JPH06232038A - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
- Publication number
- JPH06232038A JPH06232038A JP1831493A JP1831493A JPH06232038A JP H06232038 A JPH06232038 A JP H06232038A JP 1831493 A JP1831493 A JP 1831493A JP 1831493 A JP1831493 A JP 1831493A JP H06232038 A JPH06232038 A JP H06232038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- vacuum chamber
- coating liquid
- liquid
- spin
- Prior art date
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- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】回転塗布を行う場合に、半導体基板上の凹部ま
で塗布液が埋まらず、気泡が塗布膜中に残ったり、後工
程で加熱されることにより気泡が膨らみ塗布膜の剥れが
発生するのを防止する。 【構成】半導体基板を包む閉鎖空間をもつ真空室２を設
け、配管３から供給される不活性ガスと排気調整弁４に
て真空室２内を一定の減圧状態にし、この状態で回転塗
布を行い塗布した後に半導体基板５の雰囲気を大気圧に
戻すことにより、、微細パターンの凹部まで塗布液を埋
め、塗布膜中に気泡が発生することを防止している。
で塗布液が埋まらず、気泡が塗布膜中に残ったり、後工
程で加熱されることにより気泡が膨らみ塗布膜の剥れが
発生するのを防止する。 【構成】半導体基板を包む閉鎖空間をもつ真空室２を設
け、配管３から供給される不活性ガスと排気調整弁４に
て真空室２内を一定の減圧状態にし、この状態で回転塗
布を行い塗布した後に半導体基板５の雰囲気を大気圧に
戻すことにより、、微細パターンの凹部まで塗布液を埋
め、塗布膜中に気泡が発生することを防止している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明の回転塗布装置に関し、特
に半導体製造工程で微細パターン上に塗布膜を形成する
回転塗布装置に関する。
に半導体製造工程で微細パターン上に塗布膜を形成する
回転塗布装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の回転塗布装置の一例におけ
る概略を示す図である。従来の回転塗布装置は、図４に
示すように、半導体基板５を吸着し回転するチェック１
３とチャック１３を回転させるスピンモータ７と、塗布
液を滴下するノズル５と、チャック１３を包合し塗布液
を溜めるカップ１２を有していた。
る概略を示す図である。従来の回転塗布装置は、図４に
示すように、半導体基板５を吸着し回転するチェック１
３とチャック１３を回転させるスピンモータ７と、塗布
液を滴下するノズル５と、チャック１３を包合し塗布液
を溜めるカップ１２を有していた。
【０００３】この回転塗布装置を使用して、半導体基板
５に塗布膜を形成する場合は、チャック１３に半導体基
板５を吸着保持させる。次に、ノズル８より塗布液を半
導体基板に滴下し、スピンモータ７により半導体基板５
を回転させる。このことにより滴下された塗布液は遠心
力により半導体基板５表面に広がり塗布膜が形成され
る。
５に塗布膜を形成する場合は、チャック１３に半導体基
板５を吸着保持させる。次に、ノズル８より塗布液を半
導体基板に滴下し、スピンモータ７により半導体基板５
を回転させる。このことにより滴下された塗布液は遠心
力により半導体基板５表面に広がり塗布膜が形成され
る。
【０００４】このように、回転遠心力を利用して、滴下
される塗布液量と塗布液の粘性度のバランスのとれた状
態で所定膜厚の塗布膜を形成していた。
される塗布液量と塗布液の粘性度のバランスのとれた状
態で所定膜厚の塗布膜を形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
基板の塗布面は必ずしも一様でなく、予め形成れたパタ
ーンにより凹凸がある。このような凹凸がある場合に
は、その凹部の底まで塗布液が行届かず、しばしば気泡
として残る。そして、この後の半導体基板加熱工程によ
り残された気泡が膨らみ、塗布膜の剥れを起し、半導体
基板上に形成されていたパターンがくずれてしまうとい
う問題点があった。
基板の塗布面は必ずしも一様でなく、予め形成れたパタ
ーンにより凹凸がある。このような凹凸がある場合に
は、その凹部の底まで塗布液が行届かず、しばしば気泡
として残る。そして、この後の半導体基板加熱工程によ
り残された気泡が膨らみ、塗布膜の剥れを起し、半導体
基板上に形成されていたパターンがくずれてしまうとい
う問題点があった。
【０００６】従って、本発明の目的は、パターンをくず
すことなく一様の膜厚で塗布膜が形成出来る回転塗布装
置を提供することである。
すことなく一様の膜厚で塗布膜が形成出来る回転塗布装
置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
基板を窪みに入れ載置するテーブルと、このテーブルを
回転させるスピンモータと、前記半導体記憶装置に塗布
液を滴下するノズルと、前記半導体基板と前記テーブル
及び前記ノズルの先端分を包む閉鎖空間をつ真空室と、
この真空室を減圧する真空ポンプと、この真空ポンプと
協働して前記真空室に導入されるガス圧を制御する排気
調整弁とを備え、前記真空室のガス圧を小さくした状態
で前記ノズルより塗布液を滴下し、前記テーブルを回転
し滴下さた前記塗布液を前記半導体基板に引き伸ばし、
しかる後前記真空室を大気に戻す回転塗布装置である。
基板を窪みに入れ載置するテーブルと、このテーブルを
回転させるスピンモータと、前記半導体記憶装置に塗布
液を滴下するノズルと、前記半導体基板と前記テーブル
及び前記ノズルの先端分を包む閉鎖空間をつ真空室と、
この真空室を減圧する真空ポンプと、この真空ポンプと
協働して前記真空室に導入されるガス圧を制御する排気
調整弁とを備え、前記真空室のガス圧を小さくした状態
で前記ノズルより塗布液を滴下し、前記テーブルを回転
し滴下さた前記塗布液を前記半導体基板に引き伸ばし、
しかる後前記真空室を大気に戻す回転塗布装置である。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例の回転塗布装置の
概略を示す図である。この回転塗布装置は、図１に示す
ように、半導体基板５を載置するテーブル６と、ノズル
８の矢端部及びテーブル６を包む空間を形成する真空室
２と、この真空室２を真空排気する真空ポンプ１と、真
空室２に不活性ガスを導入する配管３と、真空室２の圧
力を調節する排気調整弁４を備えている。
概略を示す図である。この回転塗布装置は、図１に示す
ように、半導体基板５を載置するテーブル６と、ノズル
８の矢端部及びテーブル６を包む空間を形成する真空室
２と、この真空室２を真空排気する真空ポンプ１と、真
空室２に不活性ガスを導入する配管３と、真空室２の圧
力を調節する排気調整弁４を備えている。
【００１０】次に、この回転塗布装置の動作を説明す
る。まず、テーブル６に半導体基板５を乗せる。このと
きテーブル６は窪みがあるので、この窪みに半導体基板
５が入り込むように載置する。次に、真空室２の入口を
閉じ、真空ポンプ１で真空室２を真空排気する。次に、
真空室２が所定の真空度に達っしたら、配管３から不活
性ガスを導入する。そして、排気調整弁４の開度を調整
して真空室２の不活性ガス圧を一定の減圧状態に保つ。
次に、スピンモータ７によりテーブル６を回転させ、ノ
ズル８より塗布液を半導体基板５に滴下する。
る。まず、テーブル６に半導体基板５を乗せる。このと
きテーブル６は窪みがあるので、この窪みに半導体基板
５が入り込むように載置する。次に、真空室２の入口を
閉じ、真空ポンプ１で真空室２を真空排気する。次に、
真空室２が所定の真空度に達っしたら、配管３から不活
性ガスを導入する。そして、排気調整弁４の開度を調整
して真空室２の不活性ガス圧を一定の減圧状態に保つ。
次に、スピンモータ７によりテーブル６を回転させ、ノ
ズル８より塗布液を半導体基板５に滴下する。
【００１１】次に、塗布液が半導体基板５の面に一様に
拡がった時点で、真空ポンプ１を停止し、排気調整弁４
を閉じる。このことにより不活性ガスが送給し続け、真
空室２を大気圧に戻す。テーブル６の回転を止め、真空
室２の真空室２の入口から半導体基板５を取出す。
拡がった時点で、真空ポンプ１を停止し、排気調整弁４
を閉じる。このことにより不活性ガスが送給し続け、真
空室２を大気圧に戻す。テーブル６の回転を止め、真空
室２の真空室２の入口から半導体基板５を取出す。
【００１２】図２は従来装置と本発明の装置による気泡
発生率を示すグラフである。試みにコンタクト穴が形成
された半導体基板に塗布膜を形成し、従来装置と本発明
の装置とで気泡発生率を比較したところ、図２に示すよ
うに、従来装置ではコンタクト穴の深さが深い程、２次
元的に増加すのに対し、本発明の装置によれば、コンタ
クト穴の深さによらず気泡の発生は皆無であった。
発生率を示すグラフである。試みにコンタクト穴が形成
された半導体基板に塗布膜を形成し、従来装置と本発明
の装置とで気泡発生率を比較したところ、図２に示すよ
うに、従来装置ではコンタクト穴の深さが深い程、２次
元的に増加すのに対し、本発明の装置によれば、コンタ
クト穴の深さによらず気泡の発生は皆無であった。
【００１３】図３は本発明の他の実施例の回転塗布装置
の概略を示す図である。この回転塗布装置は、図３に示
すように、配管３に塗布液の溶剤である溶剤タンク９
と、溶剤を気化する気化器１０と、気化される溶剤ガス
の流量を調整するマスフローコントローラ１１を設けた
ことである。それ以外は前述の実施例と同じである。
の概略を示す図である。この回転塗布装置は、図３に示
すように、配管３に塗布液の溶剤である溶剤タンク９
と、溶剤を気化する気化器１０と、気化される溶剤ガス
の流量を調整するマスフローコントローラ１１を設けた
ことである。それ以外は前述の実施例と同じである。
【００１４】この回転塗布装置の動作は、半導体基板５
を収納した真空室２を減圧した後に、気化器１０からの
溶剤ガスをマスフローコントローラ１１にて流量を制御
し真空室２に導入し、そして溶剤のガスと排気調整弁４
により真空室２を一定の減圧状態としこの状態で回転塗
布を行う。
を収納した真空室２を減圧した後に、気化器１０からの
溶剤ガスをマスフローコントローラ１１にて流量を制御
し真空室２に導入し、そして溶剤のガスと排気調整弁４
により真空室２を一定の減圧状態としこの状態で回転塗
布を行う。
【００１５】この実施例では溶剤のガスが塗布雰囲気と
なるため、塗布液中の溶剤が蒸発し難く塗布液の粘度が
低く保たれ、半導体基板５上に一様に拡ろがり、均一な
膜厚の塗布膜が形成できる利点がある。
なるため、塗布液中の溶剤が蒸発し難く塗布液の粘度が
低く保たれ、半導体基板５上に一様に拡ろがり、均一な
膜厚の塗布膜が形成できる利点がある。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、塗布すべ
き半導体基板を包み閉鎖空間をもつ真空室と、この真空
室を減圧状態にする真空排気手段と、大気圧に戻すガス
供給手段とを設け、前記閉鎖空間の雰囲気を減圧状態で
塗布液を滴下して塗布し、しかる後に雰囲気を大気圧に
戻すことにより、半導体基板の微細パターンの凹部まで
塗布液が充分埋まり、塗布膜中に気泡が出来ず、塗布の
後工程で半導体基板を加熱しても塗布膜が剥れないとい
う効果がある。
き半導体基板を包み閉鎖空間をもつ真空室と、この真空
室を減圧状態にする真空排気手段と、大気圧に戻すガス
供給手段とを設け、前記閉鎖空間の雰囲気を減圧状態で
塗布液を滴下して塗布し、しかる後に雰囲気を大気圧に
戻すことにより、半導体基板の微細パターンの凹部まで
塗布液が充分埋まり、塗布膜中に気泡が出来ず、塗布の
後工程で半導体基板を加熱しても塗布膜が剥れないとい
う効果がある。
【図１】本発明の一実施例の回転塗布装置の概略を示す
図である。
図である。
【図２】従来装置と本発明の装置による気泡発生率を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】本発明の他の実施例の回転塗布装置の概略を示
す図である。
す図である。
【図４】従来の一例における回転塗布装置の概略を示す
図である。
図である。
１ 真空ポンプ ２ 真空室 ３ 配管 ４ 排気調整弁 ５ 半導体基板 ６ テーブル ７ スピンモータ ８ ノズル ９ 溶剤タンク １０ 気化器 １１ マスフローコントローラ １３ チェック
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を窪みに入れ載置するテーブ
ルと、このテーブルを回転させるスピンモータと、前記
半導体記憶装置に塗布液を滴下するノズルと、前記半導
体基板と前記テーブル及び前記ノズルの先端分を包む閉
鎖空間をつ真空室と、この真空室を減圧する真空ポンプ
と、この真空ポンプと協働して前記真空室に導入される
ガス圧を制御する排気調整弁とを備え、前記真空室のガ
ス圧を小さくした状態で前記ノズルより塗布液を滴下
し、前記テーブルを回転し滴下さた前記塗布液を前記半
導体基板に引き伸ばし、しかる後前記真空室を大気に戻
すことを特徴とする回転塗布装置。 - 【請求項２】 前記導入されるガスが前記塗布液の溶剤
が気化されたものであることを特徴とする請求項１記載
の回転塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1831493A JPH06232038A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 回転塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1831493A JPH06232038A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232038A true JPH06232038A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=11968155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1831493A Pending JPH06232038A (ja) | 1993-02-05 | 1993-02-05 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232038A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006263638A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 塗布液の塗布装置および塗布方法 |
| CN104549843A (zh) * | 2015-01-10 | 2015-04-29 | 长兴宏能电热膜元件厂 | 一种电热管涂覆电热膜的方法 |
| CN104624437A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-05-20 | 南宁市柳川华邦电子有限公司 | 一种微真空密封胶填充工作平台 |
| CN118635071A (zh) * | 2024-08-09 | 2024-09-13 | 苏州昆盈机械设备有限公司 | 一种新能源电池灌封设备 |
-
1993
- 1993-02-05 JP JP1831493A patent/JPH06232038A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006263638A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 塗布液の塗布装置および塗布方法 |
| JP4588506B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2010-12-01 | 大日本印刷株式会社 | 塗布液の塗布装置および塗布方法 |
| CN104549843A (zh) * | 2015-01-10 | 2015-04-29 | 长兴宏能电热膜元件厂 | 一种电热管涂覆电热膜的方法 |
| CN104549843B (zh) * | 2015-01-10 | 2016-12-07 | 长兴宏能电热膜元件厂 | 一种电热管涂覆电热膜的方法 |
| CN104624437A (zh) * | 2015-01-23 | 2015-05-20 | 南宁市柳川华邦电子有限公司 | 一种微真空密封胶填充工作平台 |
| CN118635071A (zh) * | 2024-08-09 | 2024-09-13 | 苏州昆盈机械设备有限公司 | 一种新能源电池灌封设备 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19991012 |