JP3754316B2 - 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやLCD基板(液晶ディスプレイ用ガラス基板)などの被処理基板に例えばデバイスの保護膜用の塗布液を塗布して塗布膜の形成を行う方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程の一つとして、半導体デバイスの保護膜や層間絶縁膜を形成するために、ポリイミドを半導体ウエハなどの基板上に塗布する処理がある。この塗布処理の方法の一つとして、ポリイミドを溶剤に溶かした薬液を塗布前に溶剤で更に薄め、例ば図11に示すようにウエハWを回転させておいて塗布液ノズル11をウエハWの径方向に徐々に略水平方向に移動させながら塗布液をウエハW表面に吐出し、塗布液を一筆書きの要領で螺旋状に塗布していき、この後ウエハを加熱して溶剤を揮発させ、次いで冷却する方法が検討されている。
【0003】
この方法では、塗布液ノズル11からの塗布液の吐出量が一定のときには、当該ノズル11の移動速度をウエハWの中央領域で早く、周辺領域で遅くなるように徐々に変化させて、ウエハW面内において塗布液の膜厚が均一になるように調整している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上述の方法にて、塗布液ノズル11の移動速度を変化させながら塗布液を塗布したとしても、例えば8インチサイズのウエハWに対して10μm程度の厚さで塗布液12を塗布し、加熱して乾燥させると、図12に示すように、最外部の膜厚がその他の領域の膜厚よりも約0.5μm程度盛り上がってしまうという現象が生じてしまうことが認められる。このように最外部の膜厚が大きくなると、その後の工程である現像特性やエッチング特性が変化してしまい、ホールの穴が開かない箇所やエッチングされない箇所が発生するおそれがある。
【0005】
この理由については次のように考えられる。ウエハWの周縁領域では側端部からも揮発するため、当該周縁領域の揮発量はその他の領域よりも大きく、これにより周縁領域では溶剤の揮発速度が大きくなる。このように溶剤の揮発速度が異なると揮発速度が大きい部位では揮発により温度が下がり表面張力が大きくなって液が外側へ引き寄せられ、ポリイミドの固化速度が大きいため、ウエハWの周縁領域ではポリイミドの膜厚が大きくなってしまう。このようにこの例では周縁領域では図12に示すように溶剤の揮発速度が大きいため、この部位のポリイミドの固化が早まり、結果として膜厚が大きくなると推察される。
【0006】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は例えば基板にポリイミドを主成分とする塗布膜を形成する場合に、膜厚の高い均一性を確保することができる技術を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の塗布膜形成方法は、基板を略水平に保持した基板保持部を略鉛直軸まわりに回転させながら、この基板の表面と対向して設けられた塗布ノズルから塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を吐出しつつ当該塗布ノズルを基板の中心から周縁側に向かって移動させ、これにより基板の表面に塗布液を螺旋状に塗布する塗布膜形成方法において、
前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の中心から周縁側に向かって第1の位置まで移動させて塗布膜形成領域の第1の領域を塗布する工程と、
次いで前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の周縁側に向かって移動させて前記第1の領域の外側の基板の周縁領域である第2の領域に塗布すると共に、当該塗布ノズルと共に基板の周縁側に向かって移動する噴霧ノズルから前記塗布膜の溶剤を前記第2の領域に噴霧する工程と、を含むことを特徴とする。
【0008】
このような方法は、基板を略水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部を略鉛直軸まわりに回転させる回転機構と、
前記基板の表面と対向して設けられ、基板表面に塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を吐出するための塗布ノズルと、
基板の塗布膜形成領域の周縁領域に前記塗布膜の溶剤を噴霧するための噴霧ノズルと、
前記塗布ノズル及び噴霧ノズルを前記基板の径方向に略水平方向に移動させる移動機構と、を備えた塗布膜形成装置にて実施される。
【0009】
このような発明によれば、放熱量が大きく塗布膜の溶剤が揮発しやすい基板の周縁領域には、その他の領域よりも前記溶剤が多く塗布されることになるので、基板面内全体に亘って溶剤の揮発程度が揃えられる。これにより溶剤の揮発程度に依存する塗布膜の固化速度が基板面内に亘ってほぼ同じ程度になるので、塗布膜の膜厚が基板面内全体で揃えられ、膜厚の高い均一性を確保することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る塗布膜形成方法を実施するための塗布膜形成装置について説明する。先ずこの装置の全体構成について図1及び図2を参照しながら簡単に説明する。図中21はカセットステーションであり、例えば25枚のウエハWを収納したカセットCを載置するカセット載置部22と、載置されたカセットCとの間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡しアーム23とが設けられている。この受け渡しアーム23の奥側には筐体24にて周囲を囲まれる処理部S1が接続されている。処理部S1の中央には主搬送手段25が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には複数の塗布ユニット31が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットU1,U2,U3が夫々配置されている。
【0011】
棚ユニットU1,U2,U3は、塗布ユニット31の前処理及び後処理を行うためのユニットなどを各種組み合わせて構成されるものであり、その組み合わせは例えば図2に示すように塗布ユニット31にて表面に塗布液が塗られたウエハWを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット32、ウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット33、ウエハWを冷却する冷却ユニット34等が含まれる。なお棚ユニットU2,U3については、ウエハWを受け渡すための受け渡し台を備えた受け渡しユニット35も組み込まれる。また、上述した主搬送手段25は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニット31及び棚ユニットU1,U2,U3を構成する各ユニット間でウエハWの受け渡しを行うことが可能となっている。
【0012】
次に図3〜図5を参照して塗布ユニット31の説明を行う。ここでは塗布ユニット31の外装体をなす筐体を省略するが、この図示しない筐体内には、例えば側方にウエハWの搬入出用の開口部(図示せず)が形成された中空のケース体41が設けられ、その内部にはウエハWを裏面側から真空吸着して水平保持する基板保持部をなすウエハ保持部42と、このウエハ保持部42を下方側から支持すると共に、塗布処理時にはウエハ保持部42を鉛直軸周りに回転させる回転機構43とが設けられている。
【0013】
ケース体41の天井部にはX方向に延びるスリット44が形成されており、このスリット44の上方には、例えばポリイミドを塗布膜の成分とする塗布液を供給するための塗布ノズル5が、下部側先端の吐出孔51がスリット44を介してケース体41内に突出した状態で、ノズル支持部52により支持されて駆動機構53によりX方向に移動できるように構成されており、この塗布ノズル5は例えば吐出孔51の口径が100μm程度であって、例えばウエハWの10mm上方側から0.05ミリリットル/secの流量で塗布液をウエハW表面に吐出するようになっている。
【0014】
また前記ノズル支持部52には、ウエハW表面に塗布膜の溶剤を噴霧するための噴霧ノズル54が、例えば支持部55を介して前記塗布ノズル54の進行方向側に当該ノズル54と隣接するように設けられている。この噴霧ノズル54は例えばノズル54先端の噴霧孔55の口径が0.5mm程度であって、例えばウエハWの3mm上方側から、例えば0.025ミリリットル/secの流量で前記溶剤をウエハW表面に噴霧するように構成されている。
【0015】
前記塗布ノズル5とこの噴霧ノズル54とは、例えば図5に示すように、塗布ノズル5からウエハW表面に吐出される前記塗布液の吐出位置よりも塗布ノズル5の進行方向の前方側に噴霧ノズル54からウエハW表面に前記溶剤が噴霧されるようになっている。
【0016】
このような塗布ノズル5は例えばフレキシブルな成分供給路61により、開閉バルブV1,混合部62,開閉バルブV2を介して例えばポリイミドなどの前記塗布膜の成分を貯留する成分槽63に接続されると共に、混合部62の上流側にて開閉バルブV3を介して例えばシンナー液などの塗布膜の溶剤を貯留する溶剤槽64に接続されている。前記混合槽62は前記塗布膜の成分と溶剤とを混合して塗布液を調製するためのものであるが、混合槽62を設置せずに供給路内にて前記塗布液を調整するようにしてもよい。また噴霧ノズル54は例えばフレキシブルな供給路65により、開閉バルブV4を介して前記溶剤槽63に接続されている。この例においては図示しない制御部により流量調整部をなす開閉バルブV1〜V4の開度を制御することによって、成分槽63や溶剤槽64から混合槽62に供給される前記成分の量や前記溶剤の量が調整されると共に、塗布液ノズル5から吐出される塗布液の流量や噴霧ノズル54から噴霧される溶剤の流量が調整される。
【0017】
次にこのような塗布膜形成装置にて実施される本発明方法について説明する。先ずカセットCがカセットステーション21に搬入されると、受け渡しアーム23によりウエハWが取り出される。そしてウエハWは受け渡しアーム23から棚ユニットU2中の受け渡しユニット35を介して主搬送手段25へと受け渡され、塗布ユニット31内に搬入される。塗布ユニット31内に搬入されたウエハWは、ウエハ保持部42にて裏面側を吸着され概ね水平に保持される。一方塗布液の供給系では、開閉バルブV2,開閉バルブV3を所定の開度で開き、混合部62に所定量の塗布膜の成分及び所定量の溶剤を供給して、当該混合部62にて所定濃度の塗布液を調製しておく。
【0018】
そしてウエハWを所定の回転数で回転させる一方、塗布ノズル5をウエハW中心の上方に位置決めし、開閉バルブV1を開いて所定量の塗布液の吐出を開始してウエハWの中心から周縁側へ向かって径方向に徐々に移動させる。このようにすると、ウエハW表面では塗布液が螺旋状の模様を描きながら塗布されることになる。
【0019】
こうして図6及び図7(a)に示すように、塗布ノズル5から所定流量の塗布液を吐出しながらウエハWの中心から周縁側に向かって、例えばウエハWの塗布膜形成領域の周縁から3mm〜5mm程度内側の位置である第1の位置まで移動させ、こうしてウエハWの塗布膜形成領域の第1の領域71について塗布液を塗布する。続いて図6及び図7(b)に示すように、塗布ノズル5から所定流量の塗布液を吐出すると共に、開閉バルブV4を開いて噴霧ノズル54から所定流量の溶剤を噴霧しながらウエハWの塗布膜形成領域の周縁位置まで塗布液ノズル5及び噴霧ノズル54を移動させ、こうして第1の領域の外側の第2の領域72について塗布液を塗布する。
【0020】
このようにするとウエハW表面の前記第2の領域72では、図8に示すように、塗布液ノズル5からウエハW表面上に塗布液が吐出され、当該吐出された塗布液の、塗布液ノズル5の進行方向の前方側に噴霧ノズル54から溶剤74が噴霧される状態で塗布液が塗布されることになり、こうしてウエハW表面に塗布された塗布液では、中央部から前記第1の位置までの前記第1の領域71よりも、前記第1の領域71の外側の第2の領域72の方が前記溶剤が多い状態となる。
【0021】
次いで塗布液の塗布が行われたウエハWは、主搬送手段25にて第1の乾燥手段である減圧乾燥ユニット32へ搬送され、ここで例えば50℃程度にウエハWを加熱すると共に、ウエハWの置かれる雰囲気を例えば13.3Paの減圧雰囲気として、例えば図7(c)に示すように、ウエハW表面に塗布された塗布液の溶剤を揮発させて乾燥させる。この後ウエハWは、主搬送手段25にて第2の乾燥手段である加熱ユニット33へ搬送され、ここで例えば90℃程度に加熱されてさらなる溶剤の揮発を行うプリベイクを行った後、主搬送手段25にて冷却ユニット34へ搬送され、ここで例えば23℃程度に冷却され、これにより図7(d)に示すように所定のポリイミド膜75よりなる塗布膜が形成される。こうして冷却されたウエハWは主搬送手段25により例えばカセットステージ22の元のカセットC内に戻される。
【0022】
上述実施の形態によれば、ウエハWの塗布膜形成領域の周縁側の第2の領域では塗布液の進行方向の前方側に溶剤を噴霧しながら塗布液の塗布を行っていて、当該領域の溶剤量は第1の領域よりも多くなるので、塗布膜の膜厚をウエハ面内に亘って均一にすることができる。つまり既述のように、ウエハWの周縁領域の放熱量はその他の領域よりも大きく、この放熱量に依存してこの周縁領域では塗布膜の溶剤の揮発速度が大きくなるので、この領域の前記溶剤の揮発量は他の領域よりも多くなる。
【0023】
従ってもともとこの第2の領域の前記溶剤量を第1の領域よりも多くし、前記溶剤にて希釈するようにしておけば、前記溶剤が第1の領域よりも多く揮発したとしても、結果として前記溶剤の揮発の程度を第1の領域と揃えられる。このようにウエハW面内において前記溶剤の揮発程度がほぼ同じになるので、ポリイミドの固化速度がウエハ面内においてほぼ揃えられ、この結果ウエハW面内に亘ってほぼ同じ膜厚のポリイミド膜を形成することができる。
【0024】
ここで前記第1の位置や、第2の領域にて噴霧ノズル54から噴霧される前記溶剤の量等は、例えば種々の条件を変えてウエハW上にポリイミド膜を形成してウエハWの塗布膜形成領域の周縁部に盛り上がりが生じるか否かを確認することにより試行錯誤的に決定され、例えば8インチサイズのウエハWに対して10μm程度の厚さのポリイミド膜を形成する場合には、前記第1の位置はウエハWの周縁部から3mm〜5mm程度内側の位置であることがあることが望ましく、第2の領域にて噴霧ノズル54から噴霧されるシンナー液の量は、ウエハWの回転数を15rpmとし、噴霧ノズル54を例えば1.0〜1.2mm/secの速度で進行させる場合、0.05〜0.055ミリリットル程度であることが望ましい。
【0025】
実際に、図3に示す構成の塗布ユニット31にてウエハWの回転数を15rpmとして、塗布ノズル5及び噴霧ノズル54を例えば1.0〜1.2mm/secの速度で進行させ、前記第1の位置をウエハWの周縁部から3mm内側の位置とし、第2の領域にて噴霧ノズル54から噴霧されるシンナー液の量を0.05ミリリットルとして8インチサイズのウエハWに対して10μm程度の厚さのポリイミド膜を形成し、ウエハW面内全体に亘って膜厚を測定して膜厚の均一性を膜厚測定器(ナノスペックM5100)により確認したところ、塗布膜形成領域の周縁領域でのポリイミド膜の盛り上がりは認められず、高い膜厚の均一性を確保できることが確認された。
【0026】
また上述の例においては、第2の領域に対して塗布液ノズル5から前記塗布液を吐出し、噴霧ノズル54から前記溶剤を噴霧しながら塗布液ノズル5及び噴霧ノズル54をウエハWの塗布膜形成領域の周縁領域まで移動させ、次いでこの塗布膜形成領域の周縁領域にて前記噴霧ノズル54を停止させて、この状態で所定時間例えば4〜5秒程度この領域の塗布液上に前記溶剤を噴霧するようにしてもよい。このときウエハWは回転させたままであって、塗布液ノズル5からの塗布液の吐出は停止した状態である。このようにすると、塗布液形成領域の周縁領域には塗布液の形成領域の端面までも十分に前記溶剤を噴霧することができ、これにより当該領域の放熱量が他の領域よりも多くても、前記溶剤の揮発程度が他の領域と揃えられるので、結果としてウエハW上に形成されるポリイミド膜の膜厚の均一性を高めることができる。
【0027】
また上述の例では、前記溶剤は塗布液の進行方向側の前方側に噴霧されるので、この場合には塗布液は予め前記溶剤が噴霧された領域に塗布されることになる。このため前記溶剤により塗布液の接触角が小さくなるので、塗布液が広がりやすい状態となって膜厚が膨らむのを抑えることができ、この点からも塗布膜形成領域の周縁領域での膜の盛り上がりを抑えることができる。
【0028】
さらに第2の領域においてウエハWの回転数を第1の領域での塗布よりも例えば5〜10rpm高くしてもよいし、塗布ノズルの移動速度を速くしてもよい。さらにまた図9に示すように、噴霧ノズル54から噴霧する前記溶剤の量を図8に示す例よりも少ない量に設定するようにしてもよい。
【0029】
さらに本発明では、図10(a)の塗布ノズルの正面図、図10(b)の塗布ノズルの平面図に示すように、噴霧ノズル54の先端位置(吐出孔)を略水平軸まわりに所定の振幅内にて回動自在に設けるようにしてもよい。この例では例えば噴霧ノズル54は、塗布液ノズル5の進行方向側の前方側に隣接するように、例えば長さ方向のほぼ中央位置がノズル支持部52にて支持部81を介して軸支されており、例えば噴霧ノズル54の上部側は常時塗布液ノズル5側に位置するように付勢されるようになっている。
【0030】
また前記ノズル支持部52の内部には、前記噴霧ノズル54の支持部81にて支持された領域よりも上部側を塗布液ノズル5側から押圧する例えばエアシリンダー等よりなる押圧部82が設けられており、この押圧部82にて常時塗布液ノズル5側に上部側が位置するように付勢されている噴霧ノズル54を押圧することにより、前記噴霧ノズル54の吐出孔が所定の振幅で回動(一方向への移動も含むものとする)するように構成されている。
【0031】
このような例では、噴霧ノズル54を回動させることにより噴霧ノズル54の塗布ノズル5に対する角度を変えるようにすれば、塗布液ノズル5からの塗布液の吐出位置の、当該ノズル5の進行方向側の前方の領域において、好ましい領域に自由に前記溶剤を噴霧することができる。また前記溶剤を噴霧させた状態で噴霧ノズル54を回動させるようにすると、前記塗布ノズル5の進行方向側の前方の領域に対して広い面積で前記溶剤を噴霧することができる。このように噴霧ノズル54からの前記溶剤の噴霧をさまざまな形態で行えるようにすると、塗布処理のレシピに応じて前記溶剤の噴霧を行うことができ有効である。
【0032】
以上において本発明では、ウエハWの塗布膜形成領域の第2の領域では、塗布液ノズル5からのウエハ表面への塗布液の吐出位置よりも当該塗布ノズル5の進行方向側の前方側に前記溶剤を噴霧することが揮発面に直接シンナーを噴霧するという観点からは望ましいが、塗布液ノズル5からのウエハ表面への塗布液の吐出位置とほぼ同じ位置に前記溶剤を噴霧するようにしてもよいし、前記塗布液の吐出位置の当該塗布ノズル5の進行方向側の後方側に前記溶剤を噴霧するようにしてもよい。
また噴霧ノズル54は塗布ノズル5とは別個に設け、前記第2の領域において塗布液ノズル5と噴霧ノズル54とを別々に移動させて、ウエハ表面への塗布液の吐出と、前記溶剤の噴霧とを行うようにしてもよい。また前記第2の領域において噴霧ノズル54を塗布膜形成領域の周縁側に位置させたまま移動させずに、当該周縁領域に前記溶剤を噴霧し、この領域を溶剤雰囲気としてもよいし、図10に示すように略水平軸回りに回動自在の噴霧ノズル54を用いて、噴霧ノズル54の位置を変えずに当該噴霧ノズル54を回動させながら前記溶剤を広い範囲で噴霧するようにしてもよい。
【0033】
さらに本発明では、噴霧ノズル54を設けない構成とし、前記第1の領域に塗布液を吐出するときと、前記第2の領域に塗布液を吐出するときとの間で塗布ノズル5の供給系において制御部により開閉バルブV3の開度を調整し、前記第2の領域を塗布するときには、前記開閉バルブV3の開度を大きくするように制御して溶剤槽64からの混合部62への溶剤供給量を多くし、これにより前記第2の領域の前記溶剤量を増やすようにしてもよい。また流量調整部としては、マスフローコントローラを用いるようにしてもよい。さらに本発明は、ポリイミド膜を成分とする塗布膜について実施例を記載したが、粘度の高い塗布液例えばレジスト液の塗布にも適用することができる。
【0034】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基板に螺旋状に塗布液を吐出して塗布膜を形成するにあたり、塗布膜形成領域の周縁領域における膜の盛り上がりを抑え、膜厚の均一性の高い塗布膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る塗布膜形成装置の実施の形態における全体構造を示す平面図である。
【図2】上記の実施の形態における全体構造を示す斜視図である。
【図3】上記の実施の形態において用いられる塗布ユニットを説明するための縦断面図である。
【図4】上記の塗布ユニットを説明するための平面図である。
【図5】上記の塗布ユニットにおいて用いられる塗布ノズルと噴霧ノズルを説明するための側面図である。
【図6】本実施の形態の作用を説明するための特性図である。
【図7】本実施の形態の作用を説明するための工程図である。
【図8】上記の塗布ノズルと噴霧ノズルの作用を説明するための側面図である。
【図9】上記の塗布ノズルと噴霧ノズルの作用を説明するための側面図である。
【図10】塗布ノズルと噴霧ノズルの他の例を示す正面図と平面図である。
【図11】従来の塗布膜形成方法を説明するための平面図である。
【図12】従来の塗布膜形成方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
C カセット
W ウエハ
S1 処理部
U1,U2,U3 棚ユニット
V1,V2,V3 開閉バルブ
21 カセットステーション
25 主搬送手段
31 塗布ユニット
42 ウエハ保持部
43 回転機構
5 塗布ノズル
53 駆動機構
54 噴霧ノズル
61 成分供給路
63 成分槽
64 溶剤槽
65 溶剤供給路
Claims (4)
- 基板を略水平に保持した基板保持部を略鉛直軸まわりに回転させながら、この基板の表面と対向して設けられた塗布ノズルから塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を吐出しつつ当該塗布ノズルを基板の中心から周縁側に向かって移動させ、これにより基板の表面に塗布液を螺旋状に塗布する塗布膜形成方法において、
前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の中心から周縁側に向かって第1の位置まで移動させて塗布膜形成領域の第1の領域を塗布する工程と、
次いで前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の周縁側に向かって移動させて前記第1の領域の外側の基板の周縁領域である第2の領域に塗布すると共に、当該塗布ノズルと共に基板の周縁側に向かって移動する噴霧ノズルから前記塗布膜の溶剤を前記第2の領域に噴霧する工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。 - 塗布ノズル及び噴霧ノズルにより前記第2の領域に夫々塗布液を塗布し、溶剤を噴霧した後、基板を回転させたまま塗布ノズルからの塗布液の吐出を停止した状態で噴霧ノズルから第2の領域の周縁位置の塗布液に前記溶剤を噴霧する工程を行うことを特徴とする請求項1記載の塗布膜形成方法。
- 基板を略水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部を略鉛直軸まわりに回転させる回転機構と、
前記基板の表面と対向して設けられ、基板表面に塗布膜の成分と溶剤とを含む塗布液を吐出するための塗布ノズルと、
前記塗布膜の溶剤を噴霧するための噴霧ノズルと、
前記塗布ノズル及び噴霧ノズルを前記基板の径方向に略水平方向に移動させる移動機構と、を備え、
前記基板保持部を回転させると共に前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の中心から周縁側に向かって第1の位置まで移動させて塗布膜形成領域の第1の領域を螺旋状に塗布し、次いで前記塗布ノズルを塗布液を吐出しながら基板の周縁側に向かって移動させて前記第1の領域の外側の基板の周縁領域である第2の領域に螺旋状に塗布すると共に、当該塗布ノズルと共に噴霧ノズルを基板の外側に向かって移動しながら噴霧ノズルから前記溶剤を前記第2の領域に噴霧することを特徴とする塗布膜形成装置。 - 前記噴霧ノズルは略水平軸回りに所定の振幅で回動自在に構成されることを特徴とする請求項3記載の塗布膜形成装置。
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