JP2004172574A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板を乾燥処理する基板処理装置1に、チャンバ2、蒸気供給部4、開閉バルブ6、および制御部7を設ける。チャンバ2を密閉した状態で、純水による基板90の洗浄処理を行った後、蒸気供給部4から高温・高圧の水蒸気を供給して、チャンバ2内の温度および圧力を上昇させる。基板90の表面が摂氏100度以上の純水で覆われた状態となった時点で、制御部7が開閉バルブ6を開放状態にし、チャンバ2内の雰囲気を大気中に開放することによって、チャンバ2内を瞬時に減圧する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明に係る基板処理装置1の概略図である。第1の実施の形態における基板処理装置1は、LSIなどの電子部品を製造するための円形の半導体基板を被処理基板90としており、基板90に付着した純水(処理液)を乾燥させる乾燥装置としての機能を有する。なお、基板処理装置1は、半導体基板だけでなく、一般に、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板やフラットパネルディスプレイ用の種々の基板に対しても、付着した純水を乾燥させる装置として変形利用することができる。
基板の乾燥処理においてウォーターマークの発生を抑制するためには、先述のように基板90に付着した処理液をすばやく乾燥させることが重要である。そして、その手法としては、高温・低湿度の雰囲気において乾燥処理を行うことも有効である。
第2の実施の形態おける基板処理装置1aは、純水をチャンバ2aから排出することによって、純水の液面と基板90との相対位置を変更し、これによって基板90を高温・低湿度の雰囲気に曝すように構成していた。しかし、純水の液面と基板90との相対位置を変更して、基板90を適切な雰囲気中に曝す手法はこれに限られるものではなく、基板90を移動させることによっても実現することができる。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
2,2a,2b チャンバ(処理室)
2c 処理槽
2d 排出溝(排出手段)
20,41 ヒータ
21 ドレイン(排出手段)
23 配管(排出手段)
3,3a 保持機構
4 蒸気供給部(加熱・加圧手段、蒸気供給手段)
5 窒素供給部
6,60,61,62,63 開閉バルブ
7 制御部
8 純水供給部
90 基板
Claims (25)
- 基板に付着した所定の処理液を乾燥させる基板処理装置であって、
基板の周辺雰囲気を外部と遮断する処理室と、
基板を前記処理室内に保持する保持手段と、
前記処理室内の温度および圧力を上昇させる加熱・加圧手段と、
前記処理室内の雰囲気を前記処理室の外部に存在する外部雰囲気に開放する開放手段と、
を備え、
前記開放手段が、
前記処理室内に存在する前記所定の処理液が前記外部雰囲気における沸点以上の状態である場合に、前記処理室内の雰囲気を開放することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記加熱・加圧手段が、加熱および加圧された前記所定の処理液の蒸気を前記処理室内に供給することによって、前記処理室内の温度および圧力を上昇させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記処理室内に不活性ガスを供給するガス供給手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理室が、前記処理室内を加熱する加熱手段を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理室が、前記所定の処理液を排出する排出手段を有することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記所定の処理液が純水であり、前記外部雰囲気が大気であって、
前記開放手段が、
前記処理室内の前記純水の温度が摂氏100度以上の状態である場合に、前記処理室内の雰囲気を開放することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板を収納するとともに、所定の処理液を貯留する処理室と、
前記処理室内において基板を保持する保持手段と、
前記処理室に貯留された処理液を排出する排出手段と、
前記処理室内へ前記所定の処理液と同種の処理液の蒸気を供給する蒸気供給手段と、
を備え、
前記排出手段により前記処理室に貯留された処理液を排出させつつ、前記蒸気供給手段から前記処理室内へ前記蒸気を供給させることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7に記載の基板処理装置であって、
前記処理室内に不活性ガスを供給するガス供給手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項8に記載の基板処理装置であって、
前記ガス供給手段は、前記蒸気供給手段から前記処理室内へ前記蒸気を供給する前に、前記処理室内に不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項8または9に記載の基板処理装置であって、
前記ガス供給手段は、前記排出手段により前記処理室に貯留された処理液を排出させた後に、前記処理室内に不活性ガスを供給することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7ないし10のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理室内を加熱する加熱手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項7ないし11のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記蒸気供給手段は、前記蒸気を加熱して、前記処理室内へ供給することを特徴とする基板処理装置。 - 基板に付着した所定の処理液を乾燥させる基板処理方法であって、
基板の周辺雰囲気を外部と遮断する処理室内に基板を保持する保持工程と、
前記処理室内の温度および圧力を上昇させる加熱・加圧工程と、
前記処理室内に存在する前記所定の処理液が前記処理室の外部に存在する外部雰囲気における沸点以上の状態である場合に、前記処理室内の雰囲気を開放する開放工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項13に記載の基板処理方法であって、
前記加熱・加圧工程が、加熱および加圧された前記所定の処理液の蒸気を前記処理室内に供給することによって、前記処理室内の温度および圧力を上昇させる工程であることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項13または14に記載の基板処理方法であって、
前記処理室内に不活性ガスを供給するガス供給工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項13ないし15のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記処理室から前記所定の処理液を排出する排出工程を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項13ないし16のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記所定の処理液が純水であり、前記外部雰囲気が大気であって、
前記開放工程が、
前記処理室内の前記純水の温度が摂氏100度以上の状態である場合に、前記処理室内の雰囲気を開放する工程であることを特徴とする基板処理方法。 - 基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、
雰囲気を外部と遮断可能な処理室内に基板を保持する保持工程と、
前記処理室内の所定の処理液に基板を浸浸した状態で、前記処理室内へ前記所定の処理液と同種の処理液の蒸気を供給する蒸気供給工程と、
前記処理室内へ前記蒸気を供給した状態で、前記処理室に貯留された処理液を排出する排出工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項18に記載の基板処理方法であって、
前記排出工程の後に、前記処理室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程をさらに有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項18に記載の基板処理方法であって、
前記蒸気供給工程の前に、前記処理室内に不活性ガスを供給する第1不活性ガス供給工程と、
前記排出工程の後に、前記処理室内に不活性ガスを供給する第2不活性ガス供給工程とをさらに有することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項18ないし20のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記蒸気供給工程は、前記処理室を排気していることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項19に記載の基板処理方法であって、
前記不活性ガス供給工程は、前記処理室を排気していることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項20に記載の基板処理方法であって、
前記第1不活性ガス供給工程および前記第2不活性ガス供給工程は、前記処理室を排気していることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項18ないし23のいずれかに記載の基板処理方法であって、
各工程において、前記処理室を加熱することを特徴とする基板処理方法。 - 請求項18ないし24のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記蒸気供給工程は、前記蒸気を加熱して、前記処理室内へ供給することを特徴とする基板処理方法。
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