JP2014200730A - 塗布装置及び塗布方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】太陽電池用基板のような角型の基板に対して短いタクトで塗布を行うことが可能な塗布装置及び塗布方法を提供する。
【解決手段】平面形状が角型の基板を吸着保持した状態で回転可能なチャック部と、基板に第1液体材料を滴下する第1ノズル23と、第1ノズル23とは異なる位置から基板に第2液体材料を滴下する第2ノズル26と、チャック部に吸着保持された基板上に第1ノズル23及び第2ノズル26を一体に移動させる移動部25と、第1液体材料及び第2液体材料の少なくとも一方における液滴が基板の中央部に滴下されるように液滴の滴下位置を規制する規制手段24aと、を備える塗布装置に関する。
【選択図】図4
【解決手段】平面形状が角型の基板を吸着保持した状態で回転可能なチャック部と、基板に第1液体材料を滴下する第1ノズル23と、第1ノズル23とは異なる位置から基板に第2液体材料を滴下する第2ノズル26と、チャック部に吸着保持された基板上に第1ノズル23及び第2ノズル26を一体に移動させる移動部25と、第1液体材料及び第2液体材料の少なくとも一方における液滴が基板の中央部に滴下されるように液滴の滴下位置を規制する規制手段24aと、を備える塗布装置に関する。
【選択図】図4
Description
本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。
近年、太陽電池が様々な用途において注目されている。太陽電池用基板の製造工程では、半導体基板の表面に拡散材を塗布する工程がある。このような太陽電池用塗布装置には安価、且つ高速タクトの装置が要求されている。
太陽電池用基板に拡散材を塗布する装置として、スピンコータが知られている(例えば、特許文献1参照)。また、スピンコータにおいて、塗布対象の表面全体を濡らすプリウェット処理を行うことで塗布対象に対する塗布液の拡散性を向上させる技術が知られている(例えば、特許文献2参照)。そこで、上述の太陽電池用基板に拡散材を塗布するスピンコータに、上述のプリウェット処理を組み合わせることでタクトの短縮を図ることも考えられる。
しかしながら、上記プリウェット方法を組み合わせた技術では、プリウェット用ノズルからプリウェット材料を太陽電池用基板に塗布した後、ノズルアームにより拡散材用ノズルを太陽電池用基板上の所定位置まで移動させた後に拡散材の塗布が行われることとなる。そのため、塗布工程におけるタクトが十分に短縮されているとは言い難かった。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、太陽電池用基板のような角型の基板に対して短いタクトで塗布を行うことが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る塗布装置は、平面形状が角型の基板を吸着保持した状態で回転可能なチャック部と、前記基板に第1液体材料を滴下する第1ノズルと、前記第1ノズルとは異なる位置から前記基板に第2液体材料を滴下する第2ノズルと、前記チャック部に吸着保持された前記基板上に前記第1ノズル及び前記第2ノズルを一体に移動させる移動部と、前記第1液体材料及び前記第2液体材料の少なくとも一方における液滴が前記基板の中央部に滴下されるように前記液滴の滴下位置を規制する規制手段と、を備えることを特徴とする。
本発明の塗布装置によれば、例えば、プリウェット材料と拡散材といったように2種類の液体材料を基板上に塗布する際に有効である。すなわち、第1ノズル及び第2ノズルの一方から滴下された液滴がそのままの状態では基板の中央部とは異なる位置に着弾するような場合であっても、規制手段により基板の中央部に着弾させることができる。よって、プリウェット材料を基板中央部に滴下することで基板の全体に亘って濡れ性を向上させつつ、基板上に続けて拡散材を滴下することができる。これにより、基板の全面に拡散材を良好に塗布することができる。また、本塗布装置によれば、第1ノズル及び第2ノズルを基板上に一体に移動させた後、第1ノズル及び第2ノズルの位置を移動させること無く、第1液体材料及び第2液体材料を基板上に滴下できる。そのため、各液体材料を基板に滴下する際の各ノズルの移動時間を無くすことができるので、基板に対する塗布処理に要するタクトを短縮することができる。
また、上記塗布装置においては、前記規制手段は、前記第1ノズル及び前記第2ノズルを一体に保持する保持部材を含むのが好ましい。
この構成によれば、保持部材により第1ノズル及び第2ノズルの保持方法を調整することで、各液体材料の基板に対する液滴の着弾位置を簡便且つ確実に調整することができる。また、移動部は、保持部材を介して第1ノズル及び第2ノズルを互いの相対位置を変化させることなく一体に移動させることができる。
この構成によれば、保持部材により第1ノズル及び第2ノズルの保持方法を調整することで、各液体材料の基板に対する液滴の着弾位置を簡便且つ確実に調整することができる。また、移動部は、保持部材を介して第1ノズル及び第2ノズルを互いの相対位置を変化させることなく一体に移動させることができる。
また、上記塗布装置においては、前記保持部材は、前記第1ノズル及び第2ノズルの少なくとも一方を、前記液滴の滴下方向が鉛直方向に対して傾いた状態となるように保持するのが好ましい。
この構成によれば、第1ノズル及び第2ノズルの少なくとも一方が基板の中央部から離れた位置にあったとしても、傾き角を適宜調整することで基板の中央部に液滴を着弾させることができる。
この構成によれば、第1ノズル及び第2ノズルの少なくとも一方が基板の中央部から離れた位置にあったとしても、傾き角を適宜調整することで基板の中央部に液滴を着弾させることができる。
また、上記塗布装置においては、前記保持部材は、前記液滴の滴下方向が鉛直方向に対して傾いた状態となるように前記第2ノズルを保持するとともに、前記液滴の滴下方向が前記鉛直方向に沿った状態となるように前記第1ノズルを保持するのが好ましい。
この構成によれば、第2ノズルが基板の中央部から離れた位置に配置されていた場合であっても、傾き角を適宜調整することで基板の中央部に液滴を着弾させることができる。
この構成によれば、第2ノズルが基板の中央部から離れた位置に配置されていた場合であっても、傾き角を適宜調整することで基板の中央部に液滴を着弾させることができる。
また、上記塗布装置においては、前記第1ノズルは、前記第1液体として拡散材を前記基板に滴下し、前記第2ノズルは、前記第2液体としてプリウェット材料を前記基板に滴下するのが好ましい。
この構成によれば、基板の中央部にプリウェット材料が滴下されることで基板の全面の濡れ性を増大させることができる。また、鉛直方向における上方から拡散材を滴下できるので、基板の中央部に精度良く拡散材を滴下することができる。よって、拡散材の使用量を抑えることができる。これにより、拡散材の滴下量を減らすことでタクトの短縮化及び低コスト化を実現できる。
この構成によれば、基板の中央部にプリウェット材料が滴下されることで基板の全面の濡れ性を増大させることができる。また、鉛直方向における上方から拡散材を滴下できるので、基板の中央部に精度良く拡散材を滴下することができる。よって、拡散材の使用量を抑えることができる。これにより、拡散材の滴下量を減らすことでタクトの短縮化及び低コスト化を実現できる。
また、上記塗布装置においては、前記規制手段が、物理的な外力を付与することで前記液滴の軌道を調整する調整装置を含むのが好ましい。
この構成によれば、調整装置により基板の中央部に第1液体材料及び第2液体材料を確実に着弾させることができる。
この構成によれば、調整装置により基板の中央部に第1液体材料及び第2液体材料を確実に着弾させることができる。
また、上記塗布装置においては、前記基板は四隅が面取りされた形状であるのが好ましい。さらに、前記基板が太陽電池用基板であるのが望ましい。
このような四隅が面取りされた形状の基板は太陽電池用途として好適である。本発明を採用すれば、太陽電池用基板上の全域に短いタクトで拡散材を良好に塗布することができる。
このような四隅が面取りされた形状の基板は太陽電池用途として好適である。本発明を採用すれば、太陽電池用基板上の全域に短いタクトで拡散材を良好に塗布することができる。
本発明の塗布方法は、互いが固定された状態に配置された第1ノズル及び第2ノズルを平面形状が角型の基板上の所定位置まで移動する移動工程と、前記第1ノズルから前記基板の中央部に第1液体材料を滴下する第1滴下工程と、前記第2ノズルから前記基板の前記中央部に第2液体材料を滴下する第2滴下工程と、を備え、前記第1滴下工程及び前記第2滴下工程の少なくとも一方において、前記第1液体材料及び前記第2液体材料の少なくとも一方における液滴が前記基板の中央部に滴下されるように前記液滴の滴下位置を規制することを特徴とする。
本発明の塗布方法によれば、例えば、プリウェット材料と拡散材といったように2種類の液体材料を基板上に塗布する際に有効である。すなわち、第1ノズル及び第2ノズルの一方から滴下された液滴がそのままの状態では基板の中央部とは異なる位置に着弾するような場合であっても、規制手段により基板の中央部に着弾させることができる。よって、プリウェット材料を基板中央部に滴下することで基板の全体に亘って濡れ性を向上させつつ、基板上に続けて拡散材を滴下することができる。これにより、基板の全面に拡散材を良好に塗布することができる。また、本塗布装置によれば、第1ノズル及び第2ノズルを基板上に一体に移動させた後、第1ノズル及び第2ノズルの位置を移動させること無く、第1液体材料及び第2液体材料を基板上に滴下できる。そのため、各液体材料を基板に滴下する毎に各ノズルを移動させる必要が無く、その結果、塗布処理を短いタクトで行うことができる。
上記塗布方法においては、前記第1ノズル及び前記第2ノズルの少なくとも一方は、鉛直方向に対して傾いた方向に前記液滴を滴下するのが好ましい。
この構成によれば、第1ノズル及び第2ノズルの少なくとも一方が基板の中央部から離れた位置にあったとしても、傾き角を適宜調整することで基板の中央部に液滴を着弾させることができる。
この構成によれば、第1ノズル及び第2ノズルの少なくとも一方が基板の中央部から離れた位置にあったとしても、傾き角を適宜調整することで基板の中央部に液滴を着弾させることができる。
上記塗布方法においては、物理的な外力を付与することで前記液滴の軌道を調整して前記液滴を前記基板の前記中央部に滴下させるのが好ましい。
この構成によれば、例えば、エアー等の物理的な外力を付与することで基板の中央部に第1液体材料及び第2液体材料の液滴を確実に着弾させることができる。
この構成によれば、例えば、エアー等の物理的な外力を付与することで基板の中央部に第1液体材料及び第2液体材料の液滴を確実に着弾させることができる。
本発明によれば、太陽電池用基板のような薄い角型の基板に対して良好に拡散材を塗布できる塗布装置を提供することができる。
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図1(a)は本発明の塗布装置を含む基板処理装置の平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線矢視による断面図である。図2は基板処理装置100の電気的構成を示すブロック図である。本実施形態に係る基板処理装置は太陽電池を構成する太陽電池用基板に不純物を拡散するための拡散材料を塗布及び乾燥する処理を行うためのものであり、基板塗布装置は太陽電池用基板(以下、基板と称す)に拡散材を塗布するために用いられる。
図1(a)は本発明の塗布装置を含む基板処理装置の平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線矢視による断面図である。図2は基板処理装置100の電気的構成を示すブロック図である。本実施形態に係る基板処理装置は太陽電池を構成する太陽電池用基板に不純物を拡散するための拡散材料を塗布及び乾燥する処理を行うためのものであり、基板塗布装置は太陽電池用基板(以下、基板と称す)に拡散材を塗布するために用いられる。
以下、基板処理装置100の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、XYZ座標系を用いて図中の方向を説明する。基板処理装置100の長手方向であって基板の搬送方向をX方向と表記する。平面視でX方向(基板搬送方向)に直交する方向をY方向と表記する。X方向軸及びY方向軸を含む平面に垂直な方向をZ方向と表記する。なお、X方向、Y方向及びZ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が+方向、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとする。
図1(a)、(b)に示すように、基板処理装置100は、被処理物である基板Wを搬入するための搬入部1と、該搬入部1の下流側(+X方向)に設けられた塗布装置10と、該塗布装置10の下流側(+X方向)に設けられた乾燥装置3と、これら搬入部1から乾燥装置3まで基板Wを搬送する第1搬送装置6と、乾燥装置3の部分において基板Wを搬送する第2搬送装置7と、を備えている。
基板処理装置100は、図2に示すように、搬入部1、塗布装置10、乾燥装置3、第1搬送装置6、及び第2搬送装置7の各々の駆動を制御する制御部9を備えている。
乾燥装置3は、下流側(+X方向)に向かって順に配置された3台のホットプレート3a、3b、3cから構成されている。各ホットプレート3a,3b,3cは、基板の搬送方向と直交する方向(Y方向)に3分割され、各ホットプレート3a,3b,3c間に隙間51が形成されている。
上記第2搬送装置7は、隙間51を介してホットプレート3a、3b、3cの裏面側と表面との間を進退可能な薄板状の基板支持部材52と、該基板支持部材52をX方向に沿ってガイドするガイドロッド53と、該ガイドロッド53に沿って基板支持部材52をX方向に沿って移動するシリンダユニット54と、を含む。乾燥装置3は、制御部9と電気的に接続されており、各ホットプレート3a,3b,3cの駆動が制御部9により制御されている。
塗布装置10は、基板Wを保持するチャック部20と、チャック部20に保持された基板Wに対して拡散材料(液体材料)を滴下するノズル部21と、回転中のチャック部20を収容するカップ部(飛散防止用カップ)22と、を含む。本実施形態に係る塗布装置10は、所謂スピンコータである。塗布装置10は、制御部9と電気的に接続されており、チャック部20の動作が制御部9により制御されている。
第1搬送装置6は、基板処理装置100の一端(−Y方向)側に沿って設けられたレール60と、該レール60に沿って移動する複数の移動体61と、該各移動体61から上方(+Z方向)に昇降自在であり基板Wを支持する複数の基板支持部材62と、を含む。基板支持部材62は、基板Wを支持するための複数の支持爪63が設けられている。第1搬送装置6は、制御部9と電気的に接続されており、移動体61及び基板支持部材62の駆動が制御部9により制御されている。
第1搬送装置6は、複数の移動体61を独立して駆動可能となっている。これら移動体61はレール60に沿って移動する際、各々が干渉しない位置に設けられている。これにより、第1搬送装置6は、例えば一の移動体61に設けられた基板支持部材62が拡散材料200の塗布後の基板Wを塗布装置10内から搬出して乾燥装置3内に搬入するタイミングと同時に、他の移動体61に設けられた基板支持部材62が搬入部1から別の基板Wを塗布装置10内に搬入することが可能となっている。これにより、基板処理装置100は基板Wに対する拡散材料200の塗布工程及び乾燥工程に要するタクトを短縮している。
第2搬送装置7は、制御部9と電気的に接続されており、シリンダユニット54の駆動が制御部9により制御されている。第2搬送装置7は、シリンダユニット54によるZ方向の伸長動作を行うことで、基板支持部材52の上端を隙間51から突出させることでホットプレート3a上の基板Wを持ち上げ、この状態でガイドロッド53に沿ってシリンダユニット54とともに基板支持部材52を下流側へ移動し、次いでシリンダユニット54を圧縮し、基板支持部材52の上端をホットプレート3aの上面より下げることで、基板Wを下流側のホットプレート3bに移し換える。このような動作を繰り返すことで、順次下流側のホットプレート3cへと基板Wを移し換えるようになっている。
図3は、塗布装置10の要部構成を示す図であり、図3(a)は側断面図を示すものであり、図3(b)は平面図を示すものである。なお、図3においては塗布装置10内に基板Wが設置された状態を図示している。
チャック部20は、図3(a)に示すように基板Wを吸着保持した状態で回転可能とされており、カップ部22に対して昇降可能となっている。具体的にチャック部20は、基板Wを載置する載置ポジション(基板載置位置)からカップ部22内において回転動作を行う回転ポジション(回転位置)との間で昇降可能となっている。
カップ部22は、基板Wに滴下された拡散材の周囲への飛散を防止するためのものであり、基板Wの裏面側を洗浄する裏面洗浄ノズル(洗浄ノズル)22aを備えている。裏面洗浄ノズル22aは、図示しない洗浄液供給源が接続されている。この洗浄液供給源は加圧により洗浄液を裏面洗浄ノズル22aから噴射するようになっている。
図3(b)に示すように、本実施形態に係るチャック部20は平面視した状態で円形状からなる。一方、チャック部20が保持する基板Wは太陽電池用途であることから平面形状が角型であり、四隅が面取りされた形状となっている。
チャック部20は基板Wの短辺の長さの40〜70%の直径を有している。本実施形態では、チャック部20の直径は例えば基板Wの短辺の長さの略2/3となっている。このようにチャック部20が基板Wの短辺の長さの40〜70%の直径を有するため、上述のように四隅が面取りされるため、回転時にバタツキが生じるおそれのある基板Wであってもチャック部20が良好に保持できるようになっている。また、基板Wとして厚みが薄いものを採用する場合であってもチャック部20が確実に保持することができる。
続いて、チャック部20及び裏面洗浄ノズル22aにおける配置関係について説明する。裏面洗浄ノズル22aは、図3(b)に示すように平面視した状態でチャック部20の外縁と基板Wの外縁との略中央に配置されている。この構成によれば、チャック部20により回転する基板Wの裏面におけるチャック部20の外縁に対して略同心円状となる位置に洗浄液を供給することが可能となっている。
ところで、本実施形態に係る塗布装置10は後述するように基板Wの表面に拡散材料を滴下するタイミングと同時に基板Wの裏面に裏面洗浄ノズル22aから洗浄液としてアルコールを噴射する所謂バックリンス処理を行うようにしている。当該洗浄液としてのアルコールとしては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、及び3−メトキシ−1−ブタノール等の炭素数1〜5のアルコールが挙げられる。
具体的に本実施形態では、裏面洗浄ノズル22aはチャック部20に保持された基板Wの短辺の外縁端からの距離Dが10mm以内となっている。これにより、裏面洗浄ノズル22aから基板Wの裏面に供給された洗浄液が基板Wの外縁端まで良好に拡がり、基板Wの裏面への拡散材料の回り込みを防止することで、拡散材料の塗布後に別途バックリンス処理を行う必要が無くなり、塗布工程のタクトを短縮している。
図4はノズル部21の要部構成を示す図である。
ノズル部21は、図4に示すように、拡散材料(第1液体材料)を滴下する開口部23aが形成された第1ノズル23と、プリウェット材料(第2液体材料)を滴下する開口部26aが形成された第2ノズル26と、第1ノズル23及び第2ノズル26を収容する収容部24と、を有している。本実施形態において、第2ノズル26から滴下されるプリウェット材料は、例えば、シンナーである。プリウェット材料は、基板Wに対する拡散材の滴下に先立ち、該基板W上に滴下されるものであり、具体的に基板Wに対する拡散材の濡れ性を増大させるためのものであれば良いが、例えば、後述する拡散材200に用いることができる有機溶剤が挙げられる。
ノズル部21は、図4に示すように、拡散材料(第1液体材料)を滴下する開口部23aが形成された第1ノズル23と、プリウェット材料(第2液体材料)を滴下する開口部26aが形成された第2ノズル26と、第1ノズル23及び第2ノズル26を収容する収容部24と、を有している。本実施形態において、第2ノズル26から滴下されるプリウェット材料は、例えば、シンナーである。プリウェット材料は、基板Wに対する拡散材の滴下に先立ち、該基板W上に滴下されるものであり、具体的に基板Wに対する拡散材の濡れ性を増大させるためのものであれば良いが、例えば、後述する拡散材200に用いることができる有機溶剤が挙げられる。
収容部24は、図4に示すように、第1ノズル23及び第2ノズル26に一体に設けられる蓋部24aと、該蓋部24aとともに第1ノズル23及び第2ノズル26の一部(先端部分)を収容する密閉空間を形成する本体部24bと、を有している。このように収容部24は、第1ノズル23及び第2ノズル26の先端部を密閉状態で収容することで開口部23a、26aが乾燥するのを防止することができる。なお、蓋部24aは第1ノズル23及び第2ノズル26とともに移動し、本体部24bはノズル部21の待機位置から動くことが無い。
本実施形態において、第1ノズル23及び第2ノズル26は、蓋部(保持部材)24aにより一体に保持されている。第1ノズル23は、開口部23aを鉛直方向(Z軸方向)に向けるようにして配置される。すなわち、第1ノズル23は、開口部23aから滴下される拡散材の液滴の滴下方向を鉛直方向に沿った状態となるように蓋部24aに保持されている。
一方、第2ノズル26は、開口部26aの中心を通る軸線を鉛直方向(Z軸方向)に対して傾けた状態となるように配置されている。すなわち、第2ノズル26は、開口部26aから滴下されるプリウェット材料の液滴の滴下方向を鉛直方向に対して傾いた状態とするように蓋部24aに保持されている。
蓋部24aに保持された第1ノズル23は、基板Wに対して鉛直方向における上方から拡散材を滴下可能となっている。一方、第2ノズル26は、第1ノズル23が基板Wの中央部に対して拡散材を滴下可能な位置に配置された際、基板Wの中央部WC(図3参照)に対する斜め上方からプリウェット材料を基板Wの中央部に滴下可能となるように蓋部24aに保持されている。すなわち、本実施形態において、蓋部24aは、プリウェット材料の液滴が基板Wの中央部に滴下されるように液滴の着弾位置を規制する規制手段を構成している。
なお、第2ノズル26における蓋部24aへの取り付け角度、すなわち第2ノズル26の軸線における鉛直方向に対する傾斜角度は、基板Wと、開口部23a及び開口部26aとの位置関係や各ノズル23、26の寸法等により適宜設定されるが、例えば、30〜45度に設定するのが好ましく、45°に設定するのがより好ましい。なお、第2ノズル26は、全体を傾斜させた状態とする必要は必ずしもなく、先端部のみを上記角度で傾斜させる構成を採用してもよい。これによれば、第2ノズル26の設置スペースを抑えることができ、ノズル部21の小型化を図ることができる。
ノズル部21は、蓋部24aを移動させる移動機構(移動部)25を有し、該移動機構25によって第1ノズル23及び第2ノズル26はチャック部20に対して一体に移動可能(進退可能)とされている。これにより、第1ノズル23及び第2ノズル26は基板Wのチャック部20に対する搬入方向(X方向)と平行に進退可能となっている。これにより、第1ノズル23及び第2ノズル26の移動距離を少なくすることができ、塗布工程全体のタクトを短縮することができる。
また、第1ノズル23の内部には拡散材料200(図6参照)を開口部23aに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しない拡散材供給源が接続されている。この拡散材供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプで拡散材を開口部23aへと押し出すことで開口部23aから拡散材料200を滴下させる。
また、第2ノズル26の内部にはプリウェット材料210(図6参照)を開口部63aに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないプリウェット材料供給源が接続されている。このプリウェット材料供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでプリウェット材料を開口部26aへと押し出すことで開口部26aからプリウェット材料210を滴下させる。
また、第2ノズル26の内部にはプリウェット材料210(図6参照)を開口部63aに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないプリウェット材料供給源が接続されている。このプリウェット材料供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでプリウェット材料を開口部26aへと押し出すことで開口部26aからプリウェット材料210を滴下させる。
ここで、第1ノズル23から基板W上に滴下する拡散材料について説明する。
本実施形態で使用する拡散材料200に添加する不純物元素としては、13族元素として、ホウ素、ガリウム等が、15族元素として、リン、ヒ素、アンチモン等が、その他の元素として、亜鉛、銅等が挙げられる。そして、上記不純物元素は、酸化物、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩等の無機塩、酢酸等の有機酸の塩の形で膜形成組成物に添加することができる。具体的には、P2O5、NH4H2・PO4、(RO)3P、(RO)2P(OH)、(RO)3PO、(RO)2P2O3(OH)3、(RO)P(OH)2等のリン化合物、B2O3、(RO)3B、RB(OH)2、R2B(OH)等のホウ素化合物、H3SbO4、(RO)3Sb、SbX3、SbOX、Sb4O5X等のアンチモン化合物、H3AsO3、H2AsO4、(RO)3As、(RO)5As、(RO)2As(OH)、R3AsO、RAs=AsR等のヒ素化合物、Zn(OR)2、ZnX2、Zn(NO2)2等の亜鉛化合物、(RO)3Ga、RGa(OH)、RGa(OH)2、R2Ga〔OC(CH3)=CH−CO−(CH3)〕等のガリウム化合物等が挙げられる(ただし、Rはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基又はアリール基、Xはハロゲン原子を表す)。これらの化合物の中では、酸化ホウ素、酸化リン等を好ましく用いることができる。
本実施形態で使用する拡散材料200に添加する不純物元素としては、13族元素として、ホウ素、ガリウム等が、15族元素として、リン、ヒ素、アンチモン等が、その他の元素として、亜鉛、銅等が挙げられる。そして、上記不純物元素は、酸化物、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩等の無機塩、酢酸等の有機酸の塩の形で膜形成組成物に添加することができる。具体的には、P2O5、NH4H2・PO4、(RO)3P、(RO)2P(OH)、(RO)3PO、(RO)2P2O3(OH)3、(RO)P(OH)2等のリン化合物、B2O3、(RO)3B、RB(OH)2、R2B(OH)等のホウ素化合物、H3SbO4、(RO)3Sb、SbX3、SbOX、Sb4O5X等のアンチモン化合物、H3AsO3、H2AsO4、(RO)3As、(RO)5As、(RO)2As(OH)、R3AsO、RAs=AsR等のヒ素化合物、Zn(OR)2、ZnX2、Zn(NO2)2等の亜鉛化合物、(RO)3Ga、RGa(OH)、RGa(OH)2、R2Ga〔OC(CH3)=CH−CO−(CH3)〕等のガリウム化合物等が挙げられる(ただし、Rはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基又はアリール基、Xはハロゲン原子を表す)。これらの化合物の中では、酸化ホウ素、酸化リン等を好ましく用いることができる。
本実施形態に係る拡散材料200は、拡散と同時に基板上への絶縁膜、平坦化膜、又は保護膜の形成するために、R1 nSi(OR2)4−nで表されるアルコキシシランのうちの少なくとも一種を出発原料とする加水分解・縮合重合物を含んでも良い。(式中、R1は水素原子、又は1価の有機基であり、R2は1価の有機基であり、nは1〜3の整数を示す。)
ここで、1価の有機基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル基を挙げることができる。これらの中では、アルキル基及びアリール基が好ましい。アルキル基の炭素数は1〜5が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等を挙げることができる。また、アルキル基は直鎖状であっても、分岐状であってもよく、水素がフッ素により置換されていてもよい。アリール基としては、炭素数6〜20のものが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。
(i)n=1の場合、モノメチルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、モノメチルトリプロポキシシラン、モノエチルトリメトキシシラン、モノエチルトリエトキシシラン、モノエチルトリプロポキシシラン、モノプロピルトリメトキシシラン、及びモノプロピルトリエトキシシラン等のモノアルキルトリアルコキシシラン、モノフェニルトリオキシシラン、及びモノフェニルトリエトキシシラン等のモノフェニルトリアルコキシシラン等。
(ii)n=2の場合、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルプロポキシシラン、ジプロピルメトキシシラン、及びジプロピルエトキシシラン等のジアルキルアルコキシシラン、ジフェニルメトキシシラン、及びジフェニルエトキシシラン等のジフェニルアルコキシシラン等。
(iii)n=3の場合、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルプロポキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、及びトリプロピルエトキシシラン等のトリアルキルアルコキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン等のトリフェニルアルコキシシラン等。
これらの中では、モノメチルトリメトキシシラン、モノメチルトリエトキシシラン、及びモノメチルトリプロポキシシラン等のモノメチルトリアルコキシシランを好ましく用いることができる。
本実施形態に係る拡散材料200は、膜厚及び塗布成分の均一性、及び塗布性を向上させるために、溶剤を含有させることが好ましい。この場合、溶剤としては、従来用いられている有機溶剤を使用することができる。具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、3−メトキシ−3−メチル−1−ブタノール、及び3−メトキシ−1−ブタノール等の1価アルコール;メチル−3−メトキシプロピオネート、及びエチル−3−エトキシプロピオネート等のアルキルカルボン酸エステル;エチレングリコール、ジエチレングリコール、及びプロピレングリコール等の多価アルコール;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセエート等の多価アルコール誘導体;酢酸、及びプロピオン酸等の脂肪酸;アセトン、メチルエチルケトン、2−ヘプタノンのようなケトンを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、組み合わせて用いてもよい。なお、これらの有機溶剤は、前述したプリウェット材料として用いることもできる。
続いて、基板処理装置100の動作について説明する。本発明は、拡散材料200の塗布方法に特徴を有していることから、主に塗布装置10による基板W上への拡散材料の塗布工程について説明する。
図5は塗布装置10による拡散材料の塗布工程を示すフローチャートを示す図である。
塗布装置10における拡散材料の塗布工程は、載置工程S1と、ノズル移動工程S2と、ノズル下降工程S3と、プリウェット材料滴下工程S4と、拡散材料滴下工程S5と、ノズル上昇工程S6と、ノズル退避工程S7と、を含む。
塗布装置10における拡散材料の塗布工程は、載置工程S1と、ノズル移動工程S2と、ノズル下降工程S3と、プリウェット材料滴下工程S4と、拡散材料滴下工程S5と、ノズル上昇工程S6と、ノズル退避工程S7と、を含む。
載置工程S1は、基板載置位置にあるチャック部20に対して基板Wを載置する工程である。
ノズル移動工程S2は、基板載置位置にあるチャック部20の上方にノズル部21を移動する工程である。
ノズル下降工程S3は、基板Wが載置されたチャック部20を基板載置ポジションからカップ部22内で回転動作を行う回転ポジションへと移動するとともにノズル部21を下降させる工程である。
プリウェット材料滴下工程S4は、回転ポジションまで移動したチャック部20上の基板Wに対して第2ノズル26の開口部26aからプリウェット材料210を滴下するとともにチャック部20を回転させる工程である。
拡散材料滴下工程S5は、プリウェット材料210を滴下した基板Wに対して第1ノズル23の開口部23aから拡散材料200を滴下するとともにチャック部20を回転させる工程である。
ノズル上昇工程S6は、ノズル部21を上昇させることでチャック部20から退避させる工程である。
ノズル退避工程S7は、カップ部22内からノズル部21を退避させる工程である。
ノズル移動工程S2は、基板載置位置にあるチャック部20の上方にノズル部21を移動する工程である。
ノズル下降工程S3は、基板Wが載置されたチャック部20を基板載置ポジションからカップ部22内で回転動作を行う回転ポジションへと移動するとともにノズル部21を下降させる工程である。
プリウェット材料滴下工程S4は、回転ポジションまで移動したチャック部20上の基板Wに対して第2ノズル26の開口部26aからプリウェット材料210を滴下するとともにチャック部20を回転させる工程である。
拡散材料滴下工程S5は、プリウェット材料210を滴下した基板Wに対して第1ノズル23の開口部23aから拡散材料200を滴下するとともにチャック部20を回転させる工程である。
ノズル上昇工程S6は、ノズル部21を上昇させることでチャック部20から退避させる工程である。
ノズル退避工程S7は、カップ部22内からノズル部21を退避させる工程である。
以下、図6を参照しつつ、塗布工程について説明する。
まず、図6(a)に示すように、基板処理装置100は搬入部1に搬入された基板Wを第1搬送装置6により塗布装置10へと受け渡す(載置工程S1)。このとき、チャック部20は基板支持部材62により搬送される基板Wを載置する載置ポジションまで上昇している。また、基板処理装置100は、次の塗布工程に備えて、搬入部1内に他の基板Wを搬入しておく。
まず、図6(a)に示すように、基板処理装置100は搬入部1に搬入された基板Wを第1搬送装置6により塗布装置10へと受け渡す(載置工程S1)。このとき、チャック部20は基板支持部材62により搬送される基板Wを載置する載置ポジションまで上昇している。また、基板処理装置100は、次の塗布工程に備えて、搬入部1内に他の基板Wを搬入しておく。
本実施形態では、例えば基板Wをチャック部20に載置するタイミングと同時にノズル部21を基板Wに対向させるようにしている(ノズル移動工程S2)。具体的にノズル部21は、第1ノズル23の開口部23aを基板Wの中央部WCに対向させる位置まで移動する。このように基板Wがチャック部20に載置されるタイミングと同時にノズル部21が基板Wに対向するため、ノズル部21がチャック部20まで移動する際の待ち時間を無くし、タクト短縮を図っている。
制御部9(図2参照)は、図6(b)に示すように、基板Wが載置されると該基板Wを吸着保持するようにチャック部20を駆動し、チャック部20とともにノズル部21を下降させるように制御する(ノズル下降工程S3)。このようにノズル部21は、チャック部20とともに下降することで開口部23a,26aと基板Wとの距離を所定値に保持し、後述の滴下工程時に各材料が基板Wに良好に滴下できるようにしている。
制御部9(図2参照)は、図6(c)に示すように、チャック部20に保持された基板Wがカップ部22内において回転する回転ポジションに到達すると、チャック部20を回転させるように制御する。制御部9は、チャック部20を回転させつつ、第2ノズル26の開口部26aからプリウェット材料210を基板Wに滴下する(プリウェット材料滴下工程S4)。本実施形態において、第2ノズル26は、基板Wの中央部WCに対する斜め上方からプリウェット材料210を基板Wの中央部WCに滴下可能となるように蓋部24aに保持されている。そのため、第2ノズル26は、開口部26aから滴下した液滴を基板Wの中央部WCに着弾させることができる。
制御部9(図2参照)は、第2ノズル26から基板W上に所定量(例えば、2.0ml)のプリウェット材料210を滴下した後、チャック部20を所定時間回転させる。本実施形態では、プリウェット材料滴下工程S4において、例えば、チャック部20を800rpmの回転数で3秒間回転させる。これにより、基板Wの中央部WCに滴下されたプリウェット材料210は、基板Wの全面へと濡れ拡がる。
続いて、制御部9(図2参照)は、図6(d)に示すように、チャック部20に保持された基板Wをカップ部22内において回転させつつ、第1ノズル23の開口部23aから拡散材料200を基板Wに滴下する(拡散材料滴下工程S5)。本実施形態において、第1ノズル23は、基板Wの中央部WCに対向する鉛直方向における上方から拡散材料200を基板Wの中央部WCに滴下可能となるように蓋部24aに保持されている。そのため、第1ノズル23は、開口部23aから滴下した液滴を基板Wの中央部WCに確実に着弾させることができる。
制御部9(図2参照)は、第1ノズル23から基板W上に所定量の拡散材料200を滴下しつつ、チャック部20を所定時間回転させる。本実施形態では、例えば、チャック部20を800rpmの回転数で0.5〜1.0秒間回転させる。これにより、基板Wの表面からはみ出さない範囲まで拡散材料200を広げることができる。
制御部9(図2参照)は、第1ノズル23から基板W上に所定量の拡散材料200を滴下した後、図6(e)に示すように、ノズル部21を上昇させるように制御する(ノズル上昇工程S6)。制御部9は、ノズル部21を上昇させつつ、チャック部20を所定時間回転させる。本実施形態では、例えば、チャック部20を2000rpmの回転数で5秒以内だけ回転させる。
これにより、基板Wの中央部WCに滴下された拡散材料200は、基板Wの全面へと濡れ拡がる。これにより、基板Wの表面から拡散材料200を振り切ることができる。
これにより、基板Wの中央部WCに滴下された拡散材料200は、基板Wの全面へと濡れ拡がる。これにより、基板Wの表面から拡散材料200を振り切ることができる。
本実施形態では、拡散材料200を滴下する第1ノズル23を基板Wの中央部WCに対して鉛直方向上方に配置するようにしたので、第2ノズル26のように傾けた状態で配置する場合に比べて、拡散材料200を基板Wの中央部WCに精度良く滴下することができる。よって、少量(例えば、1.5ml程度)の拡散材料200を滴下するだけで基板Wの全面に拡散材料200を濡れ拡がらせることができる。また、本実施形態では、基板Wの全面にプリウェット材料210が塗布されることで濡れ性が増大しているため、拡散材料200は基板Wの全面に短時間で濡れ拡がる。したがって、本実施形態によれば、基板W上への拡散材料200の塗布を短いタクトで精度良く行うことができる。
制御部9は、ノズル部21を所定の高さまで上昇させた後、図6(f)に示すようにノズル部21をチャック部20に対向する位置から待機位置まで退避させるように制御する(ノズル退避工程S7)。ノズル部21がチャック部20上から退避する際、チャック部20は2000rpmの回転数で回転駆動を行っている。なお、第1ノズル23及び第2ノズル26は、待機位置において蓋部24aと本体部24bとが当接することで構成される収容部24内に収容されることとなる(図4参照)。
本実施形態において、チャック部20は、例えば800rpmの回転数から2000rpmの回転数へと1.0秒以内に加速するとともに、回転動作の停止時には2000rpmの回転数から回転数0rpmへと0.5秒以内に減速するのが望ましい。これにより、基板W上への拡散材料200の塗布処理に要するタクトを全体として15秒程度に抑えることができる。
本実施形態では、チャック部20が回転するのと同時に裏面洗浄ノズル22aから基板Wの裏面に洗浄液としてアルコールを噴射するバックリンス処理を行うようにしている。洗浄液の噴射は、チャック部20の回転開始から3秒以内に開始する。
本実施形態によれば、裏面洗浄ノズル22aが図3を参照して説明したように基板Wの外縁端から10mm以内に配置されているので、基板Wの裏面に供給された洗浄液が基板Wの外縁端まで良好に拡がらせることができる。よって、基板Wの裏面への拡散材料200の回り込みを防止し、塗布工程の後に別途バックリンス処理を行う必要が無い。したがって、塗布工程のタクトを大幅に短縮できる。
回転動作終了後、チャック部20が上昇することでカップ部22内から退避する。続いて、制御部9は第1搬送装置6の基板支持部材62を駆動し、チャック部20から基板Wを受け取り、乾燥装置3内に搬送する。そして、基板W上の拡散材料200が乾燥される。
本実施形態では、拡散材料200を塗布した基板Wをチャック部20から搬出した後、制御部9は他の基板Wを搬入部1から塗布装置10へと受け渡す。このとき、制御部9は第1搬送装置6の他の基板支持部材62を用いて基板Wをチャック部20に載置する。そして、乾燥装置3内に拡散材料200を塗布済みの基板Wを搬入している間に、塗布装置10内では基板Wに対して、同様に拡散材料200の塗布を行う。
続いて、制御部9は、基板Wを乾燥装置3内に搬入する。乾燥装置3では、一枚の基板Wに対してホットプレート3a,3b,3cを用いて150℃で10秒間ずつ乾燥処理を行う。このような構成に基づき、基板処理装置100は乾燥装置3内に基板Wを10秒毎に搬入することが可能となっており、塗布装置10から搬出される基板Wを乾燥装置3内に順次搬送することで処理速度を大幅に向上させている。
具体的に基板処理装置100は、まず拡散材料200を塗布した基板Wを最上流に位置するホットプレート3aに載置する。ホットプレート3aは基板Wを150℃で10秒間乾燥する。その後、制御部9はシリンダユニット54を圧縮し、基板支持部材52の上端をホットプレート3aの上面より下げることで基板Wを下流のホットプレート3bに移し換える。ホットプレート3bは基板Wを150℃で10秒間乾燥する。その後、制御部9はシリンダユニット54を圧縮し、基板支持部材52の上端をホットプレート3bの上面より下げることで、ホットプレート3bによる乾燥後の基板Wを下流のホットプレート3cに移し換える。ホットプレート3cは基板Wを150℃で10秒間乾燥する。これにより、基板Wに対し、150℃で30秒間の乾燥処理が施すことができる。
本実施形態では基板Wをホットプレート3aからホットプレート3bに移動するとともに第1搬送装置6の基板支持部材62が塗布装置10から搬出した基板Wをホットプレート3aに載置する。また、一の基板Wをホットプレート3bからホットプレート3cに移動するとともにホットプレート3cから他の基板Wを不図示の搬出用アームが基板処理装置100内から搬出する。
このように本実施形態では、各基板Wをホットプレート3a〜3c間に順次送ることで拡散材料200の乾燥処理を行うようにしている。これにより、基板Wの表面に拡散膜を形成することができる。
以上述べたように、本実施形態によれば塗布装置10におけるノズル部21が基板Wの中央部WCに対する斜め上方からプリウェット材料210を基板Wの中央部WCに滴下可能な第2ノズル26を備えているので、ノズル部21を基板W上に移動させた後、第1ノズル23及び第2ノズル26の位置を移動させずに、基板W上にプリウェット材料210及び拡散材料200を滴下することができる。そのため、各材料200,210を基板Wに滴下する際の各ノズル23,26の移動時間を無くすことができるので、基板Wに対する拡散材料200の塗布処理に要するタクトを短縮することができる。
また、ノズル下降工程S3において、基板Wが載置されたチャック部20を基板載置ポジションからカップ部22内で回転動作を行う回転ポジションへと移動するとともにノズル部21を下降させる構成としたので、回転ポジションに到達したタイミングでプリウェット材料210の滴下を開始することが可能となり、塗布処理におけるタクトの短縮を図ることができる。また、チャック部20の回転動作が終了する前にノズル上昇工程S6を行う構成としたので、チャック部20の回転動作が終了した際、チャック部20の上方にノズル部21が配置されていることが無くなり、チャック部20の上昇速度を早くすることで塗布処理におけるタクトの短縮を図ることができる。また、プリウェット材料滴下工程S4及び拡散材料滴下工程S5のタイミングを制御することで、塗布装置10として従来のスピンコータと同様の構成のものを採用することができる。よって、基板処理装置100のコストを抑えることができる。
以上、発明の一実施形態について図面を参照しながら説明したが、発明の内容は上記実施形態に限定されることは無く、発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能である。
例えば、上記実施形態においては、第2ノズル26が開口部26aの中心を通る軸線を鉛直方向(Z軸方向)に対して傾けた状態となるように蓋部24aに保持される場合を例に挙げたが、拡散材料200を基板Wの中央部WCに良好に滴下可能であれば、第1ノズル23を傾けた状態に蓋部24aに保持するようにしてもよい。あるいは、第1ノズル23及び第2ノズル26をそれぞれ傾けた状態に蓋部24aに保持するようにしてもよい。
また、上記実施形態では、プリウェット材料210の液滴が基板Wの中央部WCに滴下されるように液滴の着弾位置を規制する規制手段を蓋部24aが構成する場合を例に挙げたが、これに限定されることはない。
例えば、図7に示すように、物理的な外力を付与することで前記液滴の軌道を調整する調整装置150により、プリウェット材料の液滴が基板Wの中央部に滴下されるように液滴の着弾位置を規制する規制手段を構成してもよい。このような調整装置150としては、例えば、エアー噴出装置、磁気発生装置等により構成される。エアー噴出装置からなる調整装置150は、エアーの噴出量を調整することで第1ノズル23及び第2ノズル26から滴下された各材料200、210の少なくとも一方の液滴の軌道を調整し、基板Wの中央部WCに液滴を着弾させることが可能である。また、磁気発生装置からなる調整装置150は、磁気の発生量を調整することで第1ノズル23及び第2ノズル26から滴下された各材料200、210の少なくとも一方の液滴の軌道を磁力により調整し、基板Wの中央部WCに液滴を着弾させることが可能である。
W…基板、10…塗布装置、20…チャック部、23…第1ノズル、24a…蓋部(保持部材、規制手段)、25…移動機構(移動部)、26…第2ノズル、100…基板処理装置、150…調整装置、200…拡散材料、210…プリウェット材料
Claims (11)
- 平面形状が角型の基板を吸着保持した状態で回転可能なチャック部と、
前記基板に第1液体材料を滴下する第1ノズルと、
前記第1ノズルとは異なる位置から前記基板に第2液体材料を滴下する第2ノズルと、
前記チャック部に吸着保持された前記基板上に前記第1ノズル及び前記第2ノズルを一体に移動させる移動部と、
前記第1液体材料及び前記第2液体材料の少なくとも一方における液滴が前記基板の中央部に滴下されるように前記液滴の滴下位置を規制する規制手段と、
を備えることを特徴とする塗布装置。 - 前記規制手段は、前記第1ノズル及び前記第2ノズルを一体に保持する保持部材を含むことを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。
- 前記保持部材は、前記第1ノズル及び第2ノズルの少なくとも一方を、前記液滴の滴下方向が鉛直方向に対して傾いた状態となるように保持することを特徴とする請求項2に記載の塗布装置。
- 前記保持部材は、前記液滴の滴下方向が鉛直方向に対して傾いた状態となるように前記第2ノズルを保持するとともに、前記液滴の滴下方向が前記鉛直方向に沿った状態となるように前記第1ノズルを保持することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の塗布装置。
- 前記第1ノズルは、前記第1液体として拡散材を前記基板に滴下し、
前記第2ノズルは、前記第2液体としてプリウェット材料を前記基板に滴下することを特徴とする請求項4に記載の塗布装置。 - 前記規制手段が、物理的な外力を付与することで前記液滴の軌道を調整する調整装置を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の塗布装置。
- 前記基板は四隅が面取りされた形状であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の塗布装置。
- 前記基板が太陽電池用基板であることを特徴とする請求項7に記載の塗布装置。
- 互いが固定された状態に配置された第1ノズル及び第2ノズルを平面形状が角型の基板上の所定位置まで移動する移動工程と、
前記第1ノズルから前記基板の中央部に第1液体材料を滴下する第1滴下工程と、
前記第2ノズルから前記基板の前記中央部に第2液体材料を滴下する第2滴下工程と、を備え、
前記第1滴下工程及び前記第2滴下工程の少なくとも一方において、前記第1液体材料及び前記第2液体材料の少なくとも一方における液滴が前記基板の中央部に滴下されるように前記液滴の滴下位置を規制することを特徴とする塗布方法。 - 前記第1ノズル及び前記第2ノズルの少なくとも一方は、鉛直方向に対して傾いた方向に前記液滴を滴下することを特徴とする請求項9に記載の塗布方法。
- 物理的な外力を付与することで前記液滴の軌道を調整して前記液滴を前記基板の前記中央部に滴下させることを特徴とする請求項9又は10に記載の塗布方法。
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