JP2796812B2 - レジストの塗布方法および塗布装置 - Google Patents
レジストの塗布方法および塗布装置Info
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- JP2796812B2 JP2796812B2 JP63275767A JP27576788A JP2796812B2 JP 2796812 B2 JP2796812 B2 JP 2796812B2 JP 63275767 A JP63275767 A JP 63275767A JP 27576788 A JP27576788 A JP 27576788A JP 2796812 B2 JP2796812 B2 JP 2796812B2
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- space
- resist
- container
- coating
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明はレジストの塗布方法および塗布装置に関す
る。
る。
（従来の技術） 半導体装置の製造過程に於てウエハにフォトレジスト
膜を一様に塗布する工程がある。この工程ではウエハの
中央部にフォトレジストを滴下した後、速い立ち上がり
でウエハを高速回転することにより滴下したレジストを
遠心力によってウエハ表面上に全面にわたって分散さ
せ、ウエハ表面上にフォトレジスト膜を形成させるもの
である。またウエハの高速回転は大気中で行い、ホトレ
ジストは回転中に自然乾燥する。しかしながら、フォト
レジストがウエハの表面を分散する途中で、フォトレジ
スト中の例えばシンナー等の溶媒が部分的に不均一に蒸
発してしまい、レジストの粘性が部分的に変化するため
ウエハの半径方向に厚さむらが生じる。この様な厚さむ
らを軽減するために、溶媒の蒸気を発生させ、塗布雰囲
気を排気して溶媒の蒸気を吸引し、排気状態で塗布を行
う装置が特開昭61−29125号公報に開示されている。ま
た、回転塗布容器内に溶媒溶液を入れ、溶媒雰囲気を作
り塗布を行う方法が特開昭51−65882号公報に開示され
ている。
膜を一様に塗布する工程がある。この工程ではウエハの
中央部にフォトレジストを滴下した後、速い立ち上がり
でウエハを高速回転することにより滴下したレジストを
遠心力によってウエハ表面上に全面にわたって分散さ
せ、ウエハ表面上にフォトレジスト膜を形成させるもの
である。またウエハの高速回転は大気中で行い、ホトレ
ジストは回転中に自然乾燥する。しかしながら、フォト
レジストがウエハの表面を分散する途中で、フォトレジ
スト中の例えばシンナー等の溶媒が部分的に不均一に蒸
発してしまい、レジストの粘性が部分的に変化するため
ウエハの半径方向に厚さむらが生じる。この様な厚さむ
らを軽減するために、溶媒の蒸気を発生させ、塗布雰囲
気を排気して溶媒の蒸気を吸引し、排気状態で塗布を行
う装置が特開昭61−29125号公報に開示されている。ま
た、回転塗布容器内に溶媒溶液を入れ、溶媒雰囲気を作
り塗布を行う方法が特開昭51−65882号公報に開示され
ている。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、ウエハの大口径化と超LSI化に伴い、
よりいっそう均一にフォトレジストを塗布することが要
求されている。このため上記公報に示されるようにフォ
トレジストの溶媒蒸気をバブラで発生させ、塗布カップ
下部の排気ポンプを作動させ、送気管を介し塗布カップ
内に溶媒蒸気を導入し塗布部を溶媒蒸気雰囲気にして、
フォトレジスト中の溶媒の蒸発を抑制し、塗布中のレジ
ストの粘性変化を抑えているが、排気ポンプ、バブラ等
が塗布動作中動作しているため、またさらに、ウエハの
高速回転により塗布カップ内に気流の流れが生じ、厳密
には溶媒蒸気の濃度が場所により異なり溶媒蒸気の濃度
差によりフォトレジスト中の溶媒がウエハの各部におい
て不均一に蒸発し、フォトレジストの粘性が部分的に変
化するためウエハの膜厚にわずかでは有るが不均一な部
分が生じると言う問題があった。また、溶媒溶液を塗布
容器内に入れ、フォトレジストをウエハ上に滴下した
後、蓋を閉め溶媒の蒸気を飽和させ回転塗布する方法で
は、蓋の開閉により塗布容器内を完全に飽和溶媒雰囲気
にするには長時間を要し、作業効率が非常に低下する問
題があった。また、ある程度の溶媒が蒸発した後の溶媒
雰囲気では塗布容器内の場所により、溶媒雰囲気濃度が
異なり、ウエハを塗布のため高速回転させることによ
り、気流の流れが生じ、ウエハの溶媒雰囲気濃度が厳密
には場所により異なってしまい、フォトレジストの粘性
が部分的に変化するためウエハの膜厚に僅かではあるが
不均一な部分が生じると言う問題があった。特に超LSI
等の超微細加工を要求される工程ではこの僅かな不均一
が超微細パターン完成寸法のばらつき等に非常な悪影響
を及ぼしている。この発明は上記点を改善するためにな
されたもので、均一な塗布膜を形成できるフォトレジス
トの塗布方法および塗布装置を提供しようとするもので
ある。
よりいっそう均一にフォトレジストを塗布することが要
求されている。このため上記公報に示されるようにフォ
トレジストの溶媒蒸気をバブラで発生させ、塗布カップ
下部の排気ポンプを作動させ、送気管を介し塗布カップ
内に溶媒蒸気を導入し塗布部を溶媒蒸気雰囲気にして、
フォトレジスト中の溶媒の蒸発を抑制し、塗布中のレジ
ストの粘性変化を抑えているが、排気ポンプ、バブラ等
が塗布動作中動作しているため、またさらに、ウエハの
高速回転により塗布カップ内に気流の流れが生じ、厳密
には溶媒蒸気の濃度が場所により異なり溶媒蒸気の濃度
差によりフォトレジスト中の溶媒がウエハの各部におい
て不均一に蒸発し、フォトレジストの粘性が部分的に変
化するためウエハの膜厚にわずかでは有るが不均一な部
分が生じると言う問題があった。また、溶媒溶液を塗布
容器内に入れ、フォトレジストをウエハ上に滴下した
後、蓋を閉め溶媒の蒸気を飽和させ回転塗布する方法で
は、蓋の開閉により塗布容器内を完全に飽和溶媒雰囲気
にするには長時間を要し、作業効率が非常に低下する問
題があった。また、ある程度の溶媒が蒸発した後の溶媒
雰囲気では塗布容器内の場所により、溶媒雰囲気濃度が
異なり、ウエハを塗布のため高速回転させることによ
り、気流の流れが生じ、ウエハの溶媒雰囲気濃度が厳密
には場所により異なってしまい、フォトレジストの粘性
が部分的に変化するためウエハの膜厚に僅かではあるが
不均一な部分が生じると言う問題があった。特に超LSI
等の超微細加工を要求される工程ではこの僅かな不均一
が超微細パターン完成寸法のばらつき等に非常な悪影響
を及ぼしている。この発明は上記点を改善するためにな
されたもので、均一な塗布膜を形成できるフォトレジス
トの塗布方法および塗布装置を提供しようとするもので
ある。
（課題を解決するための手段） 上記課題を解決するために、本発明は第１に、容器内
の被塗布体が配置された空間を気密状態に保持し、その
中を排気した後排気を停止し、前記空間内を所定圧力の
減圧状態に保持する工程と、 前記被塗布体に塗布しようとするレジストを構成する
溶媒を含有する溶媒含有ガスを前記空間内に流入させ、
前記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とする工程
と、 この大気圧の溶媒雰囲気とされた空間内で前記被塗布
体に対してレジストの塗布を行う工程と を具備することを特徴とするレジストの塗布方法を提供
する。
の被塗布体が配置された空間を気密状態に保持し、その
中を排気した後排気を停止し、前記空間内を所定圧力の
減圧状態に保持する工程と、 前記被塗布体に塗布しようとするレジストを構成する
溶媒を含有する溶媒含有ガスを前記空間内に流入させ、
前記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とする工程
と、 この大気圧の溶媒雰囲気とされた空間内で前記被塗布
体に対してレジストの塗布を行う工程と を具備することを特徴とするレジストの塗布方法を提供
する。
第２に、被塗布体に対してレジストを塗布する塗布容
器と、レジストを構成する溶媒を飽和状態で含有し大気
雰囲気に保持される溶媒雰囲気空間が形成された溶媒供
給容器とを、配管および配管の途中に設けられたバルブ
を介して連結する工程と、 前記バルブを閉じた状態で前記塗布容器内に被塗布体
を配置する工程と、 被塗布体が配置された空間を気密状態に保持し、排気
した後排気を停止し、前記空間内を所定圧力の減圧状態
に保持する工程と、 前記バルブを開いて大気圧に保持される前記溶媒供給
容器から前記塗布容器内へ溶媒含有ガスを流入させ、前
記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とする工程
と、 この大気圧の溶媒雰囲気とされた空間内で前記被塗布
体に対してレジストの塗布を行う工程と を具備することを特徴とするレジストの塗布方法を提供
する。
器と、レジストを構成する溶媒を飽和状態で含有し大気
雰囲気に保持される溶媒雰囲気空間が形成された溶媒供
給容器とを、配管および配管の途中に設けられたバルブ
を介して連結する工程と、 前記バルブを閉じた状態で前記塗布容器内に被塗布体
を配置する工程と、 被塗布体が配置された空間を気密状態に保持し、排気
した後排気を停止し、前記空間内を所定圧力の減圧状態
に保持する工程と、 前記バルブを開いて大気圧に保持される前記溶媒供給
容器から前記塗布容器内へ溶媒含有ガスを流入させ、前
記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とする工程
と、 この大気圧の溶媒雰囲気とされた空間内で前記被塗布
体に対してレジストの塗布を行う工程と を具備することを特徴とするレジストの塗布方法を提供
する。
第３に、上記第２の方法において、前記溶媒供給容器
は、レジストを構成する溶媒を不活性ガスまたはクリー
ンエアーでバブリングして溶媒含有ガスを発生させるこ
とを特徴とするレジストの塗布方法を提供する。
は、レジストを構成する溶媒を不活性ガスまたはクリー
ンエアーでバブリングして溶媒含有ガスを発生させるこ
とを特徴とするレジストの塗布方法を提供する。
第４に、上記第２または第３の方法において、前記溶
媒供給容器の溶媒雰囲気空間は、前記塗布容器の空間よ
りも十分に大きいことを特徴とするレジストの塗布方法
を提供する。
媒供給容器の溶媒雰囲気空間は、前記塗布容器の空間よ
りも十分に大きいことを特徴とするレジストの塗布方法
を提供する。
第５に、被塗布体が配置され、その配置空間を気密に
保持可能な塗布容器と、 前記空間を気密に保持した状態で排気する排気手段
と、 前記気密容器内にレジストを構成する溶媒を含有する
溶媒含有ガスを供給する溶媒含有ガス供給手段と、 前記空間に配置された被塗布体にレジストを供給する
レジスト供給ノズルとを具備し、 前記被塗布体が配置された状態で気密状態に保持され
た前記気密容器の空間を前記排気手段により排気した後
排気を停止して前記空間を所定の減圧状態に保持し、前
記溶媒ガス供給手段から溶媒含有ガスを前記空間内に流
入させ、前記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気と
し、その雰囲気中で前記レジスト供給ノズルにより前記
被塗布体にレジストを供給して塗布することを特徴とす
るレジストの塗布装置を提供する。
保持可能な塗布容器と、 前記空間を気密に保持した状態で排気する排気手段
と、 前記気密容器内にレジストを構成する溶媒を含有する
溶媒含有ガスを供給する溶媒含有ガス供給手段と、 前記空間に配置された被塗布体にレジストを供給する
レジスト供給ノズルとを具備し、 前記被塗布体が配置された状態で気密状態に保持され
た前記気密容器の空間を前記排気手段により排気した後
排気を停止して前記空間を所定の減圧状態に保持し、前
記溶媒ガス供給手段から溶媒含有ガスを前記空間内に流
入させ、前記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気と
し、その雰囲気中で前記レジスト供給ノズルにより前記
被塗布体にレジストを供給して塗布することを特徴とす
るレジストの塗布装置を提供する。
第６に、被塗布体が配置され、その配置空間を気密に
保持可能な塗布容器と、被塗布物が収容される気密容器
と、 前記塗布容器に配管およびバルブを介して連結され、
レジストを構成する溶媒を飽和状態で含有し大気雰囲気
に保持される溶媒雰囲気空間が形成された溶媒供給容器
と、 前記気密容器内を排気する排気手段と、 前記空間に配置された被塗布体にレジストを供給する
レジスト供給ノズルとを具備し、 前記被塗布体が配置され、かつバルブが閉じられた状
態で気密状態に保持された前記気密容器の空間を前記排
気手段により排気した後排気を停止して所定の減圧状態
に保持し、その状態で前記バルブ開にして前記溶媒供給
容器から溶媒含有ガスを前記塗布容器内に流入させ、前
記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とし、その雰
囲気中で前記レジスト供給ノズルにより前記被塗布体に
レジストを供給して塗布することを特徴とするレジスト
の塗布装置。
保持可能な塗布容器と、被塗布物が収容される気密容器
と、 前記塗布容器に配管およびバルブを介して連結され、
レジストを構成する溶媒を飽和状態で含有し大気雰囲気
に保持される溶媒雰囲気空間が形成された溶媒供給容器
と、 前記気密容器内を排気する排気手段と、 前記空間に配置された被塗布体にレジストを供給する
レジスト供給ノズルとを具備し、 前記被塗布体が配置され、かつバルブが閉じられた状
態で気密状態に保持された前記気密容器の空間を前記排
気手段により排気した後排気を停止して所定の減圧状態
に保持し、その状態で前記バルブ開にして前記溶媒供給
容器から溶媒含有ガスを前記塗布容器内に流入させ、前
記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とし、その雰
囲気中で前記レジスト供給ノズルにより前記被塗布体に
レジストを供給して塗布することを特徴とするレジスト
の塗布装置。
第７に、上記第６の装置において、前記溶媒供給容器
は、レジストを構成する溶媒を不活性ガスまたはクリー
ンエアーでバブリングして溶媒含有ガスを発生させるバ
ブリング手段を有していることを特徴とするレジストの
塗布装置を提供する。
は、レジストを構成する溶媒を不活性ガスまたはクリー
ンエアーでバブリングして溶媒含有ガスを発生させるバ
ブリング手段を有していることを特徴とするレジストの
塗布装置を提供する。
第８に、上記第６または第７の装置において、前記溶
媒供給容器の溶媒雰囲気空間は、前記塗布容器の空間よ
りも十分に大きいことを特徴とするレジストの塗布装置
を提供する。
媒供給容器の溶媒雰囲気空間は、前記塗布容器の空間よ
りも十分に大きいことを特徴とするレジストの塗布装置
を提供する。
第９に、上記いずれかの装置において、前記レジスト
供給ノズルからのレジストを前記空間内の被塗布体に供
給するための孔を閉塞するシャッターをさらに具備して
いることを特徴とするレジストの塗布装置を提供する。
供給ノズルからのレジストを前記空間内の被塗布体に供
給するための孔を閉塞するシャッターをさらに具備して
いることを特徴とするレジストの塗布装置を提供する。
（作用） 本発明においては、容器内の被塗布体が配置された空
間を気密状態に保持し、その中を排気した後排気を停止
し、前記空間内を所定圧力の減圧状態に保持し、その状
態でレジストを構成する溶媒を含有する溶媒含有ガスを
前記空間内に流入させ、前記空間内を大気圧の均一濃度
の溶媒雰囲気とする。このように塗布空間が均一の溶媒
濃度であり、しかも大気圧であることから大気の流入等
の気流の乱れがないので、その中でレジスト塗布処理を
行うことにより少ないレジスト量で均一な塗布膜を形成
することができる。
間を気密状態に保持し、その中を排気した後排気を停止
し、前記空間内を所定圧力の減圧状態に保持し、その状
態でレジストを構成する溶媒を含有する溶媒含有ガスを
前記空間内に流入させ、前記空間内を大気圧の均一濃度
の溶媒雰囲気とする。このように塗布空間が均一の溶媒
濃度であり、しかも大気圧であることから大気の流入等
の気流の乱れがないので、その中でレジスト塗布処理を
行うことにより少ないレジスト量で均一な塗布膜を形成
することができる。
特に、レジストを構成する溶媒を飽和状態で含有し大
気雰囲気に保持される溶媒雰囲気空間が形成された溶媒
供給容器を、配管および配管の途中に設けられたバルブ
を介して塗布容器に凍結し、例えば溶媒を不活性ガスま
たはクリーンエアーでバブリングするなどして発生する
溶媒含有ガスを減圧下の塗布空間に流入させる場合に
は、予め形成された、大気圧状態で濃度が均一な飽和溶
媒雰囲気ガスが塗布空間に流入されることになるので、
一層均一濃度でかつ乱れのない塗布空間を形成すること
ができ、一層均一な塗布膜を形成することができる。
気雰囲気に保持される溶媒雰囲気空間が形成された溶媒
供給容器を、配管および配管の途中に設けられたバルブ
を介して塗布容器に凍結し、例えば溶媒を不活性ガスま
たはクリーンエアーでバブリングするなどして発生する
溶媒含有ガスを減圧下の塗布空間に流入させる場合に
は、予め形成された、大気圧状態で濃度が均一な飽和溶
媒雰囲気ガスが塗布空間に流入されることになるので、
一層均一濃度でかつ乱れのない塗布空間を形成すること
ができ、一層均一な塗布膜を形成することができる。
この場合に、溶媒供給容器の溶媒雰囲気空間を、塗布
空間よりも十分に大きくすることにより、溶媒雰囲気空
間を常に安定した飽和溶媒雰囲気とすることができる。
空間よりも十分に大きくすることにより、溶媒雰囲気空
間を常に安定した飽和溶媒雰囲気とすることができる。
さらに、レジスト供給ノズルからのレジストを塗布空
間内の被塗布体に供給するための孔を閉塞するシャッタ
ーを設けることにより、塗布空間を減圧下に保持し、さ
らにその中に溶媒雰囲気を形成する際には、シャッター
を閉じてその中を密閉空間とし、塗布の際のみシャッタ
ーを開けて塗布処理を行うようにすることができる。
間内の被塗布体に供給するための孔を閉塞するシャッタ
ーを設けることにより、塗布空間を減圧下に保持し、さ
らにその中に溶媒雰囲気を形成する際には、シャッター
を閉じてその中を密閉空間とし、塗布の際のみシャッタ
ーを開けて塗布処理を行うようにすることができる。
（実施例） 以下本発明レジストの塗布方法を半導体ウエハ上への
フォトレジスト塗布装置に適用した一実施例につき図面
を参照して説明する。第１図に示すようにスピンナー装
置の回転塗布部（０）はウエハ（１）を載置吸着するチ
ャック（２）と、 このチャック（２）を高速回転例えば5000〜10000回転
／分させるモータ（３）と、相対的に上下に移動可能と
するため２分割したカップ部即ち外カップ（４）と下カ
ップ（５）及びカップ内を完全密封チャンバーとするた
め外カップ（４）の上部を気密に覆う蓋体（６）とから
構成されている。外カップ（４）の内側壁面は飛散した
フォトレジストの跳ね返りを抑えるため“コ”の字の上
下辺を広げた形状をしている。また外カップ（４）は下
カップ（５）とＯ−リング等による気密封止構造となっ
ている。また、下カップ（５）は図示しない駆動装置に
より垂直方向に移動自在に設けられ、第１図の外カップ
（４）の気密状態から、例えば下方に移動し第１−ａ図
に示した外カップ（４）と下カップ（５）との間に間隙
（７）を設けることができる。この間隙（７）を通り図
示しない配管により塗布後の雰囲気ガス等の排気及び外
カップ（４）に飛散したフォトレジストや裏面リンスや
サイドリンスやカップ洗浄液等の排出ができる構造とな
っている。また、蓋体（６）も、上述の下カップ（５）
と同様に、外カップ（４）とＯ−リング等による気密封
止構造となっている。このように外カップ（４）と下カ
ップ（５）と蓋体（６）で構成された空間で塗布空間
（８）を構成している。そして、この蓋体（６）のウエ
ハ（１）の中心に対応する位置に、フォトレジスト液を
塗布するレジストノズル（９）を挿入自在に位置合わせ
でき、かつ気密封止できるが如くシャッター（10）を設
けた貫通孔（11）がもうけられている。さらに上記蓋体
（６）には上記空間（８）を所定の減圧例えば700〜600
mmHgにするための減圧排気孔（12）と、上記塗布空間
（８）の減圧を利用して、上記塗布空間（８）へウエハ
（１）上に塗布するフォトレジストを構成している溶媒
例えばシンナー等の例えば溶媒雰囲気分圧80％以上の飽
和状態溶媒雰囲気ガス（13）を導入する雰囲気ガス導入
孔（14）と、塗布空間（８）内をパージまたは塗布空間
（８）内の溶媒雰囲気ガス（13）のガス濃度を制御する
ために不活性ガス例えば窒素ガスあるいはクリーンエア
ーを導入するガス導入孔（15）が設けられている。そし
て、上記減圧排気孔（12）は配管により減圧排気装置
（12a）に接続され、配管途中には配管流路を開閉する
バルブ（12b）が設けられている。同様に、ガス導入孔
（15）も配管により不活性ガス例えばN2ガスまたはクリ
ーンエアーの供給源（15a）に配管流路を開閉するバル
ブ（15b）を介して接続されている。そして上記蓋体
（６）も図示しない駆動装置により垂直方向に移動自在
と成っている。上記蓋体（６）の上昇により外カップ
（４）と蓋体（６）とが開きチャック（２）へウエハ
（１）のロード／アンロードを可能としている。一方、
上記塗布部（０）とは別に溶剤雰囲気ガス（13）を発生
させる雰囲気ガス発生装置（16）が設けられている。こ
の雰囲気ガス発生装置（16）は密閉容器（17）を形成
し、この容器（17）内には塗布するフォトレジスト例え
ばOFPR−800（商品名）を構成している溶媒例えばセロ
ソルブスアセテートと同じ溶媒（18）が収納されてい
る。そして、溶媒（18）の上部には溶媒が蒸発し飽和溶
媒雰囲気ガスを形成する溶媒雰囲気空間（19）が設けら
れている。この空間（19）は上記塗布空間（８）に比べ
十分大きな空間と成っている。即ち、溶媒雰囲気空間
（19）＞＞塗布空間（８）の関係にし、空間（19）の溶
媒雰囲気ガス（13）が空間（８）へバルブ（21）を介し
て吸入を容易にしている。そして、この溶媒雰囲気空間
（19）と前記塗布空間（８）とは上記溶媒雰囲気ガスを
塗布空間（８）に導入する配管（20）により蓋体（６）
の溶媒雰囲気ガス導入孔（14）を介し接続され、また配
管（20）の途中には配管流路を開閉するバルブ（21）が
設けられている。また、密閉容器（17）には溶剤（18）
の液面下に位置する如くバブラー（22）が設けられ、こ
のバブラーへは溶剤雰囲気空間（19）の溶媒雰囲気ガス
（13）が塗布空間（８）へ流入した分の減圧分を補うだ
けのクリーンエアーまたは不活性ガスが補給される如く
設けられている。従って、溶媒雰囲気空間（19）＞＞塗
布空間（８）の関係にあるため、溶媒雰囲気空間（19）
は常に安定した飽和溶剤雰囲気ガスで満たされた状態を
維持できる。
フォトレジスト塗布装置に適用した一実施例につき図面
を参照して説明する。第１図に示すようにスピンナー装
置の回転塗布部（０）はウエハ（１）を載置吸着するチ
ャック（２）と、 このチャック（２）を高速回転例えば5000〜10000回転
／分させるモータ（３）と、相対的に上下に移動可能と
するため２分割したカップ部即ち外カップ（４）と下カ
ップ（５）及びカップ内を完全密封チャンバーとするた
め外カップ（４）の上部を気密に覆う蓋体（６）とから
構成されている。外カップ（４）の内側壁面は飛散した
フォトレジストの跳ね返りを抑えるため“コ”の字の上
下辺を広げた形状をしている。また外カップ（４）は下
カップ（５）とＯ−リング等による気密封止構造となっ
ている。また、下カップ（５）は図示しない駆動装置に
より垂直方向に移動自在に設けられ、第１図の外カップ
（４）の気密状態から、例えば下方に移動し第１−ａ図
に示した外カップ（４）と下カップ（５）との間に間隙
（７）を設けることができる。この間隙（７）を通り図
示しない配管により塗布後の雰囲気ガス等の排気及び外
カップ（４）に飛散したフォトレジストや裏面リンスや
サイドリンスやカップ洗浄液等の排出ができる構造とな
っている。また、蓋体（６）も、上述の下カップ（５）
と同様に、外カップ（４）とＯ−リング等による気密封
止構造となっている。このように外カップ（４）と下カ
ップ（５）と蓋体（６）で構成された空間で塗布空間
（８）を構成している。そして、この蓋体（６）のウエ
ハ（１）の中心に対応する位置に、フォトレジスト液を
塗布するレジストノズル（９）を挿入自在に位置合わせ
でき、かつ気密封止できるが如くシャッター（10）を設
けた貫通孔（11）がもうけられている。さらに上記蓋体
（６）には上記空間（８）を所定の減圧例えば700〜600
mmHgにするための減圧排気孔（12）と、上記塗布空間
（８）の減圧を利用して、上記塗布空間（８）へウエハ
（１）上に塗布するフォトレジストを構成している溶媒
例えばシンナー等の例えば溶媒雰囲気分圧80％以上の飽
和状態溶媒雰囲気ガス（13）を導入する雰囲気ガス導入
孔（14）と、塗布空間（８）内をパージまたは塗布空間
（８）内の溶媒雰囲気ガス（13）のガス濃度を制御する
ために不活性ガス例えば窒素ガスあるいはクリーンエア
ーを導入するガス導入孔（15）が設けられている。そし
て、上記減圧排気孔（12）は配管により減圧排気装置
（12a）に接続され、配管途中には配管流路を開閉する
バルブ（12b）が設けられている。同様に、ガス導入孔
（15）も配管により不活性ガス例えばN2ガスまたはクリ
ーンエアーの供給源（15a）に配管流路を開閉するバル
ブ（15b）を介して接続されている。そして上記蓋体
（６）も図示しない駆動装置により垂直方向に移動自在
と成っている。上記蓋体（６）の上昇により外カップ
（４）と蓋体（６）とが開きチャック（２）へウエハ
（１）のロード／アンロードを可能としている。一方、
上記塗布部（０）とは別に溶剤雰囲気ガス（13）を発生
させる雰囲気ガス発生装置（16）が設けられている。こ
の雰囲気ガス発生装置（16）は密閉容器（17）を形成
し、この容器（17）内には塗布するフォトレジスト例え
ばOFPR−800（商品名）を構成している溶媒例えばセロ
ソルブスアセテートと同じ溶媒（18）が収納されてい
る。そして、溶媒（18）の上部には溶媒が蒸発し飽和溶
媒雰囲気ガスを形成する溶媒雰囲気空間（19）が設けら
れている。この空間（19）は上記塗布空間（８）に比べ
十分大きな空間と成っている。即ち、溶媒雰囲気空間
（19）＞＞塗布空間（８）の関係にし、空間（19）の溶
媒雰囲気ガス（13）が空間（８）へバルブ（21）を介し
て吸入を容易にしている。そして、この溶媒雰囲気空間
（19）と前記塗布空間（８）とは上記溶媒雰囲気ガスを
塗布空間（８）に導入する配管（20）により蓋体（６）
の溶媒雰囲気ガス導入孔（14）を介し接続され、また配
管（20）の途中には配管流路を開閉するバルブ（21）が
設けられている。また、密閉容器（17）には溶剤（18）
の液面下に位置する如くバブラー（22）が設けられ、こ
のバブラーへは溶剤雰囲気空間（19）の溶媒雰囲気ガス
（13）が塗布空間（８）へ流入した分の減圧分を補うだ
けのクリーンエアーまたは不活性ガスが補給される如く
設けられている。従って、溶媒雰囲気空間（19）＞＞塗
布空間（８）の関係にあるため、溶媒雰囲気空間（19）
は常に安定した飽和溶剤雰囲気ガスで満たされた状態を
維持できる。
次に動作について説明する。
まず溶媒雰囲気空間（19）のクリーンエアーまたは不
活性ガス例えばN2ガスを溶媒（18）の自然蒸発等により
例えば溶媒雰囲気分圧80％以上の大気圧の飽和溶媒雰囲
気ガスにする。また、溶媒雰囲気ガス発生装置（16）に
溶媒（18）を新たに入れた場合または溶媒を入れ換えた
時には、雰囲気ガス発生装置（16）のバブラー（22）の
図示しないバルブを閉じ溶媒雰囲気空間（19）を例えば
減圧排気装置（12a）を動作させ図示しない配管を経由
して減圧排気し、この後バブラー（22）の図示しないバ
ルブを開きバブラー（22）を動作させクリーンエアー又
は不活性ガスをバブラー（22）から噴出させ、大気圧の
飽和溶媒雰囲気ガスを作成しても良い。
活性ガス例えばN2ガスを溶媒（18）の自然蒸発等により
例えば溶媒雰囲気分圧80％以上の大気圧の飽和溶媒雰囲
気ガスにする。また、溶媒雰囲気ガス発生装置（16）に
溶媒（18）を新たに入れた場合または溶媒を入れ換えた
時には、雰囲気ガス発生装置（16）のバブラー（22）の
図示しないバルブを閉じ溶媒雰囲気空間（19）を例えば
減圧排気装置（12a）を動作させ図示しない配管を経由
して減圧排気し、この後バブラー（22）の図示しないバ
ルブを開きバブラー（22）を動作させクリーンエアー又
は不活性ガスをバブラー（22）から噴出させ、大気圧の
飽和溶媒雰囲気ガスを作成しても良い。
次に、蓋体（６）を図示しない駆動装置により上方に
移動し、図示しないロボット装置またはマニュアル操作
によりウエハ（１）をチャック（２）へ載置する。蓋体
（６）を図示しない駆動装置により下方に移動し、外カ
ップ（４）と気密に成る如く当接する。この時下カップ
（５）は外カップ（４）に気密に成る如く当接してい
る。また、上記蓋体（６）に接続している不活性ガスま
たはクリーンエアー供給源（15a）に接続しているバル
ブ（15b）と、レジストノズル（９）からフォトレジス
トをウエハ（１）へ滴下する貫通孔（11）のシャッター
（10）及び雰囲気ガス発生装置からの雰囲気ガス（31）
導入用のバルブ（21）等のバルブ及びシャッターは閉状
態にしておく。そこで、減圧排気用のバルブ（12b）を
開き減圧排気装置（12a）を動作し、塗布空間（８）を
徐々に排気し所望の減圧状態例えば700〜600mmHgに減圧
排気する。所望の圧力に到達したところで減圧排気ライ
ンのバルブ（12b）を閉じる。即ち塗布空間（８）は所
望の減圧状態に保たれた気密室となる。次に雰囲気ガス
発生装置（16）の溶媒雰囲気空間（19）と塗布空間
（８）との間を開閉するバルブ（21）を開き塗布空間
（８）の減圧状態値、例えば700〜600mmHgの大気圧に対
しての圧力差分を補充するが如く溶媒雰囲気空間（19）
内の均一な濃度の安定した飽和溶媒雰囲気ガス（13）が
塗布空間（８）内に流れ込む。また、上記の流れ込んだ
溶媒雰囲気ガス（13）に対応する量のクリーンエアーま
たは不活性ガスがバブラー（22）から導入される。この
時、溶媒雰囲気空間（19）＞＞塗布空間（８）の関係が
あるためバブラー（22）から導入された気体量で溶媒雰
囲気ガス（13）濃度の均一性が乱されることはない。従
って、塗布空間（８）内は均一な濃度な飽和溶媒雰囲気
ガスで隅々まで一様に満たされかつ大気圧状態となる。
ここで雰囲気ガス導入ラインのバルブ（21）を閉じる。
次にレジストノズル（９）を図示しないロボット機構等
により蓋体（６）の中央に位置するレジス塗布用の貫通
孔（11）に自動的にセッティングする。そして、上記貫
通孔（11）に設けられたシャッター（10）を所定の時間
だけ開き、レジストノズル（９）よりフォトレジストを
ウエハ（１）へ向け滴下する。滴下後レジストノズル
（９）はウエハ（１）の上方位置より外側所定の位置に
戻り次のフォトレジスト滴下期まで待機する。従って、
フォトレジストを滴下した後はシャッター（10）は閉状
態となる。そして、モータ（３）を所定の速度例えば70
00〜10000回転／分で高速に回転させ、フォトレジスト
をウエハ（１）全面に分散塗布する。このスピンコート
は最初低速回転し、途中高速回転に切り換えてもよい。
この時、塗布空間（８）内は均一な濃度の例えば溶媒雰
囲気分圧80％以上の飽和溶媒雰囲気ガス（13）で充され
ているため、ウエハ（１）の回転による気流の流れ等が
生じても、何等溶媒雰囲気ガス濃度に影響は無く、分散
中のフォトレジスト内の溶媒の蒸発は非常に少なく、ま
た蒸発するにしても均一に蒸発するためフォトレジスト
の粘性の変化はほとんど無く、ウエハ（１）には均一な
塗布膜が形成される。また滴下するフォトレジストの量
も、フォトレジストの溶媒の蒸発が非常に少なく粘性の
変化がほとんどないためフォトレジストののびも良く、
従来よりも少ないレジスト量で塗布出きる。また、上記
例では、フォトレジストを滴下した後、ウエハ（１）を
モータ（３）により高速回転したが、先にモータ（３）
によりウエハ（１）を高速回転した後、フォトレジスト
を滴下しても良い。次に、ウエハ（１）面上に均一に塗
布されたフォトレジストを乾燥させるため不活性ガスま
たはクリーンエアー供給源（15a）ラインのバルブ（15
b）を開き、不活性ガスまたはクリーンエアーを塗布空
間（８）内に導入すると同時に、減圧排気装置（12a）
を働かせ塗布空間（８）内の溶媒雰囲気ガス（13）を排
気し、不活性ガスまたはクリーンエアーに置換し、均一
に塗布されたフォトレジスト膜の乾燥を行う。あるい
は、蓋体（６）を図示しない駆動装置により上昇させ、
直接塗布空間（８）を大気空間に開放し、均一に塗布さ
れたフォトレジスト膜の乾燥をしても良い。そして、ウ
エハ（１）のフォトレジスト膜乾燥後、モータ（３）の
回転を停止する。次に、蓋体（６）及び下カップ（５）
を図示しない駆動装置により各々上及び下方向に移動す
る。そして外カップ（４）と下カップ（５）との間隙
（７）を通り、外カップ（４）に飛散し外カップ（４）
の下部に溜ったフォトレジストやミスト等を図示しない
配管を介して排出する。また、塗布空間（８）内の残留
溶媒雰囲気ガス（13）等の排気を行う。そして、図示し
ないロボット装置またはマニュアル操作によりチャック
（２）上に載置されたウエハ（１）を取り出し塗布操作
が終了する。
移動し、図示しないロボット装置またはマニュアル操作
によりウエハ（１）をチャック（２）へ載置する。蓋体
（６）を図示しない駆動装置により下方に移動し、外カ
ップ（４）と気密に成る如く当接する。この時下カップ
（５）は外カップ（４）に気密に成る如く当接してい
る。また、上記蓋体（６）に接続している不活性ガスま
たはクリーンエアー供給源（15a）に接続しているバル
ブ（15b）と、レジストノズル（９）からフォトレジス
トをウエハ（１）へ滴下する貫通孔（11）のシャッター
（10）及び雰囲気ガス発生装置からの雰囲気ガス（31）
導入用のバルブ（21）等のバルブ及びシャッターは閉状
態にしておく。そこで、減圧排気用のバルブ（12b）を
開き減圧排気装置（12a）を動作し、塗布空間（８）を
徐々に排気し所望の減圧状態例えば700〜600mmHgに減圧
排気する。所望の圧力に到達したところで減圧排気ライ
ンのバルブ（12b）を閉じる。即ち塗布空間（８）は所
望の減圧状態に保たれた気密室となる。次に雰囲気ガス
発生装置（16）の溶媒雰囲気空間（19）と塗布空間
（８）との間を開閉するバルブ（21）を開き塗布空間
（８）の減圧状態値、例えば700〜600mmHgの大気圧に対
しての圧力差分を補充するが如く溶媒雰囲気空間（19）
内の均一な濃度の安定した飽和溶媒雰囲気ガス（13）が
塗布空間（８）内に流れ込む。また、上記の流れ込んだ
溶媒雰囲気ガス（13）に対応する量のクリーンエアーま
たは不活性ガスがバブラー（22）から導入される。この
時、溶媒雰囲気空間（19）＞＞塗布空間（８）の関係が
あるためバブラー（22）から導入された気体量で溶媒雰
囲気ガス（13）濃度の均一性が乱されることはない。従
って、塗布空間（８）内は均一な濃度な飽和溶媒雰囲気
ガスで隅々まで一様に満たされかつ大気圧状態となる。
ここで雰囲気ガス導入ラインのバルブ（21）を閉じる。
次にレジストノズル（９）を図示しないロボット機構等
により蓋体（６）の中央に位置するレジス塗布用の貫通
孔（11）に自動的にセッティングする。そして、上記貫
通孔（11）に設けられたシャッター（10）を所定の時間
だけ開き、レジストノズル（９）よりフォトレジストを
ウエハ（１）へ向け滴下する。滴下後レジストノズル
（９）はウエハ（１）の上方位置より外側所定の位置に
戻り次のフォトレジスト滴下期まで待機する。従って、
フォトレジストを滴下した後はシャッター（10）は閉状
態となる。そして、モータ（３）を所定の速度例えば70
00〜10000回転／分で高速に回転させ、フォトレジスト
をウエハ（１）全面に分散塗布する。このスピンコート
は最初低速回転し、途中高速回転に切り換えてもよい。
この時、塗布空間（８）内は均一な濃度の例えば溶媒雰
囲気分圧80％以上の飽和溶媒雰囲気ガス（13）で充され
ているため、ウエハ（１）の回転による気流の流れ等が
生じても、何等溶媒雰囲気ガス濃度に影響は無く、分散
中のフォトレジスト内の溶媒の蒸発は非常に少なく、ま
た蒸発するにしても均一に蒸発するためフォトレジスト
の粘性の変化はほとんど無く、ウエハ（１）には均一な
塗布膜が形成される。また滴下するフォトレジストの量
も、フォトレジストの溶媒の蒸発が非常に少なく粘性の
変化がほとんどないためフォトレジストののびも良く、
従来よりも少ないレジスト量で塗布出きる。また、上記
例では、フォトレジストを滴下した後、ウエハ（１）を
モータ（３）により高速回転したが、先にモータ（３）
によりウエハ（１）を高速回転した後、フォトレジスト
を滴下しても良い。次に、ウエハ（１）面上に均一に塗
布されたフォトレジストを乾燥させるため不活性ガスま
たはクリーンエアー供給源（15a）ラインのバルブ（15
b）を開き、不活性ガスまたはクリーンエアーを塗布空
間（８）内に導入すると同時に、減圧排気装置（12a）
を働かせ塗布空間（８）内の溶媒雰囲気ガス（13）を排
気し、不活性ガスまたはクリーンエアーに置換し、均一
に塗布されたフォトレジスト膜の乾燥を行う。あるい
は、蓋体（６）を図示しない駆動装置により上昇させ、
直接塗布空間（８）を大気空間に開放し、均一に塗布さ
れたフォトレジスト膜の乾燥をしても良い。そして、ウ
エハ（１）のフォトレジスト膜乾燥後、モータ（３）の
回転を停止する。次に、蓋体（６）及び下カップ（５）
を図示しない駆動装置により各々上及び下方向に移動す
る。そして外カップ（４）と下カップ（５）との間隙
（７）を通り、外カップ（４）に飛散し外カップ（４）
の下部に溜ったフォトレジストやミスト等を図示しない
配管を介して排出する。また、塗布空間（８）内の残留
溶媒雰囲気ガス（13）等の排気を行う。そして、図示し
ないロボット装置またはマニュアル操作によりチャック
（２）上に載置されたウエハ（１）を取り出し塗布操作
が終了する。
上記実施例では、気密容器を外カップ（４）と下カッ
プ（５）及び蓋体（６）で構成したが第２図に示すよう
に気密容器をカップ一体型にし蓋体（６）を上下動する
構造（第2a図）あるいは外カップ（４）が上下動し、蓋
体も上下動する構造（第2b図）でも良い。また雰囲気ガ
ス発生装置の雰囲気ガス温度と塗布部（０）の塗布空間
（８）との温度差は少ない事が望ましく塗布部及び雰囲
気ガス発生装置及びこの間の配管の温度をコントロール
する機能を持たせてもよい。また、上記実施例では雰囲
気ガス発生装置（16）にバブラー（22）を設け、塗布空
間（８）へ流れ込んだ量の気体を補っていたが、溶媒雰
囲気空間（19）へ配管等を設け、直接不活性ガスやクリ
ーンエアーを補充してもよい。
プ（５）及び蓋体（６）で構成したが第２図に示すよう
に気密容器をカップ一体型にし蓋体（６）を上下動する
構造（第2a図）あるいは外カップ（４）が上下動し、蓋
体も上下動する構造（第2b図）でも良い。また雰囲気ガ
ス発生装置の雰囲気ガス温度と塗布部（０）の塗布空間
（８）との温度差は少ない事が望ましく塗布部及び雰囲
気ガス発生装置及びこの間の配管の温度をコントロール
する機能を持たせてもよい。また、上記実施例では雰囲
気ガス発生装置（16）にバブラー（22）を設け、塗布空
間（８）へ流れ込んだ量の気体を補っていたが、溶媒雰
囲気空間（19）へ配管等を設け、直接不活性ガスやクリ
ーンエアーを補充してもよい。
本実施例によれば、塗布部を形成する気密容器内を予
め定められた圧力値に一度減圧排気した後、排気を停止
した状態で予め用意した均一な濃度の飽和溶媒雰囲気ガ
スを流入させ、この飽和溶媒ガス雰囲気中でフォトレジ
スト塗布を行うため、従来に比べ小量のフォトレジスト
量で均一な塗布膜をウエハ表面に形成する事ができる。
め定められた圧力値に一度減圧排気した後、排気を停止
した状態で予め用意した均一な濃度の飽和溶媒雰囲気ガ
スを流入させ、この飽和溶媒ガス雰囲気中でフォトレジ
スト塗布を行うため、従来に比べ小量のフォトレジスト
量で均一な塗布膜をウエハ表面に形成する事ができる。
（発明の効果） 本発明によれば、気密容器で形成された塗布部を減圧
排気した後、排気を停止した状態で均一な濃度の溶媒雰
囲気ガスを均一に充満し回転塗布することにより、均一
な塗布膜を形成する効果が得られる。
排気した後、排気を停止した状態で均一な濃度の溶媒雰
囲気ガスを均一に充満し回転塗布することにより、均一
な塗布膜を形成する効果が得られる。
第１図は本発明方法の一実施例を説明するために用いら
れる塗布装置の構成図、第１−ａ図は第１図装置の動作
を説明するための動作説明図、第２図は第１図塗布装置
の気密容器の他の実施例説明図である。 ４……外カップ、５……下カップ ６……蓋体、８……塗布空間 12……減圧排気孔、14……雰囲気ガス導入孔 19……溶媒雰囲気空間
れる塗布装置の構成図、第１−ａ図は第１図装置の動作
を説明するための動作説明図、第２図は第１図塗布装置
の気密容器の他の実施例説明図である。 ４……外カップ、５……下カップ ６……蓋体、８……塗布空間 12……減圧排気孔、14……雰囲気ガス導入孔 19……溶媒雰囲気空間
Claims (9)
- 【請求項１】容器内に被塗布体を配置する工程と、 容器内の被塗布体が配置された空間を気密状態に保持
し、その中を排気した後排気を停止し、前記空間内を所
定圧力の減圧状態に保持する工程と、 前記被塗布体に塗布しようとするレジストを構成する溶
媒を含有する溶媒含有ガスを前記空間内に流入させ、前
記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とする工程
と、 この大気圧の溶媒雰囲気とされた空間内で前記被塗布体
に対してレジストの塗布を行う工程と を具備することを特徴とするレジストの塗布方法。 - 【請求項２】被塗布体に対してレジストを塗布する塗布
容器と、レジストを構成する溶媒を飽和状態で含有し大
気雰囲気に保持される溶媒雰囲気空間が形成された溶媒
供給容器とを、配管および配管の途中に設けられたバル
ブを介して連結する工程と、 前記バルブを閉じた状態で前記塗布容器内に被塗布体を
配置する工程と、 被塗布体が配置された空間を気密状態に保持し、排気し
た後排気を停止し、前記空間内を所定圧力の減圧状態に
保持する工程と、 前記バルブを開いて大気圧に保持される前記溶媒供給容
器から前記塗布容器内へ溶媒含有ガスを流入させ、前記
空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とする工程と、 この大気圧の溶媒雰囲気とされた空間内で前記被塗布体
に対してレジストの塗布を行う工程と を具備することを特徴とするレジストの塗布方法。 - 【請求項３】前記溶媒供給容器は、レジストを構成する
溶媒を不活性ガスまたはクリーンエアーでバブリングし
て溶媒含有ガスを発生させることを特徴とする請求項２
に記載のレジストの塗布方法。 - 【請求項４】前記溶媒供給容器の溶媒雰囲気空間は、前
記塗布容器の空間よりも十分に大きいことを特徴とする
請求項２または請求項３に記載のレジストの塗布方法。 - 【請求項５】被塗布体が配置され、その配置空間を気密
に保持可能な塗布容器と、 前記空間を気密に保持した状態で排気する排気手段と、 前記気密容器内にレジストを構成する溶媒を含有する溶
媒含有ガスを供給する溶媒含有ガス供給手段と、 前記空間に配置された被塗布体にレジストを供給するレ
ジスト供給ノズルとを具備し、 前記被塗布体が配置された状態で気密状態に保持された
前記気密容器の空間を前記排気手段により排気した後排
気を停止して前記空間を所定の減圧状態に保持し、前記
溶媒ガス供給手段から溶媒含有ガスを前記空間内に流入
させ、前記空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気と
し、その雰囲気中で前記レジスト供給ノズルにより前記
被塗布体にレジストを供給して塗布することを特徴とす
るレジストの塗布装置。 - 【請求項６】被塗布体が配置され、その配置空間を気密
に保持可能な塗布容器と、被塗布物が収容される気密容
器と、 前記塗布容器に配管およびバルブを介して連結され、レ
ジストを構成する溶媒を飽和状態で含有し大気雰囲気に
保持される溶媒雰囲気空間が形成された溶媒供給容器
と、 前記気密容器内を排気する排気手段と、 前記空間に配置された被塗布体にレジストを供給するレ
ジスト供給ノズルとを具備し、 前記被塗布体が配置され、かつバルブが閉じられた状態
で気密状態に保持された前記気密容器の空間を前記排気
手段により排気した後排気を停止して所定の減圧状態に
保持し、その状態で前記バルブ開にして前記溶媒供給容
器から溶媒含有ガスを前記塗布容器内に流入させ、前記
空間内を大気圧の均一濃度の溶媒雰囲気とし、その雰囲
気中で前記レジスト供給ノズルにより前記塗布体にレジ
ストを供給して塗布することを特徴とするレジストの塗
布装置。 - 【請求項７】前記溶媒供給容器は、レジストを構成する
溶媒を不活性ガスまたはクリーンエアーでバブリングし
て溶媒含有ガスを発生させるバブリング手段を有してい
ることを特徴とする請求項６に記載のレジストの塗布装
置。 - 【請求項８】前記溶媒供給容器の溶媒雰囲気空間は、前
記塗布容器の空間よりも十分に大きいことを特徴とする
請求項６または請求項７に記載のレジストの塗布装置。 - 【請求項９】前記レジスト供給ノズルからのレジストを
前記空間内の被塗布体に供給するための孔を閉塞するシ
ャッターをさらに具備していることを特徴とする請求項
５ないし請求項８のいずれか１項に記載のレジストの塗
布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63275767A JP2796812B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | レジストの塗布方法および塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63275767A JP2796812B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | レジストの塗布方法および塗布装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122520A JPH02122520A (ja) | 1990-05-10 |
| JP2796812B2 true JP2796812B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=17560108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63275767A Expired - Lifetime JP2796812B2 (ja) | 1988-10-31 | 1988-10-31 | レジストの塗布方法および塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2796812B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5366757A (en) * | 1992-10-30 | 1994-11-22 | International Business Machines Corporation | In situ resist control during spray and spin in vapor |
| US5472502A (en) * | 1993-08-30 | 1995-12-05 | Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus and method for spin coating wafers and the like |
| US5591264A (en) * | 1994-03-22 | 1997-01-07 | Sony Corporation | Spin coating device |
| JP3271063B2 (ja) * | 1994-08-08 | 2002-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法及びその装置 |
| KR100239751B1 (ko) * | 1996-12-06 | 2000-01-15 | 윤종용 | 스핀코팅장치 |
| ATE354166T1 (de) | 2000-04-25 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines plattensubstrats und verfahren und vorrichtung zur herstellung einer optischen platte |
| KR100830394B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2008-05-20 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코팅 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5165882A (en) * | 1974-12-05 | 1976-06-07 | Sony Corp | Fuotorejisutono tofuhoho |
| JPS6324621A (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 | Nec Corp | フオトレジスト塗布機 |
| JPS63119531A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造におけるフオトレジスト塗布装置 |
-
1988
- 1988-10-31 JP JP63275767A patent/JP2796812B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02122520A (ja) | 1990-05-10 |
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