JP2010225871A - 塗布液の塗布方法、塗膜の形成方法、ならびにそれを利用したパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に、塗布液と希釈液とを含む混合液からなる液溜まりを形成する工程と、前記混合液を前記基板の表面に広げる工程とを有する方法により、基板上に塗布液を塗布することで、塗膜を形成する。あるいは、基板上に希釈液を滴下して、前記基板の全面を前記希釈剤で覆う工程と、前記希釈剤上に塗布液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液が存在する領域を形成する工程と、前記混合液を前記基板の表面に広げる工程とを有する方法により、基板上に塗布液を塗布することで、塗膜を形成する。
【選択図】図1
Description
本実施形態では、基板上に塗布液を塗布した塗膜を形成する。本実施形態によれば、少量の塗布液でも、塗布ムラなく基板に塗膜を形成することができる。
本実施形態では、基板上に、塗布液と希釈液とを含む混合液からなる液溜まり(P0)を形成する(工程(a1))。すなわち、基板上に、塗布液を希釈液で希釈した混合液が表面張力によりpuddle状態になった液溜まり(P0)を形成する。混合液の液溜まり(P0)は、概ね円形にあるように形成されることが好ましい。ただし、例えば、基板上に格子状のパターンが形成されている場合には、格子の影響を受けて丸みを帯びた四角い形状となることもあるが、このような液溜まり(P0)の状態であっても問題ない。
本実施形態では、上記工程(a1)の代わりに、基板上に希釈液を滴下して、基板の全面を希釈剤で覆った(工程(a2−1))後、希釈剤上に塗布液を滴下して、塗布液と希釈液とを含む混合液が存在する領域を形成することもできる(工程(a2−2))。
本実施形態では、工程(a)で得られた混合液を基板の表面に広げる(工程(b))。工程(b)により、基板の表面に、塗布液と希釈液の混合液が塗布される。なお、工程(a)の後に工程(b)を行うことが好ましいが、工程(a)の途中で、工程(b)を開始してもよい。
本実施形態では、さらに、基板を乾燥することができる(工程(c))。こうすることで、基板の表面の混合液から希釈液が除去され、基板の表面には、塗布液による塗膜が形成される。具体的には、塗布液としてレジスト溶液を用いた場合は、基板上にレジスト層が形成され、塗布液として反射防止膜溶液または液浸用トップコート溶液を用いた場合は、基板上に反射防止膜または液浸用トップコート層が形成され、塗布液としてシュリンク剤溶液を用いた場合は、基板上にシュリンク剤層が形成される。
本実施形態では、工程(c)より前に、基板を回転させることで、基板の表面に広げられた混合液の濃度を均一化するとともに、形成される塗膜の厚さを調整することができる(工程(d))。こうすることで、所望の膜厚で均一な塗膜を基板の表面に形成することができる。
本実施形態では、前述の塗膜の形成方法を利用して、基板上に所望のパターンを形成する。本実施形態によれば、微細なパターンが基板全面に均一に形成することができ、その際に使用する塗布液の量を減らすことができる。
基板上に、前述の塗膜の形成方法によりレジスト層を形成する。その後、そのレジスト層を露光および現像処理することで、レジストパターンを形成することができる。
基板上に、前述の塗膜の形成方法により反射防止膜または液浸用トップコート層を形成する。その前後で、基板上には、一般的な手法または前述の塗膜の形成方法によりレジスト層を形成する。その後、そのレジスト層を露光および現像処理することで、レジストパターンを形成することができる。なお、必要に応じて、液浸トップコート層を焼き固めるためのベーク処理や、液浸水滴を洗い流す処理を行うことができる。
まず、基板上に、レジストパターンを形成する。レジストパターンの形成方法は、一般的な手法でもよく、上記(1)または(2)の手法でもよい。次いで、レジストパターンが形成された基板上に、前述の塗膜の形成方法によりシュリンク剤層を形成する。その後シュリンク剤層をベークおよびリンス処理して、レジストパターンを縮小化する。こうすることで、微細なパターンを形成することができる。
本実施形態では、前述のパターンの形成方法で形成されたパターンをマスクとして、半導体基板にパターンを形成することで半導体装置を製造する。こうすることで、高性能の半導体装置を得ることができる。
実施例1では、図1に示す実施形態により、300mmウエハ上に、AZエレクトロニックマテリアルズ社製のRELACS薬液(商品名:AZ R602)(以下、「R602」と称する)を塗布した。図4は、実施例1における基板の回転数と各液体の滴下量の経時変化を示すチャートである。
実施例1では、図2に示す実施形態により、300mmウエハ上に、AZエレクトロニックマテリアルズ社製のRELACS薬液(商品名:AZ R200)(以下、「R200」と称する)を塗布した。図5は、実施例2における基板の回転数と各液体の滴下量の経時変化を示すチャートである。
102 塗布液
103 基板
104 塗布液供給ノズル
105 希釈液供給ノズル
106 回転ステージ
107 低濃度混合液
108 高濃度混合液
109 塗膜
201 希釈液
202 塗布液
203 基板
204 塗布液供給ノズル
205 希釈液供給ノズル
206 回転ステージ
207 低濃度混合液
208 高濃度混合液
209 塗膜
301 シュリンク剤層
302 レジストパターン
303 基板
304 パターン縮小化層
305 熱
Claims (24)
- 基板上に塗布液を塗布する方法であって、
(a1)前記基板上に、前記塗布液と希釈液とを含む混合液からなる液溜まり(P0)を形成する工程と、
(b)前記混合液を前記基板の表面に広げる工程と
を有することを特徴とする塗布液の塗布方法。 - 前記工程(a1)が、
(a1−11)前記基板上に前記希釈液を滴下して、前記希釈液からなる液溜まり(P1)を形成する工程と、
(a1−12)前記液溜まり(P1)上に前記塗布液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液からなる液溜まり(P0)を形成する工程と
を有する請求項1に記載の塗布液の塗布方法。 - 前記工程(a1)が、
(a1−21)前記基板上に前記塗布液を滴下して、前記塗布液からなる液溜まり(P2)を形成する工程と、
(a1−22)前記液溜まり(P2)上に前記希釈液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液からなる液溜まり(P0)を形成する工程と
を有する請求項1に記載の塗布液の塗布方法。 - 前記工程(a1)が、
(a1−31)前記基板上に前記希釈液の一部を滴下して、前記希釈液の一部からなる液溜まり(P31)を形成する工程と、
(a1−32)前記液溜まり(P31)上に前記塗布液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液の一部とを含む液溜まり(P32)を形成する工程と
(a1−33)前記液溜まり(P32)上に前記希釈液の残りを滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液からなる液溜まり(P0)を形成する工程と
を有する請求項1に記載の塗布液の塗布方法。 - 前記工程(a1)が、
(a1−4)前記基板上に、前記塗布液と前記希釈剤とを同時に滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液からなる液溜まり(P0)を形成する工程
である請求項1に記載の塗布液の塗布方法。 - 前記工程(a1)が、
(a1−51)前記塗布液と前記希釈剤とを含む混合液を調製する工程と、
(a1−52)前記基板上に前記混合液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液からなる液溜まり(P0)を形成する工程と
を有する請求項1に記載の塗布液の塗布方法。 - 基板上に塗布液を塗布する方法であって、
(a2−1)前記基板上に希釈液を滴下して、前記基板の全面を前記希釈剤で覆う工程と、
(a2−2)前記希釈剤上に前記塗布液を滴下して、前記塗布液と前記希釈液とを含む混合液が存在する領域を形成する工程と、
(b)前記混合液を前記基板の表面に広げる工程と
を有することを特徴とする塗布液の塗布方法。 - 前記工程(b)において、前記基板を回転させる請求項1〜7のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
- (c)前記基板を乾燥する工程
をさらに有する請求項1〜8のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。 - 前記工程(c)において、前記基板を回転させる請求項9に記載の塗布液の塗布方法。
- 前記工程(c)より前に、
(d)前記工程(c)より遅い回転速度で前記基板を回転させて、前記基板の表面に広げられた混合液の濃度を均一化するとともに、形成される塗膜の厚さを調整する工程
をさらに有する請求項10に記載の塗布液の塗布方法。 - 前記基板上にパターン段差が形成されている請求項1〜11のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
- 前記塗布液が、レジスト溶液、反射防止膜溶液、液浸用トップコート溶液、水溶性ポリマー溶液、永久樹脂溶液、埋設溶液、および塗布平坦化材料溶液のいずれかである請求項1〜12のいずれかに記載の塗布液の塗布方法。
- 前記塗布液がレジスト溶液であり、前記希釈剤が非水溶性有機溶媒である請求項13に記載の塗布液の塗布方法。
- 前記塗布液が反射防止膜溶液または液浸用トップコート溶液であり、前記希釈剤が水もしくはアルコールまたはその混合溶媒である請求項13に記載の塗布液の塗布方法。
- 前記塗布液がシュリンク剤溶液であり、前記希釈剤が水もしくはアルコールまたはその混合溶媒である請求項13に記載の塗布液の塗布方法。
- 請求項1〜13のいずれかに記載の塗布液の塗布方法により、基板上に塗布液の塗膜を形成することを特徴とする塗膜の形成方法。
- 請求項14に記載の塗布液の塗布方法により、基板上にレジスト層を形成することを特徴とする塗膜の形成方法。
- 請求項15に記載の塗布液の塗布方法により、基板上に反射防止膜または液浸用トップコート層を形成することを特徴とする塗膜の形成方法。
- 請求項16に記載の塗布液の塗布方法により、基板上にシュリンク剤層を形成することを特徴とする塗膜の形成方法。
- 基板上に、請求項18に記載の塗膜の形成方法により、レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を露光および現像処理して、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターンの形成方法。 - 基板上にレジスト層を形成する工程と、
その前または後に、
請求項19に記載の塗膜の形成方法により、前記基板上に前記反射防止膜または液浸用トップコート層を形成する工程と、
前記レジスト層を露光および現像処理して、レジストパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするパターンの形成方法。 - 基板上にレジストパターンを形成する工程と、
請求項20に記載の塗膜の形成方法により、前記基板上に前記シュリンク剤層を形成する工程と、
前記シュリンク剤層をベークおよびリンス処理して、前記レジストパターンを縮小化する工程と
を有することを特徴とするパターンの形成方法。 - 請求項21〜23のいずれかに記載のパターンの形成方法により形成されたパターンをマスクとして、半導体基板にパターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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