JP2012030160A - 塗布装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】平面形状が角型の基板Wを吸着保持した状態で回転可能なチャック部20と、回転状態の基板Wの表面に対して拡散材を滴下する滴下ノズルと、基板Wの裏面側に洗浄液を供給する洗浄ノズル22aと、を備えた塗布装置である。チャック部20は平面視した状態で円形状からなり、且つ基板Wの短辺の長さの40〜70%の直径を有する。
【選択図】図3
Description
この構成によれば、チャック部の外縁と基板の外縁との略中央に洗浄ノズルが配置されるため、基板の裏面におけるチャック部の外縁に対して略同心円状となる位置に洗浄液を供給することができる。
このように洗浄ノズルが前記基板の短辺の外縁端から10mm以内に配置されるので、洗浄ノズルから供給された洗浄液が基板の裏面の外縁端に良好に広がるようになる。よって、拡散材の基板裏面への回り込みを防止することで、拡散材の塗布後に基板の裏面を洗浄する所謂バックリンス処理を別途行う必要がなくなり、塗布工程のタクトを短縮することができる。
このような四隅が面取りされた形状の基板は太陽電池用途として好適である。本発明を採用すれば、一般的に半導体ウエハよりも薄く安定性にかける太陽電池用基板であっても上記チャック部が安定して保持するため、拡散材料を良好に塗布できる。
図1(a)は本発明の塗布装置を含む基板処理装置の平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線矢視による断面図である。図2は基板処理装置100の電気的構成を示すブロック図である。本実施形態に係る基板処理装置は太陽電池を構成する太陽電池用基板に不純物を拡散するための拡散材料を塗布及び乾燥する処理を行うためのものであり、基板塗布装置は太陽電池用基板(以下、基板と称す)に拡散材を塗布するために用いられる。
ノズル部21は、図4に示すように、拡散材料を滴下する開口部23aが形成されたノズル23と、ノズル23を収容する収容部24と、を有している。収容部24は、図4に示すように、ノズル23に一体に設けられる蓋部24aと、該蓋部24aとともにノズル23を収容する密閉空間を形成する本体部24bと、を有している。このように収容部24は、ノズル23を密閉状態で収容することで開口部23aが乾燥するのを防止することができる。なお、蓋部24aはノズル23とともに移動し、本体部24bはノズル部21の待機位置から動くことが無い。
本実施形態で使用する拡散材料200に添加する不純物元素としては、13族元素として、ホウ素、ガリウム等が、15族元素として、リン、ヒ素、アンチモン等が、その他の元素として、亜鉛、銅等が挙げられる。そして、上記不純物元素は、酸化物、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩等の無機塩、酢酸等の有機酸の塩の形で膜形成組成物に添加することができる。具体的には、P2O5、NH4H2・PO4、(RO)3P、(RO)2P(OH)、(RO)3PO、(RO)2P2O3(OH)3、(RO)P(OH)2等のリン化合物、B2O3、(RO)3B、RB(OH)2、R2B(OH)等のホウ素化合物、H3SbO4、(RO)3Sb、SbX3、SbOX、Sb4O5X等のアンチモン化合物、H3AsO3、H2AsO4、(RO)3As、(RO)5As、(RO)2As(OH)、R3AsO、RAs=AsR等のヒ素化合物、Zn(OR)2、ZnX2、Zn(NO2)2等の亜鉛化合物、(RO)3Ga、RGa(OH)、RGa(OH)2、R2Ga〔OC(CH3)=CH−CO−(CH3)〕等のガリウム化合物等が挙げられる(ただし、Rはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基又はアリール基、Xはハロゲン原子を表す)。これらの化合物の中では、酸化ホウ素、酸化リン等を好ましく用いることができる。
塗布装置10における拡散材料の塗布工程は、基板載置位置にあるチャック部20に対して基板Wを載置する載置工程S1と、基板Wを載置したチャック部20を基板載置ポジションからカップ部22内で回転動作を行う回転ポジションへと移動する移動工程S3と、回転ポジションにおいてチャック部20が回転する回転工程S4とを含み、さらに載置工程S1と移動工程S3との間に、チャック部20に載置された基板Wの表面に拡散材料を滴下する滴下工程S2を有している。
まず、図6(a)に示すように、基板処理装置100は搬入部1に搬入された基板Wを第1搬送装置6により塗布装置10へと受け渡す(載置工程S1)。このとき、チャック部20は基板支持部材62により搬送される基板Wを載置する載置ポジションまで上昇している。このとき、基板処理装置100は、次の塗布工程に備えて、搬入部1内に他の基板Wを搬入しておく。
Claims (5)
- 平面形状が角型の基板を吸着保持した状態で回転可能なチャック部と、回転状態の前記基板の表面に対して拡散材を滴下する滴下ノズルと、前記基板の裏面側に洗浄液を供給する洗浄ノズルと、を備えた塗布装置において、
前記チャック部は平面視した状態で円形状からなり、且つ前記基板の短辺の長さの40〜70%の直径を有することを特徴とする塗布装置。 - 前記洗浄ノズルは、平面視した状態で前記チャック部の外縁と前記基板の外縁との略中央に配置されることを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。
- 前記洗浄ノズルは前記基板の短辺の外縁端から10mm以内に配置されることを特徴とする請求項2に記載の塗布装置。
- 前記基板は四隅が面取りされた形状であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の塗布装置。
- 前記基板が太陽電池用基板であることを特徴とする請求項4に記載の塗布装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2869352A1 (en) | 2013-10-31 | 2015-05-06 | PVG Solutions Inc. | Solar cell fabrication method comprising spin-coating a substrate with a dopant composition |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02249225A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
JPH04171072A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Toshiba Corp | 塗布方法およびその装置 |
JP2000202351A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-25 | Sony Corp | 成膜装置 |
JP2006192393A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
JP2011517844A (ja) * | 2008-02-07 | 2011-06-16 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池基板用の非接触型エッジコーティング装置の制御システム |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02249225A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
JPH04171072A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Toshiba Corp | 塗布方法およびその装置 |
JP2000202351A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-25 | Sony Corp | 成膜装置 |
JP2006192393A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Sharp Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
JP2011517844A (ja) * | 2008-02-07 | 2011-06-16 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池基板用の非接触型エッジコーティング装置の制御システム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2869352A1 (en) | 2013-10-31 | 2015-05-06 | PVG Solutions Inc. | Solar cell fabrication method comprising spin-coating a substrate with a dopant composition |
US9269581B2 (en) | 2013-10-31 | 2016-02-23 | Pvg Solutions Inc. | Method of producing solar cell |
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