JP2003059825A - 塗布膜形成方法および塗布膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリウエット方式を前提とし、使用する溶剤
の種類によらず安定して塗布液の使用量を少なくするこ
とができる塗布膜形成方法および塗布膜形成装置を提供
すること。 【解決手段】 被処理基板Ｗの表面に、塗布液が溶解す
る溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質との混
合液を供給する工程と（ＳＴ３）、混合液を被処理基板
Ｗ表面の全面に拡げる工程（ＳＴ４）と、混合液が供給
された被処理基板Ｗを回転させつつ被処理基板Ｗの略中
央に塗布液を供給し、塗布液を被処理基板の径方向外方
に拡げて塗布膜を形成する工程と（ＳＴ５）により塗布
膜を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板にレジスト液等の塗布液を塗布して塗布膜を
形成する塗布膜形成方法および塗布膜形成装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）の
表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成し、レジ
スト塗布後のウエハに対して所定のパターンに対応して
露光処理を行った後に当該ウエハのレジスト膜に形成さ
れた露光パターンを現像するという、いわゆるフォトリ
ソグラフィー技術により所定のパターンを形成するため
のマスクとしてレジストパターンが形成される。そし
て、上記工程のうちレジスト塗布処理においては、ウエ
ハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法として
スピンコーティング法が多用されている。

【０００３】図１０は、このスピンコーティング法の概
要を示すものである。例えばスピンチャック１４１によ
り真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で、図
示しない回転駆動手段によりスピンチャック１４１とと
もにウエハＷを回転させ、ウエハＷの上方に配置された
レジストノズル１４２からウエハＷ表面の中央にレジス
ト液を滴下する。滴下されたレジスト液は、遠心力によ
ってウエハＷの径方向外方に向かって広がり、ウエハＷ
の表面全体にレジスト膜が形成される。その後レジスト
液の滴下を停止し、ウエハの回転を継続してウエハＷの
表面の余分なレジスト液を振り切って膜厚を整えるとと
もに乾燥を行う。

【０００４】しかしながら、従来のスピンコーティング
の場合、ウエハの略中心にレジスト液を滴下し、ウエハ
を回転させた際の遠心力によりレジスト液を拡散させて
いるため、中心位置よりも周速が著しく大きい外周部か
ら相当量のレジストが飛散され、実際にレジスト膜とな
る量は供給したレジスト液の１０〜２０％程度であり、
レジスト消費量が著しく多くなってしまう。したがっ
て、近時、製造コストの削減等の観点からレジスト消費
量を減らすこと、すなわち、各ウエハに対するレジスト
液の滴下量を減らすことが要望されている。

【０００５】このための方法として、レジスト液の滴下
前にシンナー等の溶剤を基板に滴下し、レジスト液の拡
散を容易にしてレジスト供給量を減少させる方法（プリ
ウェット方式）が提案されている（特開平７−３２０９
９９号公報）。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、その効
果は溶剤の種類によって異なり、使用する溶剤によって
は必ずしも十分な効果が得られない。この点を解消する
ためには、効果がある溶剤を選択して用いることができ
ればよいのであるが、ユーザーによって使用する溶剤は
限定されるため、溶剤の種類によらず安定してレジスト
液等の塗布液の使用量を減少させることができる塗布膜
形成方法が望まれている。また、最近では反射防止膜や
サーマルシュリンクプロセスで使用されるシュリンク剤
等には水溶性の塗布液が用いられる場合もあり、塗布液
の種類が多岐に亘っていることから、塗布液の種類に合
わせた使用量の削減方法が望まれている。

【０００７】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、プリウエット方式を前提とし、使用する溶剤
の種類によらず安定して塗布液の使用量を少なくするこ
とができる塗布膜形成方法および塗布膜形成装置を提供
することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決するために種々検討した結果、溶剤の種類によっ
てプリウェット方式を採用した際の省レジスト効果が異
なるのは、揮発速度の大きい溶剤の場合に十分なプリウ
ェット効果を発揮する前に揮発してしまうためであるこ
と、およびこのようなことを防止するためには、溶剤と
ともにその溶剤の揮発を抑制する物質を用いればよいこ
とを見出した。

【０００９】本発明はこのような知見に基づいてなされ
たものであり、第１に、被処理基板の表面に、塗布液が
溶解する溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質
との混合液を供給する工程と、前記混合液を前記被処理
基板表面の全面に拡げる工程と、前記混合液が供給され
た被処理基板を回転させつつ被処理基板の略中央に塗布
液を供給し、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて
塗布膜を形成する工程とを具備することを特徴とする塗
布膜形成方法を提供する。

【００１０】このような構成によれば、溶剤とその溶剤
の揮発を抑制する揮発抑制物質との混合液を用いてプリ
ウェットを行うので、使用する溶剤が高揮発性のもので
あってもその揮発が抑制され、十分なプリウェット効果
を発揮させることができ、用いる溶剤によらず安定して
塗布液の使用量を少なくすることができる。

【００１１】上記塗布膜形成方法において、前記揮発抑
制物質としては、水素結合を有するものを好適に用いる
ことができる。そのような物質として水、メチルアルコ
ール、エチルアルコールから選択された少なくとも１種
を用いることができる。これらの中でも水が好ましい。
前記溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、ブチルアセテート、エチルラクテート、エチル
セロソルブアセテート、メチルメトキシプロピオネート
から選択される少なくとも１種を用いることができる。
前記揮発抑制物質の量は前記混合液全体の５質量％以上
５０質量％未満であることが好ましい。

【００１２】前記混合液は、予め容器内で前記溶剤と前
記揮発抑制物質とを混合して生成し、その状態で該容器
内に貯留させておき、そこから混合液を被処理基板に供
給するようにすることができる。また、前記溶剤と前記
揮発抑制物質とをスタティックミキサにより混合して混
合液とした後、ノズルを介して被処理基板に供給しても
よいし、前記溶剤と前記揮発抑制物質とをノズル内で混
合し、そのノズルから混合液を前記被処理基板の表面に
供給するようにしてもよいし、前記溶剤と前記揮発抑制
物質とを別個に前記被処理基板上に供給し、該被処理基
板上でこれらを混合して混合液としてもよい。また、前
記被処理基板に供給される混合液は温調されていること
が好ましい。

【００１３】また、上記塗布膜形成方法において、前記
混合液の供給を被処理基板を停止させた状態で行い、前
記混合液を前記被処理基板表面の全面に拡げる工程を被
処理基板を回転させることによって行うようにしてもよ
いし、前記混合液の供給を被処理基板を回転させた状態
で行うようにしてもよい。

【００１４】さらに、上記塗布膜形成方法において、前
記塗布膜を形成した後、塗布液供給停止後に、被処理基
板の回転速度を一旦減速する工程をさらに具備すること
が好ましい。

【００１５】また、本発明は、第２に、被処理基板の表
面に、レジスト液が溶解する溶剤と水との混合液を供給
する工程と、前記被処理基板を回転させて、前記混合液
を前記被処理基板表面の全面に拡げる工程と、前記混合
液が供給された被処理基板を回転させつつ被処理基板の
略中央に塗布液を供給し、塗布液を被処理基板の径方向
外方に拡げて塗布膜を形成する工程と、前記塗布膜を形
成した後、塗布液供給停止後に、被処理基板の回転速度
を一旦減速して膜厚を均一にする工程と、前記塗布膜を
形成する工程の後、残余の塗布液を振り切って膜厚を調
整する工程と、を具備することを特徴とする塗布膜形成
方法を提供する。

【００１６】前記溶剤としては、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート、ブチルアセテート、エチルラクテ
ート、エチルセロソルブアセテート、メチルメトキシプ
ロピオネートから選択される少なくとも１種を用いるこ
とができる。これらの中で、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテートの少なくとも１種を用いた場合に本
発明の効果が大きい。また、混合液中の前記水の割合は
前記混合液全体の５質量％以上５０質量％未満であるこ
とが好ましい。

【００１７】さらに、本発明は、第３に、回転する被処
理基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成
装置であって、被処理基板を略水平に保持する基板保持
部材と、前記基板保持部材を回転させる回転手段と、前
記基板保持部材に保持された被処理基板に塗布液が溶解
する溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質との
混合液を供給する混合液供給手段と、前記基板保持部材
に保持された被処理基板の略中央に塗布液を供給する塗
布液供給手段とを具備し、前記塗布膜の形成に先だっ
て、前記混合液供給ノズルから被処理基板に混合液が供
給され、前記回転手段により被処理基板が回転されるこ
とにより被処理基板の全面に混合液が拡散されることを
特徴とする塗布膜形成装置を提供する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明
の塗布膜形成方法を実施するためのレジスト塗布ユニッ
トを搭載したレジスト塗布現像処理システムを示す概略
平面図、図２はその正面図、図３はその背面図である。

【００１９】このレジスト塗布現像処理システム１は、
搬送ステーションであるカセットステーション１０と、
複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、
処理ステーション１１と隣接して設けられる図示しない
露光装置との間でウエハＷを受け渡すためのインターフ
ェイス部１２とを具備している。

【００２０】上記カセットステーション１０は、被処理
体としてのウエハＷを複数枚例えば２５枚単位でウエハ
カセットＣＲに搭載された状態で他のシステムからこの
システムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ
搬出したり、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１
１との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。

【００２１】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、カセットＣを載置する載置台２
０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決
め突起２０ａが形成されており、この突起２０ａの位置
にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理
ステーション１１側に向けて一列に載置可能となってい
る。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向
（Ｚ方向）に配列されている。また、カセットステーシ
ョン１０は、載置台２０と処理ステーション１１との間
に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウエ
ハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）および
その中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可
能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、この搬送
アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに対
して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ
搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成されて
おり、後述する処理ステーション１１側の第３の処理ユ
ニット群Ｇ_３に属するアライメントユニット（ＡＬＩ
Ｍ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもア
クセスできるようになっている。

【００２２】上記処理ステーション１１は、ウエハＷへ
対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するため
の複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段
に配置されており、これらによりウエハＷが一枚ずつ処
理される。この処理ステーション１１は、図１に示すよ
うに、中心部に搬送路２２ａを有し、この中に主ウエハ
搬送機構２２が設けられ、搬送路２２ａの周りに全ての
処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニ
ットは、複数の処理ユニット群に分かれており、各処理
ユニット群は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多
段に配置されている。

【００２３】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４
６も一体的に回転可能となっている。

【００２４】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。

【００２５】また、図１に示すように、この実施の形態
においては、４個の処理ユニット群Ｇ_１，Ｇ_２，Ｇ_３，
Ｇ_４が搬送路２２ａの周囲に配置されており、処理ユニ
ット群Ｇ_５は必要に応じて配置可能となっている。

【００２６】これらのうち、第１および第２の処理ユニ
ット群Ｇ_１，Ｇ_２はシステム正面（図１において手前）
側に並列に配置され、第３の処理ユニット群Ｇ_３はカセ
ットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理
ユニット群Ｇ_４はインターフェイス部１２に隣接して配
置されている。また、第５の処理ユニット群Ｇ_５は背面
部に配置可能となっている。

【００２７】第１の処理ユニット群Ｇ_１では、カップＣ
Ｐ内でウエハＷをスピンチャック（図示せず）に載置し
てウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＯＴ）および同様にカップＣＰ内でレジストの
パターンを現像する現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下か
ら順に２段に重ねられている。第２の処理ユニット群Ｇ
_２も同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジス
ト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。

【００２８】第３の処理ユニット群Ｇ_３においては、図
３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の
処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ
ている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのい
わゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニッ
ト（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンシ
ョンユニット（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、露光処理前や露光処理後、さらには
現像処理後にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホ
ットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ね
られている。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）
の代わりにクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クー
リングユニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせ
てもよい。

【００２９】第４の処理ユニット群Ｇ_４も、オーブン型
の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、ク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備
えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリン
グユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および
４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８
段に重ねられている。

【００３０】主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処
理ユニット群Ｇ_５を設ける場合には、案内レール２５に
沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できる
ようになっている。したがって、第５の処理ユニット群
Ｇ_５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿って
スライドすることにより空間部が確保されるので、主ウ
エハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を
容易に行うことができる。

【００３１】上記インターフェイス部１２は、奥行方向
（Ｘ方向）の長さが処理ステーション１１と同じであ
り、図１、図２に示すように、このインターフェイス部
１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲ
と定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背
面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部には、ウ
エハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ搬送機
構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有しており、こ
のウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動
して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置２３にア
クセス可能となっている。また、このウエハ搬送用アー
ム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処理ステーショ
ン１１の第４の処理ユニット群Ｇ_４に属するエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装
置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス可能
となっている。

【００３２】このように構成されるレジスト塗布現像処
理システム１においては、ウエハカセットＣＲから処理
前のウエハＷを１枚ずつウエハ搬送機構２１によって取
り出し、処理ステーション１１のアライメントユニット
（ＡＬＩＭ）へ搬入する。次いで、ここで位置決めされ
たウエハＷを主ウエハ搬送機構２２により搬出し、アド
ヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入してアドヒージョン
処理を施す。このアドヒージョン処理の終了後、ウエハ
Ｗを主ウエハ搬送機構２２により搬出し、クーリングユ
ニット（ＣＯＬ）に搬送して、ここで冷却する。次い
で、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送
してレジスト塗布を行い、さらに、ホットプレートユニ
ット（ＨＰ）でプリベーク処理を行って、エクステンシ
ョン・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）を介して、
インターフェース部１２に搬送し、そこからウエハ搬送
機構２４により隣接する露光装置に搬送する。さらに、
露光装置にて露光処理のなされたウエハＷを、ウエハ搬
送機構２４によりインターフェイス部１２、エクステン
ションユニット（ＥＸＴ）を介して処理ステーション１
１に搬送する。処理ステーション１１において、主ウエ
ハ搬送機構２２によりウエハＷをホットプレートユニッ
ト（ＨＰ）に搬送してポストエクスポージャー処理を施
し、さらに現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送して現像処理
を施した後、ホットプレートユニット（ＨＰ）でポスト
ベーク処理を行い、クーリングユニット（ＣＯＬ）にお
いて冷却した後、エクステンションユニット（ＥＸＴ）
を介してカセットステーション１０に搬送する。以上の
ようにして所定の処理がなされたウエハＷを、ウエハ搬
送機構２２がウエハカセットＣＲに収納する。

【００３３】次に、本発明の塗布膜形成方法を実施する
ためのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）について図４お
よび図５を参照しながら説明する。このレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）は、主ウエハ搬送機構２２の保持部材
４８が進入するための開口５０ａを有するケーシング５
０を有し、その中にウエハＷを収容する収容容器である
カップＣＰが設けられ、そのカップ内にウエハＷを真空
吸着によって水平に保持するスピンチャック５１が設け
られている。このスピンチャック５１は、カップＣＰの
下方に設けられたパルスモーターなどの駆動モータ５２
によって回転可能となっており、その回転速度も任意に
制御可能となっている。カップＣＰの底部の中央寄りの
部分には排気管５３が接続され、また外側よりの部分に
は排液管５４が接続されている。そして、排気管５３か
らカップＣＰ内の気体が排気されるとともに、排液管５
４からは、塗布処理にともなって飛散したレジスト液や
溶剤が排出される。なお、スピンチャック５１は、図示
しないエアシリンダー等の昇降機構により昇降可能とな
っている。

【００３４】スピンチャック５１の上方には、スピンチ
ャック５１の直上位置と退避位置との間で移動可能に噴
頭６０が設けられており、この噴頭６０はアーム６１を
介して駆動機構７０に連結され、駆動機構７０により図
４および５に示したＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向に移動
されるようになっている。なお、噴頭６０はアーム６１
に対して着脱自在となっている。

【００３５】噴頭６０は、ベース部材６２を有し、塗布
液が溶解可能な溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑
制物質とが混合された混合液を供給する混合液供給ノズ
ル８０と塗布液であるレジスト液を供給するレジスト液
供給ノズル９０とを近接させた状態でベース部材６１に
取り付けた構造を有している。ここで、塗布液が溶解可
能な溶剤とは、塗布液の溶媒であってもよいが、それに
限らず塗布液を溶解可能なものであればよいことはいう
までもない。

【００３６】噴頭６０には、レジスト液供給ノズル９０
から吐出されるレジスト液の温度が一定になるように温
度調節するために温度調節流体を循環するチューブ６５
ａ，６５ｂ、および、混合液供給ノズル８０から吐出さ
れる溶剤の温度が一定になるように温度調節するために
温度調節流体を循環するチューブ６６ａ，６６ｂが設け
られている。チューブ６５ａはレジスト液供給ノズル９
０に連続する配管の周囲に設けられて往路を構成し、チ
ューブ６５ｂは復路を構成している。また、チューブ６
６ａは混合液供給ノズル８０に連続する配管の周囲に設
けられて往路を構成し、チューブ６６ｂは復路を構成し
ている。

【００３７】上記混合液供給ノズル８０は、混合液供給
配管８１を介して中間タンク８３に接続されており、混
合液供給配管８１にはバルブ８２が設けられている。ま
た、中間タンク８３にはその中に溶剤を供給する溶剤供
給配管８４と揮発抑制物質を供給する揮発抑制物質供給
配管８６とが接続されており、これら配管８４および８
６にはそれぞれバルブ８５および８７が設けられてい
る。そして、配管８４および８６を介して中間タンク８
３内に供給された溶剤および揮発抑制物質は図示しない
攪拌機構により攪拌されて混合液となり、中間タンク８
３内にはこの混合液が貯留された状態となっている。こ
の混合液は中間タンク８３内に窒素（Ｎ_２）ガス等の圧
送ガスを供給することによって混合液供給配管８１およ
び混合液供給ノズル８０を介してウエハＷ上に供給され
る。この場合にＮ_２ガスの加圧力を制御することによっ
て混合液の流量が制御される。

【００３８】レジスト液供給ノズル９０は、レジスト液
供給配管９１を介してレジスト液を収容するレジスト液
タンク９２に連通されている。このレジスト液供給配管
９１には、サックバックバルブ９３、エアーオペレーシ
ョンバルブ９４、レジスト液中の気泡を分離除去するた
めの気泡除去機構９５、フィルタ９６およびベローズポ
ンプ９７が下流側からその順に設けられている。このベ
ローズポンプ９７は伸縮可能に構成され、この伸縮が制
御されることにより所定量のレジスト液がレジスト液供
給ノズル９０を介してウエハＷの表面に供給される。こ
のベローズポンプ９７により極めて少量のレジスト液の
供給量制御が可能となる。この駆動部は、一端がベロー
ズポンプの一端に取り付けられたネジ９８ａと、このネ
ジに螺合されるナット９８ｂとからなるボールネジ機構
９８と、このナット９８ｂを回転させることによりネジ
９８ａを直線動させるステッピングモータ９９とにより
構成されている。

【００３９】上記レジスト液供給系に設けられたサック
バックバルブ９３は、レジスト液供給ノズル９０からの
レジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル９０先端内壁
部に表面張力によって残留しているレジスト液をレジス
ト液供給ノズル９０内に引き戻し、これによって残留レ
ジスト液の固化を阻止するためのものである。

【００４０】図５に示すように、ケーシング５０内のカ
ップＣＰの外側部分には、基本的に同一の構造を有する
４つの噴頭６０を保持可能な保持部５５が設けられてい
る。保持部５５には各ノズルのノズル口を乾燥固化させ
ないように、各ノズルのノズル口を溶剤雰囲気に置くた
めの挿入部（図示せず）が設けられている。各噴頭６０
は、取り付け部６３によりアーム６１の先端部に取り付
け可能となっており、それぞれ異なる種類のレジスト液
を供給するようになっている。そして、これらのうち選
択された一つがアーム６１に取り付けられて保持部５５
から取り出される。上述したように、アーム６１は駆動
機構７０により三次元移動、すなわちＸ、Ｙ、Ｚ方向へ
の移動が可能であり、保持部５５から取り出されてアー
ム６１に装着された噴頭６０が、処理に際してウエハＷ
の直上の所定位置まで移動される。なお、ここでは、混
合液供給ノズル８０とレジスト液供給ノズル９０とを噴
頭６０に取り付け、この噴頭６０を４つ準備して保持部
５５に設けているが、１つまたはそれ以上の混合液供給
ノズル８０をアーム６１に直接固定し、噴頭６０にはレ
ジスト液供給ノズル９０のみを設けるようにしてもよ
い。

【００４１】次に、このように構成されるレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）における処理について図６の工程図
を参照しながら詳細に説明する。

【００４２】主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８によ
ってケーシング５０の開口５０ａを通ってレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）内のカップＣＰの真上までウエハＷ
が搬送されると、そのウエハＷは、図示しない昇降機構
によって上昇してきたスピンチャック５１によって真空
吸着される。主ウエハ搬送機構２２はウエハＷをスピン
チャック５１に真空吸着せしめた後、保持部材４８をレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内から引き戻し、レジス
ト塗布ユニット（ＣＯＴ）へのウエハＷの受け渡しを終
える（ＳＴ１）。

【００４３】次いで、スピンチャック５１はウエハＷが
カップＣＰ内の定位置になるまで下降される。次いで、
駆動モータ５２によってスピンチャック５１を１０００
ｒｐｍ程度の回転速度で回転させ、ウエハＷの温度を均
一にする（ＳＴ２）。

【００４４】その後、スピンチャック５１の回転を停止
させ、駆動機構７０によって噴頭６０をＹ方向に沿って
ウエハＷの直上位置まで移動させ、混合液供給ノズル８
０の吐出口がスピンチャック５１の中心（ウエハＷの中
心）上に到達したところで、レジストが溶解する所定の
溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質との混合
液を静止しているウエハＷ表面の略中心に供給する（Ｓ
Ｔ３）。この際に、溶剤供給配管８４および揮発抑制物
質供給配管８６を介して所望の割合で溶剤および揮発抑
制物質を中間タンク８３に供給し、バルブ８５および８
７を閉じて図示しない攪拌機構により攪拌することによ
り所定量の混合液が形成され、中間タンク８３内で形成
され貯留されている混合液がＮ_２ガス等の圧送ガスによ
り混合液供給配管８１および混合液供給ノズル８０を介
してウエハＷ上に圧送される。この場合にＮ_２ガスの加
圧力を制御することによって混合液の流量が制御され
る。

【００４５】このようにして混合液を供給した後、好ま
しくは１０００ｒｐｍ以下の所定の回転速度でウエハＷ
を回転させる（ＳＴ４）。これにより、ウエハＷ表面に
供給された混合液は遠心力によってウエハＷの中心から
その周囲に拡散し、ウエハＷの全面にむらなく広がる。
なお、ウエハＷを回転させながら混合液をウエハＷ上に
供給する、すなわち、上記ＳＴ３工程とＳＴ４工程とを
同時に行うようにしてもよい。また、スプレーを用いて
ウエハ全面に塗布することができる。この場合に、スプ
レーはウエハＷを回転しながら行ってもよいしウエハＷ
を停止した状態で行ってもよい。

【００４６】続いて、駆動機構７０によりレジスト液供
給ノズル９０の吐出口がスピンチャック５１の中心（ウ
エハＷの中心）上に到達するまで噴頭６０をＹ方向に移
動し、ウエハＷの回転速度を所定値まで上昇させて、レ
ジスト液供給ノズル９０の吐出口からレジスト液を回転
するウエハＷ表面の略中心に供給し、遠心力によりレジ
スト液を外方に拡散させ、ウエハＷ表面へのレジスト塗
布を行う（ＳＴ５）。この際の回転速度は、２００ｍｍ
ウエハの場合には２０００〜６０００ｒｐｍ、３００ｍ
ｍウエハの場合には１０００〜４０００ｒｐｍであるこ
とが好ましい。

【００４７】このようにしてウエハＷを回転させながら
レジスト液を供給した後、レジスト液の供給を停止した
後に、ウエハＷの回転速度を減速する（ＳＴ６）。これ
により、膜厚調整機能が発揮され、ウエハＷ面内の膜厚
が均一化される。このような効果を奏するのは、ウエハ
Ｗの回転速度を減速した際には、この減速の際の加速度
により半導体ウエハＷ上のレジスト液に中心へ向かう力
が作用し、しかも、被処理基板の回転が低速であること
からレジスト液の乾燥が遅く、結果として膜厚を整える
機能が発揮されるからである。すなわち、この減速によ
って作用する内側へ向かう力により、ウエハＷ外方へ飛
散するレジスト量が抑制され、外周部にも中央部と同様
にレジストが保持されてレジスト膜の膜厚がより均一化
することとなる。この際の回転速度は５０〜１０００ｒ
ｐｍが好ましい。特に、５００ｒｐｍ以下であれば、レ
ジストの乾燥がほとんど進行せず、膜厚調整の自由度が
高い。この際の保持時間は、例えば、３秒までの適宜の
時間に設定される。なお、このＳＴ６工程は必須なもの
ではなく、必要に応じて行われる。

【００４８】その後、ウエハＷの回転速度を上昇させ
て、残余のレジスト液を振り切る（ＳＴ７）。この際の
回転速度は、２００ｍｍウエハの場合には１５００〜４
０００ｒｐｍ、３００ｍｍウエハの場合には１０００〜
３０００ｒｐｍであることが好ましい。

【００４９】その後、ウエハＷの回転を継続させレジス
ト膜の乾燥を行う（ＳＴ８）。この際の回転速度は、２
００ｍｍウエハの場合には１０００〜２０００ｒｐｍ、
３００ｍｍウエハの場合には５００〜１５００ｒｐｍで
あることが好ましい。この工程を所定時間行った後、レ
ジスト塗布工程が終了する。

【００５０】以上のように、レジスト液の塗布に先だっ
て、レジストが溶解する溶剤とその溶剤の揮発を抑制す
る揮発抑制物質との混合液をウエハＷの全面に塗布する
ので、使用する溶剤が高揮発性のものであっても揮発抑
制物質によりその揮発が抑制され、その後のレジスト液
塗布の際に十分にレジスト液を拡散させる効果を発揮さ
せることができる。したがって、用いる溶剤によらず安
定してレジスト液の使用量を少なくすることができる。

【００５１】ここで、混合液の溶剤としては、レジスト
が溶解するもの典型的にはシンナーが用いられ、例え
ば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、ブチル
アセテート、エチルラクテート、エチルセロソルブアセ
テート、メチルメトキシプロピオネートから選択される
少なくとも１種が用いられる。これらの中で、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルおよびプロピレングリ
コールモノメチルエーテルアセテートの少なくとも１種
を用いた場合に本発明の効果が大きい。もちろんレジス
トが溶解する他の溶剤であってもよい。

【００５２】揮発抑制物質としては、水素結合を有する
ものが好ましく、このような水素結合を有する物質とし
ては、水、メチルアルコール、エチルアルコールから選
択された少なくとも１種が好適に用いられる。中でも水
が特に好ましい。水としては純水が好ましい。もちろん
使用される溶剤の揮発を有効に抑制することができれば
他の物質であってもよい。

【００５３】このような揮発抑制物質の量は前記混合液
全体の５質量％以上５０質量％未満であることが好まし
い。５質量％未満であれば揮発抑制効果が不十分になる
おそれがあり、一方５０質量％以上では溶剤によるレジ
スト液拡散効果が不十分になるおそれがある。混合液の
供給量は、例えば、２００ｍｍウエハの場合２ｍｌ、３
００ｍｍウエハの場合３ｍｌである。

【００５４】次に、実際に本発明の効果を確認した実験
について説明する。最初に、２００ｍｍウエハを用い、
プリウェットを行う溶剤として、ブチルアセテート、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、
エチルラクテートの３種類を使用した場合と、プリウェ
ットのない場合とについて、ウエハ全面に塗布可能なレ
ジストの最小量を比較した。レジスト液としてはＥＬ溶
剤のＫｒＦレジスト（粘度７ＣＰ程度）を用いた。レジ
スト液滴下時のウエハ回転速度を３０００〜６０００ｒ
ｐｍとし、溶剤供給量は２ｍｌとした。その結果、ウエ
ハ全面に塗布可能なレジスト液の最小量は、表１に示す
とおりプリウェットを行うことによりレジスト液の量が
大幅に減少した。ただし、溶剤の種類によって効果の程
度が異なることがわかる。これは溶剤の揮発速度の差に
よるものと思われ、揮発速度が遅い溶剤ほどレジスト滴
下時にウエハ上に残存する量が多くレジストの拡散効果
がより高いものと考えられる。

【００５５】

【表１】

【００５６】次に、３００ｍｍウエハを用い、上記３種
類の溶剤によりプリウェットを行って同様のレジスト塗
布実験を行った。レジスト液滴下時のウエハ回転速度を
２０００〜４０００ｒｐｍとし、溶剤供給量は３ｍｌと
した。その結果、表２に示すように、溶剤の種類により
全面塗布に必要なレジスト液の最小量が２００ｍｍウエ
ハの場合よりも大きく異なることが判明した。また、表
２に示すように、現在最も多く使用されているＰＧＭＥ
系シンナーの主成分であるＰＧＭＥは３００ｍｍウエハ
では十分な省レジスト効果が得られないことがわかる。

【００５７】

【表２】

【００５８】次に、２００ｍｍウエハおよび３００ｍｍ
ウエハについて、上記ＰＧＭＥでプリウェットを行った
場合と、ＰＧＭＥに揮発抑制物質としての純水を混合し
た混合液でプリウェットを行った本発明の場合とでウエ
ハ全面に塗布可能なレジスト液の最小量を比較した。混
合液はＰＧＭＥ：純水＝５：１（純水１６．７質量％）
とした。レジスト液および塗布条件は上記実験と同様と
した。その結果、表３に示すように、２００ｍｍウエハ
および３００ｍｍウエハのいずれも、ＰＧＭＥ＋純水の
混合液でプリウェットを行うことにより、全面塗布に必
要なレジスト液の最小量がＰＧＭＥ単独でプリウェット
を行う場合の半分以下になることが確認された。これ
は、純水を加えることにより溶剤分子と水分子とが水素
結合し、その結果溶剤の揮発が抑制され、レジスト滴下
時にウエハ上に残存する溶剤の量が多いためと考えられ
る。汎用のシンナーであるＯＫ７３（ＰＧＭＥ：ＰＧＭ
ＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート）＝７：３）に同様の割合で純水を混合した混合液
も同様の結果を示した。以上、本発明の範囲内である溶
剤＋純水の混合液でプリウェットを行った場合に顕著な
省レジスト効果があることが確認された。

【００５９】

【表３】

【００６０】次に、上記溶剤と揮発抑制物質との混合液
の供給手段の他の例について説明する。上記例では中間
タンク８３で混合液を生成し、混合液をガス圧送する場
合について示したが、図７に示すように、図示しない中
間タンクから延びる溶剤供給配管１０１を介して供給さ
れた溶剤と、同様に図示しない中間タンクから延びる揮
発抑制物質供給配管１０２を介して所定の流量で供給さ
れた揮発抑制物質とをスタティックミキサー１０３によ
り混合し、そこから混合液供給配管８１を介して混合液
供給ノズル８０へ混合液を供給するようにすることもで
きる。

【００６１】また、図８に示すように、混合部１１１を
有する混合液供給ノズル１１０を設け、混合部１１１に
図示しない中間タンクから延びる溶剤供給配管１１２お
よび同様に図示しない中間タンクから延びる揮発抑制物
質供給配管１１３を接続し、配管１１２，１１３を介し
て供給された溶剤および揮発抑制物質を混合部１１１で
混合するようにしてもよい。

【００６２】さらに、図９に示すように、溶剤供給ノズ
ル１２１および揮発抑制物質供給ノズル１２２を設け、
図示しない中間タンクから延びる溶剤供給配管１２３お
よび同様に図示しない中間タンクから延びる揮発抑制物
質供給配管１２４をそれぞれ溶剤供給ノズル１２１およ
び揮発抑制物質供給ノズル１２２に接続し、溶剤供給ノ
ズル１２１および揮発抑制物質供給ノズル１２２からそ
れぞれ吐出された溶剤および揮発抑制物質をウエハ上で
混合して混合液を生成するようにしてもよい。

【００６３】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、塗布液としてレジスト液を用いた場合について示
したが、必ずしもレジスト液に限らず反射防止膜や層間
絶縁膜等の回転塗布処理を行って形成する膜のための塗
布液等、他の塗布液であってもよい。

【００６４】また、上記実施の形態では、塗布液として
揮発性の溶剤を含むレジスト液を用いた場合について示
したが、揮発性の溶剤を含む塗布液に限らず、例えば反
射防止膜やサーマルシュリンクプロセスで使用されるシ
ュリンク剤等の水溶液の塗布液であってもよい。水溶性
の塗布液を用いた場合は、塗布液の溶剤が純水となるた
め、プリウェットは主に純水で行うことになるが、プリ
ウェットに用いた純水が揮発することが考えられるの
で、その際には揮発抑制物質が有効に作用する。この際
には、揮発抑制物質として、プリウェットに用いる純水
よりも低温の純水を用い、これを被処理基板上に供給し
てもよい。純水の揮発が懸念されない場合には、揮発抑
制剤を用いずにプリウェット用の純水のみを供給すれば
よい。この場合、図４、図７、図８および図９に示す揮
発抑制物質の供給配管８６，１０２，１１３および１２
４からの供給を停止すればよい。さらに、プリウエット
用として純水のみを使用することが明確な場合は、図
４、図７、図８および図９における揮発抑制物質の供給
系統を省略した装置構成としてもよい。

【００６５】さらに、上記実施の形態では、被処理基板
として半導体ウエハを用いた場合について示したが、半
導体ウエハに限らず、例えばＬＣＤ基板やマスク用レチ
クル基板等他の被処理基板であってもよい。

【００６６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質との混合
液を用いてプリウェットを行うので、使用する溶剤が高
揮発性のものであってもその揮発が抑制される。したが
って、塗布液を塗布する際に溶剤の残存量が多く、十分
なプリウェット効果を発揮させることができるので、用
いる溶剤によらず安定して塗布液の使用量を少なくする
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の塗布膜形成方法を実施するためのレジ
スト塗布ユニットを搭載した半導体ウエハのレジスト塗
布現像処理システムの全体構成の平面図。

【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図。

【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図。

【図４】図１に示したレジスト塗布現像処理システムに
装着したレジスト塗布ユニットの全体構成を示す断面
図。

【図５】図４に示したレジスト塗布ユニットの平面図。

【図６】レジスト塗布ユニットにおける処理工程を示す
工程図。

【図７】レジスト塗布ユニットに用いられる混合液供給
手段の他の例を示す断面図。

【図８】レジスト塗布ユニットに用いられる混合液供給
手段のさらに他の例を示す断面図。

【図９】レジスト塗布ユニットに用いられる混合液供給
手段の別の例を示す断面図。

【図１０】従来のレジスト塗布装置の概略構成図。

【符号の説明】

５１……スピンチャック（基板保持部材） ５２……駆動モータ（回転手段） ６０……噴頭 ７０……駆動機構 ８０……混合液供給ノズル（混合液供給手段） ９０……レジスト液供給ノズル（塗布液供給手段） Ｗ……半導体ウエハ（被処理基板）

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｄ ５６４Ｃ (72)発明者 堀 真也 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA04 EA05 4D075 AC64 AC82 AC96 BB68X BB69X CA48 DA06 DB13 DB14 DC22 EA05 EA45 4F033 AA14 BA03 CA01 DA02 DA03 EA02 EA03 GA01 LA09 LA13 NA01 4F042 AA07 AB00 BA19 BA25 CA01 CA06 CA08 CB02 CB08 CB19 CB26 EB05 EB09 EB13 EB18 EB25 EB29 5F046 JA02 JA03 JA05 JA08 JA09 JA13 JA24

Claims (24)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板の表面に、塗布液が溶解する
   溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質との混合
   液を供給する工程と、 前記混合液を前記被処理基板表面の全面に拡げる工程
   と、 前記混合液が供給された被処理基板を回転させつつ被処
   理基板の略中央に塗布液を供給し、塗布液を被処理基板
   の径方向外方に拡げて塗布膜を形成する工程とを具備す
   ることを特徴とする塗布膜形成方法。
2. 【請求項２】 前記塗布膜を形成する工程の後、残余の
   塗布液を振り切る工程をさらに具備することを特徴とす
   る請求項１に記載の塗布膜形成方法。
3. 【請求項３】 前記揮発抑制物質は、水素結合を有する
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布
   膜形成方法。
4. 【請求項４】 前記揮発抑制物質は、水、メチルアルコ
   ール、エチルアルコールから選択された少なくとも１種
   であることを特徴とする請求項３に記載の塗布膜形成方
   法。
5. 【請求項５】 前記溶剤は、プロピレングリコールモノ
   メチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエー
   テルアセテート、ブチルアセテート、エチルラクテー
   ト、エチルセロソルブアセテート、メチルメトキシプロ
   ピオネートから選択される少なくとも１種であることを
   特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載
   の塗布膜形成方法。
6. 【請求項６】 前記揮発抑制物質の量は前記混合液全体
   の５質量％以上５０質量％未満であることを特徴とする
   請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の塗布膜形
   成方法。
7. 【請求項７】 前記混合液は、予め容器内で前記溶剤と
   前記揮発抑制物質とを混合して生成され、該容器内に貯
   留されていることを特徴とする請求項１から請求項６の
   いずれか１項に記載の塗布膜形成方法。
8. 【請求項８】 前記混合液は、前記溶剤と前記揮発抑制
   物質とをスタティックミキサにより混合してからノズル
   を介して被処理基板に供給されることを特徴とする請求
   項１から請求項６のいずれか１項に記載の塗布膜形成方
   法。
9. 【請求項９】 前記溶剤と前記揮発抑制物質とをノズル
   内で混合し、そのノズルから混合液を前記被処理基板の
   表面に供給することを特徴とする請求項１から請求項６
   のいずれか１項に記載の塗布膜形成方法。
10. 【請求項１０】 前記溶剤と前記揮発抑制物質とを別個
    に前記被処理基板上に供給し、該被処理基板上でこれら
    を混合して混合液とすることを特徴とする請求項１から
    請求項６のいずれか１項に記載の塗布膜形成方法。
11. 【請求項１１】 前記被処理基板に供給される混合液は
    温調されていることを特徴とする請求項１から請求項１
    ０のいずれか１項に記載の塗布膜形成方法。
12. 【請求項１２】 前記混合液の供給を被処理基板を停止
    させた状態で行い、前記混合液を前記被処理基板表面の
    全面に拡げる工程は、被処理基板を回転させることによ
    って行うことを特徴とする請求項１から請求項１１のい
    ずれか１項に記載の塗布膜形成方法。
13. 【請求項１３】 前記混合液の供給を被処理基板を回転
    させた状態で行うことを特徴とする請求項１から請求項
    １２に記載の塗布膜形成方法。
14. 【請求項１４】 前記塗布膜を形成した後、塗布液供給
    停止後に、被処理基板の回転速度を一旦減速する工程を
    さらに具備することを特徴とする請求項１から請求項１
    ３のいずれか１項に記載の塗布膜形成方法。
15. 【請求項１５】 被処理基板の表面に、レジスト液が溶
    解する溶剤と水との混合液を供給する工程と、 前記被処理基板を回転させて、前記混合液を前記被処理
    基板表面の全面に拡げる工程と、 前記混合液が供給された被処理基板を回転させつつ被処
    理基板の略中央に塗布液を供給し、塗布液を被処理基板
    の径方向外方に拡げて塗布膜を形成する工程と、 前記塗布膜を形成した後、塗布液供給停止後に、被処理
    基板の回転速度を一旦減速して膜厚を均一にする工程
    と、 前記塗布膜を形成する工程の後、残余の塗布液を振り切
    って膜厚を調整する工程と、 を具備することを特徴とする塗布膜形成方法。
16. 【請求項１６】 前記溶剤は、プロピレングリコールモ
    ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
    ーテルアセテート、ブチルアセテート、エチルラクテー
    ト、エチルセロソルブアセテート、メチルメトキシプロ
    ピオネートから選択される少なくとも１種であることを
    特徴とする請求項１５に記載の塗布膜形成方法。
17. 【請求項１７】 前記溶剤は、プロピレングリコールモ
    ノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
    ーテルアセテートの少なくとも１種であることを特徴と
    する請求項１６に記載の塗布膜形成方法。
18. 【請求項１８】 前記水の量は前記混合液全体の５質量
    ％以上５０質量％未満であることを特徴とする請求項１
    ５から請求項１７のいずれか１項に記載の塗布膜形成方
    法。
19. 【請求項１９】 回転する被処理基板に塗布液を供給し
    て塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、 被処理基板を略水平に保持する基板保持部材と、 前記基板保持部材を回転させる回転手段と、 前記基板保持部材に保持された被処理基板に塗布液が溶
    解する溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質と
    の混合液を供給する混合液供給手段と、 前記基板保持部材に保持された被処理基板の略中央に塗
    布液を供給する塗布液供給手段とを具備し、 前記塗布膜の形成に先だって、前記混合液供給ノズルか
    ら被処理基板に混合液が供給され、前記回転手段により
    被処理基板が回転されることにより被処理基板の全面に
    混合液が拡散されることを特徴とする塗布膜形成装置。
20. 【請求項２０】 前記混合液供給手段は、前記溶剤と前
    記揮発抑制物質とを混合して前記混合液を予め生成して
    貯留しておく容器と、この容器から供給された前記混合
    液を被処理基板に供給する混合液供給ノズルとを有する
    ことを特徴とする請求項１９に記載の塗布膜形成装置。
21. 【請求項２１】 前記混合液供給手段は、前記溶剤と前
    記揮発抑制物質とを混合するスタティックミキサと、こ
    のスタティックミキサから供給された前記混合液を被処
    理基板に供給する混合液供給ノズルとを有することを特
    徴とする請求項１９に記載の塗布膜形成装置。
22. 【請求項２２】 前記混合液供給手段は、前記溶剤と前
    記揮発抑制物質とを混合して混合液を生成する混合部を
    有する混合液供給ノズルを備えたことを特徴とする請求
    項１９に記載の塗布膜形成装置。
23. 【請求項２３】 前記混合液供給手段は、前記溶剤を被
    処理基板に供給する溶剤供給ノズルと、前記揮発抑制物
    質を被処理基板に供給する揮発抑制物質供給ノズルとを
    有し、これら溶剤供給ノズルと揮発抑制物質供給ノズル
    とから前記溶剤と前記揮発抑制物質とを別個に前記被処
    理基板上に供給し、該被処理基板上でこれらを混合して
    混合液とすることを特徴とする請求項１９に記載の塗布
    膜形成装置。
24. 【請求項２４】 前記被処理基板に供給される混合液を
    温調する温調機構をさらに具備することを特徴とする請
    求項１９から請求項２３のいずれか１項に記載の塗布膜
    形成装置。