JP5325399B2 - 塗膜形成方法 - Google Patents
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Description
高段差とは、配線パターンの段差が30〜400ミクロン、好適には30〜100ミクロンである。また、そのような高段差を有する基板に用いる塗布液としては、フォトレジスト、SOG等であり、その固形分濃度が30〜60重量%、好適には、40〜55重量%のフォトレジストである。
実施例1
400ミクロンの配線パターンの段差が設けられたシリコンウエーハ(基板)にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)溶剤を塗布し、60秒間静止させ、次いで上記溶剤が乾燥する前に、シリコンウエーハ表面にPGMEAを溶剤とする固形分濃度55重量%のフォトレジスト塗布液(製品名:PMER P−CA1000PM(東京応化工業社製))を回転数1000rpmにて回転塗布した後、1300Paの減圧雰囲気下に上記塗布された基板を60秒間処理した。次いで70℃で3分間及び120℃で3分間のプリベーク処理した(1回目の塗布・減圧雰囲気下処理・プリベークの一連の処理)。次いで、同固形分濃度の同フォトレジスト塗布液を用い、1回目の塗布・減圧雰囲気下処理・プリベークの一連の処理と同じ条件で2回目の一連の処理を行った。この後最終的なベークとして150℃で15分間の加熱を行った。
その結果、400ミクロンの段差の埋め込み性は良好で、段差内の発泡・表面荒れもなく基板全体にわたり均一な塗膜が形成されていた。
400ミクロンの配線パターンの段差が設けられたシリコンウエーハ(基板)の表面に172nmの波長の光を出力するUVランプを用いて60秒間のUV照射を行った。次いでシリコンウエーハ表面にPGMEA溶剤を塗布し、更に上記溶剤が乾燥する前に、シリコンウエーハ表面にPGMEAを溶剤とする固形分濃度55重量%のフォトレジスト塗布液(製品名:PMER P−CA1000PM(東京応化工業社製))を回転数500rpmにて回転塗布した後、1300Paの減圧雰囲気下に上記塗布された基板を60秒間処理した。次いで70℃で3分間及び120℃で3分間のプリベーク処理した(1回目の塗布・減圧雰囲気下処理・プリベークの一連の処理)。次いで、同固形分濃度の同フォトレジスト塗布液を用い、1回目の塗布・減圧雰囲気下処理・プリベークの一連の処理と同じ条件で2回目の一連の処理を行った。この後最終的なベークとして150℃で15分間の加熱を行った。
その結果、400ミクロンの段差の埋め込み性は良好で、段差内の発泡・表面荒れもなく基板全体にわたり均一な塗膜が形成されていた。
実施例1において、溶剤塗布を行わなかった以外は同様にして、塗膜を形成した。その結果、400ミクロンの段差の埋め込み性は十分ではなく、段差内の発泡・表面荒れも共に発生していた。
フォトレジスト塗布液の固形分濃度を37%に変え、フォトレジスト塗布前の溶剤塗布および減圧雰囲気下処理を行わず、その他は実施例1と同様にして塗膜を形成した。
その結果、400ミクロンの段差の埋め込み性は十分ではなく、段差内の発泡・表面荒れも共に発生していた。
Claims (4)
- 配線パターンが形成された基板表面に溶剤を塗布する工程と、
前記溶剤が塗布された前記基板表面に固形分濃度30〜60重量%のフォトレジストからなる塗布液を塗布し前記配線パターン間の段差に前記塗布液を充填する工程と、
前記塗布液が塗布された前記基板を減圧雰囲気に置いて、前記配線パターン間の段差内に封じ込められたエア、前記塗布液中に溶存しているガス又はこれらエア及びガスの両方を脱気する工程と、
脱気が終了した前記基板を加熱して前記配線パターン間の段差を塗膜で埋設する工程と
からなり、
前記塗布液を充填する工程は、前記塗布液を複数回に分けて塗布することで前記塗布液を充填することを含み、
前記塗布液を一回塗布する毎に減圧処理及びプリベークを行うものであり、
一回目の前記プリベークの温度を、二回目の前記プリベークの温度よりも低くする
ことを特徴とする塗膜形成方法。 - 配線パターンが形成された基板表面を親水化する工程と、
前記配線パターンが形成された前記基板表面に溶剤を塗布する工程と、
前記溶剤が塗布された前記基板表面に固形分濃度30〜60重量%のフォトレジストからなる塗布液を塗布し前記配線パターン間の段差に前記塗布液を充填する工程と、
前記塗布液が塗布された前記基板を減圧雰囲気に置いて、前記配線パターン間の段差内に封じ込められたエア、前記塗布液中に溶存しているガス又はこれらエア及びガスの両方を脱気する工程と、
脱気が終了した前記基板を加熱して前記配線パターン間の段差を塗膜で埋設する工程と
からなり、
前記塗布液を充填する工程は、前記塗布液を複数回に分けて塗布することで前記塗布液を充填することを含み、
前記塗布液を一回塗布する毎に減圧処理及びプリベークを行うものであり、
一回目の前記プリベークの温度を、二回目の前記プリベークの温度よりも低くする
ことを特徴とする塗膜形成方法。 - 請求項2に記載の塗膜形成方法において、前記基板表面を親水化する手段は基板表面に
紫外線を照射するか、酸素ガスプラズマに曝すことを特徴とする塗膜形成方法。 - 請求項1乃至3の何れかに記載の塗膜形成方法において、前記減圧雰囲気は500〜1
500Paの減圧下で1〜3分間保持する雰囲気であることを特徴とする塗膜形成方法。
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