JP2015088650A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】拡散剤の使用量を抑制し、さらにタクトタイムを短縮しながら拡散剤の塗膜の形成不良を抑制することが可能な、太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の一方の面にプリウェット用組成物をスピンコートする第1塗布工程と、第1の不純物元素を有する拡散剤と溶剤とを含む拡散材料を、前記プリウェット用組成物がスピンコートされた前記一方の面にスピンコートし、前記拡散剤の塗膜を形成する第2塗布工程と、前記塗膜が形成された前記半導体基板を熱処理し、前記拡散剤が有する不純物元素を拡散させた第1不純物拡散層を形成する第1不純物拡散層形成工程と、を有する太陽電池の製造方法。
【選択図】図2

Description

本発明は、太陽電池の製造方法に関するものである。
近年、太陽電池が様々な用途において注目されている。太陽電池の製造工程では、半導体基板の表面に拡散材を塗布する工程がある。このような太陽電池は、安価且つ短いタクトタイムで製造することが要求されている。
上記の拡散材を塗布する工程において用いられる方法として、拡散剤をスピンコートにより塗布する方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。
スピンコートによる液状物の塗布としては、レジスト塗布の分野において、レジスト材料を含む塗布液をスピンコートする技術が知られている。スピンコートは、均一な膜厚の塗膜を高い精度で形成可能な技術であるため、例えば、フォトリソグラフィ技術を使用した半導体素子の形成プロセスにおいて、レジスト塗布の工程に採用されている。
特開2012−30160号公報
基板上にスピンコートで塗膜を形成する際には、基板上に供給される塗布液のほとんどが遠心力により回転する基板の外に飛散し、基板上に残存する塗布液で塗膜を形成する。すなわち、使用する塗布液の大半を廃棄してしまうこととなる。
上記特許文献1のように、太陽電池の形成時に拡散剤をスピンコートで塗布すると、高価な拡散剤を多量に廃棄してしまう。また、スピンコートを用いて安価に太陽電池を製造するために、単に拡散剤の使用量を減らすと、基板の端部まで塗布液が行き渡らず塗膜が形成できない部分ができたり、塗膜に孔が開いたりする塗膜の形成不良が生じやすい。そのため、均一に拡散剤を塗布しようとすると、多くの拡散剤を使用する必要が生じ、太陽電池を「安価」に製造したいという要求に応えることが困難となる。
一方、レジスト塗布の分野においては、基板上にスピンコートで塗膜を形成する際に、基板の回転時間を長く(例えば、30秒から1分程度に)設定し、塗膜の膜厚を平均化させることが多い。上記特許文献1のように、太陽電池の形成時に拡散剤をスピンコートで塗布する際、タクトタイムの短縮を目的として基板の回転時間を短くすると、塗りムラが発生しやすく均一な塗膜を形成しにくい。そのため、太陽電池を「短いタクトタイムで」製造したいという要求に応えることが困難である。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、拡散剤の使用量を抑制し、さらにタクトタイムを短縮しながら拡散剤の塗膜の形成不良を抑制することが可能な、太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明の一態様に係る太陽電池の製造方法は、半導体基板の一方の面にプリウェット用組成物をスピンコートする第1塗布工程と、
第1の不純物元素を有する拡散剤と溶剤とを含む拡散材料を、前記プリウェット用組成物がスピンコートされた前記一方の面にスピンコートし、前記拡散剤の塗膜を形成する第2塗布工程と、前記塗膜が形成された前記半導体基板を熱処理し、前記拡散剤が有する不純物元素を拡散させた第1不純物拡散層を形成する第1不純物拡散層形成工程と、を有する。
この方法によれば、基板表面がプリウェット用組成物で濡れた状態で拡散材料をスピンコートするため、容易にかつ短時間で拡散材料を濡れ広げることができる。
また、拡散材料はプリウェット用組成物と相溶しながら一方の面全面に濡れ広がるため、使用する拡散剤が少量であっても、効果的に一方の面の全面に拡散材料を濡れ広げ、一方の面の全面に容易に拡散剤の塗膜を形成することができる。
そのため、拡散剤の使用量を抑制し、さらにタクトタイムを短縮しながら拡散剤の塗膜の形成不良を抑制することが可能な、太陽電池の製造方法を提供することができる。
本発明の一態様においては、前記第1塗布工程に先立って、少なくとも前記一方の面に凹凸形状を形成する工程を有する製造方法としてもよい。
この方法によれば、凹凸形状が形成された一方の面は、プリウェット用組成物を保持しやすく、一方の面の全面が膜状のプリウェット用組成物で濡れた状態を維持しやすい。そのため、拡散材料のスピンコートが容易となる。
本発明の一態様においては、前記第2塗布工程において、半乾燥状態の前記塗膜を形成する製造方法としてもよい。
この方法によれば、塗膜を完全に乾燥させた後に基板回転を停止させる場合と比べ、タクトタイムを短縮することができる。また、基板回転時間が短くなるため、塗膜に風切りによる悪影響が生じにくい。
本発明の一態様においては、前記第1塗布工程の開始から前記第2塗布工程の終了まで、前記半導体基板の回転を止めることなく連続してスピンコートを行う製造方法としてもよい。
この方法によれば、一方の面に塗布されるプリウェット用組成物及び拡散材料には常に遠心力が加わる。そのため、プリウェット用組成物及び拡散材料は他方の面に回り込むことなく周囲に飛散し、他方の面の汚染を抑制することができる。
本発明の一態様においては、前記第2塗布工程における最大基板回転数は、前記第1塗布工程における最大基板回転数よりも大きく、前記第2塗布工程においては、前記拡散材料を前記一方の面に供給した後に、前記第1塗布工程の基板回転数から前記第2塗布工程の基板回転数に増加させる製造方法としてもよい。
この方法によれば、拡散材料の塗りムラが生じにくくなる。
本発明の一態様においては、前記第1不純物拡散層形成工程の後に、前記半導体基板の他方の面に第2の不純物元素を拡散させた第2不純物拡散層を形成する工程を有する製造方法としてもよい。
この方法によれば、高性能な太陽電池を製造することができる。
本発明によれば、拡散剤の使用量を抑制し、さらにタクトタイムを短縮しながら拡散剤の塗膜の形成不良を抑制することが可能な、太陽電池の製造方法を提供することができる。
本実施形態の太陽電池の製造方法で製造する太陽電池基板の一例を示す概略断面図である。 本実施形態の太陽電池の製造方法を示すフロー図である。 本実施形態の太陽電池の製造方法を示す工程図である。 本実施形態の太陽電池の製造方法を示す部分拡大図である 本実施形態の太陽電池の製造方法を示す工程図である。 第1塗布工程および第2塗布工程についての好適な条件を説明する説明図である。 プリウェットを行わない場合の不具合について説明する説明図である。 本実施形態の太陽電池の製造方法を実施する基板処理装置の説明図である。 基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。 塗布装置の要部構成を示す図である。 ノズル部の要部構成を示す図である。 塗布装置による拡散材料の塗布工程を示すフローチャートである。 塗布装置における塗布工程を説明する説明図である。 基板処理装置の変形例を示す図である。 実施例の結果を示すグラフである。
以下、図を参照しながら、本発明の一態様に係る太陽電池の製造方法について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
図1は、本実施形態の太陽電池の製造方法で製造する太陽電池基板の一例を示す概略断面図である。
本実施形態の太陽電池基板1000は、n型シリコン層(nSi層)1001と、p型シリコン層(pSi層)1002と、酸化膜1003と、n型シリコン層(nSi層)1004と、を有している。
nSi層1001は、n型半導体の層であり、例えば単結晶シリコンに周期律表で15族に属する不純物元素を拡散させることで得られる。15族の元素としては、リン(P),ヒ素(As),アンチモン(Sb)が挙げられる。本実施形態では、不純物元素としてPを含むこととして説明する。
Si層1002は、p型半導体の層であり、例えば単結晶シリコンに周期律表で13族に属する不純物元素を拡散させることで得られる。13族の元素としては、ホウ素(B),ガリウム(Ga)が挙げられる。pSi層1002に拡散している不純物元素は、本発明における「第1の不純物元素」に該当する。本実施形態では、不純物元素としてBを含むこととして説明する。
酸化膜1003は、pSi層1002に含まれる不純物元素と、単結晶シリコンの基板に含まれるケイ素と、酸素と、が結合して生じる酸化膜である。本実施形態では、ボロシリケートグラス(borosilicate glass)を形成材料とする膜であることとして説明する。
Si層1004は、n型半導体の層であり、例えば単結晶シリコンに周期律表で15族に属する不純物元素を拡散させることで得られる。また、nSi層1004は、nSi層1001よりも不純物元素の濃度が高くなっている。nSi層1004に拡散している不純物元素は、本発明における「第2の不純物元素」に該当する。15族の元素としては、nSi層1001に用いられるものと同じものが挙げられる。本実施形態では、不純物元素としてPを含むこととして説明する。
図に示す太陽電池基板1000は、酸化膜1003を除去した後に、表面にパッシベーション処理を施し、さらに上面と下面とに電極を付すことで、全体として太陽電池を構成する。
図2は、本実施形態の太陽電池の製造方法を示すフロー図である。図に示すように、本実施形態の太陽電池の製造方法は、基板表面における凹凸の形成(凹凸形成工程、ステップS11)、基板表面のプリウェット(第1塗膜形成工程、ステップS121、ステップS12)、拡散剤の塗布(第2塗膜形成工程、ステップS122、ステップS12)、p層の形成(第1不純物拡散層形成工程、ステップS13)、n層の形成(第2不純物拡散層形成工程、ステップS14)、の各ステップを含んでいる。
ステップS121とステップS122とは、拡散剤の塗膜を形成する工程(ステップS12)の一部である。
図3〜5は、本実施形態の太陽電池の製造方法を示す説明図であり、図3,5は工程図、図4は図3(c)(d)の部分拡大図である。
以下、図2〜5を参照しながら、太陽電池の製造方法を説明する。
(凹凸形成工程)
図3(a)に示すように、本実施形態の太陽電池の製造方法で用いる基板Wは、平面視円形状のウエハWAについて、円弧の一部を切り取った角が丸い略矩形状を有している。このような基板Wの加工は、太陽電池の製造工程の一部であってもよく、予め略矩形に加工された基板Wを用いて太陽電池の製造工程を実施してもよい。
ウエハWAは、例えば、CZ法(チョクラルスキー法)やFZ法(フロートゾーン法)等を用いて製造される単結晶シリコン等の円柱型インゴットを、円柱の軸方向と直交する方向に薄く切断して得られるものを用いる。また、ウエハWAがn型半導体となるように、予め15族の不純物元素を全体に拡散させてある。
通常、太陽電池は、太陽電池基板から製造する太陽電池セルを複数枚接続して太陽電池モジュールを作製し、さらに太陽電池モジュールを複数枚接続して敷き詰めたアレイ構造とする。太陽電池モジュールは一般的に矩形であるため、ウエハWAは、角が丸い略矩形の基板Wに加工され、モジュール内での設置効率の向上が図られる。得られた基板Wは、基板Wの中央部WCから基板Wの外周までの距離が一定ではなく、最短の距離L1から最長の距離L2までの違いを有している。
本実施形態の太陽電池の製造方法では、まず、図3(b)に示すように、基板Wの一方の面Waの全面をアルカリ溶液ASでエッチング処理し、表面凹凸を形成する(図2のステップS11)。単結晶シリコンからなる基板Wの一方の面Waをアルカリ溶液ASでエッチングすると、結晶方位による溶解度の違いから、結晶方位に沿って異方性エッチングが施され、一方の面Waの全面に凹凸形状が形成される。エッチングは、凹凸形状の高さが、例えば0.3μm〜20μm程度となるまで行う。
上述のような凹凸形状を受光面に設けた太陽電池では、例えば、半導体素子の形成に用いるウエハのように、表面が鏡面処理された面を受光面として用いる太陽電池と比べ、光が凹凸形状の表面で反射または屈折しながら基板内に導かれやすい。そのため、太陽光の利用効率が高く、高効率で発電が可能な太陽電池となる。
(第1塗布工程)
次いで、図3(c)に示すように、基板Wの一方の面Waに向けて、ノズル26からプリウェット用組成物210を供給し、スピンコートすることで、一方の面Waの全面にプリウェット用組成物210の膜を形成する(図2のステップS121)。詳細な塗布条件については後述する。
本実施形態においては、このように基板Wの表面にプリウェット用組成物の膜を形成することを「プリウェット」と称することがある。
プリウェット用組成物としては有機溶剤を用いることが好ましく、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等の1価アルコール;
メチル−3−メトキシプロピオネート、及びエチル−3−エトキシプロピオネート等のアルキルカルボン酸エステル;
エチレングリコール、ジエチレングリコール、及びプロピレングリコール等の多価アルコール;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、3−メトキシ−1−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール誘導体;
酢酸、及びプロピオン酸等の脂肪酸;
アセトン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノンのようなケトン;
を用いることができる。
中でも、本実施形態においては、上述した1価アルコール、多価アルコール、およびエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、3−メトキシ−1−ブタノール等の多価アルコール誘導体のような、プロトン性の極性溶媒を用いることが好ましい。
これらのプリウェット用組成物は有機溶剤を単独で用いてもよく、組み合わせて用いてもよい。さらに、水と混合して用いてもよい。
プリウェット用組成物に使用する有機溶剤は、沸点が30℃以上200℃以下であるものが好ましい。また、使用する水は、イオン交換水(Deionized Water、DIW)であることが好ましい。
プリウェット用組成物210は、好ましくはプロトン性の極性溶媒と水との混合溶媒である。プロトン性の極性溶媒としては、1価アルコールまたは多価アルコール誘導体が好ましい。水溶性が高いものの方が混合溶媒の調整が容易であるため、1価アルコールとしてはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールが好ましく、多価アルコール誘導体としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
プリウェット用組成物210の具体例としては、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)と純水との1:1混合溶媒を挙げることができる。このPGME:DIW=1:1混合溶媒は、PGMEを増やし、例えばPGME:DIW=2:1としたものよりも、後述の拡散剤を溶解しやすく拡散剤の塗膜を形成しやすいため好ましい。また、PGMEを減らし、例えばPGME:DIW=1:2としたものよりも、スピンコート時に基板Wの表面に塗り広げやすいため好ましい。
本実施形態においては、プリウェット用組成物210としてPGME:DIW=1:1混合溶媒を用いることとして説明する。
(第2塗布工程)
次いで、図3(d)に示すように、基板Wの一方の面Waに向けて、ノズル23から拡散剤を含む拡散材料200を供給し、スピンコートすることで、一方の面Waの全面に拡散剤の塗膜を形成する(図2のステップS122)。詳細な塗布条件については後述する。
拡散材料200は、不純物元素を有する拡散剤と溶剤とを有する液状物である。不純物元素としては、上述した13族元素または15族元素が挙げられる。また、その他の不純物元素として、亜鉛、銅等が挙げられる。
拡散材料200に含まれる拡散剤としては、不純物元素を有する酸化物、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩等の無機塩、酢酸等の有機酸の塩、不純物元素を有する有機化合物を用いることができる。
拡散剤として具体的には、B、(RO)B、RB(OH)、RB(OH)等のホウ素化合物;
(RO)Ga、RGa(OH)、RGa(OH)、RGa〔OC(CH)=CH−CO−(CH)〕等のガリウム化合物;
、NH・PO、(RO)P、(RO)P(OH)、(RO)PO、(RO)(OH)、(RO)P(OH)等のリン化合物;
AsO、HAsO、(RO)As、(RO)As、(RO)As(OH)、RAsO、RAs=AsR等のヒ素化合物;
SbO、(RO)Sb、SbX、SbOX、SbX等のアンチモン化合物;
Zn(OR)、ZnX、Zn(NO等の亜鉛化合物;
が挙げられる。上記式中、Rはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基又はアリール基、Xはハロゲン原子を表す。これらの化合物の中では、酸化ホウ素(B)、酸化リン(P)等を好ましく用いることができる。
本実施形態においては、拡散剤として酸化ホウ素を用いることとして説明する。
拡散材料200に含まれる溶剤としては、上述したプリウェットに用いるプリウェット用組成物210において例示したものを用いることができる。拡散材料200に含まれる溶剤と、プリウェットに用いるプリウェット用組成物210とは、同じものを用いると好ましい。本実施形態においては、拡散材料200に含まれる溶剤としてPGME:DIW=1:1混合溶媒を用いることとして説明する。
また、拡散材料200は、拡散と同時に基板W上への絶縁膜、平坦化膜、又は保護膜の形成するために、R Si(OR4−nで表されるアルコキシシランのうちの少なくとも一種を出発原料とする加水分解・縮合重合物を含んでも良い。なお、式中Rは水素原子、又は1価の有機基であり、Rは1価の有機基であり、nは1〜3の整数を示す。
ここで、上記アルコキシシランが有する1価の有機基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル基を挙げることができる。これらの中では、アルキル基及びアリール基が好ましい。
アルキル基の炭素数は1〜5が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等を挙げることができる。また、アルキル基は直鎖状であっても、分岐状であってもよく、水素がフッ素により置換されていてもよい。アリール基としては、炭素数6〜20のものが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。
Si(OR4−nで表されるアルコキシシランは、n=1〜3のそれぞれについて、以下の化合物を例示することができる。
(i)n=1の場合、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、及びプロピルトリエトキシシラン等のアルキルトリアルコキシシラン;
フェニルトリメトキシシラン、及びフェニルトリエトキシシラン等のフェニルトリアルコキシシラン;等
(ii)n=2の場合、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、及びジプロピルジエトキシシラン等のジアルキルジアルコキシシラン;
ジフェニルメトキシシラン、及びジフェニルエトキシシラン等のジフェニルジアルコキシシラン;等
(iii)n=3の場合、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルプロポキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、及びトリプロピルエトキシシラン等のトリアルキルアルコキシシラン;
トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン等のトリフェニルアルコキシシラン;等
これらの中では、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、及びメチルトリプロポキシシラン等のメチルトリアルコキシシランを好ましく用いることができる。
拡散材料200の粘度は、0.7mPa・s以上50mPa・s以下(0.7cP以上50cP以下)であると好ましい。粘度が0.7mPa・s以上50mPa・s以下であると、塗膜の塗りムラが生じにくく、また十分な膜厚の塗膜が得られやすい。また、スピンコート時の基板回転速度を抑えた条件で拡散材料200を一方の面Waに塗り広げることが可能となり、拡散材料200の飛沫が基板Wの他方の面へ付着しにくい。
このような拡散材料200をスピンコートし、さらに基板Wの回転を続けることにより、拡散材料200に含まれる溶剤が揮発し、一方の面Waの全面に拡散剤の塗膜が形成される。乾燥後に得られる拡散剤の塗膜の膜厚は、3000Å以上10000Å以下であると好ましい。
ここで、図3(c)(d)で示したプリウェット、および拡散剤の塗膜形成について図4を用いてさらに説明する。図4(a)は、図3(c)に対応した部分拡大図であり、図4(b)は、図3(d)に対応した部分拡大図である。
まず、図4(a)に示すように、一方の面Waにプリウェット用組成物210をスピンコートすると、プリウェット用組成物210は、一方の面Waに形成された凹凸形状Tの溝部分DRに溜まりながら、基板Wの端部にまで濡れ広がる。すなわち、凹凸形状Tが形成された一方の面Waは、鏡面である場合よりもプリウェット用組成物210を保持しやすく、一方の面Waの全面が膜状のプリウェット用組成物210で濡れた状態を維持しやすい。
次いで、図4(b)に示すように、一方の面Waに拡散材料200を供給しスピンコートする。図では、拡散材料200が濡れ広がる様子を白矢印で示している。
一般論として、表面に凹凸形状が形成されている基板の表面に液状物をスピンコートしようとする場合、基板表面を移動する液状物は、凹凸形状に移動を阻害される。そのため、表面が鏡面である基板に液状物をスピンコートする場合よりも、液状物が濡れ広がりにくい。
しかし、本実施形態においては、プリウェットにより一方の面Waにはプリウェット用組成物210の膜が形成されており、プリウェット用組成物210が溝部分DRに溜まることで、表面凹凸が緩和されている。そのため、拡散材料200のスピンコート時に、プリウェットしていない場合と比べ、容易にかつ短時間で拡散材料200を濡れ広げることができる。
また、拡散材料200は、一方の面Waに形成されているプリウェット用組成物210の膜と相溶しながら、スピンコートにの遠心力で基板Wの端部にまで広がる。図では、拡散材料200がプリウェット用組成物210に溶解する様子を黒矢印で示している。
本実施形態の太陽電池の製造方法においては、一方の面Waに凹凸形状Tが形成されていることにより、溝部分DRでは良好にプリウェット用組成物210を保持するため、拡散材料200をプリウェット用組成物210に溶解しながら基板Wの端部にまで広げやすい。プリウェット用組成物210の膜は一方の面Waの全面に形成されているため、上述の効果により一方の面Waの全面に拡散材料200を塗り広げ、一方の面Waの全面に容易に拡散剤の塗膜を形成することができる。
また、拡散材料200の供給量が少量であり、使用する拡散剤が少量であっても、効果的に一方の面Waの全面に拡散材料200を濡れ広げ、一方の面Waの全面に容易に拡散剤の塗膜を形成することができる。
また、上述のように、拡散材料200がプリウェット用組成物210の膜と相溶しながら濡れ広がるため、本実施形態の製造方法においては、拡散材料200を、一方の面Waの上に供給された時の粘度よりも低粘度化しながら塗布することとなる。例えば、初めから低粘度の拡散材料を用意し、スピンコートした場合には、拡散材料が基板の他方の面側に回り込み、他方の面を汚してしまうおそれが高まる。しかし、本実施形態の製造方法のように、供給した拡散材料200を低粘度化しながらスピンコートすることとすると、他方の面を汚してしまうおそれが少なく、他方の面を洗浄する工程を省くことが可能となる。
(第1不純物拡散層形成工程)
次いで、図3(e)に示すように、拡散剤の塗膜を形成した基板Wを熱処理し、基板Wに不純物元素を拡散させて、基板の表面に不純物拡散層を形成する(図2のステップS13)。
すなわち、熱処理により拡散剤が分解し、生じた不純物元素が、単結晶シリコン製の基板Wの表面から内部に熱拡散することで、基板Wの表面に不純物拡散層を形成する。本実施形態においては、拡散剤として酸化ホウ素を用いているため、不純物拡散層としてp型の層であるpSi層1002を形成する。図では、基板WにおいてpSi層1002が形成された残りの部分をnSi層1001として示している。
また、基板表面においては、拡散剤に含まれるホウ素と、基板Wに含まれるケイ素と、空気中の酸素とが反応し、ボロシリケートグラスを形成材料とする酸化膜1003が形成される。
(第2不純物拡散層形成工程)
次いで、図5に示すように、基板の他方の面に第2の不純物元素を拡散させて、不純物拡散層を形成する(図2のステップS14)。
例えば、図に示すように、pSi層1002および酸化膜1003を形成した基板を、チャンバーC内に配置し、チャンバーC内に15族元素を含む気体を導入した後にチャンバーC内を加熱することで、不純物拡散層を形成する。本実施形態においては、15族元素を含む気体としてPOClを用い、不純物拡散層としてn型の層であるnSi層1004を形成する。
また、pSi層1002の形成と同様に、基板の他方の面に上述した15族元素を含む拡散剤の塗膜を形成した後、熱処理することとしてもよい。
本実施形態では、このようにして太陽電池の製造に用いる太陽電池基板1000を製造する。
その後の工程において、上記一方の面に対応する太陽電池基板1000の表面には反射防止膜、上記他方の面に対応する太陽電池基板1000の表面には反射膜など、適宜構成を付与した後、両表面に電極を配置して太陽電池を製造する。
図6は、第1塗布工程および第2塗布工程についての好適な条件を説明する説明図である。
図6(a)は、第1塗布工程および第2塗布工程のスピンコートの条件を示すグラフである。図6(a)の横軸は、スピンコートにおける基板Wの回転時間(単位:秒)を示し、縦軸は、スピンコートにおける基板Wの回転速度(単位:rpm、回毎分)を示す。
図6(a)に示すように、第1塗布工程では、停止状態の基板を時間T1までに回転速度R1で回転させる。所定の回転速度R1に達したところで、基板Wの一方の面Waにプリウェット用組成物210を滴下し、時間T1から時間T2まで回転速度R1を維持してスピンコートを行う。
その後、第2塗布工程では、基板Wの回転速度をR1に保ったまま、一方の面Waに拡散材料200を滴下し、時間T2から時間T3まで回転速度R1を維持してスピンコートを行う。
次いで、時間T2から時間T3までの間に、基板Wの回転速度をR1からR2に加速し、時間T4から時間T5まで回転速度R2を維持してスピンコートを行う。
次いで、時間T5から時間T6までの間に、基板Wの回転速度をR2から0rpmに減速し、第2塗布工程を終了する。
基板回転時間は、開始からT1までは、タクトタイムを考慮して適宜設定することができる。例えば0.01秒以上0.2秒以下である。
T1〜T2間は、例えば0.5秒以上5秒以下である。本実施形態の製造方法においては、T1〜T2間は5秒である。
T2〜T3間は、例えば0.5秒以上1秒以下である。本実施形態の製造方法においては、T2〜T3間は1秒である。
T3〜T4間は、例えば0.1秒以上1秒以下である。
T4〜T5間は、例えば3秒以上8秒以下である。本実施形態の製造方法においては、T4〜T5間は5秒である。
T5〜T6間は、例えば0.1秒以上1秒以下である。
また、基板回転速度は、R1は800rpm以上3000rpm以下であり、R2は1000rpm以上5000rpm以下である。R1は、第1塗布工程における最大基板回転数であり、R2は、第2塗布工程における最大基板回転数である。本実施形態の製造方法においては、R1が800pm、R2が3000rpmである。
図6(a)に示すスピンコート条件では、第1塗布工程および第2塗布工程のスピンコートは、第1塗布工程の開始から第2塗布工程の終了まで、基板Wの回転を止めることなく連続して行うこととしている。第1塗布工程と第2塗布工程との間で基板Wの回転を停止させると、図6(b)に示すように、第1塗布工程でスピンコートしたプリウェット用組成物210が、自重で基板Wの他方の面に回り込んでしまい、他方の面を汚してしまう。しかし、第1塗布工程と第2塗布工程との間で基板Wの回転を続けていると、プリウェット用組成物210には常に遠心力が加わるため、プリウェット用組成物210は他方の面に回り込むことなく、周囲に飛散するため、他方の面の汚染を抑制することができる。
また、第1塗布工程の開始から第2塗布工程の終了まで、基板Wの回転を止めることなく連続して行うと、他の課題も解決することができる。
本実施形態の製造方法で用いる基板は、図3(a)で示したように、基板Wの中央部WCから基板Wの外周までの距離が一定ではない。このように、中央部WCから基板Wの外周までの距離が一定ではない基板を回転させると、基板Wの端部、特に基板カットによって形成された直線部分が周辺の空気とぶつかりながら回転するため、周辺の空気を動かし、空気の流れを形成しやすい。以下、このような現象を「風切り」と称する。
風切りにより空気が大きく動くと、スピンコートにより周囲に飛散する拡散材料200やプリウェット用組成物210の飛沫が、空気の流れに乗って基板Wの他方の面に達し、他方の面を汚すことがある。基板Wの形状に由来する風切りは、不可避的に発生するため、本実施形態の製造方法においては、スピンコート時に風切りの影響をなるべく低減するような運転条件とすることが必要となる。
この観点によると、基板回転時間の総時間が短い方が、風切りであまり空気を動かさないうちにスピンコートが終了するため好ましい。また、基板回転速度の変化を少なくすると、風切りによる空気の動きを乱しにくいため好ましい。
上述のように、第1塗布工程と第2塗布工程との間で基板Wの回転を止めないことにより、第1塗布工程の開始から第2塗布工程の終了までの間において、基板回転速度の変化を少なくすることができる。
また、基板回転時間を上述のような時間範囲で設定することにより、タクトタイムを15秒〜18秒程度に抑えることができ、風切りによる基板Wの他方の面の汚れを抑制することができる。
さらに、第2塗布工程においては、T4〜T5間の時間を制御し、半乾燥状態の拡散剤の塗膜を形成すると好ましい。ここで、拡散剤の塗膜が「半乾燥状態」とは、拡散材料200としての流動性は失っているが、塗膜を常温で放置したときに自然乾燥する様子が目視確認できる程度に溶媒が残存している状態を指している。例えば、回転速度R2で60秒間回転し続けて塗膜を形成した場合には、半乾燥状態ではなく、十分に乾燥した塗膜となる。
塗膜が半乾燥状態となったところで基板回転を停止し、第2塗布工程を終了することにより、塗膜を完全に乾燥させた後に基板回転を停止させる場合と比べ、スピンコートのタクトタイムを短縮することができる。また、基板回転時間が短くなるため、塗膜に風切りによる悪影響が生じにくい。
また、図に示すように、第2塗布工程においては、拡散材料200を一方の面に供給した後に、第1塗布工程の基板回転数から第2塗布工程の基板回転数に増加させると好ましい。これにより、拡散材料200の塗りムラが生じにくくなる。
本実施形態の製造方法においては、基板Wの一方の面Waに拡散剤の塗膜を形成する前にプリウェットを行うため、拡散剤を含む拡散材料200をスピンコートすると拡散材料200が一方の面Waに良好に濡れ広がる。そのため、形成される拡散剤の塗膜は、孔や塗り残しなどの欠陥が無い良好な塗膜となる。このような塗膜を形成することによる効果を以下説明する。
図7は、プリウェットを行わない場合の不具合について説明する説明図である。図7(a)(b)は、それぞれ図3(c)(d)に対応し、図7(c)は、図1に対応する。
まず、拡散剤の使用量を抑制するため、拡散材料200の滴下量を減らした場合、プリウェットを行わない場合には、塗膜に孔や塗り残しなどの形成不良が生じやすい。図7(a)では、基板W上に拡散材料200を塗布した場合に、拡散材料200の塗膜に孔200xが形成されている状態を示している。
このように、拡散材料200の塗布状態が、孔200xが形成されたような状態であると、熱処理により第1不純物拡散層を形成した場合、孔200xに対応した位置にはpSi層1002が形成されない。また、孔200xに対応した位置には酸化膜1003が形成されず、孔1003xが形成される。孔1003xの底には、基板表面に残存したnSi層1001(nSi層1001x)が露出する(図7(b))。
このような基板を用いて、上述の方法と同様に不純物元素を含む気体を用いて第2不純物拡散層を形成すると、基板の他方の面にnSi層1004が形成される。さらに、孔1003xの内部に露出するnSi層1001xにも第2不純物拡散層(nSi層1004x)が形成される(図7(c))。すなわち、pSi層1002とnSi層1004xとが、同じ層で隣接した状態で形成された太陽電池基板1000xが得られる。
このような太陽電池基板1000xを用いて太陽電池を製造すると、発電時にpSi層1002とnSi層1004xとのpn接合部分で漏れ電流Irevが生じやすく、太陽電池にホットスポットが生じやすくなってしまう。
太陽電池の製造においては、製造に用いる基板W全体が太陽電池の製品となり、上述のように拡散材料200の塗布時に孔200xが形成された場合に、孔200xの周囲の不良部分を選択的に破棄するというような操作が採用できない。そのため、図7で示したような太陽電池の製造時の不良は、太陽電池全体に影響を及ぼしてしまう。
対して、本実施形態の太陽電池の製造方法においては、プリウェット用組成物210でプリウェットを行った後に拡散材料200をスピンコートすることとしているため、拡散剤の塗膜の形成不良が生じにくく、高品質な太陽電池を製造することが可能となる。
本実施形態の太陽電池の製造方法は、以上のような内容となっている。
以下、本実施形態の太陽電池の製造方法を実施可能な装置構成について、一例を説明する。
図8(a)は本実施形態の太陽電池の製造方法を実施する基板処理装置の平面図であり、図8(b)は図8(a)のA−A線矢視による断面図である。図9は基板処理装置100の電気的構成を示すブロック図である。
以下、基板処理装置100の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、XYZ座標系を用いて図中の方向を説明する。基板処理装置100の長手方向であって基板の搬送方向をX方向と表記する。平面視でX方向(基板搬送方向)に直交する方向をY方向と表記する。X方向軸及びY方向軸を含む平面に垂直な方向をZ方向と表記する。なお、X方向、Y方向及びZ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が+方向、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとする。
図8(a)、(b)に示すように、基板処理装置100は、被処理物である基板Wを搬入するための搬入部1と、該搬入部1の下流側(+X方向)に設けられた塗布装置10と、該塗布装置10の下流側(+X方向)に設けられた乾燥装置3と、これら搬入部1から乾燥装置3まで基板Wを搬送する第1搬送装置6と、乾燥装置3の部分において基板Wを搬送する第2搬送装置7と、を備えている。
基板処理装置100は、図9に示すように、搬入部1、塗布装置10、乾燥装置3、第1搬送装置6、及び第2搬送装置7の各々の駆動を制御する制御部9を備えている。
乾燥装置3は、下流側(+X方向)に向かって順に配置された3台のホットプレート3a、3b、3cから構成されている。各ホットプレート3a,3b,3cは、基板の搬送方向と直交する方向(Y方向)に3分割され、各ホットプレート3a,3b,3c間に隙間51が形成されている。
上記第2搬送装置7は、隙間51を介してホットプレート3a、3b、3cの裏面側と表面との間を進退可能な薄板状の基板支持部材52と、該基板支持部材52をX方向に沿ってガイドするガイドロッド53と、該ガイドロッド53に沿って基板支持部材52をX方向に沿って移動するシリンダユニット54と、を含む。乾燥装置3は、制御部9と電気的に接続されており、各ホットプレート3a,3b,3cの駆動が制御部9により制御されている。
塗布装置10は、基板Wを保持するチャック部20と、チャック部20に保持された基板Wに対して拡散材料を滴下するノズル部21と、回転中のチャック部20を収容するカップ部(飛散防止用カップ)22と、を含む。本実施形態に係る塗布装置10は、所謂スピンコータである。塗布装置10は、制御部9と電気的に接続されており、チャック部20の動作が制御部9により制御されている。
第1搬送装置6は、基板処理装置100の一端(−Y方向)側に沿って設けられたレール60と、該レール60に沿って移動する複数の移動体61と、該各移動体61から上方(+Z方向)に昇降自在であり基板Wを支持する複数の基板支持部材62と、を含む。基板支持部材62は、基板Wを支持するための複数の支持爪63が設けられている。第1搬送装置6は、制御部9と電気的に接続されており、移動体61及び基板支持部材62の駆動が制御部9により制御されている。
第1搬送装置6は、複数の移動体61を独立して駆動可能となっている。これら移動体61はレール60に沿って移動する際、各々が干渉しない位置に設けられている。これにより、第1搬送装置6は、例えば一の移動体61に設けられた基板支持部材62が拡散材料200の塗布後の基板Wを塗布装置10内から搬出して乾燥装置3内に搬入するタイミングと同時に、他の移動体61に設けられた基板支持部材62が搬入部1から別の基板Wを塗布装置10内に搬入することが可能となっている。これにより、基板処理装置100は基板Wに対する拡散材料200の塗布工程及び乾燥工程に要するタクトを短縮している。
第2搬送装置7は、制御部9と電気的に接続されており、シリンダユニット54の駆動が制御部9により制御されている。第2搬送装置7は、シリンダユニット54によるZ方向の伸長動作を行うことで、基板支持部材52の上端を隙間51から突出させることでホットプレート3a上の基板Wを持ち上げ、この状態でガイドロッド53に沿ってシリンダユニット54とともに基板支持部材52を下流側へ移動し、次いでシリンダユニット54を圧縮し、基板支持部材52の上端をホットプレート3aの上面より下げることで、基板Wを下流側のホットプレート3bに移し換える。このような動作を繰り返すことで、順次下流側のホットプレート3cへと基板Wを移し換えるようになっている。
図10は、塗布装置10の要部構成を示す図であり、図10(a)は側断面図を示すものであり、図10(b)は平面図を示すものである。なお、図10においては塗布装置10内に基板Wが設置された状態を図示している。
チャック部20は、図10(a)に示すように基板Wを吸着保持した状態で回転可能とされており、カップ部22に対して昇降可能となっている。具体的にチャック部20は、基板Wを載置する載置ポジション(基板載置位置)からカップ部22内において回転動作を行う回転ポジション(回転位置)との間で昇降可能となっている。
カップ部22は、基板Wに滴下された拡散材の周囲への飛散を防止するためのものであり、基板Wの裏面側を洗浄する裏面洗浄ノズル(洗浄ノズル)22aを備えている。裏面洗浄ノズル22aは、図示しない洗浄液供給源が接続されている。この洗浄液供給源は加圧により洗浄液を裏面洗浄ノズル22aから噴射するようになっている。
図10(b)に示すように、本実施形態に係るチャック部20は平面視した状態で円形状からなる。一方、チャック部20が保持する基板Wは太陽電池用途であることから平面形状が角型であり、四隅が面取りされた形状となっている。
チャック部20は基板Wの短辺の長さの40〜70%の直径を有している。本実施形態では、チャック部20の直径は例えば基板Wの短辺の長さの略2/3となっている。このようにチャック部20が基板Wの短辺の長さの40〜70%の直径を有するため、上述のように四隅が面取りされるため、回転時にバタツキが生じるおそれのある基板Wであってもチャック部20が良好に保持できるようになっている。また、基板Wとして厚みが薄いものを採用する場合であってもチャック部20が確実に保持することができる。
続いて、チャック部20及び裏面洗浄ノズル22aにおける配置関係について説明する。裏面洗浄ノズル22aは、図10(b)に示すように平面視した状態でチャック部20の外縁と基板Wの外縁との略中央に配置されている。この構成によれば、チャック部20により回転する基板Wの裏面におけるチャック部20の外縁に対して略同心円状となる位置に洗浄液を供給することが可能となっている。
塗布装置10は、基板Wの表面に拡散材料を滴下するタイミングと同時に基板Wの裏面に裏面洗浄ノズル22aから洗浄液としてアルコールを噴射する所謂バックリンス処理が可能となっている。当該洗浄液としてのアルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、及び3−メトキシ−1−ブタノール等の炭素数1〜5のアルコールが挙げられる。
具体的に本実施形態では、裏面洗浄ノズル22aはチャック部20に保持された基板Wの短辺の外縁端からの距離Dが10mm以内となっている。これにより、裏面洗浄ノズル22aから基板Wの裏面に供給された洗浄液が基板Wの外縁端まで良好に拡がり、基板Wの裏面への拡散材料の回り込みを防止することで、拡散材料の塗布後に別途バックリンス処理を行う必要が無くなり、塗布工程のタクトを短縮している。
図11はノズル部21の要部構成を示す図である。
ノズル部21は、図11に示すように、拡散材料200を滴下する開口部23aが形成された第1ノズル23と、プリウェット用組成物210を滴下する開口部26aが形成された第2ノズル26と、第1ノズル23及び第2ノズル26を収容する収容部24と、を有している。
収容部24は、図11に示すように、第1ノズル23及び第2ノズル26に一体に設けられる蓋部24aと、該蓋部24aとともに第1ノズル23及び第2ノズル26の一部(先端部分)を収容する密閉空間を形成する本体部24bと、を有している。このように収容部24は、第1ノズル23及び第2ノズル26の先端部を密閉状態で収容することで開口部23a、26aが乾燥するのを防止することができる。なお、蓋部24aは第1ノズル23及び第2ノズル26とともに移動し、本体部24bはノズル部21の待機位置から動くことが無い。
本実施形態において、第1ノズル23及び第2ノズル26は、蓋部(保持部材)24aにより一体に保持されている。第1ノズル23は、開口部23aを鉛直方向(Z軸方向)に向けるようにして配置される。すなわち、第1ノズル23は、開口部23aから滴下される拡散材の液滴の滴下方向を鉛直方向に沿った状態となるように蓋部24aに保持されている。
一方、第2ノズル26は、開口部26aの中心を通る軸線を鉛直方向(Z軸方向)に対して傾けた状態となるように配置されている。すなわち、第2ノズル26は、開口部26aから滴下されるプリウェット用組成物の液滴の滴下方向を鉛直方向に対して傾いた状態とするように蓋部24aに保持されている。
蓋部24aに保持された第1ノズル23は、基板Wに対して鉛直方向における上方から拡散材を滴下可能となっている。一方、第2ノズル26は、第1ノズル23が基板Wの中央部に対して拡散材を滴下可能な位置に配置された際、基板Wの中央部WCに対する斜め上方からプリウェット用組成物を基板Wの中央部に滴下可能となるように蓋部24aに保持されている。すなわち、本実施形態において、蓋部24aは、プリウェット用組成物の液滴が基板Wの中央部に滴下されるように液滴の着弾位置を規制する規制手段を構成している。
なお、第2ノズル26における蓋部24aへの取り付け角度、すなわち第2ノズル26の軸線における鉛直方向に対する傾斜角度は、基板Wと、開口部23a及び開口部26aとの位置関係や各ノズル23、26の寸法等により適宜設定されるが、例えば、30〜45度に設定するのが好ましく、45°に設定するのがより好ましい。なお、第2ノズル26は、全体を傾斜させた状態とする必要は必ずしもなく、先端部のみを上記角度で傾斜させる構成を採用してもよい。これによれば、第2ノズル26の設置スペースを抑えることができ、ノズル部21の小型化を図ることができる。
ノズル部21は、蓋部24aを移動させる移動機構(移動部)25を有し、該移動機構25によって第1ノズル23及び第2ノズル26はチャック部20に対して一体に移動可能(進退可能)とされている。これにより、第1ノズル23及び第2ノズル26は基板Wのチャック部20に対する搬入方向(X方向)と平行に進退可能となっている。これにより、第1ノズル23及び第2ノズル26の移動距離を少なくすることができ、塗布工程全体のタクトを短縮することができる。
また、第1ノズル23の内部には拡散材料200を開口部23aに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しない拡散材供給源が接続されている。この拡散材供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプで拡散材を開口部23aへと押し出すことで開口部23aから拡散材料200を滴下させる。
また、第2ノズル26の内部にはプリウェット用組成物210を開口部63aに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないプリウェット用組成物供給源が接続されている。このプリウェット用組成物供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでプリウェット用組成物を開口部26aへと押し出すことで開口部26aからプリウェット用組成物210を滴下させる。
続いて、基板処理装置100の動作について、主に塗布装置10による基板W上への拡散材料の塗布工程について説明する。
図12は塗布装置10による拡散材料の塗布工程を示すフローチャートを示す図である。
塗布装置10における拡散材料の塗布工程は、載置工程S1と、ノズル移動工程S2と、ノズル下降工程S3と、プリウェット用組成物滴下工程S4と、拡散材料滴下工程S5と、ノズル上昇工程S6と、ノズル退避工程S7と、を含む。
塗布装置10で行う塗布工程は、上述の図2で示すステップS12に対応する。
載置工程S1は、基板載置位置にあるチャック部20に対して基板Wを載置する工程である。
ノズル移動工程S2は、基板載置位置にあるチャック部20の上方にノズル部21を移動する工程である。
ノズル下降工程S3は、基板Wが載置されたチャック部20を基板載置ポジションからカップ部22内で回転動作を行う回転ポジションへと移動するとともにノズル部21を下降させる工程である。
プリウェット用組成物滴下工程S4は、回転ポジションまで移動したチャック部20上の基板Wに対して第2ノズル26の開口部26aからプリウェット用組成物210を滴下するとともにチャック部20を回転させる工程である。
拡散材料滴下工程S5は、プリウェット用組成物210を滴下した基板Wに対して第1ノズル23の開口部23aから拡散材料200を滴下するとともにチャック部20を回転させる工程である。
ノズル上昇工程S6は、ノズル部21を上昇させることでチャック部20から退避させる工程である。
ノズル退避工程S7は、カップ部22内からノズル部21を退避させる工程である。
以下、図13を参照しつつ、塗布工程について説明する。
まず、図13(a)に示すように、基板処理装置100は搬入部1に搬入された基板Wを第1搬送装置6により塗布装置10へと受け渡す(載置工程S1)。このとき、チャック部20は基板支持部材62により搬送される基板Wを載置する載置ポジションまで上昇している。また、基板処理装置100は、次の塗布工程に備えて、搬入部1内に他の基板Wを搬入しておく。
本実施形態では、例えば基板Wをチャック部20に載置するタイミングと同時にノズル部21を基板Wに対向させるようにしている(ノズル移動工程S2)。具体的にノズル部21は、第1ノズル23の開口部23aを基板Wの中央部WCに対向させる位置まで移動する。このように基板Wがチャック部20に載置されるタイミングと同時にノズル部21が基板Wに対向するため、ノズル部21がチャック部20まで移動する際の待ち時間を無くし、タクト短縮を図っている。
制御部9(図9参照)は、図13(b)に示すように、基板Wが載置されると該基板Wを吸着保持するようにチャック部20を駆動し、チャック部20とともにノズル部21を下降させるように制御する(ノズル下降工程S3)。このようにノズル部21は、チャック部20とともに下降することで開口部23a,26aと基板Wとの距離を所定値に保持し、後述の滴下工程時に各材料が基板Wに良好に滴下できるようにしている。
制御部9(図9参照)は、図13(c)に示すように、チャック部20に保持された基板Wがカップ部22内において回転する回転ポジションに到達すると、チャック部20を回転させるように制御する。制御部9は、チャック部20を回転させつつ、第2ノズル26の開口部26aからプリウェット用組成物210を基板Wに滴下する(プリウェット用組成物滴下工程S4)。本実施形態において、第2ノズル26は、基板Wの中央部WCに対する斜め上方からプリウェット用組成物210を基板Wの中央部WCに滴下可能となるように蓋部24aに保持されている。そのため、第2ノズル26は、開口部26aから滴下した液滴を基板Wの中央部WCに着弾させることができる。
制御部9(図9参照)は、第2ノズル26から基板W上に所定量(例えば、2.0ml)のプリウェット用組成物210を滴下した後、チャック部20を所定時間回転させる。本実施形態では、プリウェット用組成物滴下工程S4において、例えば、チャック部20を800rpmの回転数で3秒間回転させる。これにより、基板Wの中央部WCに滴下されたプリウェット用組成物210は、基板Wの全面へと濡れ拡がる。
続いて、制御部9(図9参照)は、図13(d)に示すように、チャック部20に保持された基板Wをカップ部22内において回転させつつ、第1ノズル23の開口部23aから拡散材料200を基板Wに滴下する(拡散材料滴下工程S5)。本実施形態において、第1ノズル23は、基板Wの中央部WCに対向する鉛直方向における上方から拡散材料200を基板Wの中央部WCに滴下可能となるように蓋部24aに保持されている。そのため、第1ノズル23は、開口部23aから滴下した液滴を基板Wの中央部WCに確実に着弾させることができる。
制御部9(図9参照)は、第1ノズル23から基板W上に所定量の拡散材料200を滴下しつつ、チャック部20を所定時間回転させる。本実施形態では、例えば、チャック部20を800rpmの回転数で0.5〜1.0秒間回転させる。これにより、基板Wの表面からはみ出さない範囲まで拡散材料200を広げることができる。
制御部9(図9参照)は、第1ノズル23から基板W上に所定量の拡散材料200を滴下した後、図13(e)に示すように、ノズル部21を上昇させるように制御する(ノズル上昇工程S6)。制御部9は、ノズル部21を上昇させつつ、チャック部20を所定時間回転させる。本実施形態では、例えば、チャック部20を2000rpmの回転数で5秒以内だけ回転させる。
これにより、基板Wの中央部WCに滴下された拡散材料200は、基板Wの全面へと濡れ拡がる。これにより、基板Wの表面から拡散材料200を振り切ることができる。
本実施形態では、拡散材料200を滴下する第1ノズル23を基板Wの中央部WCに対して鉛直方向上方に配置するようにしたので、第2ノズル26のように傾けた状態で配置する場合に比べて、拡散材料200を基板Wの中央部WCに精度良く滴下することができる。よって、少量(例えば、1.5ml程度)の拡散材料200を滴下するだけで基板Wの全面に拡散材料200を濡れ拡がらせることができる。また、本実施形態では、基板Wの全面にプリウェット用組成物210が塗布されることで濡れ性が増大しているため、拡散材料200は基板Wの全面に短時間で濡れ拡がる。したがって、本実施形態によれば、基板W上への拡散材料200の塗布を短いタクトで精度良く行うことができる。
制御部9は、ノズル部21を所定の高さまで上昇させた後、図13(f)に示すようにノズル部21をチャック部20に対向する位置から待機位置まで退避させるように制御する(ノズル退避工程S7)。ノズル部21がチャック部20上から退避する際、チャック部20は2000rpmの回転数で回転駆動を行っている。なお、第1ノズル23及び第2ノズル26は、待機位置において蓋部24aと本体部24bとが当接することで構成される収容部24内に収容されることとなる(図11参照)。
本実施形態において、チャック部20は、例えば800rpmの回転数から2000rpmの回転数へと1.0秒以内に加速するとともに、回転動作の停止時には2000rpmの回転数から回転数0rpmへと0.5秒以内に減速するのが望ましい。これにより、基板W上への拡散材料200の塗布処理に要するタクトを全体として15秒〜18秒程度に抑えることができる。
また、基板W上に形成される拡散剤の塗膜を半乾燥状態とすることができる。
本実施形態の装置では、チャック部20が回転するのと同時に裏面洗浄ノズル22aから基板Wの裏面に洗浄液としてアルコールを噴射するバックリンス処理を行うようにしている。洗浄液の噴射は、チャック部20の回転開始から3秒以内に開始する。
本実施形態の装置によれば、裏面洗浄ノズル22aが図10を参照して説明したように基板Wの外縁端から10mm以内に配置されているので、基板Wの裏面に供給された洗浄液が基板Wの外縁端まで良好に拡がらせることができる。よって、基板Wの裏面への拡散材料200の回り込みを防止し、塗布工程の後に別途バックリンス処理を行う必要が無い。したがって、塗布工程のタクトを大幅に短縮できる。
回転動作終了後、チャック部20が上昇することでカップ部22内から退避する。続いて、制御部9は第1搬送装置6の基板支持部材62を駆動し、チャック部20から基板Wを受け取り、乾燥装置3内に搬送する。そして、基板W上の拡散材料200が乾燥される。
本実施形態では、拡散材料200を塗布した基板Wをチャック部20から搬出した後、制御部9は他の基板Wを搬入部1から塗布装置10へと受け渡す。このとき、制御部9は第1搬送装置6の他の基板支持部材62を用いて基板Wをチャック部20に載置する。そして、乾燥装置3内に拡散材料200を塗布済みの基板Wを搬入している間に、塗布装置10内では基板Wに対して、同様に拡散材料200の塗布を行う。
続いて、制御部9は、基板Wを乾燥装置3内に搬入する。乾燥装置3では、一枚の基板Wに対してホットプレート3a,3b,3cを用いて150℃で10秒間ずつ乾燥処理を行う。このような構成に基づき、基板処理装置100は乾燥装置3内に基板Wを10秒毎に搬入することが可能となっており、塗布装置10から搬出される基板Wを乾燥装置3内に順次搬送することで処理速度を大幅に向上させている。
具体的に基板処理装置100は、まず拡散材料200を塗布した基板Wを最上流に位置するホットプレート3aに載置する。ホットプレート3aは基板Wを150℃で10秒間乾燥する。その後、制御部9はシリンダユニット54を圧縮し、基板支持部材52の上端をホットプレート3aの上面より下げることで基板Wを下流のホットプレート3bに移し換える。ホットプレート3bは基板Wを150℃で10秒間乾燥する。その後、制御部9はシリンダユニット54を圧縮し、基板支持部材52の上端をホットプレート3bの上面より下げることで、ホットプレート3bによる乾燥後の基板Wを下流のホットプレート3cに移し換える。ホットプレート3cは基板Wを150℃で10秒間乾燥する。これにより、基板Wに対し、150℃で30秒間の乾燥処理が施すことができる。
また、ホットプレート3a,3b,3cの加熱温度を異ならせることとしてもよい。例えば、ホットプレート3aは基板Wを60℃で10秒間、ホットプレート3bは基板Wを120℃で10秒間、ホットプレート3cは基板Wを150℃で10秒間加熱し、基板Wを乾燥させることとしてもよい。
本実施形態では基板Wをホットプレート3aからホットプレート3bに移動するとともに第1搬送装置6の基板支持部材62が塗布装置10から搬出した基板Wをホットプレート3aに載置する。また、一の基板Wをホットプレート3bからホットプレート3cに移動するとともにホットプレート3cから他の基板Wを不図示の搬出用アームが基板処理装置100内から搬出する。
このように本実施形態では、各基板Wをホットプレート3a,3b,3c間に順次送ることで拡散材料200の乾燥処理を行うようにしている。これにより、基板Wの表面に拡散膜を形成することができる。
本実施形態の太陽電池の製造方法を、上述のような塗布装置10で実施すると、塗布装置10におけるノズル部21が基板Wの中央部WCに対する斜め上方からプリウェット用組成物210を基板Wの中央部WCに滴下可能な第2ノズル26を備えているので、ノズル部21を基板W上に移動させた後、第1ノズル23及び第2ノズル26の位置を移動させずに、基板W上にプリウェット用組成物210及び拡散材料200を滴下することができる。そのため、各材料200,210を基板Wに滴下する際の各ノズル23,26の移動時間を無くすことができるので、基板Wに対する拡散材料200の塗布処理に要するタクトを短縮することができる。
また、ノズル下降工程S3において、基板Wが載置されたチャック部20を基板載置ポジションからカップ部22内で回転動作を行う回転ポジションへと移動するとともにノズル部21を下降させる構成としたので、回転ポジションに到達したタイミングでプリウェット用組成物210の滴下を開始することが可能となり、塗布処理におけるタクトの短縮を図ることができる。また、チャック部20の回転動作が終了する前にノズル上昇工程S6を行う構成としたので、チャック部20の回転動作が終了した際、チャック部20の上方にノズル部21が配置されていることが無くなり、チャック部20の上昇速度を早くすることで塗布処理におけるタクトの短縮を図ることができる。また、プリウェット用組成物滴下工程S4及び拡散材料滴下工程S5のタイミングを制御することで、塗布装置10として従来のスピンコータと同様の構成のものを採用することができる。よって、基板処理装置100のコストを抑えることができる。
また、本実施形態の太陽電池の製造方法は、上述の装置構成に限らず、他の装置であっても実施可能である。
例えば、上記実施形態においては、第2ノズル26が開口部26aの中心を通る軸線を鉛直方向(Z軸方向)に対して傾けた状態となるように蓋部24aに保持される場合を例に挙げたが、拡散材料200を基板Wの中央部WCに良好に滴下可能であれば、第1ノズル23を傾けた状態に蓋部24aに保持するようにしてもよい。あるいは、第1ノズル23及び第2ノズル26をそれぞれ傾けた状態に蓋部24aに保持するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、プリウェット用組成物210の液滴が基板Wの中央部WCに滴下されるように液滴の着弾位置を規制する規制手段を蓋部24aが構成する場合を例に挙げたが、これに限定されることはない。
例えば、図14に示すように、物理的な外力を付与することで前記液滴の軌道を調整する調整装置150により、プリウェット用組成物の液滴が基板Wの中央部に滴下されるように液滴の着弾位置を規制する規制手段を構成してもよい。このような調整装置150としては、例えば、エアー噴出装置、磁気発生装置等により構成される。エアー噴出装置からなる調整装置150は、エアーの噴出量を調整することで第1ノズル23及び第2ノズル26から滴下された各材料200、210の少なくとも一方の液滴の軌道を調整し、基板Wの中央部WCに液滴を着弾させることが可能である。また、磁気発生装置からなる調整装置150は、磁気の発生量を調整することで第1ノズル23及び第2ノズル26から滴下された各材料200、210の少なくとも一方の液滴の軌道を磁力により調整し、基板Wの中央部WCに液滴を着弾させることが可能である。
以上のような太陽電池の製造方法によれば、拡散剤の使用量を抑制し、さらにタクトタイムを短縮しながら拡散剤の塗膜の形成不良を抑制することができる。
なお、本実施形態においては、基板Wの一方の面Waに凹凸形状を形成することとしたが、これに限らない。一方の面Waに凹凸形状がなくても、プリウェット用組成物210でプリウェットすることにより、拡散剤の塗膜の形成不良を抑制することができる。
また、本実施形態においては、基板Wの一方の面Waに凹凸形状を形成し、一方の面Waを受光面として用いる片面発電型の太陽電池を製造する方法について説明したが、本発明の製造方法は、基板の両面を受光面として用いる両面発電型の太陽電池を製造する方法にも適用可能である。両面発電型の太陽電池の場合、基板Wの一方の面Waに加え、他方の面にも凹凸形状を形成すると好ましい。他方の面にも凹凸形状を形成することにより、他方の面に入射する太陽光の利用効率が高く、高効率で発電が可能な太陽電池となる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
例えば、上記実施形態においては、n型基板を用いた太陽電池の製造方法について説明したため、拡散剤として13族元素であるホウ素化合物を用いることとしたが、本発明はp型基板を用いた太陽電池の製造方法についても適用可能である。その場合、拡散剤として上述した15族元素を含む化合物を用いた拡散材料を用意し、基板の表面をプリウェットした後に、拡散材料をスピンコートすることで、好適に拡散剤の塗膜を形成することができる。また、p型基板において15族元素を含む化合物を塗布した面(一方の面)とは反対の面(他方の面)にボロン系拡散材料を塗布する場合にも適用も可能である。
なお、p型基板としては、上述したCZ法(チョクラルスキー法)やFZ法(フロートゾーン法)等を用いて製造された単結晶シリコンのほか、多結晶シリコンも用いることができる。
[実施例]
以下に本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例)
n型単結晶シリコン基板(対角:200mm、辺(直線部分):156mm、厚み:180μm)の一面をアルカリ溶液で異方性エッチングし、一面に凹凸形状を形成した。
次いで、凹凸形状を形成した一面に、PGME:DIW=1:1混合溶媒を1.0g供給し、スピンコートで塗布した。基板回転を止めないまま、凹凸形状を形成した一面に拡散材料0.5g供給し、スピンコートで塗布した。
拡散材料としては、ボロン拡散剤を含有しPGMEを溶媒とするボロン系拡散材料(EPLUS(登録商標)、SC−1008、東京応化工業社製)を用いた。
また、スピンコートの条件は、図6(a)を参照して、R1=800rpm、R2=3000rpm、T1〜T2=5秒、T2〜T3=1秒、T4〜T5=5秒とした。
拡散剤の塗膜形成後、60℃で10秒、120℃で10秒、150℃で10秒それぞれ加熱して乾燥させた後、窒素雰囲気下1000℃で30分加熱して、p不純物拡散層を形成した。窒素雰囲気下ではあるが、微量の酸素を含む条件であるため、基板表面には酸化膜が形成された。
次いで、チャンバー内に基板を配置し、チャンバー内を窒素雰囲気に置換した後、POClをチャンバー内に供給し、900℃で15分加熱して、n不純物拡散層を形成して、実施例の太陽電池基板を製造した。太陽電池基板は、150枚作成した。
(比較例)
プリウェットを行わないこと以外は実施例と同様にして、比較例の太陽電池基板を製造した。
実施例及び比較例の太陽電池基板のそれぞれについて、おもて面(光入射面)に、窒化シリコン製の反射防止膜を形成した後、太陽電池基板の両面に銀電極を付し、太陽電池とした。
得られた太陽電池について、IEC60904−3:2008に準拠した方法で、変換効率(単位:%)と漏れ電流(単位:A)とを測定した。測定条件は、温度25℃、AM(エアマス)1.5G、照射強度1kW/mとした。光源からは、連続光を照射した。また、逆方向電流測定においては、測定電圧を−12Vとした。
図15は、測定結果を示すグラフである。図15(a)は変換効率を示し、図15(b)は漏れ電流量を示している。各グラフのエラーバーは、n=150の測定結果に基づく。
測定の結果、実施例と比較例とでは、変換効率は同等であるが、実施例の方が比較例よりも漏れ電流が抑制されていることが分かった。実施例の方が、拡散剤の塗膜を良好に作製でき、漏れ電流を抑制できたものと推測する。
以上の結果から、本発明が有用であることが分かった。
200…拡散材料、210…プリウェット用組成物、1002…pSi層(第1不純物拡散層)、1004…nSi層(第2不純物拡散層)、T…凹凸形状、W…基板、Wa…一方の面

Claims (6)

  1. 半導体基板の一方の面にプリウェット用組成物をスピンコートする第1塗布工程と、
    第1の不純物元素を有する拡散剤と溶剤とを含む拡散材料を、前記プリウェット用組成物がスピンコートされた前記一方の面にスピンコートし、前記拡散剤の塗膜を形成する第2塗布工程と、
    前記塗膜が形成された前記半導体基板を熱処理し、前記拡散剤が有する不純物元素を拡散させた第1不純物拡散層を形成する第1不純物拡散層形成工程と、を有する太陽電池の製造方法。
  2. 前記第1塗布工程に先立って、少なくとも前記一方の面に凹凸形状を形成する工程を有する請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
  3. 前記第2塗布工程において、半乾燥状態の前記塗膜を形成する請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。
  4. 前記第1塗布工程の開始から前記第2塗布工程の終了まで、前記半導体基板の回転を止めることなく連続してスピンコートを行う請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
  5. 前記第2塗布工程における最大基板回転数は、前記第1塗布工程における最大基板回転数よりも大きく、
    前記第2塗布工程においては、前記拡散材料を前記一方の面に供給した後に、前記第1塗布工程の基板回転数から前記第2塗布工程の基板回転数に増加させる請求項4に記載の太陽電池の製造方法。
  6. 前記第1不純物拡散層形成工程の後に、前記半導体基板の他方の面に第2の不純物元素を拡散させた第2不純物拡散層を形成する工程を有する請求項1から5のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
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