JPS63199423A - 半導体基板表面処理方法 - Google Patents
半導体基板表面処理方法Info
- Publication number
- JPS63199423A JPS63199423A JP62032859A JP3285987A JPS63199423A JP S63199423 A JPS63199423 A JP S63199423A JP 62032859 A JP62032859 A JP 62032859A JP 3285987 A JP3285987 A JP 3285987A JP S63199423 A JPS63199423 A JP S63199423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hmds
- semiconductor substrate
- vapor
- hexamethyldisilazane
- evaporator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 129
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業−１−の利用分野）
本発明は、半導体基板表面処理方法に関し、より詳しく
は、ヘキサメチルジシラザン（以下、ＨＭＤＳという。
は、ヘキサメチルジシラザン（以下、ＨＭＤＳという。
）によって半導体基板表面を処理する半導体基板表面処
理方法に関する。
理方法に関する。
（従来の技術）
一般に、半導体装置製造工程におけるレジスト液塗布工
程では、レジスト液と半導体基板の密着性をよくするた
め、レジスト液塗布前に半導体基板の表面をＨＭＤＳで
処理することが行われている。
程では、レジスト液と半導体基板の密着性をよくするた
め、レジスト液塗布前に半導体基板の表面をＨＭＤＳで
処理することが行われている。
その処理方法として、従来、反応容器と蒸発器とを分離
した状態に設け、その蒸発器内に収容したＨＭＤＳ液の
液面からＨＭＤＳ蒸気を自然蒸発させ、そのＨＭＤＳ蒸
気を反応容器に導いて、半導体基板の表面をＨＭＤＳ蒸
気で処理するようにしたものがある。
した状態に設け、その蒸発器内に収容したＨＭＤＳ液の
液面からＨＭＤＳ蒸気を自然蒸発させ、そのＨＭＤＳ蒸
気を反応容器に導いて、半導体基板の表面をＨＭＤＳ蒸
気で処理するようにしたものがある。
（発明が解決しようとする問題点）
その方法においては、一般に、ＨＭＤＳ蒸気の蒸発量を
十分なものとしてその蒸気を反応容器に安定的に連続供
給するため、ＨＭＤＳ液をバブリングすることによりＨ
ＭＤＳ蒸気を作っていた。
十分なものとしてその蒸気を反応容器に安定的に連続供
給するため、ＨＭＤＳ液をバブリングすることによりＨ
ＭＤＳ蒸気を作っていた。
そのバブリングにより、ＨＭＤＳ蒸気中には、かなり多
くのＨＭＤＳミストが含まれるのが避けられなかった。
くのＨＭＤＳミストが含まれるのが避けられなかった。
そのため、半導体表面には、ミストが付くところと付か
ないところができ、処理効果にむらが生じていた。これ
により、同一半導体基板の表面であっても、場所により
処理効果に差が生じていた。
ないところができ、処理効果にむらが生じていた。これ
により、同一半導体基板の表面であっても、場所により
処理効果に差が生じていた。
また、一般に、ＨＭＤＳ蒸気による半導体基板の処理に
おいては、処理基準を処理効果の小さなところにおかれ
ている。而して、」二連したように、ミストを含んだＨ
ＭＤＳ蒸気による処理においては、半導体基板表面の場
所によって処理効果が異なる。そのため、処理効果の小
さなところが処理基準に達した際には、他の部分はより
進んだ状態に処理されることとなる。これはＨＭＤＳの
無駄使いを意味する。
おいては、処理基準を処理効果の小さなところにおかれ
ている。而して、」二連したように、ミストを含んだＨ
ＭＤＳ蒸気による処理においては、半導体基板表面の場
所によって処理効果が異なる。そのため、処理効果の小
さなところが処理基準に達した際には、他の部分はより
進んだ状態に処理されることとなる。これはＨＭＤＳの
無駄使いを意味する。
本発明の第１の目的は、少ないＨＭＤＳにより半導体基
板表面の全体を均一に処理する方法を提供することにあ
る。
板表面の全体を均一に処理する方法を提供することにあ
る。
さらに、従来は、ＨＭＤＳ蒸気が半導体基板の表面に均
一に供給されず、その基板の表面に処理むらが生じると
いう欠点があった。これは、ＨＭＤＳの無駄使いにもつ
ながる。
一に供給されず、その基板の表面に処理むらが生じると
いう欠点があった。これは、ＨＭＤＳの無駄使いにもつ
ながる。
本発明の第２の目的は、上記第１の目的に加え、ＨＭＤ
Ｓ蒸気により半導体基板の表面をＨＭＤ Ｓを効率良く
使用して、均一的に処理することにある。
Ｓ蒸気により半導体基板の表面をＨＭＤ Ｓを効率良く
使用して、均一的に処理することにある。
さらに、従来は、ＨＭＤＳ蒸気を単に半導体基板の表面
に導くようにしていたが、これでは、処理時間を司るＨ
ＭＤＳ蒸気の物質拡散速度、即ちＨＭＤＳ蒸気からＨＭ
ＤＳが物質拡散によって半一 ４ − 導体基板の表面に至る速度に限りがあるため、処理に時
間がかかるという欠点があった。処理時間を短縮しよう
として、半導体基板を昇温することも行われている。し
かしながら、昇温によっては、処理時間の短縮効果が十
分に得られないだけでなく、ＨＭＤＳの引火点が低いこ
とから、昇温手段は好ましくない。
に導くようにしていたが、これでは、処理時間を司るＨ
ＭＤＳ蒸気の物質拡散速度、即ちＨＭＤＳ蒸気からＨＭ
ＤＳが物質拡散によって半一 ４ − 導体基板の表面に至る速度に限りがあるため、処理に時
間がかかるという欠点があった。処理時間を短縮しよう
として、半導体基板を昇温することも行われている。し
かしながら、昇温によっては、処理時間の短縮効果が十
分に得られないだけでなく、ＨＭＤＳの引火点が低いこ
とから、昇温手段は好ましくない。
本発明の第３の目的は、前段第１及び第２の目的に加え
、半導体基板を昇温することな（、処理時間を短縮する
ことにある。
、半導体基板を昇温することな（、処理時間を短縮する
ことにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の第１の発明は、毛細管現象によりヘキサメチル
ジシラザン液を吸い上げる機能を有し、且つ一部がヘキ
サメチルジシラザン液内に位置し、他部がヘキサメチル
ジシラザン液外に位置する蒸発面積拡大部材を有する蒸
発器で自然蒸発によりヘキサメチルジシラザン蒸気を生
成する工程と、前記蒸発器で生成したヘキサメチルジシ
ラザン蒸気により半導体基板の表面を処理する工程と、
を倫えたものとして構成される。
ジシラザン液を吸い上げる機能を有し、且つ一部がヘキ
サメチルジシラザン液内に位置し、他部がヘキサメチル
ジシラザン液外に位置する蒸発面積拡大部材を有する蒸
発器で自然蒸発によりヘキサメチルジシラザン蒸気を生
成する工程と、前記蒸発器で生成したヘキサメチルジシ
ラザン蒸気により半導体基板の表面を処理する工程と、
を倫えたものとして構成される。
本発明の第２の発明は、毛細管現象によりヘキサメチル
ジシラザン液を吸い上げる機能を有し、且つ一部かヘキ
サメチルジシラザン液内に位置し、他部がヘキサメチル
ジシラザン液外に位置する蒸発面積拡大部材を有する蒸
発器で自然蒸発によりヘキサメチルジシラザン蒸気を生
成する工程と、前記蒸発器で生成したヘキサメチルジシ
ラザン蒸気を連通気泡形多孔質材製の拡散板を通過させ
る工程と、前記拡散板を通過したヘキサメチルジシラザ
ン蒸気により半導体基板の表面を処理する工程と、を備
えたものとして構成される。
ジシラザン液を吸い上げる機能を有し、且つ一部かヘキ
サメチルジシラザン液内に位置し、他部がヘキサメチル
ジシラザン液外に位置する蒸発面積拡大部材を有する蒸
発器で自然蒸発によりヘキサメチルジシラザン蒸気を生
成する工程と、前記蒸発器で生成したヘキサメチルジシ
ラザン蒸気を連通気泡形多孔質材製の拡散板を通過させ
る工程と、前記拡散板を通過したヘキサメチルジシラザ
ン蒸気により半導体基板の表面を処理する工程と、を備
えたものとして構成される。
本発明の第３の発明は、毛細管現象によりヘキサメチル
ジシラザン液を吸い上げる機能を有し、且つ一部がヘキ
サメチルジシラザン液内に位置し、他部がヘキサメチル
ジシラザン液外に位置する蒸発面積拡大部材を有する蒸
発器で自然蒸発によりヘキサメチルジシラザン蒸気を生
成する工程と、前記蒸発器で生成したベキサメチルジシ
ラザン蒸気を連通気泡影多孔質材製の拡散板を通過させ
る工程と、処理すべき半導体基板を回転させる工程と、
前記拡散板を通過したヘキサメチルジシラザン蒸気によ
り前記半導体基板の表面を処理する工程と、を備えたも
のとして構成される。
ジシラザン液を吸い上げる機能を有し、且つ一部がヘキ
サメチルジシラザン液内に位置し、他部がヘキサメチル
ジシラザン液外に位置する蒸発面積拡大部材を有する蒸
発器で自然蒸発によりヘキサメチルジシラザン蒸気を生
成する工程と、前記蒸発器で生成したベキサメチルジシ
ラザン蒸気を連通気泡影多孔質材製の拡散板を通過させ
る工程と、処理すべき半導体基板を回転させる工程と、
前記拡散板を通過したヘキサメチルジシラザン蒸気によ
り前記半導体基板の表面を処理する工程と、を備えたも
のとして構成される。
（作 用）
第１の発明においては、自然蒸発により得られたＨＭＤ
Ｓ蒸気によって半導体基板の表面が処理される。
Ｓ蒸気によって半導体基板の表面が処理される。
第２の発明においては、自然蒸発により得られ、且つ拡
散板を通過したＨＭＤＳ蒸気によって半導体基板の表面
が処理される。
散板を通過したＨＭＤＳ蒸気によって半導体基板の表面
が処理される。
第３の発明においては、自然蒸発により得られ且つ拡散
板を通過したＨＭＤＳ蒸気により、回転状態にある半導
体基板の表面が処理される。
板を通過したＨＭＤＳ蒸気により、回転状態にある半導
体基板の表面が処理される。
（実施例）
第１図は、本発明の実施例に使用する装置の一例を示す
ものである。
ものである。
同図において、窒素ガス供給源１からの窒素ガロポート
４ａに流入する。窒素ガスＮ２は蒸発器３内を通り、蒸
発器３内に半分程度封入されたＨＭＤＳ液５から発生し
たＨＭＤＳ蒸気を含んだ状態で出口ポート４ｂからＨＭ
ＤＳ蒸気ライン６に流出する。
４ａに流入する。窒素ガスＮ２は蒸発器３内を通り、蒸
発器３内に半分程度封入されたＨＭＤＳ液５から発生し
たＨＭＤＳ蒸気を含んだ状態で出口ポート４ｂからＨＭ
ＤＳ蒸気ライン６に流出する。
即ち、この蒸発器３は、第１図及び第２図から明らかな
ように、入口ポート４ａ、出口ポート４ｂを備えた蒸発
器３内に、連通気泡影多孔質材製の蒸発面積拡大部材と
しての端板８ ａ 、 ｇ ｂ ｓ側板９ａ、９ｂ、仕
切板１０ａ〜１０ｃを設けたものとして構成される。仕
切板１０ａ〜１０ｃによって区画された区画室１１ａ〜
１１ｄは、仕切板１０ａ〜１０ｃと側板９ ａ ｓ又は
側板９ｂとの間に形成された隙間１２ａ〜１２ｃを介し
て順次連通してる。隙間１２ａ〜１２ｃは互い違いの位
置関係にあり、そのため入口ポート４ａに通じる区画室
１１ａと、出口ポー）４ｂに通じる区画室１１ｄとは、
蛇行した状態で長い距離を介して連通している。
ように、入口ポート４ａ、出口ポート４ｂを備えた蒸発
器３内に、連通気泡影多孔質材製の蒸発面積拡大部材と
しての端板８ ａ 、 ｇ ｂ ｓ側板９ａ、９ｂ、仕
切板１０ａ〜１０ｃを設けたものとして構成される。仕
切板１０ａ〜１０ｃによって区画された区画室１１ａ〜
１１ｄは、仕切板１０ａ〜１０ｃと側板９ ａ ｓ又は
側板９ｂとの間に形成された隙間１２ａ〜１２ｃを介し
て順次連通してる。隙間１２ａ〜１２ｃは互い違いの位
置関係にあり、そのため入口ポート４ａに通じる区画室
１１ａと、出口ポー）４ｂに通じる区画室１１ｄとは、
蛇行した状態で長い距離を介して連通している。
このように構成された蒸発器３内にはＨＭＤ Ｓ液５が
半分程度封入されている。このＨＭＤＳ液５は多孔質材
製の各板（８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂｓ１０ａ〜１０Ｃ）
により毛細管現象に基づいて吸い上げられ、それらの各
板の表面を濡らすことになる。従って、ＨＭＤＳ液の蒸
発面積は、ＨＭＤＳ液の表面の面積だけでなく、その面
積に、多孔質材製の前記各板のＨＭＤＳ液から突出した
部分の表面積が加えられた大きなものとして構成される
。このため、前記大きな蒸発面積部分からＨＭＤＳ蒸気
が蒸発し、蒸発器３の区画室１１ａ〜ｌｌｄ内には十分
なｍのＨＭＤＳ蒸気が充満する。この状態において、入
口ポート４ａから区画室１１ａに流入する窒素ガスＮ２
は、隙間１．２ ａ〜１２ｃを順次通って各区画室１１
ａ〜１．１６を流れ、十分な量のＨＭＤＳ蒸気を含んで
出口ポート４ｂからＨＭＤＳ蒸気ライン６へ流出する。
半分程度封入されている。このＨＭＤＳ液５は多孔質材
製の各板（８ａ、８ｂ、９ａ、９ｂｓ１０ａ〜１０Ｃ）
により毛細管現象に基づいて吸い上げられ、それらの各
板の表面を濡らすことになる。従って、ＨＭＤＳ液の蒸
発面積は、ＨＭＤＳ液の表面の面積だけでなく、その面
積に、多孔質材製の前記各板のＨＭＤＳ液から突出した
部分の表面積が加えられた大きなものとして構成される
。このため、前記大きな蒸発面積部分からＨＭＤＳ蒸気
が蒸発し、蒸発器３の区画室１１ａ〜ｌｌｄ内には十分
なｍのＨＭＤＳ蒸気が充満する。この状態において、入
口ポート４ａから区画室１１ａに流入する窒素ガスＮ２
は、隙間１．２ ａ〜１２ｃを順次通って各区画室１１
ａ〜１．１６を流れ、十分な量のＨＭＤＳ蒸気を含んで
出口ポート４ｂからＨＭＤＳ蒸気ライン６へ流出する。
ＨＭＤＳ蒸気ライン６を流れるＨＭＤＳ蒸気は、均一で
濃度の安定な状態で入口ポート（ＨＭＤ Ｓ蒸気吹き出
し口）１５ａから反応容器１５に流入し、半導体基板Ｓ
の表面がＨＭＤＳ蒸気で処理される。
濃度の安定な状態で入口ポート（ＨＭＤ Ｓ蒸気吹き出
し口）１５ａから反応容器１５に流入し、半導体基板Ｓ
の表面がＨＭＤＳ蒸気で処理される。
即ち、反応容器１５の内部は連通気泡形形多孔質祠製の
拡散板１６によって拡散室１７と反応室１８とに区画形
成されている。この拡散室１７に前記入口ポー１−（、
ＨＭＤＳ蒸気吹出し口）１５ａか開口しており、よって
ＨＭＤＳ蒸気ライン６からのＨＭＤＳ蒸気は先ず拡散室
１７に流入する。
拡散板１６によって拡散室１７と反応室１８とに区画形
成されている。この拡散室１７に前記入口ポー１−（、
ＨＭＤＳ蒸気吹出し口）１５ａか開口しており、よって
ＨＭＤＳ蒸気ライン６からのＨＭＤＳ蒸気は先ず拡散室
１７に流入する。
拡散室１７に流入したＨＭＤＳ蒸気は、拡散板１６を通
って半導体基板Ｓの表面に均一な状態で達する。
って半導体基板Ｓの表面に均一な状態で達する。
前記半導体基板Ｓはモータ１９によって回転させられる
回転ステージ２０上に設けられている。
回転ステージ２０上に設けられている。
このモータ１９によって半導体基板Ｓを回転させること
により、半導体基板Ｓの表面付近の雰囲気が攪拌され、
処理速度を司る境界層の厚みが薄くなり、常に新鮮なＩ
（ＭＤ Ｓ蒸気が強制的に且つ効率良く半導体基板表面
に供給される。これにより、処理速度は向上する。また
、半導体基板Ｓを回転させることにより、ＨＭＤＳによ
る半導体基板Ｓの表面処理効果の均一性も向上する。
により、半導体基板Ｓの表面付近の雰囲気が攪拌され、
処理速度を司る境界層の厚みが薄くなり、常に新鮮なＩ
（ＭＤ Ｓ蒸気が強制的に且つ効率良く半導体基板表面
に供給される。これにより、処理速度は向上する。また
、半導体基板Ｓを回転させることにより、ＨＭＤＳによ
る半導体基板Ｓの表面処理効果の均一性も向上する。
第３図は、従来の方法（蒸発はバブリングにより達成し
、拡散板及びウェハー回転機構のない装置を用いる。）
と本発明の第３の発明の方法（第１図及び第２図の装置
を用いる。）のそれぞれによる処理性能の比較を示すも
のである。第３図中に示した数値は、ＨＭＤＳ処理した
ウェハー表面への水の接触角を示す。接触角は、大きい
ほど処理効果が大きい。
、拡散板及びウェハー回転機構のない装置を用いる。）
と本発明の第３の発明の方法（第１図及び第２図の装置
を用いる。）のそれぞれによる処理性能の比較を示すも
のである。第３図中に示した数値は、ＨＭＤＳ処理した
ウェハー表面への水の接触角を示す。接触角は、大きい
ほど処理効果が大きい。
第３図から、処理速度は、従来の方法で６０秒の処理に
より得ていた接触角６０’は、本発明の第３の発明では
、１０秒の処理により得られるのかわかる。処理効果の
面内バラツキ（最大値−最小値）は、従来の方法では最
大１０．５°であるのに対し、本発明の第３の発明では
その１／３の２．９’であるのもわかる。
より得ていた接触角６０’は、本発明の第３の発明では
、１０秒の処理により得られるのかわかる。処理効果の
面内バラツキ（最大値−最小値）は、従来の方法では最
大１０．５°であるのに対し、本発明の第３の発明では
その１／３の２．９’であるのもわかる。
このように、本発明の第３の方法によれば、従来の方法
に較べ、処理速度が速く且つ処理効果の面内バラツキが
小さいという効果か得られる。
に較べ、処理速度が速く且つ処理効果の面内バラツキが
小さいという効果か得られる。
第１の発明によれば、自然蒸発により得られるＨＭＤＳ
蒸気を使用するようにしたので、半導体基板の表面を少
ないＨＭＤＳにより均一に処理することかできる。
蒸気を使用するようにしたので、半導体基板の表面を少
ないＨＭＤＳにより均一に処理することかできる。
第２の発明によれば、自然蒸発により得られ且つ拡散板
を通過したＨＭＤＳ蒸気を使用するようにしたので、少
ないＨＭＤＳによる半導体基板の表面の処理をより効果
的に行うことができる。
を通過したＨＭＤＳ蒸気を使用するようにしたので、少
ないＨＭＤＳによる半導体基板の表面の処理をより効果
的に行うことができる。
第３の発明によれば、自然蒸発により得られ且つ拡散板
を通過したＨＭＤＳ蒸気を使用して、回転状態にある半
導体基板の表面を処理するようにしたので、少ないＨＭ
ＤＳによる半導体基板の表面の処理を、極めて短い時間
で行うことができる。
を通過したＨＭＤＳ蒸気を使用して、回転状態にある半
導体基板の表面を処理するようにしたので、少ないＨＭ
ＤＳによる半導体基板の表面の処理を、極めて短い時間
で行うことができる。
第１図は本発明の実施に使用する装置の一例を示す一部
断面説明図、第２図はその蒸発器の詳細を示す斜視図、
第３図は本発明の効果を確認するために行った実験の結
果を示す説明図である。
断面説明図、第２図はその蒸発器の詳細を示す斜視図、
第３図は本発明の効果を確認するために行った実験の結
果を示す説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、毛細管現象によりヘキサメチルジシラザン液を吸い
上げる機能を有し、且つ一部がヘキサメチルジシラザン
液内に位置し、他部がヘキサメチルジシラザン液外に位
置する蒸発面積拡大部材を有する蒸発器で自然蒸発によ
りヘキサメチルジシラザン蒸気を生成する工程と、 前記蒸発器で生成したヘキサメチルジシラザン蒸気によ
り半導体基板の表面を処理する工程と、を備えたことを
特徴とする半導体基板表面処理方法。 ２、毛細管現象によりヘキサメチルジシラザン液を吸い
上げる機能を有し、且つ一部がヘキサメチルジシラザン
液内に位置し、他部がヘキサメチルジシラザン液外に位
置する蒸発面積拡大部材を有する蒸発器で自然蒸発によ
りヘキサメチルジシラザン蒸気を生成する工程と、 前記蒸発器で生成したヘキサメチルジシラザン蒸気を連
通気泡形多孔質材製の拡散板を通過させる工程と、 前記拡散板を通過したヘキサメチルジシラザン蒸気によ
り半導体基板の表面を処理する工程と、を備えたことを
特徴とする半導体基板表面処理方法。 ３、毛細管現象によりヘキサメチルジシラザン液を吸い
上げる機能を有し、且つ一部がヘキサメチルジシラザン
液内に位置し、他部がヘキサメチルジシラザン液外に位
置する蒸発面積拡大部材を有する蒸発器で自然蒸発によ
りヘキサメチルジシラザン蒸気を生成する工程と、 前記蒸発器で生成したヘキサメチルジシラザン蒸気を連
通気泡形多孔質材製の拡散板を通過させる工程と、 処理すべき半導体基板を回転させる工程と、前記拡散板
を通過したヘキサメチルジシラザン蒸気により前記半導
体基板の表面を処理する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体基板表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032859A JPS63199423A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体基板表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62032859A JPS63199423A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体基板表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63199423A true JPS63199423A (ja) | 1988-08-17 |
| JPH0426780B2 JPH0426780B2 (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=12370570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62032859A Granted JPS63199423A (ja) | 1987-02-16 | 1987-02-16 | 半導体基板表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63199423A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5069930A (en) * | 1988-09-30 | 1991-12-03 | Leybold Aktiengesellschaft | Method for the evaporation of monomers that are liquid at room temperature |
| EP0605785A2 (en) * | 1992-11-25 | 1994-07-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning agents for removing metal-containing contaminants from integrated circuit assemblies and process for using the same |
| KR100856331B1 (ko) | 2007-05-21 | 2008-09-04 | 주식회사 케이씨텍 | 건조제 공급장치 |
| JP2008276429A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Dx Antenna Co Ltd | 電子機器における押しボタン構造 |
| JP2009194246A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、基板処理装置、基板処理方法並びに記憶媒体 |
| JP2015201562A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 保護膜形成方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220006035A (ko) * | 2019-05-09 | 2022-01-14 | 나믹스 가부시끼가이샤 | 복합 구리 부재 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255969A (en) * | 1975-09-26 | 1977-05-07 | Albany Int Corp | Apparatus for emitting controlled steam |
| JPS558583A (en) * | 1979-03-02 | 1980-01-22 | Toshiba Corp | Steam generator |
| JPS5753933A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Handotaisoshinoseizohoho |
| JPS58190027A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板有機処理装置 |
| JPS5929679U (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-24 | 三洋電機株式会社 | 蒸発装置 |
| JPS59175122A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Nec Corp | 半導体基板塗布前処理装置 |
| JPS59228719A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 電子部品の製造方法および製造装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5929679B2 (ja) * | 1976-11-04 | 1984-07-21 | 凸版印刷株式会社 | 金属板への部分着色法 |
-
1987
- 1987-02-16 JP JP62032859A patent/JPS63199423A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255969A (en) * | 1975-09-26 | 1977-05-07 | Albany Int Corp | Apparatus for emitting controlled steam |
| JPS558583A (en) * | 1979-03-02 | 1980-01-22 | Toshiba Corp | Steam generator |
| JPS5753933A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Handotaisoshinoseizohoho |
| JPS58190027A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板有機処理装置 |
| JPS5929679U (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-24 | 三洋電機株式会社 | 蒸発装置 |
| JPS59175122A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Nec Corp | 半導体基板塗布前処理装置 |
| JPS59228719A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd | 電子部品の製造方法および製造装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5069930A (en) * | 1988-09-30 | 1991-12-03 | Leybold Aktiengesellschaft | Method for the evaporation of monomers that are liquid at room temperature |
| EP0605785A2 (en) * | 1992-11-25 | 1994-07-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning agents for removing metal-containing contaminants from integrated circuit assemblies and process for using the same |
| JPH06228592A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-08-16 | Air Prod And Chem Inc | 基板の金属含有汚染物質清浄化用ガス状清浄剤及びこれを用いた基板の清浄化方法 |
| EP0605785A3 (en) * | 1992-11-25 | 1994-11-02 | Air Prod & Chem | Cleaning for the removal of metal contaminants from integrated circuit assemblies. |
| JP2008276429A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Dx Antenna Co Ltd | 電子機器における押しボタン構造 |
| KR100856331B1 (ko) | 2007-05-21 | 2008-09-04 | 주식회사 케이씨텍 | 건조제 공급장치 |
| JP2009194246A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | 気化装置、基板処理装置、基板処理方法並びに記憶媒体 |
| JP2015201562A (ja) * | 2014-04-09 | 2015-11-12 | 株式会社ディスコ | 保護膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426780B2 (ja) | 1992-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5993679A (en) | Method of cleaning metallic films built up within thin film deposition apparatus | |
| KR100755796B1 (ko) | 도포막형성장치 및 도포유니트 | |
| US7179504B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing system | |
| JPH06132209A (ja) | 処理方法及びその装置 | |
| KR970063423A (ko) | 막형성방법 및 막형성장치 | |
| JPH0626206B2 (ja) | 基板より気相法で膜除去する方法及び装置 | |
| JP2010518621A (ja) | 閉じ込め式化学表面処理のための方法及び装置 | |
| JP4218192B2 (ja) | 基板処理装置及び処理方法 | |
| JPS63199423A (ja) | 半導体基板表面処理方法 | |
| JPH09181041A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2000306809A5 (ja) | 基板処理方法 | |
| SG178798A1 (en) | Method of low-k dielectric film repair | |
| US6686297B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device and apparatus to be used therefore | |
| US5734945A (en) | Processing apparatus | |
| JP3011728B2 (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH08299878A (ja) | 回転式塗布装置および回転式塗布方法 | |
| JP2001343499A (ja) | 基板処理装置及び処理方法 | |
| JP2922194B1 (ja) | 洗浄物の乾燥装置 | |
| JP2794355B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH01137630A (ja) | フォトレジスト塗布前処理装置 | |
| JP2006102664A (ja) | スピンコータ及びｓｏｇ液の塗布方法 | |
| JPS61224422A (ja) | 半導体基板表面処理装置 | |
| JPH06232038A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JP2004193482A (ja) | オゾン処理装置 | |
| JP2000138185A (ja) | 成膜方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |