JP2002280353A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
基板処理方法および基板処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理槽内に貯留された処理液中から露出させ
られた基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥
させる場合に、基板面上で有機溶剤の濃度斑が発生する
ことを防止防止できる装置を提供する。 【解決手段】 リフタ１４によって処理槽１０内の純水
中から基板Ｗが引き上げられる際に処理チャンバ１２内
を排気するために、吸い込み口３２を有する調整排気管
３４および排気ポンプ３８を設け、コントローラ４２に
より排気ポンプを制御して排気流量を調節する。
られた基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥
させる場合に、基板面上で有機溶剤の濃度斑が発生する
ことを防止防止できる装置を提供する。 【解決手段】 リフタ１４によって処理槽１０内の純水
中から基板Ｗが引き上げられる際に処理チャンバ１２内
を排気するために、吸い込み口３２を有する調整排気管
３４および排気ポンプ３８を設け、コントローラ４２に
より排気ポンプを制御して排気流量を調節する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイ用のガラ
ス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板
などの各種基板を純水等の処理液で処理した後に乾燥さ
せる基板処理方法、特に、処理槽内に貯留された処理液
中から基板を引き上げあるいは処理槽内から処理液を排
出し、基板に対しイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等
の有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥させる基板処理
方法、ならびに、その方法を実施するために使用される
基板処理装置に関する。
液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイ用のガラ
ス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板
などの各種基板を純水等の処理液で処理した後に乾燥さ
せる基板処理方法、特に、処理槽内に貯留された処理液
中から基板を引き上げあるいは処理槽内から処理液を排
出し、基板に対しイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等
の有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥させる基板処理
方法、ならびに、その方法を実施するために使用される
基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等の基板を、処理槽内に収
容された処理液、例えば純水中に浸漬させて洗浄処理し
た後に乾燥させる方法として、例えば特開平６−３２６
０７３号公報等には、処理槽内に貯留された純水中に基
板を浸漬させて洗浄処理した後に、基板を処理槽内の純
水中から引き上げ、あるいは、基板を処理槽内で静止さ
せたまま処理槽内から純水を排出して、基板を処理槽内
の純水中から露出させ、この際に、窒素ガス等の不活性
ガスをキャリアガスとして水溶性の有機溶剤、例えばＩ
ＰＡの蒸気を、純水中から露出させられた基板の周囲へ
供給し、基板の表面上の気液界面で、ＩＰＡ蒸気を凝縮
させて基板表面に付着した純水をＩＰＡに置換させた
後、処理槽が内設された密閉のチャンバ内を真空排気し
てチャンバの内部を減圧状態にすることにより、基板の
表面に凝縮したＩＰＡを蒸発させて、基板を速やかに乾
燥させる、といった方法が開示されている。
容された処理液、例えば純水中に浸漬させて洗浄処理し
た後に乾燥させる方法として、例えば特開平６−３２６
０７３号公報等には、処理槽内に貯留された純水中に基
板を浸漬させて洗浄処理した後に、基板を処理槽内の純
水中から引き上げ、あるいは、基板を処理槽内で静止さ
せたまま処理槽内から純水を排出して、基板を処理槽内
の純水中から露出させ、この際に、窒素ガス等の不活性
ガスをキャリアガスとして水溶性の有機溶剤、例えばＩ
ＰＡの蒸気を、純水中から露出させられた基板の周囲へ
供給し、基板の表面上の気液界面で、ＩＰＡ蒸気を凝縮
させて基板表面に付着した純水をＩＰＡに置換させた
後、処理槽が内設された密閉のチャンバ内を真空排気し
てチャンバの内部を減圧状態にすることにより、基板の
表面に凝縮したＩＰＡを蒸発させて、基板を速やかに乾
燥させる、といった方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記したよ
うな従来の基板処理方法では、処理槽内の純水中から基
板を引き上げる過程において、純水の液面に対する基板
の位置や基板の引き上げ速度の変化などの条件に合わせ
てチャンバ内のＩＰＡ濃度を細かに制御する、といった
ことは行われておらず、また、チャンバ内へ供給するＩ
ＰＡ蒸気の濃度を微細に制御すること自体が困難であっ
た。また、純水中からの基板の引き上げ過程でチャンバ
内を排気することは行われていたが、その場合でも単に
一定の流量で排気するだけであった。
うな従来の基板処理方法では、処理槽内の純水中から基
板を引き上げる過程において、純水の液面に対する基板
の位置や基板の引き上げ速度の変化などの条件に合わせ
てチャンバ内のＩＰＡ濃度を細かに制御する、といった
ことは行われておらず、また、チャンバ内へ供給するＩ
ＰＡ蒸気の濃度を微細に制御すること自体が困難であっ
た。また、純水中からの基板の引き上げ過程でチャンバ
内を排気することは行われていたが、その場合でも単に
一定の流量で排気するだけであった。
【０００４】このように従来は、純水中からの基板の引
き上げ過程で所定の条件に合わせてチャンバ内のＩＰＡ
濃度を細かに制御することが行われていなかったため、
基板面上でＩＰＡの濃度斑が発生することがあった。こ
の結果、基板面内における乾燥状態にばらつきを生じた
り、デバイスパーティクルが発生したりする、といった
不都合を生じていた。
き上げ過程で所定の条件に合わせてチャンバ内のＩＰＡ
濃度を細かに制御することが行われていなかったため、
基板面上でＩＰＡの濃度斑が発生することがあった。こ
の結果、基板面内における乾燥状態にばらつきを生じた
り、デバイスパーティクルが発生したりする、といった
不都合を生じていた。
【０００５】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、処理槽内に貯留された処理液中から
露出させられた基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基
板を乾燥させる場合において、基板面上で有機溶剤の濃
度斑が発生することを防止することができる基板処理方
法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施す
ることができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。
されたものであり、処理槽内に貯留された処理液中から
露出させられた基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基
板を乾燥させる場合において、基板面上で有機溶剤の濃
度斑が発生することを防止することができる基板処理方
法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施す
ることができる基板処理装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
処理槽内に貯留された処理液中から基板を露出させる工
程と、前記処理槽内の処理液中から露出させられる基板
に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板の表面で有機溶剤
を凝縮させた後に、その有機溶剤を蒸発させて基板を乾
燥させる工程と、を含む基板処理方法において、前記処
理槽内の処理液中から基板を露出させる際に、処理槽が
含まれた空間を、流量を調節しつつ排気することを特徴
とする。
処理槽内に貯留された処理液中から基板を露出させる工
程と、前記処理槽内の処理液中から露出させられる基板
に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板の表面で有機溶剤
を凝縮させた後に、その有機溶剤を蒸発させて基板を乾
燥させる工程と、を含む基板処理方法において、前記処
理槽内の処理液中から基板を露出させる際に、処理槽が
含まれた空間を、流量を調節しつつ排気することを特徴
とする。
【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板処理方法において、前記処理槽内の処理液の液面上部
を排気することを特徴とする。
板処理方法において、前記処理槽内の処理液の液面上部
を排気することを特徴とする。
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の基板処理方法において、前記処理槽内の処
理液中から基板を露出させる際に、時間の経過に応じて
排気流量を多くすることを特徴とする。
求項２記載の基板処理方法において、前記処理槽内の処
理液中から基板を露出させる際に、時間の経過に応じて
排気流量を多くすることを特徴とする。
【０００９】請求項４に係る発明は、請求項１または請
求項２記載の基板処理方法において、前記処理槽内の処
理液中から基板を露出させる際に、露出速度の低下に応
じて排気流量を多くすることを特徴とする。
求項２記載の基板処理方法において、前記処理槽内の処
理液中から基板を露出させる際に、露出速度の低下に応
じて排気流量を多くすることを特徴とする。
【００１０】請求項５に係る発明は、処理液が貯留され
その処理液中に基板が浸漬させられて処理される処理槽
と、前記処理槽内に貯留された処理液中から基板を露出
させる基板露出手段と、前記処理槽内の処理液中から露
出させられる基板に対して有機溶剤の蒸気を供給する蒸
気供給手段と、前記基板露出手段によって前記処理槽内
の処理液中から基板が露出させられる際に、処理槽が含
まれた空間を排気する排気手段と、前記排気手段を制御
して排気流量を調節する制御手段と、を備えたことを特
徴とする。
その処理液中に基板が浸漬させられて処理される処理槽
と、前記処理槽内に貯留された処理液中から基板を露出
させる基板露出手段と、前記処理槽内の処理液中から露
出させられる基板に対して有機溶剤の蒸気を供給する蒸
気供給手段と、前記基板露出手段によって前記処理槽内
の処理液中から基板が露出させられる際に、処理槽が含
まれた空間を排気する排気手段と、前記排気手段を制御
して排気流量を調節する制御手段と、を備えたことを特
徴とする。
【００１１】請求項６に係る発明は、請求項５記載の基
板処理装置において、前記排気手段が、前記処理槽内の
処理液の液面上部に吸い込み口を有することを特徴とす
る。
板処理装置において、前記排気手段が、前記処理槽内の
処理液の液面上部に吸い込み口を有することを特徴とす
る。
【００１２】請求項７に係る発明は、請求項５または請
求項６記載の基板処理装置において、前記制御手段が、
前記基板露出手段によって前記処理槽内の処理液中から
基板が露出させられる際に、時間の経過に応じて排気流
量を多くするように前記排気手段を制御することを特徴
とする。
求項６記載の基板処理装置において、前記制御手段が、
前記基板露出手段によって前記処理槽内の処理液中から
基板が露出させられる際に、時間の経過に応じて排気流
量を多くするように前記排気手段を制御することを特徴
とする。
【００１３】請求項８に係る発明は、請求項５または請
求項６記載の基板処理装置において、前記制御手段が、
前記基板露出手段によって前記処理槽内の処理液中から
基板が露出させられる際に、露出速度の低下に応じて排
気流量を多くするように前記排気手段を制御することを
特徴とする。
求項６記載の基板処理装置において、前記制御手段が、
前記基板露出手段によって前記処理槽内の処理液中から
基板が露出させられる際に、露出速度の低下に応じて排
気流量を多くするように前記排気手段を制御することを
特徴とする。
【００１４】請求項１に係る発明の基板処理方法による
と、処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際
に、処理槽が含まれた空間が排気され、その排気流量が
調節されることにより、処理液中から基板を露出させる
途中における基板の位置（換言すれば露出開始時点から
の経過時間）や基板の露出速度（基板の引き上げ速度あ
るいは処理液の液面の低下速度）などの条件に合わせ
て、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態（単位時間当
りの凝縮量）が調整され、基板面上で有機溶剤の濃度斑
が発生することが抑えられる。なお、処理槽が含まれた
空間は、処理チャンバ等で形成することが考えられる。
と、処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際
に、処理槽が含まれた空間が排気され、その排気流量が
調節されることにより、処理液中から基板を露出させる
途中における基板の位置（換言すれば露出開始時点から
の経過時間）や基板の露出速度（基板の引き上げ速度あ
るいは処理液の液面の低下速度）などの条件に合わせ
て、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態（単位時間当
りの凝縮量）が調整され、基板面上で有機溶剤の濃度斑
が発生することが抑えられる。なお、処理槽が含まれた
空間は、処理チャンバ等で形成することが考えられる。
【００１５】請求項２に係る発明の基板処理方法では、
処理槽内の処理液の液面上部が排気されるので、処理液
の液面上に露出する基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状
態が効果的に調整される。
処理槽内の処理液の液面上部が排気されるので、処理液
の液面上に露出する基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状
態が効果的に調整される。
【００１６】請求項３に係る発明の基板処理方法では、
処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際に、時
間の経過（換言すれば処理液の液面に対する基板の位
置）に応じて排気流量が多くされる。ここで、処理槽が
含まれた空間の有機溶剤蒸気の濃度は、有機溶剤蒸気の
供給を開始してから時間の経過に従って高くなる。この
ため、時間の経過に応じて排気流量が多くなることによ
り、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態が一定にな
る。
処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際に、時
間の経過（換言すれば処理液の液面に対する基板の位
置）に応じて排気流量が多くされる。ここで、処理槽が
含まれた空間の有機溶剤蒸気の濃度は、有機溶剤蒸気の
供給を開始してから時間の経過に従って高くなる。この
ため、時間の経過に応じて排気流量が多くなることによ
り、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態が一定にな
る。
【００１７】請求項４に係る発明の基板処理方法では、
処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際に、露
出速度の低下に応じて排気流量が多くされ、すなわち、
処理液中から基板が速い速度で露出させられる時は排気
流量が少なくされ、処理液中から基板が遅い速度で露出
させられる時は排気流量が多くされる。このため、基板
表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態が一定になる。
処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際に、露
出速度の低下に応じて排気流量が多くされ、すなわち、
処理液中から基板が速い速度で露出させられる時は排気
流量が少なくされ、処理液中から基板が遅い速度で露出
させられる時は排気流量が多くされる。このため、基板
表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態が一定になる。
【００１８】請求項５に係る発明の基板処理装置におい
ては、基板露出手段によって処理槽内の処理液中から基
板が露出させられる際に、排気手段により処理槽が含ま
れた空間が排気され、制御手段により排気手段が制御さ
れて排気流量が調節される。これにより、処理液中から
基板を露出させる途中における基板の位置や基板の露出
速度などの条件に合わせて、基板表面への有機溶剤蒸気
の凝縮状態が調整され、基板面上で有機溶剤の濃度斑が
発生することが抑えられる。
ては、基板露出手段によって処理槽内の処理液中から基
板が露出させられる際に、排気手段により処理槽が含ま
れた空間が排気され、制御手段により排気手段が制御さ
れて排気流量が調節される。これにより、処理液中から
基板を露出させる途中における基板の位置や基板の露出
速度などの条件に合わせて、基板表面への有機溶剤蒸気
の凝縮状態が調整され、基板面上で有機溶剤の濃度斑が
発生することが抑えられる。
【００１９】請求項６に係る発明の基板処理装置では、
処理槽内の処理液の液面上部に配置された吸い込み口を
通して排気が行われるので、処理液の液面上に露出する
基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態が効果的に調整さ
れる。
処理槽内の処理液の液面上部に配置された吸い込み口を
通して排気が行われるので、処理液の液面上に露出する
基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態が効果的に調整さ
れる。
【００２０】請求項７に係る発明の基板処理装置では、
制御手段によって排気手段が制御され、処理槽内の処理
液中から基板が露出させられる際に、時間の経過に応じ
て排気流量が多くされる。ここで、処理槽が含まれた空
間の有機溶剤蒸気の濃度は、蒸気供給手段による有機溶
剤蒸気の供給が開始されてから時間の経過に従って高く
なる。このため、時間の経過に応じて排気流量が多くな
ることにより、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態が
一定になる。
制御手段によって排気手段が制御され、処理槽内の処理
液中から基板が露出させられる際に、時間の経過に応じ
て排気流量が多くされる。ここで、処理槽が含まれた空
間の有機溶剤蒸気の濃度は、蒸気供給手段による有機溶
剤蒸気の供給が開始されてから時間の経過に従って高く
なる。このため、時間の経過に応じて排気流量が多くな
ることにより、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態が
一定になる。
【００２１】請求項８に係る発明の基板処理装置では、
制御手段によって排気手段が制御され、処理槽内の処理
液中から基板が露出させられる際に、露出速度の低下に
応じて排気流量が多くされる。このため、基板表面への
有機溶剤蒸気の凝縮状態が一定になる。
制御手段によって排気手段が制御され、処理槽内の処理
液中から基板が露出させられる際に、露出速度の低下に
応じて排気流量が多くされる。このため、基板表面への
有機溶剤蒸気の凝縮状態が一定になる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
【００２３】図１は、この発明に係る基板処理方法を実
施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を
示す模式図である。この基板処理装置は、処理液、例え
ば純水が貯留されその純水中に基板Ｗが浸漬させられて
洗浄処理される処理槽１０、および、処理槽１０の周囲
を取り囲む処理チャンバ１２を備えている。
施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を
示す模式図である。この基板処理装置は、処理液、例え
ば純水が貯留されその純水中に基板Ｗが浸漬させられて
洗浄処理される処理槽１０、および、処理槽１０の周囲
を取り囲む処理チャンバ１２を備えている。
【００２４】処理槽１０は、その詳細な図示および説明
を省略するが、下部に純水供給口を有するとともに上部
に純水が溢れ出す溢流部を有し、底部に排水口が設けら
れている。処理チャンバ１２は、蓋（図示せず）を開閉
させることにより基板Ｗの搬入および搬出を行うことが
できるともに密閉することが可能である。処理チャンバ
１２の内部には、昇降駆動されるリフタ１４が配設され
ており、このリフタ１４は、処理チャンバ１２内へ搬入
された基板Ｗを受け取って処理槽１０の内部へ挿入し、
処理槽１０内で基板Ｗを支持し、処理が終わった基板Ｗ
を処理槽１０内から取り出す。また、処理チャンバ１２
の底部には、気液排出口１６が設けられており、気液排
出口１６に、開閉弁２０が介挿された排気管１８、およ
び、開閉弁２４が介挿された排水管２２がそれぞれ連通
している。
を省略するが、下部に純水供給口を有するとともに上部
に純水が溢れ出す溢流部を有し、底部に排水口が設けら
れている。処理チャンバ１２は、蓋（図示せず）を開閉
させることにより基板Ｗの搬入および搬出を行うことが
できるともに密閉することが可能である。処理チャンバ
１２の内部には、昇降駆動されるリフタ１４が配設され
ており、このリフタ１４は、処理チャンバ１２内へ搬入
された基板Ｗを受け取って処理槽１０の内部へ挿入し、
処理槽１０内で基板Ｗを支持し、処理が終わった基板Ｗ
を処理槽１０内から取り出す。また、処理チャンバ１２
の底部には、気液排出口１６が設けられており、気液排
出口１６に、開閉弁２０が介挿された排気管１８、およ
び、開閉弁２４が介挿された排水管２２がそれぞれ連通
している。
【００２５】また、処理チャンバ１２内の上部には、蒸
気供給ノズル２６が設けられている。蒸気供給ノズル２
６には、不活性ガス、例えば窒素ガスをキャリアガスと
して有機溶剤、例えばＩＰＡの蒸気を供給する蒸気供給
管２８が連通して接続されており、蒸気供給管２８に
は、開閉弁３０が介在して設けられている。また、処理
チャンバ１２の内部には、処理槽１０内の純水の液面の
近傍に吸い込み口３２が配置されており、その吸い込み
口３２に調整排気管３４が連通している。調整排気管３
４には、開閉弁３６、排気ポンプ３８および流量計４０
がそれぞれ設けられている。
気供給ノズル２６が設けられている。蒸気供給ノズル２
６には、不活性ガス、例えば窒素ガスをキャリアガスと
して有機溶剤、例えばＩＰＡの蒸気を供給する蒸気供給
管２８が連通して接続されており、蒸気供給管２８に
は、開閉弁３０が介在して設けられている。また、処理
チャンバ１２の内部には、処理槽１０内の純水の液面の
近傍に吸い込み口３２が配置されており、その吸い込み
口３２に調整排気管３４が連通している。調整排気管３
４には、開閉弁３６、排気ポンプ３８および流量計４０
がそれぞれ設けられている。
【００２６】排気ポンプ３８および流量計４０にはコン
トローラ４２が接続されており、流量計４０の検出信号
がコントローラ４２へ送られ、コントローラ４２から排
気ポンプ３８へ制御信号が送られるように構成されてい
る。また、図２に示すように、コントローラ４２には、
リフタ１４の位置情報、従って処理槽１０内の純水中で
基板Ｗを保持したリフタ１４が上昇を開始した時点から
の経過時間に関する情報、あるいはリフタ１４の上昇速
度に関する情報を示す信号が入力される。そして、コン
トローラ４２では、リフタ１４の時間情報あるいは速度
情報から、経過時間あるいはリフト１４の上昇速度と排
気流量との相関関係を示す予め記憶されたデータに基づ
いて、各時点における排気流量が算出され、所定通りに
排気流量が変化するように排気ポンプ３８の制御が行わ
れる。
トローラ４２が接続されており、流量計４０の検出信号
がコントローラ４２へ送られ、コントローラ４２から排
気ポンプ３８へ制御信号が送られるように構成されてい
る。また、図２に示すように、コントローラ４２には、
リフタ１４の位置情報、従って処理槽１０内の純水中で
基板Ｗを保持したリフタ１４が上昇を開始した時点から
の経過時間に関する情報、あるいはリフタ１４の上昇速
度に関する情報を示す信号が入力される。そして、コン
トローラ４２では、リフタ１４の時間情報あるいは速度
情報から、経過時間あるいはリフト１４の上昇速度と排
気流量との相関関係を示す予め記憶されたデータに基づ
いて、各時点における排気流量が算出され、所定通りに
排気流量が変化するように排気ポンプ３８の制御が行わ
れる。
【００２７】また、コントローラ４２により、排気管１
８および排水管２２にそれぞれ介挿された開閉弁２０、
２４の開閉動作、リフタ１４の昇降動作、ならびに、蒸
気供給管２８および調整排気管３４にそれぞれ介挿され
た開閉弁３０、３６の開閉動作の制御が行われる。
８および排水管２２にそれぞれ介挿された開閉弁２０、
２４の開閉動作、リフタ１４の昇降動作、ならびに、蒸
気供給管２８および調整排気管３４にそれぞれ介挿され
た開閉弁３０、３６の開閉動作の制御が行われる。
【００２８】次に、上記した構成の基板処理装置を使用
して純水での洗浄処理後に行われる基板の乾燥処理操作
の１例について説明する。
して純水での洗浄処理後に行われる基板の乾燥処理操作
の１例について説明する。
【００２９】処理槽１０内に貯留された純水中に基板Ｗ
が浸漬させられて基板Ｗの洗浄処理が行われ、その洗浄
処理が終了すると、開閉弁３０が開かれ、窒素ガスをキ
ャリアガスとしてＩＰＡ蒸気が蒸気供給管２８を通って
蒸気供給ノズル２６へ送られ、蒸気供給ノズル２６から
処理チャンバ１２内へＩＰＡ蒸気が供給される。ＩＰＡ
蒸気の供給が開始された後、開閉弁３６が開かれ、排気
ポンプ３８が起動して、吸い込み口３２へ雰囲気ガスが
吸入され、調整排気管３４を通して排気が行われる。
が浸漬させられて基板Ｗの洗浄処理が行われ、その洗浄
処理が終了すると、開閉弁３０が開かれ、窒素ガスをキ
ャリアガスとしてＩＰＡ蒸気が蒸気供給管２８を通って
蒸気供給ノズル２６へ送られ、蒸気供給ノズル２６から
処理チャンバ１２内へＩＰＡ蒸気が供給される。ＩＰＡ
蒸気の供給が開始された後、開閉弁３６が開かれ、排気
ポンプ３８が起動して、吸い込み口３２へ雰囲気ガスが
吸入され、調整排気管３４を通して排気が行われる。
【００３０】排気が開始された後、リフタ１４が駆動さ
れ、リフタ１４により基板Ｗが処理槽１０内の純水中か
らゆっくりと引き上げられる。そして、純水中から引き
上げられた基板Ｗの表面では、ＩＰＡ蒸気が凝縮して、
基板Ｗ表面に付着した純水がＩＰＡに置換されていく。
この際、上記したように、リフタ１４の上昇開始時点か
らの経過時間に関する情報を示す信号がコントローラ４
２に入力され、コントローラ４２において、経過時間情
報から各時点における排気流量の目標値が算出される。
そして、流量計４０によって検出された流量値と目標値
との差分に応じた制御信号がコントローラ４２から排気
ポンプ３８へ送られ、所定通りに排気流量が変化するよ
うに排気ポンプ３８がフィードバック制御される。具体
的には、時間の経過に応じて排気流量が多くされる。こ
れは、処理チャンバ１２内のＩＰＡ蒸気の濃度は、ＩＰ
Ａ蒸気の供給を開始してから時間の経過に従って高くな
るので、時間の経過に応じて排気流量を多くすることに
より、基板Ｗ表面へのＩＰＡ蒸気の凝縮状態が一定にな
るようにするためである。これを図３により説明する
と、図３の（ａ）に示すように、基板Ｗが処理槽１０内
の純水４４の液面から僅かに露出した時の排気流量をＶ
１（ｍ３／ｓｅｃ）とし、図３の（ｂ）に示すように、
基板Ｗの大部分が純水４４の液面上に露出した時の排気
流量をＶ２（ｍ ３／ｓｅｃ）とすると、Ｖ１＜Ｖ２とな
るように排気ポンプ３８を制御する。
れ、リフタ１４により基板Ｗが処理槽１０内の純水中か
らゆっくりと引き上げられる。そして、純水中から引き
上げられた基板Ｗの表面では、ＩＰＡ蒸気が凝縮して、
基板Ｗ表面に付着した純水がＩＰＡに置換されていく。
この際、上記したように、リフタ１４の上昇開始時点か
らの経過時間に関する情報を示す信号がコントローラ４
２に入力され、コントローラ４２において、経過時間情
報から各時点における排気流量の目標値が算出される。
そして、流量計４０によって検出された流量値と目標値
との差分に応じた制御信号がコントローラ４２から排気
ポンプ３８へ送られ、所定通りに排気流量が変化するよ
うに排気ポンプ３８がフィードバック制御される。具体
的には、時間の経過に応じて排気流量が多くされる。こ
れは、処理チャンバ１２内のＩＰＡ蒸気の濃度は、ＩＰ
Ａ蒸気の供給を開始してから時間の経過に従って高くな
るので、時間の経過に応じて排気流量を多くすることに
より、基板Ｗ表面へのＩＰＡ蒸気の凝縮状態が一定にな
るようにするためである。これを図３により説明する
と、図３の（ａ）に示すように、基板Ｗが処理槽１０内
の純水４４の液面から僅かに露出した時の排気流量をＶ
１（ｍ３／ｓｅｃ）とし、図３の（ｂ）に示すように、
基板Ｗの大部分が純水４４の液面上に露出した時の排気
流量をＶ２（ｍ ３／ｓｅｃ）とすると、Ｖ１＜Ｖ２とな
るように排気ポンプ３８を制御する。
【００３１】また、経過時間に関する情報を示す信号の
代わりに、リフタ１４の上昇速度に関する情報を示す信
号がコントローラ４２に入力されるようにしてもよい。
この場合には、リフタ１４の上昇速度の低下に応じて排
気流量が多くされる。すなわち、リフタ１４の上昇速度
がｖ１（ｍ／ｓｅｃ）であるときの排気流量をＶ１（ｍ
３／ｓｅｃ）とし、リフタ１４の上昇速度がｖ２（ｍ／
ｓｅｃ）であるときの排気流量をＶ２（ｍ３／ｓｅｃ）
とした場合に、ｖ１＞ｖ２であるときは、Ｖ１＜Ｖ２と
なるように排気ポンプ３８を制御する。これにより、基
板Ｗ表面へのＩＰＡ蒸気の凝縮状態が一定になる。
代わりに、リフタ１４の上昇速度に関する情報を示す信
号がコントローラ４２に入力されるようにしてもよい。
この場合には、リフタ１４の上昇速度の低下に応じて排
気流量が多くされる。すなわち、リフタ１４の上昇速度
がｖ１（ｍ／ｓｅｃ）であるときの排気流量をＶ１（ｍ
３／ｓｅｃ）とし、リフタ１４の上昇速度がｖ２（ｍ／
ｓｅｃ）であるときの排気流量をＶ２（ｍ３／ｓｅｃ）
とした場合に、ｖ１＞ｖ２であるときは、Ｖ１＜Ｖ２と
なるように排気ポンプ３８を制御する。これにより、基
板Ｗ表面へのＩＰＡ蒸気の凝縮状態が一定になる。
【００３２】基板Ｗが純水中から完全に引き上げられる
と、調整排気管３４に介挿された開閉弁３６が閉じら
れ、排気ポンプ３８の駆動が停止して、排気が停止され
る。その後に、蒸気供給管２８に介挿された開閉弁３０
が閉じられ、処理チャンバ１２内へのＩＰＡ蒸気の供給
が停止される。この時点では、基板Ｗの表面はＩＰＡに
よって完全に置換された状態となる。
と、調整排気管３４に介挿された開閉弁３６が閉じら
れ、排気ポンプ３８の駆動が停止して、排気が停止され
る。その後に、蒸気供給管２８に介挿された開閉弁３０
が閉じられ、処理チャンバ１２内へのＩＰＡ蒸気の供給
が停止される。この時点では、基板Ｗの表面はＩＰＡに
よって完全に置換された状態となる。
【００３３】リフタ１４により処理槽１０内の純水中か
ら基板Ｗが完全に引き上げられると、処理槽１０内から
の排水や窒素ガスによる処理チャンバ１２内のパージを
行うなどした後、密閉された処理チャンバ１２の内部に
基板Ｗを保持したまま、排気管１８を通して処理チャン
バ１２の内部を真空排気し、処理チャンバ１２内に保持
された基板Ｗを速やかに減圧乾燥させる。これにより、
基板Ｗの表面からＩＰＡが完全に蒸発して除去され、基
板Ｗの乾燥が終了する。基板Ｗの乾燥処理が終了する
と、真空排気を停止した後、処理チャンバ１２の蓋を開
けて基板Ｗを処理チャンバ１２内から搬出する。
ら基板Ｗが完全に引き上げられると、処理槽１０内から
の排水や窒素ガスによる処理チャンバ１２内のパージを
行うなどした後、密閉された処理チャンバ１２の内部に
基板Ｗを保持したまま、排気管１８を通して処理チャン
バ１２の内部を真空排気し、処理チャンバ１２内に保持
された基板Ｗを速やかに減圧乾燥させる。これにより、
基板Ｗの表面からＩＰＡが完全に蒸発して除去され、基
板Ｗの乾燥が終了する。基板Ｗの乾燥処理が終了する
と、真空排気を停止した後、処理チャンバ１２の蓋を開
けて基板Ｗを処理チャンバ１２内から搬出する。
【００３４】上記した実施形態では、排気流量を調整す
るのに、排気ポンプ３８を制御するようにしたが、調整
排気管３４に流量調整弁を設けて、その流量調整弁を制
御することにより排気流量を調整するようにしてもよ
い。また、流量計４０の代わりに圧力計を設け、その圧
力計により排気圧を測定して、排気ポンプ３８をフィー
ドバック制御するようにしてもよい。
るのに、排気ポンプ３８を制御するようにしたが、調整
排気管３４に流量調整弁を設けて、その流量調整弁を制
御することにより排気流量を調整するようにしてもよ
い。また、流量計４０の代わりに圧力計を設け、その圧
力計により排気圧を測定して、排気ポンプ３８をフィー
ドバック制御するようにしてもよい。
【００３５】また、上記実施形態では、純水での洗浄処
理が終了した基板Ｗをリフタ１４によって引き上げるこ
とにより、処理槽１０内の純水中から基板Ｗを露出させ
るようにしたが、洗浄処理後の基板Ｗを処理槽１０内で
静止させたままにし、処理槽１０内からゆっくりと排水
して処理槽１０内の純水の液面を低下させることによ
り、純水中から基板Ｗを露出させるようにしてもよい。
理が終了した基板Ｗをリフタ１４によって引き上げるこ
とにより、処理槽１０内の純水中から基板Ｗを露出させ
るようにしたが、洗浄処理後の基板Ｗを処理槽１０内で
静止させたままにし、処理槽１０内からゆっくりと排水
して処理槽１０内の純水の液面を低下させることによ
り、純水中から基板Ｗを露出させるようにしてもよい。
【００３６】
【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理方法によ
り、処理槽内に貯留された処理液中から露出させられた
基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥させる
ときは、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を調整し
て、基板面上で有機溶剤の濃度斑が発生することを防止
することができる。このため、基板面内における乾燥状
態にばらつきを生じたり、デバイスパーティクルが発生
したりする、といった不都合を無くすことができる。
り、処理槽内に貯留された処理液中から露出させられた
基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥させる
ときは、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を調整し
て、基板面上で有機溶剤の濃度斑が発生することを防止
することができる。このため、基板面内における乾燥状
態にばらつきを生じたり、デバイスパーティクルが発生
したりする、といった不都合を無くすことができる。
【００３７】請求項２に係る発明の基板処理方法では、
処理液の液面上に露出する基板表面への有機溶剤蒸気の
凝縮状態を効果的に調整することができる。
処理液の液面上に露出する基板表面への有機溶剤蒸気の
凝縮状態を効果的に調整することができる。
【００３８】請求項３に係る発明の基板処理方法では、
処理槽内の処理液中から基板を露出させる際の時間の経
過に応じて排気流量を多くすることにより、基板表面へ
の有機溶剤蒸気の凝縮状態を一定にすることができる。
処理槽内の処理液中から基板を露出させる際の時間の経
過に応じて排気流量を多くすることにより、基板表面へ
の有機溶剤蒸気の凝縮状態を一定にすることができる。
【００３９】請求項４に係る発明の基板処理方法では、
処理槽内の処理液中から基板を露出させる際の露出速度
の低下に応じて排気流量を多くすることにより、基板表
面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を一定にすることができ
る。
処理槽内の処理液中から基板を露出させる際の露出速度
の低下に応じて排気流量を多くすることにより、基板表
面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を一定にすることができ
る。
【００４０】請求項５に係る発明の基板処理装置を使用
すると、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を調整し
て、基板面上で有機溶剤の濃度斑が発生することを防止
することができ、このため、基板面内における乾燥状態
にばらつきを生じたり、デバイスパーティクルが発生し
たりする、といった不都合を無くすことができる。
すると、基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を調整し
て、基板面上で有機溶剤の濃度斑が発生することを防止
することができ、このため、基板面内における乾燥状態
にばらつきを生じたり、デバイスパーティクルが発生し
たりする、といった不都合を無くすことができる。
【００４１】請求項６に係る発明の基板処理装置では、
処理液の液面上に露出する基板表面への有機溶剤蒸気の
凝縮状態を効果的に調整することができる。
処理液の液面上に露出する基板表面への有機溶剤蒸気の
凝縮状態を効果的に調整することができる。
【００４２】請求項７に係る発明の基板処理装置では、
処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際の時間
の経過に応じて排気流量が多くされることにより、基板
表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を一定にすることがで
きる。
処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際の時間
の経過に応じて排気流量が多くされることにより、基板
表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を一定にすることがで
きる。
【００４３】請求項８に係る発明の基板処理装置では、
処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際の露出
速度の低下に応じて排気流量が多くされることにより、
基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を一定にすること
ができる。
処理槽内の処理液中から基板が露出させられる際の露出
速度の低下に応じて排気流量が多くされることにより、
基板表面への有機溶剤蒸気の凝縮状態を一定にすること
ができる。
【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するのに使
用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図で
ある。
用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図で
ある。
【図２】図１に示した基板処理装置の制御系の概略構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図３】図１に示した基板処理装置を使用して純水での
洗浄処理後に基板を乾燥処理する場合における制御動作
の１例を説明するための模式図である。
洗浄処理後に基板を乾燥処理する場合における制御動作
の１例を説明するための模式図である。
１０ 処理槽 １２ 処理チャンバ １４ リフタ １６ 気液排出口 １８ 排気管 ２０、２４、３０、３６ 開閉弁 ２２ 排水管 ２６ 蒸気供給ノズル ２８ 蒸気供給管 ３２ 吸い込み口 ３４ 調整排気管 ３８ 排気ポンプ ４０ 流量計 ４２ コントローラ Ｗ 基板
Claims (8)
- 【請求項１】 処理槽内に貯留された処理液中から基板
を露出させる工程と、 前記処理槽内の処理液中から露出させられる基板に対し
有機溶剤の蒸気を供給して基板の表面で有機溶剤を凝縮
させた後に、その有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させ
る工程と、を含む基板処理方法において、 前記処理槽内の処理液中から基板を露出させる際に、処
理槽が含まれた空間を、流量を調節しつつ排気すること
を特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２】 前記処理槽内の処理液の液面上部を排気
する請求項１記載の基板処理方法。 - 【請求項３】 前記処理槽内の処理液中から基板を露出
させる際に、時間の経過に応じて排気流量を多くする請
求項１または請求項２記載の基板処理方法。 - 【請求項４】 前記処理槽内の処理液中から基板を露出
させる際に、露出速度の低下に応じて排気流量を多くす
る請求項１または請求項２記載の基板処理方法。 - 【請求項５】 処理液が貯留されその処理液中に基板が
浸漬させられて処理される処理槽と、 前記処理槽内に貯留された処理液中から基板を露出させ
る基板露出手段と、 前記処理槽内の処理液中から露出させられる基板に対し
て有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、 前記基板露出手段によって前記処理槽内の処理液中から
基板が露出させられる際に、処理槽が含まれた空間を排
気する排気手段と、 前記排気手段を制御して排気流量を調節する制御手段
と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項６】 前記排気手段が、前記処理槽内の処理液
の液面上部に吸い込み口を有する請求項５記載の基板処
理装置。 - 【請求項７】 前記制御手段が、前記基板露出手段によ
って前記処理槽内の処理液中から基板が露出させられる
際に、時間の経過に応じて排気流量を多くするように前
記排気手段を制御する請求項５または請求項６記載の基
板処理装置。 - 【請求項８】 前記制御手段が、前記基板露出手段によ
って前記処理槽内の処理液中から基板が露出させられる
際に、露出速度の低下に応じて排気流量を多くするよう
に前記排気手段を制御する請求項５または請求項６記載
の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001082939A JP3869671B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001082939A JP3869671B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280353A true JP2002280353A (ja) | 2002-09-27 |
| JP3869671B2 JP3869671B2 (ja) | 2007-01-17 |
Family
ID=18938823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001082939A Expired - Fee Related JP3869671B2 (ja) | 2001-03-22 | 2001-03-22 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3869671B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005478A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| US8015984B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus including a drying mechanism using a fluid mixture of purified water and a volatile organic solvent |
| JP2018040512A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 減圧乾燥装置、減圧乾燥システム、減圧乾燥方法 |
-
2001
- 2001-03-22 JP JP2001082939A patent/JP3869671B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005478A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP4584783B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2010-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| US8015984B2 (en) | 2005-06-22 | 2011-09-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus including a drying mechanism using a fluid mixture of purified water and a volatile organic solvent |
| KR101133394B1 (ko) * | 2005-06-22 | 2012-04-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법과 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
| US8303724B2 (en) | 2005-06-22 | 2012-11-06 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and non-transitory storage medium for carrying out such method |
| JP2018040512A (ja) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 減圧乾燥装置、減圧乾燥システム、減圧乾燥方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3869671B2 (ja) | 2007-01-17 |
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