JP2021518658A - レジストフィルムの厚さを調整するためのシステム及び方法 - Google Patents

Abstract

本明細書における技法は、分配されたレジスト又は溶媒の膜厚を調整する方法を含む。本明細書における技法は、基板の回転速度、フォトレジストの粘度、フォトレジスト中の固形物の量、及び溶媒の蒸発速度を分配モジュールからリアルタイムで操作することにより、レジスト膜の最終的な厚さを制御することを含む。これは、基板上に堆積させる直前に、高濃度のフォトレジストを希釈液と分配ノズルの近くで混合することを含む。所望の厚さのフィルムが得られるようなフォトレジストの濃度又は粘度が得られるように、希釈液の添加量が計算され得る。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、２０１８年３月１９日に出願された「Ｓｙｓｔｅｍ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｔｕｎｉｎｇ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ ｏｆ Ｒｅｓｉｓｔ Ｆｉｌｍｓ」と題する米国仮特許出願第６２／６４５，１１３号明細書の利益を主張するものであり、この米国仮特許出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。

本開示は、半導体の製造に関し、具体的には、基板上への材料の分配に関する。

半導体の製造には、基板上への液体の堆積などのいくつかの処理ステップが含まれる。これらの処理ステップとしては、中でも、ウェハへの塗布、潜像パターンの現像、ウェハ上の材料のエッチング、及びウェハの洗浄／リンスが挙げられる。

通常の加工プロセスでは、フォトレジストなどの感光性材料の薄層が基板の作業面すなわち上面上に塗布される。このフォトレジスト層は、その後、フォトリソグラフィによりパターニングされて、フォトレジスト中に潜像パターンを画定する。この潜像パターンは、パターンを下にある層に転写するためのエッチングマスクとなる。感光性材料のパターニングは、一般に、基板の作業面に感光性材料の薄膜を塗布することと、例えばマイクロリソグラフィシステムを使用して、感光性材料の薄膜をレチクル（及び関連する光学系）を通して照射源に露光させることとを含み、その後に現像プロセスが続き、現像プロセス中に、現像液溶媒を使用して、感光性材料の照射領域（使用されるフォトレジストの型及び現像液の型によっては非照射領域）の除去が行われる。

コーティングプロセス中、基板は基板ホルダ上に配置され、基板の上面にレジスト溶液が分配される間に、基板が高速で、すなわち毎分数千から数万回転（ｒｐｍ）で回転される。レジスト溶液が基板の中心に分配されると、基板の回転によってかかる遠心力に起因して、レジスト溶液は、基板面内を半径方向に広がる。ウェットエッチングプロセス及び洗浄プロセスが同様に行われる。現像プロセスでは、溶媒現像液は、高速で回転する基板上に堆積される。溶媒現像液は、フォトレジストの可溶性部分を溶解し、これにより現像液及び溶解したフォトレジストが遠心力により基板にわたって半径方向に除去される。ウェットエッチングプロセス、洗浄プロセス、及びリンスプロセスは、回転するウェハ上に液体が堆積され、遠心力によって除去されて、特定の材料又は残留物が除去又は洗浄されるという点で現像プロセスと同様に行われる。

半導体基板上へのフォトレジストの堆積（塗布）及び現像液の分配（現像）は、完成したチップを作成するための半導体の製造における日常的なプロセスである。フォトレジストフィルムは、一般に、トラックツールとして半導体業界で知られている塗布現像ツールを使用してウェハ又は基板に加えられる。塗布現像ツールは、環境制御されたエンクロージャ内及び様々なモジュールの間で基板を管理する。いくつかのモジュールは分配に、他のモジュールはベーキングに、他のモジュールは現像に使用され得る。分配モジュールは、ノズルからウェハ上にレジストを分配又は噴霧し、ウェハを回転させて、分配されたレジストをウェハに塗布するために使用され得る。ウェハ上に堆積された所与のフォトレジストフィルムの最終的な厚さは、基板の回転速度、分配されたフォトレジストの粘度、分配されたフォトレジスト中の固形物の量、溶媒の蒸発速度、及び初期のフィルムの高さに関係し得る。分配と同様の技法を現像において使用して、回転しているウェハ上に現像用化学物質がノズルを介して分配される。次いで、可溶性材料が現像液に溶解又は取り込まれて、ウェハがエンクロージャ又はモジュール内で回転すると、ウェハから落とされる。

本明細書における技法は、分配されたレジストの膜厚を調整する方法及びシステムを含む。これは、回転速度、フォトレジストの粘度、固形物含有レジストの量、溶媒の蒸発速度、及び初期のフィルムの高さを制御することにより、結果として得られるフォトレジストのいかなる膜厚を制御することを含む。これらのパラメータは、制御盤を介してリアルタイムで制御される。本明細書におけるシステムは、リアルタイムフィードバックをシステムのユーザに提供でき、自動化されたプロセスを提供できる。フィードバックは、分配作業パラメータをリアルタイムで調整するために、及び／又は最終的な膜厚を予測するために使用され得る。加えて、方法は、所望の膜厚の入力を受け取ることを含むことができ、分配されたフォトレジストは、所望の膜厚をもたらすように希釈液と混合され得る。方法は、トラックツールで分配作業の直前に現像液又はフォトレジストの希釈を調整することを含み得る。

当然のことながら、本明細書で説明される異なるステップの議論の順序は、明確にするために提示される。一般に、これらのステップは、任意の適切な順序で実行できる。加えて、本明細書における異なる特徴、技法、構成などのそれぞれは、本開示の異なる箇所で議論され得るが、概念のそれぞれは、互いに独立して又は互いと組み合わせて実行され得ることが意図されている。したがって、本発明は、多くの異なる方法で具現化及び検討することができる。

この概要のセクションは、本開示又は特許請求の範囲に記載の本発明のすべての実施形態及び／又は漸増的に新規な態様を指定するものではないことに留意されたい。代わりに、この概要は、異なる実施形態及び従来の技法に対する新規性の対応する点の予備的な議論のみを提供する。本発明及び実施形態の更なる詳細及び／又は可能性のある観点については、読者は、以下で更に議論される本開示の発明を実施するための形態のセクション及び対応する図を参照されたい。

添付図面と併せて検討される以下の詳細な説明を参照することにより、本発明の様々な実施形態のより詳細な理解及びそれらに付随する利点の多くが容易に明らかになるはずである。図面は、縮尺が必ずしも正確ではなく、むしろ特徴、原理、及び概念を図解することに重点が置かれている。

本明細書における実施形態による例示的な分配システムの概略断面図である。

本明細書における技法は、分配されたレジストの膜厚を調整する方法及びシステムを含む。本明細書における技法は、基板の回転速度、フォトレジストの粘度、フォトレジスト中の固形物の量、及び溶媒の蒸発速度を分配モジュールからリアルタイムで操作することにより、レジスト膜の最終的な厚さを制御することを含む。これは、基板上に堆積させる直前に、高濃度のフォトレジストを希釈液と分配ノズルの近くで混合することを含む。

所与のフォトレジストは、一般に、溶媒中に希釈された、又は溶媒で希釈された含有レジスト固形物を含む。多様なフォトレジストを様々な希釈率で所与の化学物質供給業者から購入できる。このフォトレジストは、溶媒中のフォトレジスト固形物の濃度がより高いものから始めて、本明細書に記載の技法を用いて、任意の濃度のフォトレジストまでリアルタイムで希釈され得る。より多くの溶媒又は他の希釈液がフォトレジストに添加されると、粘度が低下してフィルムの最終的な厚さが変化する。フォトレジストの固有の性質により、フォトレジストの完全性を損なうことなくフォトレジストを希釈するには、特定の溶媒だけがフォトレジストに混合され得る。フォトレジストの希釈に使用できる溶媒は、一般に、固形レジストを保管している溶媒と同じであるが、これに限定されない。単一の溶媒の代わりに溶媒の混合物を添加することもできる。異なる溶媒の量を制御して、フォトレジストの粘度及び蒸発速度を変更して、最終的な厚さを変えることができる。最終的な厚さは、フォトレジストに希釈される複数の溶媒をリアルタイムで操作することにより、最終的なフォトレジスト混合物の粘度に基づいてリアルタイムで微調整され得る。

本明細書における技法で使用され得る多くの溶媒がある。例示的な溶媒として挙げられるのは、ＧＢＬ（γ−ブチロラクトン）、ＰＧＭＥ（プロピレングリコールメチルエーテル）、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールメチルエーテルアセテート）、シクロヘキサノン、アセトン、メタノール、２−プロパノール（ＩＰＡ）、酢酸ｎ−ブチル、ＭｉＢＫ（メチルイソブチルケトン）、及びＮＭである。

本明細書における技法は、フォトレジストの分配と同様に現像液の分配に適用され得る。現像液は、溶媒を含み、場合によっては含有化学物質を含む。同じ又は異なる溶媒タンクは、本明細書におけるフォトレジスト溶媒のタンク又はチャンバと同じチャンバ又は別々のチャンバ内で混合され得る。より弱い溶媒を添加すると現像力が低下するのと同じように、現像液に強力な溶媒を添加すると、現像力が増加する。現像液をリアルタイムで調整することは、一度に１つのツールで現像液の複数回の希釈を使用できるようにし、リアルタイムの更新をツールのユーザに提供できる。

追加のレジスト要件なしで同じ現像塗布システムで同じレジストを複数回希釈できる。これにより、ツール内のスペースが広がり、１つのツールで使用できるレジスト及び希釈の数がより柔軟になる。１台のマシンに投入された同じレジストを複数回希釈する代わりに、複数のレジストがリアルタイムで濃度調整されてもよい。

一実施形態は、基板上にフォトレジストを堆積させる方法を含む。本方法は、基板上に堆積される指定膜厚を特定することを含み得る。これは、基本的に、所与の基板スタックに必要な膜厚の垂直方向の高さであり得る。フォトレジスト液の供給がアクセスされる。フォトレジスト液は、溶媒中に初期濃度のフォトレジスト固形物を有する。この初期濃度は、濃度が高い、又は比較的厚い若しくは固形分濃度が高い所与のフォトレジストフィルムの上限濃度を超える場合がある。次いで、希釈液の供給がアクセスされる。希釈液は、分配ノズルに近接する混合チャンバ内でフォトレジスト液と混合されて、フォトレジスト固形物の結果として得られる濃度がフォトレジスト固形物の初期濃度未満である希釈フォトレジスト液が得られる。２つの流体は、基本的に、分配ノズル又は分配チャンバの近くで混合され、分配される直前に混合され得る。次いで、希釈フォトレジスト液は、基板の回転中に分配ノズルを介して基板の作業面上に分配される。

本明細書における方法は、分配された希釈フォトレジストが指定膜厚を有するフォトレジストフィルムを形成するように、フォトレジスト液と混合する希釈液の量を計算することを含み得る。換言すれば、濃縮されたフォトレジストに所望の膜厚となるのに足りる溶媒又は十分な溶媒を加える。基板の回転速度は、指定膜厚を有する堆積されたフォトレジストフィルムを得るように調整され得る。最終的な膜厚は、フォトレジストの厚さと基板の回転速度との両方に関係し得るため、両方を制御して所望の厚さが得られる。希釈液の添加量は、以前のフィルム堆積からの膜厚測定及び希釈量に基づく。

希釈液の添加量は、基板にわたるフォトレジストフィルムの進行のリアルタイムフィードバックに基づき得る。例えば、フォトレジストフィルムの進行のリアルタイムフィードバックは、基板の面のストロボ画像を分析することにより取得され得る。

希釈液をフォトレジスト液と混合することは、希釈フォトレジスト液を基板上に分配するときに行われ得る。例えば、流体は、分配の直前、分配の数秒前、又は更には分配の数分前に混合され得る。方法は、基板の作業面の物理的特性を特定することを含むことができ、これによりフォトレジスト液に添加される希釈液の添加量は、基板の作業面の物理的特性に基づく。例えば、所与の反射防止コーティング又はナノ構造パターンからの基板の粗さが使用され得る。

方法は、希釈フォトレジストが所定の濃度のフォトレジスト固形物を有するように、フォトレジスト液と混合する希釈液の量を計算することを含み得る。希釈液は、フォトレジスト液入口と希釈液入口とを有する混合モジュール内でフォトレジスト液と混合され得る。フォトレジスト液に添加される希釈液の量は、所定の値を超える測定された粘度を有する希釈フォトレジスト液を特定したことに応じて増やされ得る。粘度は、ノズル又は基板の表面で測定され得る。フォトレジスト液に添加される希釈液の量は、所定のフィルムの進行速度未満である、基板の作業面にわたる進行速度を有する希釈フォトレジスト液を特定したことに応じて増やされ得る。これは、ストロボスコープシステムを使用して特定され得る。指定膜厚を特定することは、基板上に堆積される特定の膜厚を示すユーザ入力を受け取ることを含み得る。

他の方法は、基板にわたる進行の際に希釈フォトレジスト液からの溶媒の蒸発速度を監視することを含み得る。所定の閾値を超える蒸発速度を特定したことに応じて、フォトレジスト液に添加される希釈液の量が調整され得る。希釈フォトレジスト液からの溶媒の蒸発速度は、基板にわたる進行の際に監視され得る。所定の閾値を超える蒸発速度を特定したことに応じて、基板の回転速度が調整され得る。

別の実施形態では、フォトレジスト液の供給がアクセスされる。フォトレジスト液は、初期粘度を有する。希釈液の供給がアクセスされる、又は受け取られる。希釈液は、分配ノズルに近接する混合チャンバ内でフォトレジスト液と混合されて、結果として得られる粘度が初期粘度未満である希釈フォトレジスト液が得られる。希釈フォトレジストは、基板の回転中に分配ノズルを介して基板の作業面上に分配される。

別の実施形態が、基板上に現像液を分配する方法を含む。現像されるフォトレジストフィルムが提供、又は受け取られる。フォトレジストフィルムは、基板の作業面上にある、又は堆積されている。基板上に分配される指定された濃度の現像液が特定される。現像液の供給がアクセスされる。現像液は、初期現像液濃度を有する。希釈液は、分配ノズルに近接する混合チャンバ内で現像液と混合されて、結果として得られる濃度が初期濃度未満である希釈現像液が得られる。希釈現像液は、基板の回転中に分配ノズルを介してフォトレジストフィルム上に分配される。

本方法は、フォトレジストフィルムの膜厚に基づいて、現像液と混合する希釈液の量を計算することを含み得る。基板の回転速度は、現像液に添加される希釈液の量に基づいて調整され得る。基板からの溶媒の蒸発速度は、フォトレジストフィルムの現像中に監視され得る。所定の閾値を超える蒸発速度を特定したことに応じて、フォトレジスト液に添加される希釈液の量が調整され得る。

理解されるように、膜厚の調整に加えて、本明細書における技法は、他の方法及び材料を可能にするだけでなく、多くの更なる利点を提供する。例えば、分配ポイントにおける混合は、事前混合又は事前希釈されたレジストの保管寿命の問題を軽減する。利点としては、ショットサイズの縮小、ｐＨショックの軽減、現像液の欠陥の改善、塗布機の欠陥の改善、ソースマスクレジストのパターニングの最適化、及び最終的なレジストの消費量の削減などが挙げられる。本明細書における混合は、光酸発生剤（ＰＡＧ）又は光破壊塩基（ＰＤＢ）の濃度又は投入レベルを調整することを含み得る。

本明細書における別の実施形態は、半導体ウェハ上にエポキシ材料を分配することである。エポキシ製品は、硬化エポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂の従来の用途は、接着剤、コーティング、及び複合樹脂である。このような用途では、エポキシ樹脂が硬化剤と混合される。混合後、硬化するまでに混合物が液体のままである時間には制限がある。この時間制限は、所与のエポキシ樹脂及び選択した硬化剤によって異なる。硬化は、５分のうちに始まる場合もあれば、最大９０分以上かかる場合もある。理解されるように、そのような混合物は、製造業者が混合して出荷して後で使用するために保管することはできない。フォトレジスト混合物の長期保管は、一般に、欠陥率の増加をもたらすが、混合エポキシ樹脂の長期保管は、一般に、混合物が３０〜１２０分後には完全に使用できないことを意味する。しかしながら、本明細書における方法では、エポキシ樹脂と硬化剤とを堆積のポイントで混合できるため、エポキシ樹脂を半導体ウェハ上に堆積できる。

従来の塗布現像ツールは、硬化を加速するためにベークモジュールを使用して、１時間あたり数百のウェハに塗布し得る。このことは、所与のエポキシ樹脂と硬化剤とは、分配ノズルの近くで混合され、硬化によって連続する塗布が阻止される前に、多くのウェハ上に塗布され得ることを意味する。堆積の源において混合するため、塗布は一時停止することなく続行され得る。所与のエポキシが所与の硬化剤と混合されるため、この混合物は分配されて、エポキシ樹脂を更に混合する余地を作る。換言すれば、最近混合された樹脂が、新しく混合された樹脂によって分配システムから押し出される。これにより、基板上での堆積のためにエポキシ樹脂を長期間使用できる。所与のエポキシ樹脂の特性に応じて必要とされる場合、対応する分配システムは、所与の間隔でエポキシ混合物を取り除いて、混合及び分配導管内でのエポキシ樹脂の蓄積を防止できる。基板上にエポキシ塗布を分配できることにより、より多くの製造オプション及び材料がもたらされる。例えば、エポキシ材料は、所与の集積又はパッケージングフローに含めるための機械的、熱的、又は化学的特性を提供できる。所与のエポキシは、他の材料とは異なるエッチング耐性を有して、より多くのエッチングオプションを可能にし得る。

一例示的実施形態は、塗布現像ツールを使用することなどにより基板上にエポキシ素材を堆積させる方法を含む。トラックツールの塗布モジュール内のチャック上にウェハを置くことなどにより処理される半導体ウェハがアクセスされる。エポキシ樹脂流体の供給は、第１の流体送達導管及びポンプアセンブリを使用することなどによりアクセスされる。エポキシ樹脂硬化剤（硬化剤又は架橋剤）の供給は、第２の送達導管を使用してアクセスされる。これらの別個の送達導管は、分配ノズルに近接して配置された混合チャンバにおいて合流する。次いで、所定量のエポキシ樹脂硬化剤が混合チャンバ内でエポキシ樹脂流体と混合されて、混合エポキシ樹脂流体が得られる。次いで、この混合エポキシ樹脂流体は、基板の回転中に分配ノズルを介して半導体基板の作業面上に分配される。分配及びスピンコートで完全に被覆した後、エポキシ樹脂フィルムが硬化を完了し（ベーキングの有無を問わない）、その後の製造ステップを続行できる。

エポキシ樹脂及び硬化剤自体は従来から知られているため、硬化剤としての所与の用途には、様々なアミン、酸、フェノール、アルコール、チオール、及び他の化学物質が選択され得る。同様に、所望の特性に応じて、エポキシ樹脂として使用するために選択できる様々なポリマーがある。

次に図１を参照すると、本明細書で説明される方法を実行するための例示的な装置を示す概略断面図が示されている。システム１００は、基板１０５上に液体を分配するためのシステムである。基板ホルダ１２２は、基板１０５を保持し、且つ軸の周りで基板１０５を回転させるように構成される。モータ１２３を使用して、基板ホルダ１２２を選択可能な回転速度で回転させることができる。基板１０５が基板ホルダ１２２によって回転されている間、分配ユニット１１８−Ａ及び１１８−Ｂが、基板１０５の作業面上に液体を分配するように構成される。分配ユニット１１８−Ａ及び１１８−Ｂは、基板ホルダの直上に配置することができるか又は別の場所に配置することができる。基板ホルダから離れて配置される場合、導管１１２−Ａ及び１１２−Ｂを使用して流体を混合チャンバ１１４に送達することができる。混合流体は、ノズル１１１を通って出ることができる。図１は、混合流体１１７（希釈液）が基板１０５の作業面上に分配されていることを示す。次いで、所与の分配作業中、基板１０５から振り落とされる過度の混合流体１１７を捕捉又は収集するために収集システム１２７が使用され得る。

分配構成要素は、ノズルアーム１１３及び支持部材１１５を含むことができ、これを使用して、基板１０５にわたってノズル１１１の位置を移動させるか、又は分配作業の完了時点での休止などのために、基板ホルダ１２２から離して静止位置に移動させることができる。分配ユニット１１８−Ａ及び１１８−Ｂは、システムコントローラ１６０と連通する１つ以上のバルブを有することができる。画像取込みデバイス１３０は、単一のカメラ又は複数のカメラを含むことができる。ストロボスコープ１４０を使用して、基板にわたる液体の進行をより良く見るために基板が低速で移動しているか又は静止しているように見えるようにすることができる。プロセッサ１５０は、分析のために取り込んだ画像を収集し、データ及び／又は命令をシステムコントローラ１６０に送信できる。

分配ユニット１１８−Ａ及び１１８−Ｂは、基板上への選択可能な体積の流体の分配を制御するように構成された様々な実施形態を有することができる。例えば、分配ユニット１１８−Ａはフォトレジストの供給にアクセスできる。このようなフォトレジストの供給は、濃縮形態の所与のフォトレジストであり得る。分配ユニット１１８−Ｂは、所与のフォトレジストの希釈に使用できる特定の溶媒の供給にアクセスできる。分配ユニット１１８−Ａは、特定の量のフォトレジストを混合チャンバ１１４に送達でき、分配ユニット１１８−Ｂは、特定の量の対応する溶媒を混合チャンバ１１４に送達できる。次いで、フォトレジスト及び溶媒が混合チャンバ１１４内で混合されて、希釈された流体が得られて、基板１０５上に堆積される。希釈された流体は、特定の速度で回転させたときに所望の膜厚をもたらす特定の粘度及び／又は濃度を有し得る。このようにして、分配時にレジストフィルムの厚さが調整され得る。

前述の説明では、処理システムの特定の形状及びそこで使用される様々な構成要素及びプロセスの説明など、特定の詳細を説明してきた。しかしながら、本明細書における技法は、これらの特定の詳細から逸脱する他の実施形態で実施することができ、そのような詳細は、説明のためのものであり、限定のためのものではないことを理解されたい。本明細書で開示される実施形態が添付の図面を参照して説明されてきた。同様に、説明の目的のため、詳細な理解を提供するために特定の番号、材料、及び構成が示されてきた。それにもかかわらず、そのような特定の詳細なしで実施形態を実施することができる。実質的に同じ機能的構成を有する構成要素は、同様の参照記号によって示され、したがって、いかなる冗長な説明も省略される場合がある。

様々な実施形態の理解を支援するために、様々な技法が複数の個別の動作として説明されてきた。説明の順序は、これらの動作が必ず順序に依存することを意味すると解釈されるべきではない。実際に、これらの動作は、表示の順序で実行される必要はない。説明された動作は、説明された実施形態と異なる順序で実行され得る。追加の実施形態では、様々な追加の動作を実行することができ、且つ／又は説明した動作を省略することができる。

本明細書で使用される「基板」又は「ターゲット基板」は、本発明に従って処理される物体を総称して指す。基板は、デバイス、特に半導体又は他の電子デバイスの任意の材料部分又は構造を含み得、例えば半導体ウェハ、レチクルなどのベース基板構造又は薄膜などのベース基板構造上の若しくはそれに重なる層であり得る。したがって、基板は、いかなる特定のベース構造、下層又は上層、パターン付き又はパターンなしにも限定されず、むしろ任意のそのような層若しくはベース構造並びに層及び／又はベース構造の任意の組み合わせを含むと企図されている。説明では、特定の種類の基板を参照している場合があるが、これは、説明のみを目的とするものである。

また、当業者であれば、本発明の同じ目的を達成しながらも、上記で説明した技法の動作に対してなされる多くの変形形態が存在し得ることを理解するであろう。そのような変形形態は、本開示の範囲に包含されることが意図される。したがって、本発明の実施形態の前述の説明は、限定することを意図したものではない。むしろ、本発明の実施形態に対する任意の限定は、以下の特許請求の範囲に提示される。

Claims (20)

1. 基板上にフォトレジストを堆積させる方法であって、前記方法が、
   基板上に堆積されるフォトレジストの指定膜厚を特定することと、
   フォトレジスト液の供給にアクセスすることであって、前記フォトレジスト液が、溶媒中に初期濃度のフォトレジスト固形物を有する、ことと、
   希釈液の供給にアクセスすることと、
   分配ノズルに近接して配置された混合チャンバ内で、所定量の前記希釈液を前記フォトレジスト液と混合することであって、フォトレジスト固形物の結果として得られる濃度がフォトレジスト固形物の前記初期濃度未満である希釈フォトレジスト液が得られる、ことと、
   前記基板の回転中に前記分配ノズルを介して前記希釈フォトレジスト液を前記基板の作業面上に分配することと
   を含む、方法。
2. 分配された前記希釈フォトレジスト液が、前記指定膜厚を有するフォトレジストフィルムを形成するように、前記フォトレジスト液と混合する前記希釈液の前記所定量を計算することを更に含む、請求項１に記載の方法。
3. 前記基板上に分配された前記希釈フォトレジスト液が、前記指定膜厚を有する前記フォトレジストフィルムを形成するように、前記基板の回転速度を調整することを更に含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記所定量の前記希釈液を前記フォトレジスト液と混合することが、前記希釈フォトレジスト液を前記基板上に分配するときに行われる、請求項２に記載の方法。
5. 前記所定量の前記希釈液を前記フォトレジスト液と混合することが、前記指定膜厚を有する堆積されたフォトレジストフィルムを得るのに十分な量の希釈液を添加する、請求項１に記載の方法。
6. 前記所定量の前記希釈液が、以前の膜堆積からの膜厚測定及び希釈量に基づく、請求項５に記載の方法。
7. 前記所定量の前記希釈液が、前記基板にわたるフォトレジストフィルムの進行のリアルタイムフィードバックに部分的に基づく、請求項５に記載の方法。
8. フォトレジストフィルムの進行の前記リアルタイムフィードバックが、前記基板の前記作業面のストロボ画像の分析によって得られる、請求項７に記載の方法。
9. 前記基板の前記作業面の物理的特性を特定することであって、前記フォトレジスト液に添加される前記所定量の前記希釈液が、前記基板の前記作業面の前記物理的特性に基づく、ことを更に含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記希釈フォトレジスト液が所定濃度のフォトレジスト固形物を有するように、前記所定量の前記希釈液を計算することを更に含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記所定量の前記希釈液が、フォトレジスト液入口と希釈液入口とを有する混合モジュール内で前記フォトレジスト液と混合される、請求項１に記載の方法。
12. 所定の値を超える測定された粘度を有する前記希釈フォトレジスト液を特定したことに応じて、前記フォトレジスト液に添加される希釈液の量を増やすことを更に含む、請求項１に記載の方法。
13. 所定のフィルムの進行速度未満である前記基板の前記作業面にわたる進行速度を有する前記希釈フォトレジスト液を特定したことに応じて、前記フォトレジスト液に添加される希釈液の量を増やすこと
    を更に含む、請求項１に記載の方法。
14. 前記指定膜厚を特定することが、前記基板上に堆積される前記指定膜厚を示すユーザ入力を受け取ることを含む、請求項１に記載の方法。
15. 前記基板にわたる進行の際に前記希釈フォトレジスト液からの溶媒の蒸発速度を監視することと、
    蒸発速度の所定の閾値を超える蒸発速度を特定したことに応じて、前記フォトレジスト液に添加される希釈液の量を調整することと
    を更に含む、請求項１に記載の方法。
16. 前記基板にわたる進行の際に前記希釈フォトレジスト液からの溶媒の蒸発速度を監視することと、
    蒸発速度の所定の閾値を超える蒸発速度を特定したことに応じて、前記基板の回転速度を調整することと
    を更に含む、請求項１に記載の方法。
17. 基板上にフォトレジストを堆積させる方法であって、前記方法が、
    フォトレジスト液の供給にアクセスすることであって、前記フォトレジスト液が初期粘度を有する、ことと、
    希釈液の供給にアクセスすることと、
    分配ノズルに近接して配置された混合チャンバ内で、所定量の前記希釈液を前記フォトレジスト液と混合することであって、結果として得られる粘度が前記初期粘度未満である希釈フォトレジスト液が得られる、ことと、
    前記基板の回転中に前記分配ノズルを介して前記希釈フォトレジスト液を前記基板の作業面上に分配することであって、前記所定量の前記希釈液が、分配された前記希釈フォトレジスト液が前記指定膜厚を有するフォトレジストフィルムを形成するように選択される、ことと
    を含む、方法。
18. 基板上に現像液を分配する方法であって、前記方法が、
    現像されるフォトレジストフィルムを提供することであって、前記フォトレジストフィルムが基板の作業面上に堆積され、前記フォトレジストフィルムが、前記フォトレジストフィルムの部分が特定の現像液に可溶である潜像パターンを有する、ことと、
    前記基板上に分配される所定の濃度の現像液を特定することと、
    現像液の供給にアクセスすることであって、前記現像液が初期現像液濃度を有する、ことと、
    分配ノズルに近接して配置された混合チャンバ内で、所定量の希釈液を前記現像液と混合することであって、結果として得られる現像液濃度が前記初期現像液濃度未満である希釈現像液が得られる、ことと、
    前記基板の回転中に前記分配ノズルを介して前記フォトレジストフィルム上に前記希釈現像液を分配することと
    を含む、方法。
19. 前記フォトレジストフィルムの膜厚に基づいて、前記現像液と混合する前記所定量の希釈液を計算することと、
    前記現像液に添加される前記所定量の希釈液に基づいて前記基板の回転速度を調整することと
    を更に含む、請求項１８に記載の方法。
20. 前記フォトレジストフィルムの現像中に前記基板からの溶媒の蒸発速度を監視することと、
    蒸発速度の所定の閾値を超える蒸発速度を特定したことに応じて、前記現像液に添加される希釈液の量を調整することと
    を更に含む、請求項１９に記載の方法。

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