WO2024095760A1 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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WO2024095760A1
WO2024095760A1 PCT/JP2023/037538 JP2023037538W WO2024095760A1 WO 2024095760 A1 WO2024095760 A1 WO 2024095760A1 JP 2023037538 W JP2023037538 W JP 2023037538W WO 2024095760 A1 WO2024095760 A1 WO 2024095760A1
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WO
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chamber
tank
water repellent
treatment
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/037538
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English (en)
French (fr)
Inventor
滋 山本
敬次 岩田
大樹 藤井
和樹 合田
泰彦 永井
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス filed Critical 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C3/00—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material
    • B05C3/02—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material
    • B05C3/09—Apparatus in which the work is brought into contact with a bulk quantity of liquid or other fluent material the work being immersed in the liquid or other fluent material for treating separate articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing predetermined processing on various substrates, such as semiconductor substrates, substrates for FPDs (Flat Panel Displays) such as liquid crystal displays and organic EL (Electroluminescence) display devices, glass substrates for photomasks, and substrates for optical disks.
  • substrates for FPDs Fluorescence Displays
  • FPDs Fluorescence Displays
  • organic EL Electrode
  • Patent Document 1 discloses a substrate processing method for processing substrates housed in a chamber.
  • the substrate processing method includes a tank for immersing the substrate in a predetermined liquid, an outlet for supplying an inert gas, organic solvent vapor, and water repellent vapor into the chamber, and a pressure reduction section for reducing the pressure inside the chamber.
  • water repellent vapor is supplied into the chamber while reducing the pressure. In this manner, the substrate surface is modified. Residues of the water repellent that adhere to the substrate surface due to the supply of water repellent vapor are removed in a later process by immersing the substrate in a diluted organic solvent, and are configured not to adversely affect the substrate.
  • Patent Document 2 also discloses a substrate processing method similar to that of Patent Document 1.
  • the substrate processing method of Patent Document 2 also includes a process of supplying water repellent vapor while reducing the pressure inside the chamber.
  • the effect of supplying the water repellent while reducing the pressure is that it becomes easier to supply the water repellent in vapor form into the chamber.
  • the above-mentioned configuration has the problem that it is not possible to fully prevent the adverse effects of the water repellent on the substrate. That is, when the water repellent vapor is supplied into the chamber, water repellent residue adheres not only to the surface of the substrate but also to the inner walls of the chamber. The part of the inner walls of the chamber that corresponds to the bottom of the chamber is located below the liquid level of the diluted organic solvent when the diluted organic solvent is stored in the chamber. Therefore, the water repellent residue adhering to this part is removed. However, water repellent residue remains on other parts of the inner walls of the chamber, which can have an adverse effect on the substrate.
  • the present invention was made in consideration of these circumstances, and aims to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that can prevent adverse effects on substrates caused by water repellent agents.
  • the present invention has the following configuration.
  • a substrate processing apparatus that performs water repellent treatment, cleaning treatment, and drying treatment in succession on a plurality of substrates
  • the substrate processing apparatus comprising: a sealable chamber; a treatment tank that is provided in the chamber and has an open top and that stores a cleaning liquid; a lifter that holds the plurality of substrates and moves up and down between an internal position of the treatment tank and a position above the treatment tank; a drainage means that drains the cleaning liquid stored in the treatment tank; a treatment tank decompression means that evacuates the chamber by reducing the pressure inside the treatment tank; a water repellent agent supplying means that supplies a water repellent agent to a substrate located above the treatment tank; and a control means that controls a series of treatments on the plurality of substrates, the control means being characterized in that during the water repellent treatment on the plurality of substrates, the treatment tank is drained by the drainage means, and then the treatment tank is decompressed by the treatment tank decompression means to evacuate the chamber while the water repellent agent is supplied by the water repellent
  • the processing solution in the processing tank is drained by the drainage means to empty the processing tank, and then the processing tank is depressurized by the processing tank pressure reduction means, thereby exhausting the chamber, while the water repellent supply means supplies water repellent vapor to the substrate located above the processing tank.
  • the water repellent vapor in the substrate processing apparatus according to the present invention flows with the flow of the atmosphere, passing through the opening of the processing tank and reaching the processing tank.
  • the present invention also has the following features:
  • the processing tank decompression means is composed of an exhaust port formed in the processing tank, a pipe connected at one end to the exhaust port, an on-off valve interposed in the pipe, and a decompression pump connected to the other end of the pipe, and the control means, when the water repellent agent supplying means supplies water repellent agent to a substrate located above the processing tank, opens the on-off valve while reducing the pressure with the decompression pump, and discharges the water repellent agent collected in the processing tank from the exhaust port through an upper opening of the processing tank.
  • the substrate processing apparatus described in (2) is characterized in that the exhaust port also allows the liquid held in the processing tank to pass through.
  • the exhaust port is configured to function as a drain port as in (5), there is no need to provide a drain port for discharging liquid from the processing tank separately from the exhaust port.
  • This configuration makes it possible to provide a substrate processing apparatus that is simpler in configuration and easier to manufacture and maintain.
  • a substrate processing method for successively performing a water-repellent treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment on a plurality of substrates comprising: a process tank depressurization process for exhausting the inside of a chamber in which a process tank having an opening at the top for introducing a plurality of substrates is disposed by reducing the pressure inside the process tank; and a water-repellent agent supply process for supplying a water-repellent agent to the plurality of substrates positioned at the top of the process tank while performing the process tank depressurization process.
  • the substrate processing method includes a suction start process for starting suction of the atmosphere in a processing tank having an opening at the top for introducing multiple substrates, and a water repellent supply process for supplying water repellent vapor from the top of the processing tank during the suction operation.
  • the water repellent vapor according to the present invention is collected in the opening of the processing tank and discharged outside the chamber. This configuration reduces adhesion of water repellent vapor to the inner wall of the chamber when the water repellent vapor is supplied into the chamber. This is because the water repellent vapor is collected in the processing tank and cannot flow into the space between the outer wall of the processing tank and the inner wall of the chamber. According to the present invention, the adverse effects of water repellent vapor remaining in the chamber and on the substrate are reduced.
  • the substrate processing method according to (7) includes a cleaning process in which the processing tank is cleaned with liquid after the water repellent supply process. In this way, the cleanliness of the substrate can be further improved.
  • the substrate processing method according to (8) includes an organic solvent supplying process for supplying an organic solvent to the processing tank after the water repellent supplying process. Even with this configuration, the cleanliness of the substrate is not adversely affected by particles formed by the reaction between the organic solvent and the water repellent. This is because, according to the present invention, the water repellent does not remain on the inner walls of the chamber.
  • the substrate processing apparatus when a substrate is subjected to a water-repellent treatment, the water-repellent vapor supplied to the treatment tank located in the chamber is collected at the opening at the top of the treatment tank and discharged to the outside of the chamber.
  • the water-repellent vapor does not get around the outer wall of the treatment tank or the side wall of the chamber, and no water-repellent vapor residue adheres to the outer wall of the treatment tank or the side wall of the chamber.
  • the water-repellent vapor is collected at the opening of the treatment tank and discharged.
  • the water-repellent vapor is supplied into the chamber, no water-repellent vapor residue adheres to the side wall of the chamber. This is because the water-repellent vapor is collected in the treatment tank and cannot get around the space between the outer wall of the treatment tank and the inner wall of the chamber.
  • 1 is a functional block diagram illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
  • 1 is a flowchart illustrating a substrate processing according to an embodiment.
  • 1A to 1C are schematic diagrams specifically illustrating substrate processing according to an embodiment of the present invention.
  • 1A to 1C are schematic diagrams specifically illustrating substrate processing according to an embodiment of the present invention.
  • 1A to 1C are schematic diagrams specifically illustrating substrate processing according to an embodiment of the present invention.
  • 1A to 1C are schematic diagrams specifically illustrating substrate processing according to an embodiment of the present invention.
  • 1A to 1C are schematic diagrams specifically illustrating substrate processing according to an embodiment of the present invention.
  • 1A to 1C are schematic diagrams specifically illustrating substrate processing according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS. 1A to 1C are schematic diagrams specifically illustrating substrate processing according to an embodiment of the present invention.
  • 11A to 11C are diagrams for explaining the effects of the configuration of the embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a modified example of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a modified example of the present invention.
  • the substrate processing apparatus of the present invention relates to batch processing in which a water repellent treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment are performed successively on multiple substrates.
  • the substrate processing of the present invention is, for example, part of a process in which a circuit is formed on the surface of a substrate to produce a device.
  • the purity of liquid pure water (pure water), liquid organic solvent, inert gas, organic solvent vapor, water repellent vapor, etc. in this specification is high enough so as not to affect the substrate processing. Pure water and liquid organic solvent are examples of cleaning liquids of the present invention.
  • Overview of the substrate processing apparatus 1 is a schematic diagram showing an overview of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.
  • the substrate processing apparatus 1 of this embodiment performs the same substrate processing on a plurality of substrates W constituting a lot at the same time, thereby increasing the throughput of the substrate processing.
  • a lot in this embodiment is composed of disk-shaped substrates W arranged at a predetermined interval in the thickness direction of the substrates W.
  • Specific examples of the substrate processing according to this embodiment include a water-repellent processing, a cleaning processing, and a drying processing of the substrates.
  • the substrate W has a circuit pattern on its surface.
  • the circuit pattern is formed on one side (front side) of the substrate W.
  • the surface of the substrate W on which the circuit pattern is provided is called the device surface.
  • the substrate processing apparatus 1 is equipped with a chamber 3 capable of storing a lot.
  • the lot is stored in the chamber 3 and undergoes processing in the space within the chamber 3.
  • the upper end of the chamber 3 is an opening through which the lot can be stored in the chamber 3 or removed from the chamber 3.
  • the chamber 3 is provided with a door 2 capable of closing the opening.
  • the door 2 is in an open state when the lot is to be moved in or out of the chamber 3, and is in a closed state when the lot is to be subjected to substrate processing.
  • the inside of the chamber 3 is in communication with the outside.
  • the door 2 is in a closed state
  • the inside of the chamber 3 is in a sealed state.
  • substrate processing of the lot is performed within the sealed chamber 3.
  • a treatment tank 11 capable of holding liquid is provided at the bottom of the internal space of the chamber 3.
  • the treatment tank 11 is open at the top and has an opening 12a at the top. A lot can be placed in the treatment tank 11 or removed from the treatment tank 11 through this opening 12a.
  • the treatment tank 11 corresponds to the treatment tank of the present invention.
  • the configuration of the treatment tank decompression unit 40 that exhausts the atmosphere in the treatment tank 11 will be described.
  • the treatment tank 11 has a treatment tank exhaust port 42 at the bottom, which is used to reduce the pressure in the treatment tank 11.
  • the treatment tank exhaust port 42 is connected to an exhaust valve 44 through a pipe 43, and the exhaust valve 44 can be controlled to allow or prohibit the passage of gas through the treatment tank exhaust port 42.
  • a decompression pump 45 for reducing the pressure in the treatment tank 11 is provided downstream of the exhaust valve 44. When the exhaust valve 44 is open and the decompression pump 45 operates, a gas flow occurs in which the atmosphere in the treatment tank 11 is exhausted to the outside of the chamber 3 through the treatment tank exhaust port 42.
  • the treatment tank exhaust port 42 corresponds to the exhaust port of the present invention.
  • the exhaust valve 44 corresponds to the opening and closing valve of the present invention.
  • the decompression pump 45 corresponds to the decompression means of the present invention.
  • the configuration of the drainage unit 50 that drains the cleaning liquid from the treatment tank 11 will be described.
  • the bottom of the treatment tank 11 is provided with a treatment tank drain port 52 for draining the treatment liquid from the treatment tank 11.
  • the treatment tank drain port 52 is connected to a drain valve 54 through a pipe 53, and the passage of the treatment liquid through the treatment tank drain port 52 can be permitted or prohibited by controlling the drain valve 54.
  • Downstream of the drain valve 54 a drain pump 55 is provided for draining the liquid from the treatment tank 11. When the drain valve 54 is open and the drain pump 55 operates, the liquid in the treatment tank 11 is drained to the outside of the chamber 3 through the treatment tank drain port 52.
  • the drain valve 54 When the treatment tank 11 holds the liquid, the drain valve 54 is in a closed state, and the drain pump 55 does not drain the liquid in the tank.
  • the treatment tank drain port 52 is provided at the deepest part of the treatment tank 11 so that all of the liquid held in the treatment tank 11 can be drained.
  • a communication port 72 is provided at the bottom of the treatment tank 11 to drain the liquid in the treatment tank 11 to the bottom of the chamber 3. Therefore, the liquid held in the treatment tank 11 may be drained to the outside of the treatment tank 11 from the treatment tank drain port 52 or from the communication port 72.
  • the communication port 72 is provided at the deepest part of the bottom of the treatment tank 11 where all of the liquid in the treatment tank 11 can be drained.
  • the communication port 72 is connected to a passage 71 extending toward the outside of the treatment tank 11.
  • a drain valve 74 is provided at the end of the passage 71 on the drain side. Therefore, the drain valve 74 is provided in the space between the treatment tank 11 and the bottom of the chamber 3. When liquid is held in the treatment tank 11, the drain valve 74 is closed. On the other hand, when the liquid held in the treatment tank 11 is to be quickly drained from the treatment tank 11, the drain valve 74 is opened. Furthermore, when the exhaust valve 44 is open, the drain valve 74 is closed.
  • a lifter 13 is provided at the top of the internal space of the chamber 3 to hold multiple substrates W (lots).
  • the lifter 13 holds each substrate W that makes up a lot in a substantially vertical position. Therefore, the lifter 13 holds the vertically oriented substrates W arranged in the thickness direction X of the substrate W (horizontal direction: direction perpendicular to the vertical direction Z).
  • the direction perpendicular to both directions X and Z is described as direction Y.
  • the chamber 3 is provided with a lifting mechanism 15 for raising and lowering the lifter 13. Therefore, by controlling the lifting mechanism 15, the lot on the processing tank 11 can be taken into the processing tank 11. That is, in this example, the lifter 13 can be raised to make the lot wait at a first position P1 set above the processing tank 11, or the lifter 13 can be lowered to place the lot at a second position P2 set within the processing tank 11.
  • the substrates W constituting the lot at the first position P1 are entirely located above the processing tank 11 that holds the liquid (the entire area is located above the liquid surface in the processing tank 11).
  • the substrates W constituting the lot at the second position P2 are entirely located inside the processing tank 11 that holds the liquid (the entire area is located below the liquid surface in the processing tank 11). In this way, the lifter 13 holds multiple substrates W and moves up and down between an internal position (second position P2) of the processing tank 11 and an upper position (first position P1) above the processing tank 11.
  • the substrate processing apparatus 1 is equipped with a number of gas supply units that supply gas and a specified vapor to the chamber 3.
  • the gas supply unit 21 supplies water repellent agent vapor to the internal space of the chamber 3 for making the substrate surface water repellent.
  • the gas supply unit 31 supplies organic solvent vapor and inert gas to the internal space of the chamber 3.
  • the organic solvent may be one that can maintain the wettability of the substrate W, for example, IPA (isopropyl alcohol).
  • the inert gas may be any gas that has poor reactivity, for example, nitrogen gas.
  • the gas supply unit 31 corresponds to the organic solvent supply means of the present invention.
  • water repellent agents examples include alkyl disilazanes (silylamines) such as hexamethyldisilazane (HMDS) and fluorides such as fluoroalkylchlorosilane.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • fluorides such as fluoroalkylchlorosilane.
  • the water repellent agents that can be used in this example are any agents that can be supplied to the substrate W as vapor, such as silicon-based water repellents.
  • the water repellent treatment in this example is sufficient if it can modify the surface of the substrate W, and does not necessarily need to form a water repellent film on the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a liquid supply unit 61 that supplies liquid to the processing tank 11 in the chamber 3.
  • the liquid supply unit 61 can supply solutions such as pure water, liquid organic solvents, and organic solvents diluted with water to the processing tank 11.
  • the inner wall of chamber 3 is provided with a pressure sensor 89 that detects the pressure inside chamber 3.
  • the pressure sensor 89 is installed to avoid the bottom of chamber 3 where the liquid discharged from treatment tank 11 through passage 71 is held.
  • the detection signal output by pressure sensor 89 is used to adjust the opening of various valves when the pressure inside chamber 3 is set to a predetermined value.
  • the side wall of chamber 3 is provided with a chamber exhaust port 82 for reducing the pressure inside chamber 3, and a pressure reduction pump 85 connected to chamber exhaust port 82 through piping 81.
  • Chamber exhaust port 82 is provided to avoid the bottom of chamber 3 where liquid discharged from treatment tank 11 through passage 71 is held.
  • Adjustment valve 84 is provided midway through piping 81, and is closed when liquid is held at the bottom of chamber 3 or when pressure inside chamber 3 is reduced through treatment tank exhaust port 42. Adjustment valve 84 is open when chamber 3 is kept at atmospheric pressure or when chamber 3 is reduced in pressure while treatment tank 11 holds liquid.
  • the chamber 3 is provided with a chamber drain port 92 for draining the liquid held at the bottom of the chamber 3 out of the chamber 3.
  • the chamber drain port 92 is connected to a drain valve 94 through a pipe 93.
  • the chamber drain port 92 is provided at the deepest part of the bottom of the chamber 3 where all of the liquid in the chamber 3 can be drained.
  • the drain valve 94 is open, and otherwise is closed.
  • the pipe 93 is further configured to connect the drain valve 94 to the drain pump 55 described above. Therefore, the drain pump 55 is configured to promote drainage by sucking the treatment liquid from the treatment tank 11 or the bottom of the chamber 3.
  • the chamber 3 is equipped with a CPU (Central Processing Unit) 101 that controls each of the valves, the door 2, the lifting mechanism 15, the vacuum pump 45, the drain pump 55, the vacuum pump 85, etc., and a memory unit 102 that stores various information required for control.
  • the specific configuration of the CPU 101 is not particularly limited.
  • the chamber 3 may be equipped with one CPU 101, or multiple CPUs 101 may be provided for each object to be controlled. Also, multiple CPUs 101 may be provided that collectively realize some of the controls required for the operation of the chamber 3.
  • the specific configuration of the memory unit 102 is also not particularly limited.
  • the gas supply unit 21 that supplies the water repellent vapor into the chamber 3 has an outlet 22 arranged in the chamber 3.
  • the outlet 22 is provided at the top of the processing tank 11 and is configured to outlet the water repellent vapor.
  • the outlets 22 are provided on both the right and left sides of the substrate W located at the first position P1, and the gas supply unit 21 is configured to simultaneously eject the water repellent vapor from the two outlets 22 toward the center of the space in the chamber 3.
  • the outlet 22 has a tubular shape with multiple outlets, and the outlet 22 actually ejects the water repellent vapor from each of the multiple outlets.
  • the gas supply unit 21 is configured to supply the water repellent vapor to the substrate W located at the upper position (first position P1) of the processing tank 11.
  • the gas supply unit 21 includes a pipe 23 that supplies water repellent vapor to the discharge portion 22, and a valve 24 that controls the amount of water repellent vapor sprayed.
  • the water repellent vapor source 25 includes a storage section that stores the water repellent, and a vaporization section that vaporizes the water repellent.
  • the pipe 23 is provided between the valve 24 provided upstream of the discharge portion 22 and the water repellent vapor source 25 provided further upstream of the valve 24, and passes the water repellent vapor from the water repellent vapor source 25 to the discharge portion 22 through the valve 24.
  • the valve 24 When the valve 24 is open, the water repellent vapor flows through the pipe 23 and is sprayed from the discharge portion 22.
  • the valve 24 is closed, the flow of the water repellent vapor is blocked by the valve 24 and does not reach the discharge portion 22.
  • the structure of the gas supply unit 31 that supplies an inert gas or the like into the chamber 3 will be described.
  • the gas supply unit 31 has an outlet section 32 arranged in the chamber 3.
  • the outlet section 32 is provided at the top of the processing tank 11 and is configured to outlet an inert gas or organic solvent vapor. Similar to the outlet section 22 of the gas supply unit 21, the outlet sections 32 are provided on both the right and left sides of the substrate W located at the first position P1.
  • the gas supply unit 31 is configured to simultaneously eject inert gas or organic solvent vapor from the two outlet sections 32 toward the center of the space in the chamber 3.
  • the outlet section 32 has a tubular shape with multiple outlets that eject gas toward the substrate W, and is configured to simultaneously eject gas from the right and left sides of the substrate W.
  • the gas supply unit 31 includes an inert gas supply module 31a that supplies inert gas to the discharge section 32, and an organic solvent vapor supply module 31b that supplies organic solvent vapor to the discharge section 32.
  • the inert gas supply module 31a includes a pipe 33a that supplies inert gas to the discharge section 32, and a valve 34a that controls the amount of inert gas emitted.
  • the inert gas supply source 35a has a gas tank that stores liquefied inert gas.
  • the pipe 33a is provided between a valve 34a provided upstream of the discharge section 32 and an inert gas supply source 35a provided further upstream of the valve 34a, and passes the inert gas from the inert gas supply source 35a through the valve 34a to the discharge section 32.
  • the valve 34a When the valve 34a is open, the inert gas flows through the pipe 33a and is sprayed from the discharge section 32.
  • the valve 34a is closed, the flow of the inert gas is blocked by the valve 34a
  • the organic solvent vapor supply module 31b of the gas supply unit 31 has the same configuration as the inert gas supply module 31a. That is, the organic solvent vapor supply module 31b includes a pipe 33b that supplies organic solvent vapor to the discharge portion 32, and a valve 34b that controls the amount of organic solvent vapor emitted.
  • the organic solvent vapor supply source 35b includes a storage section that stores liquid organic solvent and a vaporization section that vaporizes the organic solvent.
  • the pipe 33b is provided between the valve 34b provided upstream of the discharge portion 32 and the organic solvent vapor supply source 35b provided further upstream of the valve 34b, and passes the organic solvent vapor from the organic solvent vapor supply source 35b through the valve 34b to the discharge portion 32.
  • the valve 34b When the valve 34b is open, the organic solvent vapor flows through the pipe 33b and is sprayed from the discharge portion 32.
  • the valve 34b is closed, the flow of the organic solvent vapor is blocked by the valve 34b and does not reach the discharge portion 32.
  • the gas supply unit 31 includes an inert gas supply module 31a and an organic solvent vapor supply module 31b that share the discharge section 32. From the discharge section 32, it is possible to eject inert gas derived from the inert gas supply module 31a, or organic solvent vapor derived from the organic solvent vapor supply module 31b.
  • the valve 34a of the inert gas supply module 31a is opened, and the valve 34b of the organic solvent vapor supply module 31b is closed.
  • the valve 34a of the inert gas supply module 31a is closed, and the valve 34b of the organic solvent vapor supply module 31b is opened.
  • the liquid supply unit 61 has a treatment liquid supply port 62 arranged in the treatment tank 11.
  • the treatment liquid supply port 62 ejects pure water and liquid organic solvent into the treatment tank 11.
  • the liquid supply unit 61 includes a pure water supply module 61a that supplies pure water to the treatment liquid supply port 62, and a liquid organic solvent supply module 61b that supplies liquid organic solvent to the treatment liquid supply port 62.
  • the pure water supply module 61a includes a pipe 63a that supplies pure water to the treatment liquid supply port 62, and a valve 64a that controls the amount of pure water discharged.
  • the pure water supply source 65a has a tank that stores pure water.
  • the pipe 63a is provided between a valve 64a provided upstream of the treatment liquid supply port 62 and a pure water supply source 65a provided further upstream of the valve 64a, and passes pure water from the pure water supply source 65a through the valve 64a to the treatment liquid supply port 62.
  • the valve 64a When the valve 64a is open, the pure water flows through the pipe 63a and is discharged from the processing liquid supply port 62.
  • the valve 64a is closed, the flow of the pure water is blocked by the valve 64a and does not reach the processing liquid supply port 62.
  • the liquid organic solvent supply module 61b of the liquid supply unit 61 has the same configuration as the pure water supply module 61a. That is, the liquid organic solvent supply module 61b includes a pipe 63b that supplies the liquid organic solvent to the treatment liquid supply port 62, and a valve 64b that controls the amount of the liquid organic solvent discharged.
  • the liquid organic solvent supply source 65b includes a reservoir that stores the liquid organic solvent.
  • the pipe 63b is provided between the valve 64b provided upstream of the treatment liquid supply port 62 and the liquid organic solvent supply source 65b provided further upstream of the valve 64b, and passes the liquid organic solvent from the liquid organic solvent supply source 65b through the valve 64b to the treatment liquid supply port 62.
  • valve 64b When the valve 64b is open, the liquid organic solvent flows through the pipe 63b and is discharged from the treatment liquid supply port 62. When the valve 64b is closed, the flow of the liquid organic solvent is blocked by the valve 64b and does not reach the treatment liquid supply port 62.
  • the liquid supply unit 61 includes a pure water supply module 61a and a liquid organic solvent supply module 61b that share the treatment liquid supply port 62. Pure water from the pure water supply module 61a or liquid organic solvent from the liquid organic solvent supply module 61b can be discharged from the treatment liquid supply port 62.
  • the valve 64a of the pure water supply module 61a is opened, and the valve 64b of the liquid organic solvent supply module 61b is closed.
  • the valve 64a of the pure water supply module 61a is closed, and the valve 64b of the liquid organic solvent supply module 61b is opened.
  • a storage section for storing liquid organic solvent was provided in the liquid supply unit 61 in addition to a storage section for storing liquid organic solvent in the gas supply unit 31, but a similar storage section may be shared between the gas supply unit 31 and the liquid supply unit 61.
  • the substrate processing in this embodiment is configured to perform various substrate processing on a lot supported by the lifter 13 at the second position P2. It is assumed that pure water is held in the processing bath 11 and that the door 2 is in a closed state. The pressure in the chamber 3 at this time is atmospheric pressure.
  • Step S1 First, the gas supply unit 31 supplies inert gas into the chamber 3. At this time, the pressure inside the chamber 3 is reduced through the chamber exhaust port 82 located on the lower side of the chamber 3, and the chamber 3 is in a reduced pressure state. If this state is maintained, the air inside the chamber 3 is quickly replaced with inert gas. In this way, highly reactive gases such as oxygen contained in the air are exhausted to the outside of the chamber 3, and the necessary preparations are completed before carrying out various substrate processing following this step. In the next step S2, organic solvent vapor is supplied into the chamber 3. In this step, the pressure inside the chamber 3 is reduced beforehand, so that the inert gas in the chamber 3 is diluted and the inert gas in the chamber 3 is quickly replaced by the organic solvent vapor. It can also be considered that the reduced pressure inside the chamber 3 has already expelled part of the inert gas from the chamber 3 before the organic solvent vapor is supplied.
  • Step S2 Next, while supplying liquid organic solvent to the processing tank 11 through the liquid supply unit 61, the pure water in the processing tank 11 is discharged from the processing tank drain port 52. By this operation, the pure water held in the processing tank 11 is gradually replaced by the liquid organic solvent. Therefore, the lot on the second position P2 is immersed in the organic solvent. Also, in this step, the gas supply unit 31 supplies organic solvent vapor into the chamber 3. At this time, the pressure inside the chamber 3 is reduced through the chamber exhaust port 82 located on the lower side of the chamber 3, and the chamber 3 is in a reduced pressure state. If this state is maintained, the inert gas in the chamber 3 is quickly replaced by organic solvent vapor according to the principle explained in the above step S1. In this way, the wettability of each substrate W constituting the lot is reliably maintained.
  • FIG. 3(b) explains the flow of gas and liquid in this step.
  • Step S3 The lot located at the second position P2 is lifted from the second position P2 by the lifter 13 to the first position P1.
  • the drain valve 74 opens in this state, the liquid organic solvent held in the treatment tank 11 flows out quickly to the bottom of the chamber 3 and is held there. Meanwhile, organic solvent vapor is supplied from the gas supply unit 31. Since the vacuum pump 45 is not operating at this time, the organic solvent vapor is naturally discharged to the outside of the chamber 3 through the chamber exhaust port 82 in the amount supplied. Therefore, the pressure in the chamber 3 in this step is equal to atmospheric pressure. Therefore, the liquid organic solvent held in the treatment tank 11 is quickly discharged to the outside of the treatment tank 11 without being sucked in by the gas phase.
  • This step is a preparation for the next step S4.
  • step S4 the pressure is reduced through the treatment tank exhaust port 42 located at the bottom of the treatment tank 11, but the liquid organic solvent held in the treatment tank 11 hinders this operation.
  • the treatment tank 11 is emptied, which makes it possible to reduce the pressure inside the treatment tank 11 through the treatment tank exhaust port 42.
  • Figure 4(a) explains the gas flow in this step.
  • Step S4 The treatment tank 11 begins to be depressurized and evacuated through the treatment tank exhaust port 42.
  • the chamber 3 is also depressurized.
  • the atmosphere in the chamber 3 is drawn into the treatment tank 11 through the opening 12a at the top of the treatment tank 11 and reaches the treatment tank exhaust port 42.
  • the treatment tank depressurization unit 40 evacuates the chamber 3 by reducing the pressure inside the treatment tank 11, which has been emptied of the cleaning liquid.
  • Step S5 While the decompression and evacuation of the processing tank 11 continues, the water repellent vapor is supplied from the gas supply unit 21 into the chamber 3. At this time, the chamber 3 is in a decompression state. Therefore, the atmosphere in the processing tank 11 is quickly replaced by the water repellent vapor from the organic solvent vapor, due to the same principle as the decompression operation in step S1.
  • the water repellent vapor supplied from the gas supply unit 21 is exhausted to the outside of the chamber 3 by riding on the gas flow caused by the decompression and evacuation of the processing tank 11. Therefore, the water repellent vapor supplied into the chamber 3 is collected in the opening 12a of the processing tank 11.
  • inert gas is ejected from the gas supply unit 31.
  • the flow rate of the inert gas at this time is lower than the ejection rate of the inert gas in step S1.
  • the water repellent vapor reacts with the organic solvent to generate particles. If the inert gas is ejected from the ejection portion 32, particles that have an adverse effect on the cleaning of the substrate W are not generated in the piping of the gas supply unit 31.
  • FIG. 4(b) explains the gas flow in steps S4 and S5.
  • Step S6 Organic solvent vapor is supplied into the chamber 3 while the pressure in the treatment tank 11 is kept reduced through the treatment tank exhaust port 42.
  • the chamber 3 is reduced in pressure. Therefore, the atmosphere in the treatment tank 11 is quickly replaced by organic solvent vapor from the water repellent vapor due to the same principle as the pressure reduction operation in step S1.
  • the organic solvent vapor supplied from the gas supply unit 31 is exhausted to the outside of the chamber 3 by riding on the atmosphere flow from the opening of the treatment tank 11 toward the treatment tank exhaust port 42. Therefore, the organic solvent vapor supplied into the chamber 3 is collected in the opening 12a of the treatment tank 11 and does not reach the space located between the side wall of the treatment tank 11 and the side wall of the chamber 3. In the end, neither the water repellent vapor nor the organic solvent vapor reaches the space, so no particles are generated on the side wall of the chamber 3 and the outer wall of the treatment tank 11.
  • Figure 5(a) explains the gas flow in this step.
  • Step S7 The drain valve 94, which had been closed, opens, and the liquid organic solvent held at the bottom of the chamber 3 is discharged from the chamber 3.
  • an inert gas is supplied from the gas supply unit 31. Since the vacuum pump 45 is not operating at this time, the inert gas is naturally discharged to the outside of the chamber 3 through the chamber exhaust port 82 in the amount supplied. Therefore, the pressure inside the chamber 3 in this step is equal to atmospheric pressure, and the liquid organic solvent at the bottom of the chamber 3 is quickly discharged to the outside of the chamber 3 without being sucked in by the gas phase.
  • Figure 5(b) explains the flow of gas and liquid in this step. Note that this step may be performed under reduced pressure conditions. Therefore, the process of discharging the liquid organic solvent in this step may be performed during the above-mentioned steps S4 to S6.
  • Step S8 The treatment tank 11 is cleaned using pure water.
  • the lot is evacuated to the first position P1.
  • the pressure inside the chamber 3 in this step is atmospheric pressure, and an inert gas is continuously supplied to the chamber 3.
  • FIG. 6(a) shows the state where the discharge of the liquid organic solvent performed in step S7 is completed.
  • FIG. 6(b) shows the state where pure water is supplied to the treatment tank 11.
  • the level of the pure water held in the treatment tank 11 rises, and as shown in FIG. 7(a), the treatment tank 11 becomes full of pure water.
  • the pure water in the treatment tank 11 is discharged from the treatment tank 11 through the treatment tank drain port 52. In this way, the particles attached to the treatment tank 11 are dissolved in the pure water and removed.
  • Step S8 involves cleaning the treatment tank 11 to remove these particles from the inner walls of the treatment tank 11.
  • Step S9 After the cleaning of the processing tank 11 is completed, the substrate W is cleaned to remove particles adhering to the substrate W.
  • the pressure in the chamber 3 in this step is atmospheric pressure, and an inert gas is continuously supplied to the chamber 3.
  • pure water is supplied to the processing tank 11, which is now empty.
  • the processing tank 11 When the processing tank 11 is filled with pure water, the lot from the first position P1 is lowered to the second position P2, and each substrate W constituting the lot is immersed in the pure water.
  • pure water is supplied to the processing tank 11, while the pure water in the processing tank 11 is discharged.
  • This step dissolves particles on the surface of the substrate W and removes them from the substrate W. Furthermore, since unused pure water is constantly supplied to the processing tank 11, the cleanliness of the substrate W is further improved.
  • Figures 7(b) and 8(a) explain the flow of gas and liquid in this step.
  • Step S10 Depressurization in chamber 3 begins, and chamber 3 is placed in a depressurized state. In this step, inert gas continues to be supplied to chamber 3. This step is preparation for the next step S11. In the next step S11, organic solvent vapor is supplied into chamber 3. In this step, the pressure in chamber 3 is reduced beforehand, making the inert gas in chamber 3 diluted so that the inert gas in chamber 3 is quickly replaced by organic solvent vapor. By reducing the pressure in chamber 3, it can be considered that part of the inert gas has already been expelled from chamber 3 before the organic solvent vapor is supplied.
  • Figure 8(b) explains the gas flow in this step.
  • Step S11 While the chamber 3 is kept in a depressurized state, organic solvent vapor is supplied into the chamber 3. Then, the atmosphere in the chamber 3 is quickly replaced from the inert gas to the organic solvent vapor by the same principle as the depressurization operation in step S1. The lot in the chamber 3 is exposed to the organic solvent vapor, and each of the substrates W constituting the lot is subjected to a preliminary drying process. In this step, the organic solvent vapor supplied to the chamber 3 flows around the processing tank 11 and reaches the chamber exhaust port 82. Even with this configuration, particles are not lifted up from the side wall of the chamber 3 and the outer wall of the processing tank 11 and do not float in the chamber 3.
  • Step S12 With the pressure inside chamber 3 returned to atmospheric pressure, an inert gas is supplied into chamber 3. As a result, no more organic solvent adheres to the surfaces of the substrates W. In this manner, the preliminary drying of the substrates W that make up the lot is completed. If the inert gas continues to be further supplied into chamber 3, the substrates W are gradually dried. When the drying of the substrates W is complete, the substrate processing in this example is completed. Figure 9(b) explains the gas flow in this step.
  • the drainage unit 50 drains the processing liquid in the processing tank 11 to empty the processing tank 11, and then the processing tank decompression unit 40 decompresses the processing tank 11, thereby evacuating the chamber 3, while the gas supply unit 21 supplies water repellent vapor to the substrate W located at the upper position (first position P1) of the processing tank 11.
  • the processing tank 11 in the substrate processing apparatus 1 is provided with a processing tank exhaust port 42 that passes the atmosphere inside the processing tank 11, and when the water repellent vapor is supplied to the chamber 3, the water repellent vapor is sucked from the processing tank exhaust port 42 by the decompression pump 45.
  • the water repellent vapor collected in the processing tank 11 from the opening 12a at the top of the processing tank 11 is discharged from the processing tank exhaust port 42.
  • the water repellent vapor discharged from the discharge unit 22 in the substrate processing apparatus 1 according to the present invention flows with the flow of the atmosphere, passing through the opening 12a of the processing tank 11 and reaching the processing tank exhaust port 42 provided in the processing tank 11.
  • water repellent vapor residue such as particles does not adhere to the sidewall of the chamber 3 or the outer wall of the processing tank 11.
  • the water repellent vapor is collected in the processing tank 11 and cannot get into the space between the outer wall of the processing tank 11 and the inner wall of the chamber 3.
  • water repellent vapor does not remain on the sidewall of the chamber 3 or the outer wall of the processing tank 11, and does not become particles and have a negative effect on the substrate W.
  • FIG. 10 shows the results of measuring the effect of particles on substrates W.
  • the number of particles with a diameter of 150 nm or more is significantly increased compared to before the process.
  • the number of particles with a diameter of 150 nm or more is increased compared to before the process, but the increase is suppressed compared to when the water repellent vapor is not sucked. Note that (i) in FIG.
  • FIG. 10 shows the particle increase per unit area on the substrate W located at the head of the lot, and (ii) shows the particle increase per unit area on the substrate W located 25th from the head of the lot. (iii) in FIG. 10 shows the particle increase per unit area on the substrate W located 43rd from the head of the lot.
  • the lot is composed of 50 substrates W.
  • the treatment tank exhaust port 42 is provided at the bottom of the treatment tank 11, but the present invention is not limited to this configuration, and the treatment tank exhaust port 42 may be provided on the side wall of the treatment tank 11. With such a configuration, the same effects as those of the embodiment can be achieved.
  • step S6 of the embodiment it is not necessary to keep the pressure inside chamber 3 reduced throughout the entire period of this step.
  • the pressure inside chamber 3 may be set to atmospheric pressure from the middle of step S6, so that the organic solvent vapor supplied into chamber 3 is naturally discharged from chamber exhaust port 82. In this way, the liquid organic solvent held at the bottom of chamber 3 in step S6 can be quickly discharged outside chamber 3.
  • step S5 of the embodiment the water repellent agent vapor is supplied into the chamber 3 while the substrate W is located at the first position P1, but the present invention is not limited to this configuration.
  • the water repellent agent vapor may be supplied into the chamber 3 while the substrate W is reciprocated between the first position P1 and the second position P2.
  • the water repellent treatment of the substrate W can be performed while changing the positional relationship between the water repellent agent vapor outlet 22 and the substrate W, so that the water repellent agent vapor can be reliably distributed over the entire substrate W. Therefore, according to this modified example, a more reliable water repellent treatment can be performed on the substrate W.
  • This modification embodies the ejection direction of the water repellent vapor from the ejection unit 22. That is, the ejection unit 22 may be configured to eject the water repellent vapor in an obliquely downward direction as shown in FIG. 11. With such a configuration, it is possible to prevent the water repellent vapor from reaching the ceiling surface or the like in the chamber 3. According to this modification, the adhesion of the water repellent to the inner wall of the chamber 3 is further prevented from the configuration of the embodiment, so that it is possible to further prevent particles from adversely affecting the cleanliness of the substrate W. Similarly, the ejection unit 32 may be configured to eject the organic solvent vapor in an obliquely downward direction.
  • the outlet 22 for the water repellent vapor is located above the outlet 32 for the organic solvent vapor, but the positional relationship between the outlet 22 and the outlet 32 may be reversed. That is, according to this modification, the outlet 32 for the organic solvent vapor is located above the outlet 22 for the water repellent vapor.
  • the substrate processing apparatus 1 may be configured to omit the piping compared to the above-mentioned embodiment.
  • This modification is particularly suitable for the apparatus to which the modification 4 and modification 5 are applied. That is, this modification is suitable for a configuration in which the outlet 22 for the water repellent vapor is located below the outlet 32 for the organic solvent vapor, and the outlet 22 jets the water repellent vapor obliquely downward.
  • the processing tank exhaust port 42, the piping 43, the exhaust valve 44, and the decompression pump 45 in the embodiment are omitted, and the inside of the chamber 3 is decompressed by the decompression pump 85 in steps S4, S5, and S6 as well.
  • the drain valve 74 is opened, and the water repellent vapor jetted toward the processing tank 11 flows outside the processing tank 11 through the communication port 72 located at the bottom of the processing tank 11, and reaches the chamber exhaust port 82. According to the configuration of this modification, particles do not affect the cleanliness of the substrate W, as in the above-mentioned embodiment.
  • steps S6 and S11 were provided as processes for supplying organic solvent vapor into chamber 3, but these steps may be omitted.
  • the substrate W is less susceptible to the effects of particles than in the configuration of the embodiment. Even so, as explained in step S5, if the water repellent vapor is sucked from the bottom of processing tank 11, water repellent agent residue will not adhere to the sidewall of chamber 3 or the outer wall of processing tank 11, and the water repellent agent residue can be prevented from adversely affecting the cleanliness of the substrate W.
  • the treatment tank drain port 52 and the chamber drain port 92 are connected to a common drain pump 55, but the present invention is not limited to this configuration.
  • the treatment tank drain port 52 and the chamber drain port 92 may be connected to two drain pumps, respectively, and the piping related to the treatment tank drain port 52 and the piping related to the chamber drain port 92 may be independent.
  • the treatment tank exhaust port 42 and the chamber exhaust port 82 are connected to separate pipes, but the present invention is not limited to this configuration.
  • the treatment tank exhaust port 42 and the chamber exhaust port 82 may be connected to a common decompression pump, and the pipe related to the treatment tank drain port 52 and the pipe related to the chamber drain port 92 may be integrated.
  • the treatment tank exhaust port 42 is provided at the bottom of the treatment tank 11, but the present invention can also be applied to an apparatus that does not have an exhaust port at the bottom of the treatment tank 11. That is, the present invention only requires that a vent hole for sucking in the water repellent vapor is provided at the bottom of the treatment tank 11, and may be configured to include, for example, a pipe connected to a vacuum pump outside the chamber 3 that extends from the opening 12a of the treatment tank 11 toward the bottom of the treatment tank 11, and to reduce the pressure inside the treatment tank 11 from the pipe.
  • the water repellent vapor is supplied into the chamber 3, but the present invention is not limited to this configuration. Instead of the water repellent vapor, a mist of water repellent may be supplied to the chamber 3.

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Abstract

撥水化剤に由来する基板への悪影響を防止することができる基板処理装置を提供する。本発明に係る基板処理装置１によれば、基板Ｗに撥水処理を施す際に、チャンバ３内に位置する処理槽１１に向けて供給された撥水化剤蒸気は、処理槽１１上部の開口部１２ａで収集され、排気口を介してチャンバ外に排出される。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ３側壁に回り込むことがなく、チャンバ３側壁において撥水化剤残渣物が付着することがない。本発明によれば、撥水化剤残渣物が基板Ｗに悪影響を及ぼすことがなく、基板Ｗの清浄性を保つことができる基板処理装置１を提供することができる。

Description

基板処理装置および基板処理方法
　本発明は、半導体基板、液晶表示用や有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置などのＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の各種基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
　特許文献１は、チャンバ内に収容される基板を処理する基板処理方法を開示する。基板処理方法は、基板を所定の液に浸漬させるための槽と、チャンバ内に不活性ガス、有機溶剤蒸気、撥水化剤蒸気を供給する吐出口と、チャンバ内を減圧する減圧部を備えている。特許文献１の開示によれば、減圧を行いながら撥水化剤蒸気をチャンバ内に供給する。この様にして基板表面の改質が行われる。撥水化剤蒸気の供給によって基板表面に付着する撥水化剤の残渣物は、後の過程において基板が希釈有機溶剤に浸漬されることで除去され、基板に悪影響を及ぼさない構成となっている。
　特許文献２も、特許文献１と同様の基板処理方法を開示する。特許文献２の基板処理方法もチャンバ内を減圧しながら撥水化剤蒸気を供給する過程を備えている。減圧を行いながらながら撥水化剤を供給する効果としては、撥水化剤を蒸気の状態でチャンバ内に供給することが容易となることである。
特開２０２２－２７０８９号公報 特開２０１８－５６１５５号公報
　しかしながら、上述の構成によれば、撥水化剤が及ぼす基板への悪影響を十分に防止することができないという問題がある。すなわち、撥水化剤蒸気がチャンバ内に供給された際、撥水化剤残渣物は、基板表面のみならずチャンバの内壁にも付着する。チャンバの内壁であっても、チャンバの底部に当たる部分は、希釈有機溶剤がチャンバ内に溜められる際に希釈有機溶剤の液面下に位置する。したがって、この部分に付着した撥水化剤残渣物は除去される。しかし、チャンバの内壁におけるそれ以外の部分には、撥水化剤残渣物が残留し、これが基板に対して悪影響を及ぼすことがある。
　本発明は、この様な事情に鑑みてなされたものであって、撥水化剤に由来する基板への悪影響を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。
　本発明は、この様な目的を達成するために次の様な構成をとる。
　複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板処理装置であって、密閉可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、洗浄液を貯留する、上部が開口している処理槽と、複数枚の基板を保持して、前記処理槽の内部位置と前記処理槽の上方位置との間で昇降移動するリフタと、前記処理槽に貯留された前記洗浄液を排液する排液手段と、前記処理槽内を減圧することにより、前記チャンバ内を排気する処理槽減圧手段と、前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する撥水化剤供給手段と、前記複数枚の基板に対する一連の処理を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記複数枚の基板に対する撥水化処理の過程では、前記排液手段により前記処理槽内の処理液を排液し、続いて、前記処理槽減圧手段により前記処理槽内を減圧することにより、前記チャンバ内を排気しながら、前記撥水化剤供給手段により前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給することを特徴とする基板処理装置。
　［作用・効果］上述した（１）に記載の基板処理装置は、複数枚の基板に対する撥水化処理の過程において、排液手段により処理槽内の処理液を排液して処理槽内を空にし、続いて、処理槽減圧手段により処理槽内を減圧することにより、チャンバ内を排気しながら、撥水化剤供給手段により処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤蒸気を供給する。つまり、本発明に係る基板処理装置における撥水化剤蒸気は、処理槽の開口を通過して処理槽内に至るという雰囲気の流れに乗って流動する。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ内に供給された際、撥水化剤残渣物がチャンバの内壁に付着することが軽減される。撥水化剤蒸気は、処理槽に収集され、処理槽外壁とチャンバ内壁の間の空間に回り込むことができないからである。本発明によれば、チャンバ内において撥水化剤残渣物の残留し、これが基板に対して悪影響を及ぼすことが軽減される。
　本発明は以下のような特徴も有している。
　（２）（１）に記載の基板処理装置において、前記処理槽減圧手段は、前記処理槽に形成された排気口と、前記排気口に一端が接続された配管と、前記配管に介在する開閉弁と、前記配管の他端に接続する減圧ポンプで構成されており、前記制御手段は、前記撥水化剤供給手段により前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する際、前記減圧ポンプによる減圧を行いながら、前記開閉弁を開状態とし、前記処理槽の上部開口から前記処理槽内に収集された撥水化剤を前記排気口から排出させることを特徴とする基板処理装置。
　［作用・効果］（２）のように、処理槽内の雰囲気を通過させる排気口を処理槽に設けるようにすれば、減圧状態の処理槽から処理槽外に抜ける雰囲気の流れを作ることができるので、撥水化剤蒸気が処理槽外壁とチャンバ内壁の間の空間に回り込むことが確実に防止できる。
　（３）（２）に記載の基板処理装置において、前記排気口は、前記処理槽の底部に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
　［作用・効果］（３）のように、前記排気口が前記処理槽の底部に設けられていれば、処理槽内の雰囲気を処理槽の上から下に通過させる気流が発生するので、処理槽上部の雰囲気をより確実に処理槽に収集させることができる。
　（４）（１）に記載の基板処理装置において、前記チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給する有機溶剤供給手段を更に備えることを特徴とする基板処理装置。
　［作用・効果］（４）のように、チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給する構成としても、有機溶剤と撥水化剤とが反応してできるパーティクルにより基板の清浄性に悪影響が生じることが軽減される。本発明によれば、チャンバの内壁に撥水化剤が残存することが軽減されているからである。
　（５）（２）に記載の基板処理装置において、前記排気口は、前記処理槽に保持される液も通過させることを特徴とする基板処理装置。
　［作用・効果］（５）のように排気口に排液口としての機能を持たせる構成とすれば、処理槽から液を排出させるための排液口を排気口とは別に設ける必要がなくなる。当該構成によれば、装置構成をより簡略なものとし、製造およびメンテナンスがし易い基板処理装置が提供できる。
　（６）複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板処理方法であって、前記撥水処理の過程は、上部に複数枚の基板を導入する開口を有する処理槽内を減圧することにより、前記処理槽が設けられているチャンバ内を排気する処理槽減圧過程と、前記処理槽減圧過程を実行しながら、前記処理槽の上部に位置する複数枚の基板に対して撥水化剤を供給する撥水化剤供給過程と、を備えることを特徴とする基板処理方法。
　［作用・効果］（６）に係る基板処理方法によれば、上部に複数枚の基板を導入する開口を有する処理槽内における雰囲気の吸引を開始する吸引開始過程と、吸引操作の最中に、処理槽の上部から撥水化剤蒸気を供給する撥水化剤供給過程と、を備える。本発明に係る撥水化剤蒸気は、処理槽の開口に収集されてチャンバ外に排出される。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ内に供給された際、撥水化剤残渣物がチャンバの内壁に付着することが軽減される。撥水化剤蒸気は、処理槽に収集され、処理槽外壁とチャンバ内壁の間の空間に回り込むことができないからである。本発明によれば、チャンバ内において撥水化剤残渣物の残留し、これが基板に対して悪影響を及ぼすことが軽減される。
　（７）（６）に記載の基板処理方法において、前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽を液で洗浄する洗浄過程を備えることを特徴とする基板処理方法。
　［作用・効果］（７）に係る基板処理方法は、撥水化剤供給過程の後、処理槽を液で洗浄する洗浄過程を備える。この様にすれば、基板の清浄性を更に高めることができる。
　（８）（６）に記載の基板処理方法において、前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽に有機溶剤を供給する有機溶剤供給過程を備えることを特徴とする基板処理方法。
　［作用・効果］（８）に係る基板処理方法は、前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽に有機溶剤を供給する有機溶剤供給過程を備える。このような構成としても、有機溶剤と撥水化剤とが反応してできるパーティクルにより基板の清浄性に悪影響が生じることがない。本発明によれば、チャンバの内壁に撥水化剤が残存することがないからである。
　本発明に係る基板処理装置によれば、基板に撥水処理を施す際に、チャンバ内に位置する処理槽に向けて供給された撥水化剤蒸気は、処理槽上部の開口で収集されてチャンバ外に排出される。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気が処理槽外壁やチャンバ側壁に回り込むことがなく、処理槽外壁やチャンバ側壁において撥水化剤残渣物が付着することがない。本発明によれば、撥水化剤残渣物が基板に悪影響を及ぼすことがなく、基板の清浄性を保つことができる基板処理装置を提供することができる。また、本発明に係る基板処理方法によれば、撥水化剤蒸気は、処理槽の開口に収集されて排出される。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ内に供給された際、撥水化剤残渣物がチャンバの側壁に付着することがない。撥水化剤蒸気は、処理槽に収集され、処理槽外壁とチャンバ内壁の間の空間に回り込むことができないからである。
実施例に係る基板処理装置の構成を説明する機能ブロック図である。 実施例に係る基板処理を説明するフローチャートである。 実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。 実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。 実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。 実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。 実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。 実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。 実施例に係る基板処理を具体的に説明する模式図である。 実施例の構成における効果を説明する図である。 本発明の１変形例を説明する模式図である。 本発明の１変形例を説明する模式図である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明する。本発明の基板処理装置は、　複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行うバッチ処理に関している。本発明の基板処理は、例えば、基板表面に回路を形成してデバイスを生産する過程の一部である。なお、本明細書における液体純水（純水），液体有機溶剤、不活性ガス、有機溶剤蒸気、および撥水化剤蒸気等の純度は、基板処理に影響を与えない程度に高い。純水、液体有機溶剤は、本発明の洗浄液の一例である。
　＜１．基板処理装置の概要＞
　図１は、実施例に係る基板処理装置１の概要を示す模式図である。本例の基板処理装置１は、ロットを構成する複数枚の基板Ｗに対して同一の基板処理を一括して行うことで、基板処理のスループットを高めている。本例のロットとは、円盤状の基板Ｗが基板Ｗの厚み方向に所定間隔を空けて配列されて構成される。本例に係る基板処理の具体例としては、基板の撥水化処理、洗浄処理、乾燥処理である。
　基板Ｗは、表面に回路パターンを有する。回路パターンは、基板Ｗの一面側（表側）に形成されている。基板Ｗにおける回路パターンが設けられている面はデバイス面とよばれる。
　基板処理装置１は、ロットを収納可能なチャンバ３を備えている。基板処理装置１で種々の基板処理を実行する際には、ロットは、チャンバ３に収納され、チャンバ３内の空間において処理を受ける。チャンバ３の上端は開口部となっており、この開口部を通じてロットをチャンバ３に収納したり、チャンバ３から取り出したりすることができる。チャンバ３には開口部を閉塞可能な扉２が設けられている。扉２は、チャンバ３にロットを出入りさせるときには、開状態となり、ロットに基板処理を施すときには閉状態となる。扉２が開状態となると、チャンバ３の内部は外部と連通する。扉２が閉状態となると、チャンバ３の内部は、密閉状態となる。従って、ロットに対する基板処理は、密閉状態のチャンバ３内で行われる。
　チャンバ３の内空間における下部には、液体を保持可能な処理槽１１が備えられている。処理槽１１は、上方に開放されており、上部に開口部１２ａを有している。この開口部１２ａを通じてロットを処理槽１１内に位置させたり、処理槽１１から取り出したりすることができる。処理槽１１は、本発明の処理槽に相当する。
　処理槽１１内の雰囲気を排出する処理槽減圧ユニット４０の構成について説明する。処理槽１１の底部には、処理槽１１内を減圧するときに用いられる処理槽排気口４２が設けられている。処理槽排気口４２は、配管４３を通じて排気弁４４に接続されており、排気弁４４を制御することで処理槽排気口４２を通じた気体の通過を許容したり禁止したりすることができる。排気弁４４の下流には、処理槽１１内を減圧するための減圧ポンプ４５が設けられている。排気弁４４が開の状態で減圧ポンプ４５が作動すると、処理槽１１内の雰囲気が処理槽排気口４２を通じてチャンバ３外に排出されるという気体の流れが発生する。なお、処理槽１１が液を保持する際には、排気弁４４は、閉状態であり、減圧ポンプ４５が槽内を減圧しない。処理槽排気口４２は、本発明の排気口に相当する。排気弁４４は、本発明の開閉弁に相当する。減圧ポンプ４５は、本発明の減圧手段に相当する。
　処理槽１１内の洗浄液を排液する排液ユニット５０の構成について説明する。処理槽１１の底部には、処理槽１１内の処理液を排出するための処理槽排液口５２が設けられている。処理槽排液口５２は、配管５３を通じて排液弁５４に接続されており、排液弁５４を制御することで処理槽排液口５２を通じた処理液の通過を許容したり禁止したりすることができる。排液弁５４の下流には、液体を処理槽１１から排出させる排液ポンプ５５が設けられている。排液弁５４が開の状態で排液ポンプ５５が作動すると、処理槽１１内の液体が処理槽排液口５２を通じてチャンバ３外に排出される。なお、処理槽１１が液を保持する際には、排液弁５４は、閉状態であり、排液ポンプ５５が槽内の液体を排出しない。処理槽排液口５２は、処理槽１１に保持される液体の全てを排出することができる様に処理槽１１の最深部に設けられている。
　処理槽１１の底部には、処理槽１１内の液体をチャンバ３の底部に排出する連絡口７２が設けられている。従って、処理槽１１に保持された液体は、上述の処理槽排液口５２から処理槽１１外に排出される場合と、当該連絡口７２から処理槽１１外に排出される場合とがある。連絡口７２は、処理槽１１底部において、処理槽１１内の液体の全てを排出することが可能な最深部に設けられている。連絡口７２は、処理槽１１の外側に向かって延びる通路７１に連通している。通路７１における排出側の端部には、排液弁７４が設けられている。従って排液弁７４は、処理槽１１とチャンバ３底部との間に存する空間に設けられている。処理槽１１に液体を保持するときには、排液弁７４は閉状態とされる。一方、処理槽１１に保持されている液体を処理槽１１から速やかに排出させるときには、排液弁７４は開状態とされる。また、上述の排気弁４４が開状態となるときには、排液弁７４は、閉状態にされる。
　チャンバ３の内空間における上部には、複数枚の基板Ｗ（ロット）を保持するリフタ１３が設けられている。リフタ１３は、ロットを構成する各基板Ｗを略鉛直姿勢で保持する。したがって、リフタ１３は、鉛直姿勢の基板Ｗを基板Ｗの厚み方向Ｘ（水平方向：鉛直方向Ｚと直交する方向）に配列した状態で保持する。ちなみに、図１においては、方向Ｘおよび方向Ｚのいずれにも直交する方向を方向Ｙと説明している。
　チャンバ３には、リフタ１３を昇降させる昇降機構１５が備えられている。従って、昇降機構１５を制御すれば、処理槽１１上のロットを処理槽１１内に取り込んだりすることができる。すなわち、本例では、リフタ１３を上昇させてロットを処理槽１１上に設定された第１位置Ｐ１に待機させることもできれば、リフタ１３を下降させてロットを処理槽１１内に設定された第２位置Ｐ２に置くこともできる。第１位置Ｐ１にあるロットを構成する基板Ｗは、全域が液体を保持する処理槽１１の上部に位置する（全域が処理槽１１における液面の上部に位置する）。第２位置Ｐ２にあるロットを構成する基板Ｗは、全域が液体を保持する処理槽１１の内部に位置する（全域が処理槽１１における液面の下部に位置する）。このように、リフタ１３は、複数枚の基板Ｗを保持して、処理槽１１の内部位置（第２位置Ｐ２）と処理槽１１の上方位置（第１位置Ｐ１）との間で昇降移動する。
　基板処理装置１は、チャンバ３にガス、所定の蒸気を供給する複数の気体供給ユニットを備える。このうち、気体供給ユニット２１は、基板表面の撥水化に係る撥水化剤蒸気をチャンバ３の内部空間に供給する。一方、気体供給ユニット３１は、有機溶剤蒸気、不活性ガスをチャンバ３の内部空間に供給する。有機溶剤は、基板Ｗの濡れ性を維持できるものでよく、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。不活性ガスは、反応性に乏しい気体であればよく、例えば窒素ガスである。気体供給ユニット３１は、本発明の有機溶剤供給手段に相当する。
　実施例に係る撥水化剤としては、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などのアルキルジシラザン（シリルアミン類）や、フッ化アルキルクロロシランなどのフッ化物が挙げられる。すなわち、本例に用いることができる撥水化剤は、シリコン系撥水剤など基板Ｗに対して蒸気として供給できるものであればよい。本例の撥水化処理は、基板Ｗ表面の改質を可能とすれば十分であり、必ずしも撥水膜を基板Ｗ上に生成させる必要はない。
　基板処理装置１は、チャンバ３内の処理槽１１に液体を供給する液体供給ユニット６１を備える。液体供給ユニット６１は、純水や液体の有機溶剤、水で希釈された有機溶剤などの溶液を処理槽１１に供給可能である。
　チャンバ３の内壁には、チャンバ３内部の圧力を検出する圧力センサ８９が備えられる。圧力センサ８９は、通路７１を通じて処理槽１１から排出された液が保持されるチャンバ３の底部を避けて設けられている。圧力センサ８９が出力する検出信号は、チャンバ３内の圧力を所定のものとするときに各種弁の開度を調整するのに用いられる。
　チャンバ３の側壁には、チャンバ３内を減圧するチャンバ排気口８２と、チャンバ排気口８２に配管８１を通じて接続された減圧ポンプ８５を備えている。チャンバ排気口８２は、通路７１を通じて処理槽１１から排出された液が保持されるチャンバ３の底部を避けて設けられている。調整弁８４は、配管８１の中途に設けられており、チャンバ３底部に液が保持される場合や、処理槽排気口４２を通じてチャンバ３内の減圧を行う場合には、閉状態となる。チャンバ３内を大気圧に保つ場合や、処理槽１１が液を保持している状態でチャンバ３内を減圧する場合は、調整弁８４が開状態となる。
　その他、チャンバ３は、チャンバ３底部に保持された液体をチャンバ３外に排出するためのチャンバ排液口９２を備える。チャンバ排液口９２は、配管９３を通じてドレイン弁９４に接続されている。チャンバ排液口９２は、チャンバ３底部において、チャンバ３内の液体の全てを排出することが可能な最深部に設けられている。チャンバ３底部に保持された液体をチャンバ３外に排出する場合、ドレイン弁９４は、開状態となり、それ以外の場合は閉状態となる。配管９３は、更にドレイン弁９４と上述の排液ポンプ５５とを接続する構成となっている。従って、排液ポンプ５５は、処理槽１１またはチャンバ３底部より処理液を吸引することで排液を促す構成である。
　そして、チャンバ３は、弁の各々、扉２，昇降機構１５，減圧ポンプ４５，排液ポンプ５５，減圧ポンプ８５等を制御するＣＰＵ(Central Processing Unit)１０１と、制御に必要な各種情報を記憶する記憶部１０２を備えている。ＣＰＵ１０１の具体的構成は、特に限定されない。例えば、チャンバ３に１つのＣＰＵ１０１を備えるようにしてもよいし、制御の対象ごとに複数のＣＰＵ１０１を設けるようにしてもよい。また、チャンバ３の動作に必要な制御の一部を一括して実現するＣＰＵ１０１を複数設けるようにしてもよい。記憶部１０２の具体的構成もＣＰＵ１０１と同様、特に限定されない。
　以降、各供給ユニットの具体的構成について説明する。撥水化剤蒸気をチャンバ３内に供給する気体供給ユニット２１は、チャンバ３内に配置される吐出部２２を有している。吐出部２２は、処理槽１１の上部に設けられており、撥水化剤蒸気を吐出する構成である。吐出部２２は、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの右側と左側の両側に設けられており、気体供給ユニット２１は、チャンバ３内の空間における中心に向けて２箇所の吐出部２２から左右同時に撥水化剤蒸気を噴出する構成となっている。吐出部２２は、複数の吐出口が設けられた管状の形状をしており、吐出部２２は、実際には複数の吐出口の各々から撥水化剤蒸気を噴出する。つまり、気体供給ユニット２１は、処理槽１１の上方位置（第１位置Ｐ１）にある基板Ｗに撥水化剤蒸気を供給する構成である。
　気体供給ユニット２１は、吐出部２２に撥水化剤蒸気を供給する配管２３と、撥水化剤蒸気の噴出量を制御する弁２４を備えている。そして、撥水化剤蒸気供給源２５は、撥水化剤を貯留する貯留部と、撥水化剤を気化させる気化部を備えている。配管２３は、吐出部２２の上流に設けられた弁２４と、弁２４の更に上流に設けられた撥水化剤蒸気供給源２５の間に設けられており、撥水化剤蒸気を撥水化剤蒸気供給源２５から弁２４を通じて吐出部２２まで通過させる。弁２４が開状態となると、撥水化剤蒸気が配管２３を通じて流れ、吐出部２２から噴出される。弁２４が閉状態となると、撥水化剤蒸気の流れは弁２４によりせき止められて吐出部２２に至らない。
　不活性ガス等をチャンバ３内に供給する気体供給ユニット３１の構造について説明する。気体供給ユニット３１は、チャンバ３内に配置される吐出部３２を有している。吐出部３２は、処理槽１１の上部に設けられており、不活性ガスまたは有機溶剤蒸気を吐出する構成である。吐出部３２は、気体供給ユニット２１の吐出部２２と同様、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの右側と左側の両側に設けられている。気体供給ユニット３１は、チャンバ３内の空間における中心に向けて２箇所の吐出部３２から左右同時に不活性ガスまたは有機溶剤蒸気を噴出する構成となっている。なお、吐出部３２は、吐出部２２と同様、気体を基板Ｗに向けて噴出する複数の吐出口が設けられた管状の形状をしており、基板Ｗの右側と左側から気体を同時に噴出する構成である。
　気体供給ユニット３１は、吐出部３２に不活性ガスを供給する不活性ガス供給モジュール３１ａと、吐出部３２に有機溶剤蒸気を供給する有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂを備えている。不活性ガス供給モジュール３１ａは、吐出部３２に不活性ガスを供給する配管３３ａと、不活性ガスの噴出量を制御する弁３４ａを備えている。そして、不活性ガス供給源３５ａは、液化不活性ガスを貯留するガスタンクを有している。配管３３ａは、吐出部３２の上流に設けられた弁３４ａと、弁３４ａの更に上流に設けられた不活性ガス供給源３５ａの間に設けられており、不活性ガスを不活性ガス供給源３５ａから弁３４ａを通じて吐出部３２まで通過させる。弁３４ａが開状態となると、不活性ガスが配管３３ａを通じて流れ、吐出部３２から噴出される。弁３４ａが閉状態となると、不活性ガスの流れは弁３４ａによりせき止められて吐出部３２に至らない。
　気体供給ユニット３１が有する有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂは、不活性ガス供給モジュール３１ａと同様の構成をしている。すなわち、有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂは、吐出部３２に有機溶剤蒸気を供給する配管３３ｂと、有機溶剤蒸気の噴出量を制御する弁３４ｂを備えている。そして、有機溶剤蒸気供給源３５ｂは、液体の有機溶剤を貯留する貯留部と、当該有機溶剤を気化させる気化部を有している。配管３３ｂは、吐出部３２の上流に設けられた弁３４ｂと、弁３４ｂの更に上流に設けられた有機溶剤蒸気供給源３５ｂの間に設けられており、有機溶剤蒸気を有機溶剤蒸気供給源３５ｂから弁３４ｂを通じて吐出部３２まで通過させる。弁３４ｂが開状態となると、有機溶剤蒸気が配管３３ｂを通じて流れ、吐出部３２から噴出される。弁３４ｂが閉状態となると、有機溶剤蒸気の流れは弁３４ｂによりせき止められて吐出部３２に至らない。
　このように、気体供給ユニット３１は、吐出部３２を共有する不活性ガス供給モジュール３１ａと、有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂとを備えている。吐出部３２からは、不活性ガス供給モジュール３１ａに由来する不活性ガス、または有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂに由来する有機溶剤蒸気を噴出可能である。吐出部３２から不活性ガスを噴出させるときは、不活性ガス供給モジュール３１ａが有する弁３４ａが開状態とされ、有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂが有する弁３４ｂが閉状態とされる。一方、吐出部３２から有機溶剤蒸気を噴出させるときは、不活性ガス供給モジュール３１ａが有する弁３４ａが閉状態とされ、有機溶剤蒸気供給モジュール３１ｂが有する弁３４ｂが開状態とされる。
　続いて、処理槽１１に液体を供給する液体供給ユニット６１について説明する。液体供給ユニット６１は、処理槽１１内に配置された処理液供給口６２を有する。処理液供給口６２は、純水、液体の有機溶剤を処理槽１１に吐出する。液体供給ユニット６１は、処理液供給口６２に純水を供給する純水供給モジュール６１ａと、処理液供給口６２に液体有機溶剤を供給する液体有機溶剤供給モジュール６１ｂを備えている。純水供給モジュール６１ａは、処理液供給口６２に純水を供給する配管６３ａと、純水の放出量を制御する弁６４ａを備えている。そして、純水供給源６５ａは、純水を貯留するタンクを有している。配管６３ａは、処理液供給口６２の上流に設けられた弁６４ａと、弁６４ａの更に上流に設けられた純水供給源６５ａの間に設けられており、純水を純水供給源６５ａから弁６４ａを通じて処理液供給口６２まで通過させる。弁６４ａが開状態となると、純水が配管６３ａを通じて流れ、処理液供給口６２から放出される。弁６４ａが閉状態となると、純水の流れは弁６４ａによりせき止められて処理液供給口６２に至らない。
　液体供給ユニット６１が有する液体有機溶剤供給モジュール６１ｂは、純水供給モジュール６１ａと同様の構成をしている。すなわち、液体有機溶剤供給モジュール６１ｂは、処理液供給口６２に液体有機溶剤を供給する配管６３ｂと、液体有機溶剤の放出量を制御する弁６４ｂを備えている。そして、液体有機溶剤供給源６５ｂは、液体の有機溶剤を貯留する貯留部を有している。配管６３ｂは、処理液供給口６２の上流に設けられた弁６４ｂと、弁６４ｂの更に上流に設けられた液体有機溶剤供給源６５ｂの間に設けられており、液体有機溶剤を液体有機溶剤供給源６５ｂから弁６４ｂを通じて処理液供給口６２まで通過させる。弁６４ｂが開状態となると、液体有機溶剤が配管６３ｂを通じて流れ、処理液供給口６２から放出される。弁６４ｂが閉状態となると、液体有機溶剤の流れは弁６４ｂによりせき止められて処理液供給口６２に至らない。
　このように、液体供給ユニット６１は、処理液供給口６２を共有する純水供給モジュール６１ａと、液体有機溶剤供給モジュール６１ｂとを備えている。処理液供給口６２からは、純水供給モジュール６１ａに由来する純水、または液体有機溶剤供給モジュール６１ｂに由来する液体有機溶剤を放出可能である。処理液供給口６２から純水を放出させるときは、純水供給モジュール６１ａが有する弁６４ａが開状態とされ、液体有機溶剤供給モジュール６１ｂが有する弁６４ｂが閉状態とされる。一方、処理液供給口６２から液体有機溶剤を放出させるときは、純水供給モジュール６１ａが有する弁６４ａが閉状態とされ、液体有機溶剤供給モジュール６１ｂが有する弁６４ｂが開状態とされる。
　実施例では、気体供給ユニット３１に液体の有機溶剤の貯留に係る貯留部とは別に液体供給ユニット６１に液体の有機溶剤の貯留に係る貯留部が設けられていたが、同様の貯留部を気体供給ユニット３１と液体供給ユニット６１とで共有する構成としてもよい。
　＜基板処理の流れ＞
　以降、図２に係るフローチャートを参照しながら実施例に係る基板処理装置１を用いた基板処理について具体的に説明する。本例の基板処理は、第２位置Ｐ２においてリフタ１３に支持されたロットに対して種々の基板処理を行う構成である。処理槽１１には、純水が保持されているものとし、扉２は閉状態となっているものとする。このときのチャンバ３内の圧力は大気圧である。
　ステップＳ１：まず、気体供給ユニット３１によりチャンバ３内に不活性ガスが供給される。このとき、チャンバ３の下側に位置するチャンバ排気口８２を介してチャンバ３内が減圧され、チャンバ３内が減圧状態となる。この様な状態を維持すると、チャンバ３内の空気は速やかに不活性ガスに置き換わる。こうして、空気に含まれる酸素などの反応性に富むガスがチャンバ３外に排気され、本ステップに続く各種基板処理を行う前に必要な準備が完了する。なお、次のステップＳ２では、チャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。本ステップでは、その前にチャンバ３内を減圧しておくことで、チャンバ３内の不活性ガスを希薄なものとし、チャンバ３内の不活性ガスが速やかに有機溶剤蒸気に置き換わるようにしている。チャンバ３内を減圧にすることで有機溶剤蒸気が供給される前に不活性ガスの一部が既にチャンバ３から追い出されていると捉えることもできる。
　なお、本ステップにおいて、チャンバ３に供給された不活性ガスは、処理槽１１を回り込むように流れ、チャンバ排気口８２に至る。不活性ガスは、チャンバ排気口８２からチャンバ３外に排出される。図３（ａ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。
　ステップＳ２：続いて、液体供給ユニット６１を通じて処理槽１１に液体の有機溶剤を供給しつつ、処理槽排液口５２から処理槽１１内の純水を排出する。この動作により、処理槽１１に保持された純水は次第に液体有機溶剤に置き換わる。したがって、第２位置Ｐ２上のロットは、有機溶剤に浸漬されることになる。また、本ステップにおいては、気体供給ユニット３１によりチャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。このとき、チャンバ３の下側に位置するチャンバ排気口８２を介してチャンバ３内が減圧され、チャンバ３内が減圧状態となる。この様な状態を維持すると、上述のステップＳ１で説明した原理によりチャンバ３内の不活性ガスは速やかに有機溶剤蒸気に置き換わる。こうして、ロットを構成する各基板Ｗは、濡れ性が確実に維持される状態となる。図３（ｂ）は、本ステップにおける気体および液体の流れを説明している。
　ステップＳ３：第２位置Ｐ２に位置するロットは、リフタ１３により、第２位置Ｐ２から上昇して第１位置Ｐ１に至る。この状態で排液弁７４が開状態となると、処理槽１１に保持されていた液体有機溶剤は、速やかにチャンバ３の底部へと流出し、そこで保持される。その一方で、気体供給ユニット３１から有機溶剤蒸気が供給される。このとき減圧ポンプ４５は作動していないので、有機溶剤蒸気は、供給された量だけ自ずとチャンバ排気口８２を通じてチャンバ３外に排出される。従って、本ステップにおけるチャンバ３内の圧力は大気圧に等しい。従って、処理槽１１に保持された液体有機溶剤は、気相による吸引を受けず速やかに処理槽１１外に排出される。本ステップは、次のステップＳ４を行うための準備である。すなわち、ステップＳ４では、処理槽１１底部に位置する処理槽排気口４２を通じた減圧が行われるが、この動作を行うのに処理槽１１に保持される液体の有機溶剤が妨げとなる。本ステップは、処理槽１１を空の状態にすることで、処理槽排気口４２から処理槽１１内を減圧することを可能としている。図４（ａ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。
　ステップＳ４：処理槽排気口４２を通じて処理槽１１内の減圧排気が開始される。処理槽１１内を減圧排気すると、チャンバ３内も減圧状態となる。その結果、チャンバ３内の雰囲気は、処理槽１１上部の開口部１２ａから処理槽１１内に取り入れられて、処理槽排気口４２に至る。このように、処理槽減圧ユニット４０は、洗浄液が排液されて空になった処理槽１１内を減圧することにより、チャンバ３内を排気する。
　ステップＳ５：処理槽１１内の減圧排気が継続された状態で、気体供給ユニット２１より撥水化剤蒸気がチャンバ３内に供給される。このときのチャンバ３内は減圧状態である。従って、処理槽１１内の雰囲気は、ステップＳ１に係る減圧操作と同じ原理により、速やかに有機溶剤蒸気から撥水化剤蒸気に置き換わる。気体供給ユニット２１より供給された撥水化剤蒸気は、処理槽１１内の減圧排気に伴う気体の流れに乗ってチャンバ３外に排気される。従って、チャンバ３内に供給された撥水化剤蒸気は、処理槽１１の開口部１２ａに収集される。この様にすると、チャンバ排気口８２から撥水化剤蒸気を吸引する構成よりも、パーティクルが基板Ｗに影響を及ぼさないようにすることができる。チャンバ排気口８２から撥水化剤蒸気を吸引した場合、撥水化剤蒸気は、処理槽１１の開口部１２ａに収集されることなく処理槽１１側壁とチャンバ３側壁との間に位置する空間まで回り込む。すると、チャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁に撥水化剤が付着し、将来この部分でパーティクルが発生することになる。本ステップによれば、チャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁に撥水化剤が付着することが防止されているので、当該部分でパーティクルが発生することがない。そして、撥水化剤蒸気に曝露された基板Ｗの各々は、親水性であった表面が疎水性となり、基板表面が改質される。
　なお、本ステップにおいては、気体供給ユニット３１からは、不活性ガスが噴出される。このときの不活性ガスの流れる速度は、ステップＳ１における不活性ガスの噴出速度よりも低い。この様に気体供給ユニット３１から不活性ガスを弱く噴出させることで、気体供給ユニット３１にチャンバ３内の撥水化剤蒸気が逆流して生じる悪影響が出ない。撥水化剤蒸気と有機溶剤は、反応してパーティクルを生じさせる。吐出部３２から不活性ガスを噴出させるようにすれば、基板Ｗの清浄化に悪影響を及ぼすパーティクルが気体供給ユニット３１の配管内で生じない。図４（ｂ）は、ステップＳ４，ステップＳ５における気体の流れを説明している。
　ステップＳ６：処理槽排気口４２を通じて処理槽１１内における減圧が継続された状態で、チャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。処理槽１１内を減圧すると、チャンバ３内が減圧状態となる。従って、処理槽１１内の雰囲気は、ステップＳ１に係る減圧操作と同じ原理により、速やかに撥水化剤蒸気から有機溶剤蒸気に置き換わる。気体供給ユニット３１より供給された有機溶剤蒸気は、処理槽１１の開口から処理槽排気口４２に向かう雰囲気の流れに乗ってチャンバ３外に排気される。従って、チャンバ３内に供給された有機溶剤蒸気は、処理槽１１の開口部１２ａに収集されて処理槽１１側壁とチャンバ３側壁との間に位置する空間まで回り込むことがない。結局、当該空間には、撥水化剤蒸気および有機溶剤蒸気のいずれも到来しないので、チャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁においてパーティクルが発生することがない。図５（ａ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。
　なお、本ステップでは、基板Ｗ表面において残留していた過剰な撥水化剤は、有機溶剤蒸気と反応してパーティクルとなって遊離する。このパーティクルは後段の洗浄過程において除去されるので、基板Ｗの清浄性に悪影響を及ぼさない。一方、チャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁においてパーティクルが発生すると、当該パーティクルは、後段の洗浄過程では除去されない。しかしながら、本例によれば、処理槽１１を通じたチャンバ１１内の排気により、もとよりチャンバ３の側壁および処理槽１１の外壁にパーティクルが付着することは抑制される。
　ステップＳ７：閉状態となっていたドレイン弁９４が開状態となり、チャンバ３底部に保持された液体有機溶剤がチャンバ３から排出される。本ステップでは、気体供給ユニット３１から不活性ガスが供給される。このとき減圧ポンプ４５は作動していないので、不活性ガスは、供給された量だけ自ずとチャンバ排気口８２を通じてチャンバ３外に排出される。従って、本ステップにおけるチャンバ３内の圧力は大気圧に等しく、チャンバ３底部の液体有機溶剤は、気相による吸引を受けず速やかにチャンバ３外に排出される。図５（ｂ）は、本ステップにおける気体および液体の流れを説明している。なお、本ステップは減圧条件下で行ってもよい。従って、本ステップにおける液体有機溶剤の排出過程については、上述のステップＳ４～ステップＳ６の最中に行う様にしてもよい。
　ステップＳ８：純水を用いて処理槽１１が洗浄される。当該処理中においてロットは、第１位置Ｐ１で待避される。本ステップにおけるチャンバ３内の圧力は大気圧であり、チャンバ３には不活性ガスが供給され続けている。図６（ａ）は、ステップＳ７において行われていた液体有機溶剤の排出が終了した状態を示している。図６（ｂ）は、処理槽１１に純水が供給されている状態を示している。これにより、処理槽１１に保持された純水の水位が上昇し、図７（ａ）に示すように、処理槽１１は純水により満水の状態となる。この状態から処理槽１１における純水が処理槽排液口５２を通じて処理槽１１から排出される。この様にして、処理槽１１に付着しているパーティクルは、純水に溶解して除去される。洗浄前の処理槽１１の内壁には、上述のステップＳ５，ステップＳ６を通じ撥水化剤、有機溶剤が付着している。従って、当該内壁には、両剤が反応してパーティクルが付着している。ステップＳ８は、このパーティクルを処理槽１１の内壁から除去するために処理槽１１を洗浄する構成である。
　ステップＳ９：処理槽１１の洗浄が終了すると、今度は、基板Ｗに付着しているパーティクルを除去するべく基板Ｗの洗浄が実行される。本ステップにおけるチャンバ３内の圧力は大気圧であり、チャンバ３には不活性ガスが供給され続けている。まず、空の状態となった処理槽１１に純水を供給する。処理槽１１が純水で満水となると、今度は、第１位置Ｐ１にあったロットを第２位置Ｐ２まで降下させて、ロットを構成する各基板Ｗを純水に浸漬させる。この状態で、処理槽１１に純水を供給する一方で、処理槽１１内の純水を排出する。本ステップによって基板Ｗ表面のパーティクルは溶解して基板Ｗから除去される。更に、処理に未使用の純水が処理槽１１に常に供給され続けているので、基板Ｗの清浄性は更に高いものとなる。図７（ｂ），図８（ａ）は、本ステップにおける気体および液体の流れを説明している。
　ステップＳ１０：チャンバ３内における減圧が開始され、チャンバ３内が減圧状態となる。本ステップにおいてもチャンバ３には不活性ガスが供給され続けている。本ステップは、次のステップＳ１１を行うための準備である。次のステップＳ１１では、チャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。本ステップでは、その前にチャンバ３内を減圧しておくことで、チャンバ３内の不活性ガスを希薄なものとし、チャンバ３内の不活性ガスが速やかに有機溶剤蒸気に置き換わるようにしている。チャンバ３内を減圧にすることで有機溶剤蒸気が供給される前に不活性ガスの一部が既にチャンバ３から追い出されていると捉えることもできる。図８（ｂ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。
　ステップＳ１１：チャンバ３内を減圧状態としたまま、チャンバ３内に有機溶剤蒸気が供給される。すると、チャンバ３内の雰囲気は、ステップＳ１に係る減圧操作と同じ原理により、速やかに不活性ガスから有機溶剤蒸気に置き換わる。チャンバ３内のロットは、有機溶剤蒸気に曝露され、ロットを構成する基板Ｗの各々には予備的な乾燥処理が施される。本ステップにおいて、チャンバ３に供給された有機溶剤蒸気は、処理槽１１を回り込むように流れ、チャンバ排気口８２に至る。この様に構成したとしても、チャンバ３側壁および処理槽１１外壁からパーティクルが巻き上げられてチャンバ３内に浮遊することがない。本例のチャンバ３側壁および処理槽１１には、パーティクルが発生していないからである。本ステップにおいてパーティクルが基板Ｗ表面に付着すると、パーティクルは除去されずに残存し、生産されるデバイスの品質に影響を与える。しかし、本例によれば、もとよりチャンバ３内にパーティクルが浮遊しないので、このような事態とはならない。図９（ａ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。
　ステップＳ１２：チャンバ３内を大気圧に戻した状態で、チャンバ３内に不活性ガスが供給される。すると、基板Ｗ表面に対して有機溶剤がこれ以上付着しなくなる。この様にしてロットを構成する基板Ｗに対する予備乾燥は終了となる。更に不活性ガスをチャンバ３内に供給し続けると、基板Ｗは次第に乾燥される。基板Ｗの乾燥完了をもって本例に係る基板処理は終了となる。図９（ｂ）は、本ステップにおける気体の流れを説明している。
　以上のように、本発明の基板処理装置１における撥水化処理の過程では、排液ユニット５０により処理槽１１内の処理液を排液して処理槽１１内を空にし、続いて、処理槽減圧ユニット４０により処理槽１１内を減圧することにより、チャンバ３内を排気しながら、気体供給ユニット２１により処理槽１１の上方位置（第１位置Ｐ１）にある基板Ｗに撥水化剤蒸気を供給する。より具体的には、基板処理装置１に係る処理槽１１には、処理槽１１内部の雰囲気を通過させる処理槽排気口４２が設けられ、チャンバ３内に撥水化剤蒸気が供給される際に、減圧ポンプ４５により処理槽排気口４２から撥水化剤蒸気が吸引される。すると、処理槽１１上部の開口部１２ａから処理槽１１内に収集された撥水化剤蒸気が処理槽排気口４２から排出される。つまり、本発明に係る基板処理装置１における吐出部２２から吐出された撥水化剤蒸気は、処理槽１１の開口部１２ａを通過して処理槽１１に設けられた処理槽排気口４２に至るという雰囲気の流れに乗って流動する。この様に構成すれば、撥水化剤蒸気がチャンバ３内に供給された際、パーティクルなどの撥水化剤残渣物がチャンバ３の側壁や処理槽１１の外壁に付着することがない。撥水化剤蒸気は、処理槽１１に収集され、処理槽１１外壁とチャンバ３内壁の間の空間に回り込むことができないからである。本発明によれば、チャンバ３側壁や処理槽１１の外壁において撥水化剤残渣物の残留し、これがパーティクルとなって基板Ｗに対して悪影響を及ぼすことがない。
　続いて、本発明に係る効果の実際について説明する。図１０は、基板Ｗに対するパーティクルの影響を実測した結果である。図１０に示すように、ステップＳ５において撥水化剤蒸気を吸引しない場合、直径１５０ｎｍ以上のパーティクルは、処理前と比べて、大幅に増加している。これに比べてステップＳ５において撥水化剤蒸気を吸引する場合、直径１５０ｎｍ以上のパーティクルは、処理前と比べて増加はしているものの、その増加量は撥水化剤蒸気を吸引しない場合と比べて抑制されている。なお、図１０における（ｉ）は、ロットにおける先頭に位置する基板Ｗ上の単位面積当たりのパーティクル増加量を示しており、（ｉｉ）は、ロットにおける先頭から数えて２５番目に位置する基板Ｗ上の単位面積当たりのパーティクル増加量を示している。図１０における（ｉｉｉ）は、ロットにおける先頭から数えて４３番目に位置する基板Ｗ上の単位面積当たりのパーティクル増加量を示している。ロットは５０枚の基板Ｗから構成される。
　本発明は、上述の実施例に限られず、下記の様な変形実施が可能である。
　＜変形例１＞
　実施例の処理槽排気口４２は、処理槽１１の底部に設けられていたが、本発明はこの構成に限られず、処理槽排気口４２を処理槽１１の側壁に設けてもよい。この様な構成によっても実施例と同様な効果が奏される。
　＜変形例２＞
　実施例のステップＳ６においては、当該ステップの全期間において必ずしもチャンバ３内を減圧し続ける必要はない。たとえば、ステップＳ６の途中からチャンバ３内の圧力を大気圧とし、チャンバ３内に供給された有機溶剤蒸気を自ずとチャンバ排気口８２より排出させる様にしてもよい。この様にすると、ステップＳ６においてチャンバ３底部に保持された液体有機溶剤を速やかにチャンバ３外に排出させることができる。
　＜変形例３＞
　実施例のステップＳ５においては、基板Ｗが第１位置Ｐ１に位置した状態で撥水化剤蒸気がチャンバ３内に供給されていたが、本発明はこの構成に限られない。基板Ｗを第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間で往復させながら撥水化剤蒸気をチャンバ３内に供給するようにしてもよい。この様な構成とすることで、撥水化剤蒸気の吐出部２２と基板Ｗの位置関係を変えながら基板Ｗの撥水処理を行うことができるので、基板Ｗ全域に撥水化剤蒸気が確実に行き渡る。従って、本変形例によれば、より確実な撥水処理を基板Ｗに施すことができる。
　＜変形例４＞
　本変形例は、吐出部２２における撥水化剤蒸気の噴出方向について具体化するものである。すなわち、図１１に示すように撥水化剤蒸気を斜め下方向に噴出するように吐出部２２を構成してもよい。この様な構成とすることで、チャンバ３内における天井面等に撥水化剤蒸気が到来することを防ぐことができる。本変形例によれば、チャンバ３の内壁に撥水化剤が付着することが実施例の構成から更に防止されるので、パーティクルが基板Ｗの清浄性に悪影響を及ぼすことを一段と防止できる。同様に、吐出部３２についても有機溶剤蒸気を斜め下方向に噴出するように構成してもよい。
　＜変形例５＞
　上述の実施例では、撥水化剤蒸気に係る吐出部２２が有機溶剤蒸気に係る吐出部３２の上部に位置していたが、吐出部２２と吐出部３２の位置関係を逆に構成することもできる。すなわち、本変形例によれば、有機溶剤蒸気に係る吐出部３２が撥水化剤蒸気に係る吐出部２２の上部に位置する。
　＜変形例６＞
　上述の実施例と比べて基板処理装置１の配管を省略する構成とすることもできる。本変形例では、特に変形例４，変形例５を適用した装置に適している。つまり、本変形例は、撥水化剤蒸気に係る吐出部２２が有機溶剤蒸気に係る吐出部３２の下側にあり、吐出部２２が撥水化剤蒸気を斜め下方向に噴出する構成に適している。本変形例では、図１２に示すように実施例における処理槽排気口４２，配管４３，排気弁４４，減圧ポンプ４５は省略されており、チャンバ３内は、ステップＳ４，ステップＳ５，ステップＳ６においても減圧ポンプ８５によって減圧状態にされる。減圧の際、排液弁７４は、開状態となり、処理槽１１に向けて噴出された撥水化剤蒸気は、処理槽１１底部に位置する連絡口７２を通じて処理槽１１外に流れ、チャンバ排気口８２に至る。本変形例の構成によれば、上述の実施例と同様にパーティクルが基板Ｗの清浄性に影響しない。
　＜変形例７＞
　上述の実施例では、有機溶剤蒸気をチャンバ３内に供給する過程としてステップＳ６，ステップＳ１１を備えていたが、これら過程を省略してもよい。本変形例によれば、実施例の構成と比べて基板Ｗはパーティクルの影響を受けにくい。しかし、そうであっても、ステップＳ５で説明したように、撥水化剤蒸気を処理槽１１の底部から吸引するようにすれば、チャンバ３の側壁や処理槽１１の外壁に撥水化剤残渣物が付着することがなく、撥水化剤残渣物が基板Ｗの清浄性に悪影響を及ぼすことが防止できる。
　＜変形例８＞
　上述の実施例では、処理槽排液口５２とチャンバ排液口９２とは、共通の排液ポンプ５５に連通していたが、本発明はこの構成に限られない。処理槽排液口５２とチャンバ排液口９２とを２つの排液ポンプの各々に接続し、処理槽排液口５２に係る配管とチャンバ排液口９２に係る配管を独立させるようにしてもよい。
　＜変形例９＞
　上述の実施例では、処理槽排気口４２とチャンバ排気口８２とは、互いに独立した配管に接続されていたが、本発明はこの構成に限られない。処理槽排気口４２とチャンバ排気口８２とを共通の減圧ポンプに接続し、処理槽排液口５２に係る配管とチャンバ排液口９２に係る配管を統合させるようにしてもよい。
　＜変形例１０＞
　上述の実施例では、処理槽１１の底部に処理槽排気口４２が設けられる構成としていたが、本発明は、処理槽１１の底部に排気口が設けられていない装置に対しても適用が可能である。すなわち、本発明としては、処理槽１１の底部において撥水化剤蒸気が吸引される通気口が設けられていればよく、例えば、処理槽１１の開口部１２ａから処理槽１１の底部に向けて延びるチャンバ３外の減圧ポンプに接続された配管を備えるようにし、当該配管から処理槽１１内を減圧するように構成してもよい。
　＜変形例１１＞
　上述の実施例では、撥水化剤蒸気がチャンバ３内に供給されていたが、本発明はこの構成に限られない。撥水化剤蒸気に代えて、霧状の撥水化剤をチャンバ３に供給するようにしてもよい。
１　　　基板処理装置
２　　　扉
３　　　チャンバ
１１　　処理槽
１２ａ　開口部
１３　　リフタ
１５　　昇降機構
２１　　気体供給ユニット（撥水化剤供給手段）
３１ａ　不活性ガス供給モジュール
３１ｂ　有機溶剤蒸気供給モジュール
４０　　処理槽減圧ユニット（処理槽減圧手段）
４２　　処理槽排気口
４３　　配管
４４　　排気弁（開閉弁）
４５　　減圧ポンプ
５０　　排液ユニット（排液手段）
５２　　処理槽排液口
５３　　配管
５４　　排液弁
５５　　排液ポンプ
６１ａ　純水供給モジュール
６１ｂ　液体有機溶剤供給モジュール
７１　　通路
７２　　連絡口
７４　　排液弁
８１　　配管
８２　　チャンバ排気口
８４　　調整弁
８５　　減圧ポンプ
９２　　チャンバ排液口
９３　　配管
９４　　ドレイン弁
１０１　ＣＰＵ
１０２　記憶部
Ｗ　　　基板
 

Claims (8)

  1. 　複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板処理装置であって、
    　密閉可能なチャンバと、
    　前記チャンバ内に設けられ、洗浄液を貯留する、上部が開口している処理槽と、
    　複数枚の基板を保持して、前記処理槽の内部位置と前記処理槽の上方位置との間で昇降移動するリフタと、
    　前記処理槽に貯留された前記洗浄液を排液する排液手段と、
    　前記処理槽内を減圧することにより、前記チャンバ内を排気する処理槽減圧手段と、
    　前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する撥水化剤供給手段と、
    　前記複数枚の基板に対する一連の処理を制御する制御手段と、を備え、
    　前記制御手段は、
    　前記複数枚の基板に対する撥水化処理の過程では、前記排液手段により前記処理槽内の処理液を排液し、続いて、前記処理槽減圧手段により前記処理槽内を減圧することにより、前記チャンバ内を排気しながら、前記撥水化剤供給手段により前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 　請求項１に記載の基板処理装置において、
    　前記処理槽減圧手段は、
    　前記処理槽に形成された排気口と、前記排気口に一端が接続された配管と、前記配管に介在する開閉弁と、前記配管の他端に接続する減圧ポンプで構成されており、
    　前記制御手段は、前記撥水化剤供給手段により前記処理槽の上方位置にある基板に撥水化剤を供給する際、前記減圧ポンプによる減圧を行いながら、前記開閉弁を開状態とし、前記処理槽の上部開口から前記処理槽内に収集された撥水化剤を前記排気口から排出させる
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  3. 　請求項２に記載の基板処理装置において、
    　前記排気口は、前記処理槽の底部に設けられている
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  4. 　請求項１に記載の基板処理装置において、
    　前記チャンバ内に有機溶剤蒸気を供給する有機溶剤供給手段を更に備える
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  5. 　請求項２に記載の基板処理装置において、
    　前記排気口は、前記処理槽に保持される液も通過させる
    　ことを特徴とする基板処理装置。
  6. 　複数枚の基板に対して撥水化処理と洗浄処理と乾燥処理とを連続して行う基板処理方法であって、
    　前記撥水処理の過程は、
    　上部に複数枚の基板を導入する開口を有する処理槽内を減圧することにより、前記処理槽が設けられているチャンバ内を排気する処理槽減圧過程と、
    　前記処理槽減圧過程を実行しながら、前記処理槽の上部に位置する複数枚の基板に対して撥水化剤を供給する撥水化剤供給過程と、を備える
    　ことを特徴とする基板処理方法。
  7. 　請求項６に記載の基板処理方法において、
    　前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽を液で洗浄する処理槽洗浄過程を備える
    　ことを特徴とする基板処理方法。
  8. 　請求項６に記載の基板処理方法において、
    　前記撥水化剤供給過程の後、前記処理槽に有機溶剤を供給する有機溶剤供給過程を備える
    　ことを特徴とする基板処理方法。
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