JP2011159997A - 基板の塗布処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Wにパターンを露光処理する前にレジスト膜が形成された基板の表面に水溶性の反射防止液を塗布して反射防止膜を形成する基板の塗布処理方法において、レジスト膜が形成された基板を保持して第1の回転数で回転させて、基板の中心部に純水DIWを供給して純水の液溜りPDを形成し、次いで、基板の中心位置上の純水の液溜りに反射防止液TARCを供給して混合し、次いで、引き続き反射防止液を供給しながら第2の回転数で回転させて反射防止液を拡散させ、基板の全面に拡散した反射防止液を第1の回転数より高く第2の回転数より低い回転数で乾燥する。
【選択図】 図8
Description
40 塗布処理装置
42 スピンチャック(保持手段)
43 チャック駆動機構(回転機構)
48a 第1のノズル駆動部
48b 第2のノズル駆動部
50 塗布液ノズル
57 純水ノズル
60 コントローラ(制御手段)
V1,V2,V3 開閉弁
DIW 純水
TARC 反射防止液
Claims (6)
- 被処理基板にパターンを露光処理する前にレジスト膜が形成された被処理基板の表面に水溶性の反射防止液を塗布して反射防止膜を形成する基板の塗布処理方法であって、
レジスト膜が形成された被処理基板を保持して第1の回転数で回転させて、上記被処理基板の中心部に純水を供給して純水の液溜りを形成する工程と、
次いで、上記被処理基板の中心位置上の純水の液溜りに反射防止液を供給して混合する工程と、
次いで、引き続き上記反射防止液を供給しながら第2の回転数で回転させて反射防止液を拡散させる工程と、
上記被処理基板の全面に拡散した反射防止液を上記第1の回転数より高く上記第2の回転数より低い回転数で乾燥する工程と、
を有することを特徴とする基板の塗布処理方法。 - 上記混合する工程と上記拡散させる工程との時間比率は、拡散させる工程の時間よりも混合する工程の時間が短いことを特徴とする請求項1に記載の基板の塗布処理方法。
- 上記混合する工程と上記拡散させる工程との時間比率は、拡散させる工程の時間よりも混合する工程の時間が長いことを特徴とする請求項1に記載の基板の塗布処理方法。
- 上記混合する工程と上記拡散させる工程との時間比率は、拡散させる工程の時間と混合する工程の時間が同じであることを特徴とする請求項1に記載の基板の塗布処理方法。
- 上記第1の回転数が10rpm〜50rpmであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板の塗布処理方法。
- 上記第2の回転数が2000rpm〜4000rpmであることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の基板の塗布処理方法。
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