Kansai Ltd | 基板処理装置 |
JPH0945611A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板塗布装置 |
JP3549722B2 (ja) * | 1998-03-27 | 2004-08-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20070062647A1 (en) * | 2005-09-19 | 2007-03-22 | Bailey Joel B | Method and apparatus for isolative substrate edge area processing |
JP4535489B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
SG153813A1 (en) * | 2004-06-09 | 2009-07-29 | Nikon Corp | Substrate holding device, exposure apparatus having same, exposure method, method for producing device, and liquid repellent plate |
TW200625026A (en) * | 2004-12-06 | 2006-07-16 | Nikon Corp | Substrate processing method, method of exposure, exposure device and device manufacturing method |
JP5359417B2 (ja) * | 2009-03-16 | 2013-12-04 | 大日本印刷株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
JP6143572B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2017-06-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
JP6165647B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2017-07-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置および接合システム |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006086204A (ja) | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置 |
JP2009277796A (ja) | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
JP2015138859A (ja) | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 三菱電機株式会社 | ウエハチャックおよびウエハチャック補助具 |
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