JP2010177504A - 塗布処理方法及び塗布処理装置 - Google Patents
塗布処理方法及び塗布処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010177504A JP2010177504A JP2009019460A JP2009019460A JP2010177504A JP 2010177504 A JP2010177504 A JP 2010177504A JP 2009019460 A JP2009019460 A JP 2009019460A JP 2009019460 A JP2009019460 A JP 2009019460A JP 2010177504 A JP2010177504 A JP 2010177504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- coating liquid
- substrate
- pure water
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 270
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 260
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 178
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 99
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 17
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 102100023698 C-C motif chemokine 17 Human genes 0.000 abstract 3
- 101000978362 Homo sapiens C-C motif chemokine 17 Proteins 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 136
- 239000010408 film Substances 0.000 description 65
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 4
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Abstract
【解決手段】半導体ウエハWを低速の第1の回転数で回転させて、ウエハの中心部に純水DIWを供給して純水の液溜りを形成し、その後、ウエハを上記第1の回転数の状態で、ウエハの中心部に水溶性の塗布液TARCを供給し、該塗布液と上記純水とを混合する。その後、ウエハを上記第1の回転数より高速の第2の回転数で回転させて塗布液膜を形成する。塗布液と純水とを混合する工程と塗布液膜を形成する工程の時間比率を1:3〜3:1の範囲内に制御して塗布液TARCの吐出量を設定する。
【選択図】 図8
Description
40 塗布処理装置
42 スピンチャック(保持手段)
43 チャック駆動機構(回転機構)
48a 第1のノズル駆動部
48b 第2のノズル駆動部
50 塗布液ノズル
57 純水ノズル
60 コントローラ(制御手段)
V1,V2,V3 開閉弁
DIW 純水
TARC 塗布液
Claims (8)
- 被処理基板に水溶性を有する塗布液を供給して塗布液膜を形成する塗布処理方法であって、
被処理基板を低速の第1の回転数で回転させて、被処理基板の中心部に純水を供給して純水の液溜りを形成する第1の工程と、
その後、被処理基板を上記第1の回転数の状態で、被処理基板の中心部に水溶性の塗布液を供給し、該塗布液と上記純水とを混合する第2の工程と、
その後、被処理基板を上記第1の回転数より高速の第2の回転数で回転させて塗布液膜を形成する第3の工程と、を有し、
上記第2の工程と第3の工程の時間比率を制御することにより塗布液の供給量を設定することを特徴とする塗布処理方法。 - 請求項1記載の塗布処理方法において、
上記第2の工程と第3の工程の時間比率は、第2の工程に対して第3の工程が、1:3〜3:1の範囲内であることを特徴とする塗布処理方法。 - 請求項1又は2記載の塗布処理方法において、
上記塗布液が界面活性剤を含む液であることを特徴とする塗布処理方法。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の塗布処理方法において、
上記第1の回転数が10rpm〜50rpmであり、上記第2の回転数が2000rpm〜4000rpmであることを特徴とする塗布処理方法。 - 被処理基板に水溶性を有する塗布液を供給して塗布液膜を形成する塗布処理装置であって、
被処理基板を該被処理基板の表面を上面にして保持する保持手段と、
上記保持手段を鉛直軸周りに回転する回転機構と、
被処理基板に塗布液を供給する塗布液ノズルと、
被処理基板に純水を供給する純水ノズルと、
上記塗布液ノズルを被処理基板の中心部に移動する第1のノズル移動機構と、
上記純水ノズルを被処理基板の中心部に移動する第2のノズル移動機構と、
上記塗布液ノズルと塗布液供給源とを接続する塗布液供給管路に介設される第1の開閉弁と、
上記純水ノズルと純水供給源とを接続する純水供給管路に介設される第2の開閉弁と、
上記回転機構の回転駆動、第1及び第2のノズル移動機構の駆動及び、上記第1及び第2の開閉弁の開閉を制御する制御手段と、を具備し、
上記制御手段により、被処理基板を低速の第1の回転数で回転させて、被処理基板の中心部に純水を供給して純水の液溜りを形成する第1の工程と、その後、被処理基板を上記第1の回転数の状態で、被処理基板の中心部に水溶性の塗布液を供給し、該塗布液と上記純水とを混合する第2の工程と、その後、被処理基板を上記第1の回転数より高速の第2の回転数で回転させて塗布液膜を形成する第3の工程を行うと共に、上記第2の工程と第3の工程の時間比率を制御することにより塗布液の供給量を設定するように形成してなる、ことを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項5記載の塗布処理装置において、
上記第2の工程と第3の工程の時間比率は、第2の工程に対して第3の工程が、1:3〜3:1の範囲内であることを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項5又は6記載の塗布処理装置において、
上記塗布液が界面活性剤を含む液であることを特徴とする塗布処理装置。 - 請求項5ないし7のいずれかに記載の塗布処理装置において、
上記第1の回転数が10rpm〜50rpmであり、上記第2の回転数が2000rpm〜4000rpmであることを特徴とする塗布処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009019460A JP4733192B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
KR1020090118477A KR101447759B1 (ko) | 2008-12-16 | 2009-12-02 | 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치 |
TW098142123A TWI419742B (zh) | 2008-12-16 | 2009-12-09 | 塗佈處理方法及塗佈處理裝置 |
US12/638,418 US20100151126A1 (en) | 2008-12-16 | 2009-12-15 | Substrate coating method and substrate coating apparatus |
CN200910252191.XA CN101750898B (zh) | 2008-12-16 | 2009-12-15 | 涂敷处理方法及涂敷处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009019460A JP4733192B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011094635A Division JP5159913B2 (ja) | 2011-04-21 | 2011-04-21 | 基板の塗布処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177504A true JP2010177504A (ja) | 2010-08-12 |
JP4733192B2 JP4733192B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=42708143
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009019460A Active JP4733192B2 (ja) | 2008-12-16 | 2009-01-30 | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4733192B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225871A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Elpida Memory Inc | 塗布液の塗布方法、塗膜の形成方法、ならびにそれを利用したパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2015153857A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
JP2018186259A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07295210A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光反射性防止材料及びパターン形成方法 |
JP2001060542A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Tokyo Electron Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
JP3330324B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
JP2003059825A (ja) * | 2001-06-07 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成方法および塗布膜形成装置 |
JP2003347199A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及びその装置 |
JP2008203638A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法及びレジスト膜の表面に塗布される上層膜剤用のプリウェット溶剤 |
JP2010147055A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
-
2009
- 2009-01-30 JP JP2009019460A patent/JP4733192B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07295210A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光反射性防止材料及びパターン形成方法 |
JP3330324B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2002-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
JP2001060542A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Tokyo Electron Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
JP2003059825A (ja) * | 2001-06-07 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成方法および塗布膜形成装置 |
JP2003347199A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法及びその装置 |
JP2008203638A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法及びレジスト膜の表面に塗布される上層膜剤用のプリウェット溶剤 |
JP2010147055A (ja) * | 2008-12-16 | 2010-07-01 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010225871A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Elpida Memory Inc | 塗布液の塗布方法、塗膜の形成方法、ならびにそれを利用したパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2015153857A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 |
JP2018186259A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP7025872B2 (ja) | 2016-12-02 | 2022-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4733192B2 (ja) | 2011-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101447759B1 (ko) | 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치 | |
JP5337180B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
JP5305331B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
US9016231B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing system | |
JP5091722B2 (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置 | |
US20130239887A1 (en) | Coating treatment method, coating treatment apparatus, and computer-readable storage medium | |
KR102403094B1 (ko) | 현상 처리 방법, 컴퓨터 기억 매체 및 현상 처리 장치 | |
JP2005294520A (ja) | 塗布・現像装置及び塗布・現像方法 | |
KR20090121215A (ko) | 도포 처리 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 도포 처리 장치 | |
US20070009839A1 (en) | Pattern forming method, film forming apparatus and pattern forming apparatus | |
JP2008042019A (ja) | パターン形成方法およびパターン形成装置 | |
JP2010219168A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
US10921713B2 (en) | Developing method, computer-readable storage medium and developing apparatus | |
JP2008307488A (ja) | 塗布処理方法、塗布処理装置、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP4678740B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
JP4733192B2 (ja) | 塗布処理方法及び塗布処理装置 | |
TWI770046B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP2010093265A (ja) | 処理液供給ユニットとこれを利用した基板処理装置及び方法 | |
JP4624936B2 (ja) | 基板の処理方法及びプログラム | |
JP5159913B2 (ja) | 基板の塗布処理方法 | |
US7498124B2 (en) | Sacrificial surfactanated pre-wet for defect reduction in a semiconductor photolithography developing process | |
JP5501085B2 (ja) | 基板処理方法 | |
JP4723631B2 (ja) | 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理装置 | |
JP2011049353A (ja) | 塗布膜形成方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム | |
JP2011095484A (ja) | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110407 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110412 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110421 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4733192 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |