CN101750898B - 涂敷处理方法及涂敷处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种实现抑制涂敷涂敷液时产生的气泡来提高涂敷液膜的均匀化及成品率的涂敷处理方法及涂敷处理装置。还提供实现涂敷液的有效利用及涂敷液膜的均匀化的涂敷处理方法及涂敷处理装置。本发明的涂敷处理方法如下所述：使半导体晶圆(W)以低速的第1转速旋转，向晶圆中心部供给纯水(DIW)而形成纯水的积水部，然后在使晶圆以上述第1转速旋转的状态下，向晶圆中心部供给水溶性的涂敷液(TARC)，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合。然后使晶圆以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜。

Description

涂敷处理方法及涂敷处理装置
技术领域
本发明涉及例如半导体晶圆、液晶玻璃基板(FPD基板)等的涂敷处理方法及涂敷处理装置。
背景技术
通常来说，在半导体器件的制造中，为了通过在例如半导体晶圆、FPD基板等(以下称作晶圆等)上涂敷抗蚀剂液、对掩模图案进行曝光处理而形成电路图案，利用了光刻技术。在该光刻技术中，利用旋涂法在晶圆等上涂敷抗蚀剂液，根据规定的电路图案对由此形成的抗蚀剂膜进行曝光，对该曝光图案进行显影处理而在抗蚀剂膜上形成电路图案。
在这样的光刻工序中，随着近年来的器件图案的微细化、薄膜化，越来越要求提高曝光的析像度。作为提高曝光的析像度的方法之一，公知有这样的方法：为了通过改进利用已有的光源例如氟化氩(ArF)或氟化氪(KrF)进行曝光的曝光技术来提高析像度，在晶圆的表面上形成了透过光的浸液层的状态下进行曝光的浸液曝光方法。该浸液曝光利用这样的特征：在使光透过例如纯水等水中的技术中，波长在水中变短，因此，193nm的ArF的波长在水中实际上变为134nm。
即，该浸液曝光技术是这样的技术：在透镜和晶圆的表面之间形成了浸液层(液膜)的状态下，使由光源发出的光通过透镜、透过液膜而照射到晶圆上，由此将规定的抗蚀剂图案(电路图案)复制到抗蚀剂上。并且，在透镜和晶圆之间形成了液膜的状态下，使曝光部件和晶圆沿水平方向相对地滑动移动，将该曝光部件配置在与下一个复制区域(照射区域)相对应的位置，通过反复照射光的动作来将电路图案依次复制到晶圆表面上。
在该浸液曝光中，由于在透镜和晶圆表面之间形成液膜(浸液膜)，因此存在如下问题：抗蚀剂所含有的成分的一部分从抗蚀剂层的表面部渗出一些，且渗出的成分附着在透镜表面上而使复制的电路图案的线宽精度降低。另外，也存在如下问题：即使渗出的成分不附着在透镜的表面上，在水膜内含有渗出的成分时，会影响光的折射率而产生析像度降低及线宽精度在面内不均匀。
另外，随着器件图案的微细化，也存在因抗蚀剂层中的干涉效应而导致析像度降低及线宽精度在面内不均匀这样的问题。
作为解决上述问题的方法，使用这样的技术：对形成有抗蚀剂层的晶圆等的表面供给(涂敷)具有水溶性的涂敷液例如TARC(Top Anti-Reflective Coating；顶部抗反射涂层)药液而形成抗反射膜，从而能够抑制在浸液曝光时抗蚀剂的渗出或能够防止抗蚀剂层中的干涉。另外，TARC药液含有表面活性剂，该表面活性剂具有利用分子内的亲水基和疏水基的平衡而使表面的自由能量(表面张力)降低的作用。
另外，通常来说，在对晶圆等的表面供给涂敷液而形成涂敷膜的涂敷处理方法中，多使用所谓的旋涂法，即从喷嘴向旋转中的晶圆的中心部供给涂敷液、利用离心力使涂敷液在晶圆上扩散而将涂敷液涂敷在晶圆上的方法。另外，在该旋涂法中，作为少量且均匀地涂敷涂敷液的方法，例如公知有这样的方法：在将涂敷液的溶剂供给到晶圆上而进行预湿(pre-wet)之后，接着使晶圆的旋转加速到第1转速并对该旋转中的晶圆供给涂敷液，接着使晶圆的转速暂时减速到第2转速来调整晶圆上的涂敷液的膜厚，然后使晶圆的旋转再加速到第3转速而甩干晶圆上的涂敷液(例如参照专利文献1)。
使用上述旋涂法，在将例如水溶性的涂敷液(TARC药液)涂敷在晶圆上的情况下，在预湿时，将作为涂敷液的溶剂例如纯水供给到晶圆上。
专利文献1：日本特许3330324号公报(权利要求书)
但是，由于TARC药液含有加压溶解的气体、表面活性剂而具有非常容易发泡的性质，因此，在将TARC药液向晶圆上涂敷时容易产生微细的气泡。因此，在旋涂TARC药液时，存在由于该气泡而产生涂敷膜(TARC膜)的涂敷不良(涂敷不均匀)而使器件的成品率降低这样的问题。
另外，在将作为涂敷液的溶剂的纯水供给到晶圆上而进行预湿后，接着使晶圆的旋转加速到第1转速，然后使晶圆的转速减速到第2转速，此时由于晶圆的表面张力值非常大，因此纯水在具有疏水性的晶圆上扩散后立即变成水滴，预湿的效果变小。因此，在旋涂TARC药液时，也存在由于该水滴而产生涂敷膜(TARC膜)的涂敷不良(涂敷不均匀)这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而做成的，其目的在于提供一种通过抑制涂敷涂敷液时所产生的气泡来实现提高涂敷液膜的均匀化及成品率的涂敷处理方法及涂敷处理装置。
另外，本发明的目的还在于提供一种通过减少涂敷液的浪费来实现有效利用涂敷液并且实现涂敷液膜的均匀化的涂敷处理方法及涂敷处理装置。
为了解决上述问题，本发明的涂敫处理方法是一种向被处理基板上供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜的涂敷处理方法，其特征在于，该涂敷处理方法包括：第1工序，其使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；第2工序，其在第1工序之后，在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合；第3工序，其在第2工序之后，使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜(技术方案1)。
另外，本发明的另一种涂敷处理方法，其向被处理基板供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜，其特征在于，该涂敷处理方法包括：第1工序，其使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；第2工序，其在第1工序之后，在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合；第3工序，其在第2工序后，使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜；通过控制上述第2工序和第3工序的时间比率来设定涂敷液的供给量(技术方案3)。
另外，在本发明中，上述涂敷液只要是至少具有水溶性的液体，可以使用任意的涂敷液，可以使用含有表面活性剂的液体(技术方案6)。
另外，本发明的涂敷处理装置，其用于执行技术方案1所述的涂敷液处理方法，向被处理基板供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜，其特征在于，该涂敷处理装置包括：保持部件，其以该被处理基板的正面为上表面地保持被处理基板；旋转机构，其用于使上述保持部件绕铅直轴线旋转；涂敷液喷嘴，其用于向被处理基板供给涂敷液；纯水喷嘴，其用于向被处理基板供给纯水；第1喷嘴移动机构，其用于使上述涂敷液喷嘴移动到被处理基板的中心部；第2喷嘴移动机构，其用于使上述纯水喷嘴移动到被处理基板的中心部；第1开闭阀，其设于将上述涂敷液喷嘴和涂敷液供给源连接的涂敷液供给管路上；第2开闭阀，其设于将上述纯水喷嘴和纯水供给源连接的纯水供给管路上；控制部件，其用于控制上述旋转机构的旋转驱动、第1喷嘴移动机构及第2喷嘴移动机构的驱动、上述第1开闭阀及第2开闭阀的开闭；
利用上述控制部件进行以下3个工序：第1工序，其使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；第2工序，其在第1工序后，在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述纯水混合；第3工序，其在第2工序之后，使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜(技术方案7)。
另外，本发明的另一涂敷处理装置，其用于执行技术方案3所述的涂敷液处理方法，向被处理基板供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜，其特征在于，该涂敷处理装置包括：保持部件，其以该被处理基板的正面为上表面地保持被处理基板；旋转机构，其用于使上述保持部件绕铅直轴线旋转；涂敷液喷嘴，其用于向被处理基板供给涂敷液；纯水喷嘴，其用于向被处理基板供给纯水；第1喷嘴移动机构，其用于使上述涂敷液喷嘴移动到被处理基板的中心部；第2喷嘴移动机构，其用于使上述纯水喷嘴移动到被处理基板的中心部；第1开闭阀，其设于将上述涂敷液喷嘴和涂敷液供给源连接的涂敷液供给管路上；第2开闭阀，其设于将上述纯水喷嘴和纯水供给源连接的纯水供给管路上；控制部件，其用于控制上述旋转机构的旋转驱动、第1喷嘴移动机构及第2喷嘴移动机构的驱动、上述第1开闭阀及第2开闭阀的开闭；
利用控制部件进行以下3个工序：第1工序，其使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；第2工序，其在第1工序之后，在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述纯水混合；第3工序，其在第2工序之后，使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜；并且，通过控制上述第2工序和第3工序的时间比率来设定涂敷液的供给量(技术方案9)。
在技术方案7或9所述的涂敷处理装置中，上述涂敷液只要是至少具有水溶性的液体，可以使用任意的涂敷液，可以使用含有表面活性剂的液体(技术方案12)。
在技术方案3或9所述的发明中，能通过控制转速的加速度来控制上述第2工序和第3工序的时间比率，第3工序相对于第2工序的时间比率优选在1∶3～3∶1的范围内(技术方案4、10)，更优选第3工序相对于第2工序的时间比率在1∶1～3∶1的范围内。
另外，在本发明中，上述第1转速是这样的转速：能使被供给(喷出)到被处理基板上的纯水在被处理基板上形成积水部(纯水堆)、然后能降低被供给(喷出)到被处理基板上的水溶性的涂敷液的喷出所产生的冲击。例如，第1转速优选为10rpm～50rpm(技术方案2、5、8、11)。其原因在于，当第1转速为低于10rpm的速度时，积水部(纯水堆)不能扩散成期望的大小，且当第1转速为高于50rpm的速度时，积水部(纯水堆)不能保持期望大小的圆形状态而变得过大。
另外，在本发明中，上述第2转速为能使被供给(喷出)到被处理基板上的涂敷液扩散而形成涂敷液膜的转速。例如，在技术方案1或7所述的发明中，可以使第2转速为1500rpm～2500rpm。其原因在于，当第2转速为低于1500rpm的速度时，涂敷液在被处理基板上的覆盖性变差，且当第2转速为高于2500rpm的速度时，可能产生涂敷液的雾。另外，例如，在技术方案3或9所述的发明中，优选使第2转速为2000rpm～4000rpm(技术方案5、11)。其原因在于，当第2转速为低于2000rpm的速度时，在被处理基板上产生涂敷液的未涂敷区域，且当第2转速为高于4000rpm的速度时，可能产生涂敷液的雾，产生的雾会再次附着到涂敷液膜上而使覆盖性变差。
采用技术方案1、2、7、8所述的发明，使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部，然后在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下，向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合，从而在供给涂敷液时，纯水作为被处理基板与涂敷液之间的中间层而能降低涂敷液的供给时(喷出时)的冲击。并且，随后使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转，能在被处理基板上形成涂敷液膜。
另外，采用技术方案3、4、5、9、10、11所述的发明，使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部，然后在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下，向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合，从而在供给涂敷液时，纯水作为被处理基板与涂敷液之间的中间层而能降低涂敷液的供给时(喷出时)的冲击。并且，随后使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转，且控制使涂敷液和纯水混合的工序(第2工序)和形成涂敷液膜的工序(第3工序)的时间比率，例如将第3工序相对于第2工序的时间比率控制在1∶3～3∶1的范围内来设定涂敷液的喷出量，从而能降低涂敷液的供给量，并且能在被处理基板上形成均匀的涂敷液膜。
另外，采用技术方案6、12所述的发明，能降低供给涂敷液时的冲击，并且能降低涂敷液中的表面活性剂的浓度。
采用本发明，由于为上述那样的结构，因此，能获得如下所述的效果。
(1)采用技术方案1、2、7、8所述的发明，在供给涂敷液时纯水作为被处理基板与涂敷液之间的中间层而能降低涂敷液的供给时(喷出时)的冲击，因此，能抑制在涂敷涂敷液时产生的气泡，降低涂敷不良(涂敷不均匀)，能实现提高涂敷液膜的均匀性及成品率。
(2)采用技术方案3、4、5、9、10、11所述的发明，能实现涂敷液的有效利用，并且能降低涂敷不良(涂敷不均匀)，能实现提高涂敷液膜的均匀性。
(3)采用技术方案6、12所述的发明，能降低供给涂敷液时的冲击，并且能降低涂敷液中的表面活性剂的浓度，因此，能实现进一步提高含有表面活性剂的涂敷液膜的均匀性及成品率。
附图说明
图1是表示在应用本发明的涂敷处理装置的涂敷显影处理装置上连接了曝光装置的处理系统的整体的概略俯视图。
图2是上述处理系统的概略主视图。
图3是上述处理系统的概略后视图。
图4是表示本发明的涂敷处理装置的一例的概略纵剖视图。
图5是上述涂敷处理装置的概略横剖视图。
图6是表示涂敷处理装置的涂敷处理工艺的主要工序的流程图。
图7是表示涂敷处理工艺的各工序中的晶圆的转速和供给涂敷液及纯水的时刻的曲线图。
图8是示意性地表示涂敷处理工艺的各工序中的晶圆上的液膜的状态的概略剖视图。
图9是表示涂敷处理装置的涂敷处理工艺的主要工序的流程图。
图10是表示涂敷处理工艺的各工序中的晶圆的转速和供给涂敷液及纯水的时刻的曲线图。
图11是表示涂敷膜形成工序的因晶圆的转速不同而导致的晶圆上的膜厚的状态。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。
图1是表示在应用本发明的涂敷处理装置的涂敷显影处理装置上连接了曝光装置的处理系统的整体的概略俯视图。图2是上述处理系统的概略主视图。图3是上述处理系统的概略后视图。
上述处理系统包括：载体站(carrier station)1，其用于搬入搬出载体10，该载体10用于密闭容纳多张例如25张作为被处理基板的半导体晶圆W(以下称作晶圆W)；处理部2，其用于对从该载体站1取出的晶圆W实施抗蚀剂涂敷、显影处理等；曝光装置4，其用于在晶圆W的表面上形成了透过光的浸液层的状态下对晶圆W的表面进行浸液曝光；转接部(interface)3，其连接在处理部2和曝光装置4之间，进行晶圆W的交接。
载体站1设有：载置部11，其能载置排列多个载体10；开闭部12，其从该载置部11看来设于前方的壁面上；交接部件A1，其用于经由开闭部12从载体10取出晶圆W。
另外，在载体站1的内侧连接有用壳体20围着周围的处理部2，该处理部2从跟前侧起交替排列地依次设有将加热、冷却系统的单元多级化了的处理单元U1、U2、U3、液体处理单元U4、U5、以及用于在将加热、冷却系统的单元多级化了的处理单元U1、U2、U3以及液体处理单元U4、U5各单元之间进行晶圆W的交接的主搬运部件A2、A3。另外，主搬运部件A2、A3配设在由分隔壁21围成的空间内，该分隔壁21由从载体站1看来沿前后方向配置的处理单元U1、U2、U3侧的一面部、后述的例如右侧的液体处理单元U4、U5侧的一面部、构成左侧的一面的背面部构成。另外，在载体站1与处理部2之间、处理部2与转接部3之间配置有温湿度调节单元22，该温湿度调节单元具有在各单元使用的处理液的温度调节装置、温湿度调节用的通道(duct)等。
处理单元U1、U2、U3层叠多层例如10层用于进行在液体处理单元U4、U5所进行的处理的前处理及后处理的各种单元而构成。如图3所示，在主搬运部件A2的背面侧，从下起依次各层叠2层例如用于对晶圆W进行疏水化处理的粘附单元(AD)和用于对晶圆W进行加热的加热单元(HP)。粘附单元(AD)也可以作为还具有对晶圆W进行调温的机构。在主搬运板件A3的背面侧设有仅对晶圆W的边缘部选择性地曝光的周边曝光装置(WEE)23。另外，主搬运部件A3的背面侧有时也与主搬运部件A2的背面侧同样地配置热处理单元。
如图3所示，在处理单元U1，从上起依次层叠例如10层，这10层中包括作为第1热处理单元的高温热处理单元(BAKE)、在高精度的温度管理下对晶圆W实施冷却处理的高精度调温单元(CPL)、作为从交接部件A1向主搬运部件A2交接晶圆W的交接部的交接单元(TRS)、调温单元(TCP)，上述高温热处理单元(BAKE)是将晶圆W载置于载置台上并进行规定处理的烤箱(oven)型处理单元，例如用于对晶圆W实施规定的加热处理。另外，在本实施方式中，在处理单元U1，从下起的第3层设为备用空间。在处理单元U2，也从上起依次层叠例如10层，该10层包括例如作为第4热处理单元的后热烘单元(POST)、对涂敷抗蚀剂后的晶圆W实施加热处理的、作为第2热处理单元的预热烘单元(PAB)、高精度调温单元(CPL)。另外，在处理单元U3，也从上起依次层叠例如10层，该10层包括例如对曝光后的晶圆W实施加热处理的作为第3热处理单元的曝光后热烘单元(PEB)、高精度调温单元(CPL)。
另外，例如，如图2所示，液体处理单元U4、U5层叠多层例如5层，该5层中包括用于在抗蚀剂、显影液等的药液收纳部(CHM)上涂敷抗反射膜的底部抗反射膜涂敷单元(BCT)25；具有本发明的涂敷处理装置的顶部抗反射膜(保护膜)涂敷单元(TCT)26；用于涂敷抗蚀剂的抗蚀剂涂敷单元(COT)27；用于对晶圆W供给显影液而进行显影处理的显影单元(DEV)28等。
如图1所示，转接部3由在处理部2与曝光装置4之间沿前后方向设置的第1搬运室3A及第2搬运室3B构成，在该第1搬运室3A中设有第1晶圆搬运部30A，在该第2搬运室3B中设有第2晶圆搬运部30B，该第1晶圆搬运部30A及第2晶圆搬运部30B具有能升降自如且能绕铅直轴线旋转自如的臂。
另外，利用作为控制部件的、将控制计算机的中央运算处理装置(CPU)构成为主体的控制器60来控制由第1晶圆搬运部30A及第2晶圆搬运部30B搬运晶圆W的时刻及时间。
另外，在第1搬运室3A中的从载体站1侧看来隔着第1晶圆搬运部30A的右侧例如上下层叠地设有暂时收容多张例如25张晶圆W的缓冲盒31。另外，缓冲盒31也可以配置在从载体站1侧看的左侧。
接着，说明使用上述涂敷显影装置来处理晶圆W的步骤。在此，对在晶圆W的表面形成底部抗反射膜(BARC)、在底部抗反射膜(BARC)的上层涂敷抗蚀剂层、在抗蚀剂层的表面层叠顶部抗反射膜的情况进行说明。首先，利用交接部件A1从收纳晶圆W的载体10中取出晶圆W，晶圆W经由构成处理单元U1的一层的交接单元(TRS)被交接到主搬运部件A2，作为涂敷处理的前处理，例如利用底部抗反射膜涂敷单元(BCT)25在晶圆W的表面形成底部抗反射膜(BARC)。形成有底部抗反射膜(BARC)的晶圆W被主搬运部件A2搬运到处理单元U1的加热处理部而进行预热烘(PAB)。
然后，利用主搬运部件A2将晶圆W搬入到抗蚀剂涂敷单元(COT)27内，对晶圆W的整个表面以薄膜状涂敷抗蚀剂。涂敷了抗蚀剂的晶圆W被主搬运部件A2搬运到处理单元U2的加热处理部而进行预热烘(PAB)。
然后，利用主搬运部件A2将晶圆W搬入到顶部抗反射膜涂敷单元(TCT)26内，在抗蚀剂层的表面形成顶部抗反射膜。形成有顶部抗反射膜的晶圆W被主搬运部件A2搬运到处理单元U2的加热处理部而进行预热烘(PAB)。
然后，利用主搬运部件A3将晶圆W从预热烘单元(PAB)搬出，经由主搬运部件A3、第1晶圆搬运部30A、第2晶圆搬运部30B搬运到曝光装置4，进行在晶圆W的表面与曝光透镜(未图示)的间隙中形成了浸液层的状态下曝光的浸液曝光。
然后，曝光结束的晶圆W经由第2晶圆搬运部30B、第1晶圆搬运部30A被搬入到处理部2的处理单元U3的曝光后热烘单元(PEB)内。在此，将晶圆W加热到规定温度，从而进行使从包含在抗蚀剂中的氧产生剂产生的氧扩散到晶圆W的内部区域的曝光后热烘(PEB)处理。并且，利用该氧的催化剂作用使抗蚀剂成分发生化学反应，从而在例如为阳性抗蚀剂的情况下，该反应区域相对于显影液为可溶解性。
进行了PEB处理的晶圆W被主搬运部件A3搬入到显影单元(DEV)28内，利用设于显影单元(DEV)28内的显影液喷嘴向晶圆W的表面供给显影液而进行显影处理。由此，晶圆W表面的抗蚀剂膜中的相对于显影液具有可溶解性的部位溶解而形成规定的抗蚀剂图案。另外，向晶圆W供给例如纯水等冲洗液而进行冲洗处理，然后甩干冲洗液。然后，晶圆W被主搬运部件A3从显影单元(DEV)28搬出而搬入到处理单元U2的后热烘单元(POST)内进行加热处理，晶圆W经由主搬运部件A2、交接部件A1而返回到载置部11上的原来的载体10上，一连串的涂敷、显影处理结束。
接着，参照图4及图5说明本发明的涂敷处理装置。
图4是表示本发明的涂敷处理装置的一例的概略纵剖视图。图5是涂敷处理装置的概略横剖视图。另外，在本实施方式中，为了形成在曝光处理时防止光反射的抗反射膜，使用涂敷在形成有抗蚀剂膜的晶圆W上的、具有表面活性剂的抗反射膜液体材料(TARC药液)作为涂敷液。作为该涂敷液的抗反射膜液体材料例如含有水溶性树脂和羧酸或磺酸等低分子有机化合物。
如图4所示，涂敷处理装置40具有处理容器41，在该处理容器41内的中央部设有作为保持晶圆W并使晶圆W旋转的保持部件的旋转吸盘42。旋转吸盘42具有水平的上表面，在该上表面上设有例如用于吸引晶圆W的吸引口(未图示)。利用来自该吸引口的吸引能将晶圆W吸附保持在旋转吸盘42上。
旋转吸盘42具有吸盘驱动机构43，该吸盘驱动机构43具有例如电动机等旋转机构。吸盘驱动机构43与作为控制部件的具有中央运算处理装置(CPU)的控制器60电连接，基于来自控制器60的控制信号能使吸盘驱动机构43以规定速度旋转。另外，在吸盘驱动机构43上设有作动缸(液压缸或气缸)等升降驱动源，旋转吸盘42能上下运动。
在旋转吸盘42的周围设有用于接住、回收从晶圆W飞散或落下的液体的杯状件44。在杯状件44的下表面连接有用于排出回收的液体的排液管路45和用于对杯状件44内的气氛进行排气的排气管路46。
如图5所示，在杯状件44的X轴负方向(图5的下方向)侧形成有沿Y轴方向(图5的左右方向)延伸的导轨47。导轨47例如从杯状件44的Y轴负方向(图5的左方)侧的外方形成到Y轴正方向(图5的右方)侧的外方。在导轨47上能自由移动地安装有作为第1及第2喷嘴移动机构的第1及第2喷嘴驱动部48a、48b。第1及第2喷嘴驱动部48a、48b与控制器60电连接，能基于来自控制器60的控制信号而沿导轨47移动自如。
在第1喷嘴驱动部48a上朝着X轴方向安装有第1臂49a，如图4及图5所示，用于供给涂敷液的涂敷液喷嘴50支承于该第1臂49a上。在该情况下，涂敷液喷嘴50的能喷出少量涂敷液的喷嘴直径形成为例如直径0.8mm。第1臂49a在第1喷嘴驱动部48a的驱动下能在导轨47上移动自如。由此，涂敷液喷嘴50能从设于杯状件44的Y轴正方向侧的外方的待机部51移动到杯状件44内的晶圆W的中心部上方，并且能在晶圆W的表面上沿晶圆W的径向移动。另外，第1臂49a在第1喷嘴驱动部48a的驱动下升降自如，能调整涂敷液喷嘴50的高度。
如图4所示，在涂敷液喷嘴50上连接有与涂敷液供给源52相连接的涂敷液供给管路53。涂敷液供给源52由用于贮存涂敷液的瓶形成，利用自气体供给源例如N2气体供给源54供给来的气体(N2气体)的加压向涂敷液喷嘴50侧供给(压送)涂敷液。在涂敷液供给管路53上，从涂敷液供给源52侧起依次设有过滤器55、泵56及具有流量调节功能的第1开闭阀V1。另外，在将涂敷液供给源52和N2气体供给源54连接的N2气体供给管路54a上设有开闭阀V3。
在第2喷嘴驱动部48b上朝着X轴方向安装有第2臂49b，用于供给涂敷液的溶剂例如纯水的纯水喷嘴57支承在该第2臂49b上。第2臂49b在图5所示的第2喷嘴驱动部48b的驱动下能在导轨47上移动自如，使纯水喷嘴57能从设于杯状件44的Y轴负方向侧外方的待机部58移动到杯状件44内的晶圆W的中心部上方。另外，第2臂49b在第2喷嘴驱动部48b的驱动下升降自如，能调整纯水喷嘴57的高度。
如图4所示，在纯水喷嘴57上连接有与纯水供给源59相连接的纯水供给管路59a。在纯水供给源58内贮存有纯水。在纯水供给管路59a上设有具有流量调节功能的第2开闭阀V2。
上述第1及第2开闭阀V1、V2及N2气体供给管路54a的开闭阀V3分别与控制器60电连接，基于来自控制器60的控制信号进行开闭动作。
另外，在上述结构中，用于供给涂敷液的涂敷液喷嘴50和用于供给纯水的纯水喷嘴57支承在不同的臂上，但也可以支承在同一个臂上，通过控制该臂的移动来控制涂敷液喷嘴50和纯水喷嘴57的移动以及供给时刻。
利用控制器60控制如下驱动系统的动作：上述旋转吸盘42的旋转动作和上下动作、由第1喷嘴驱动部48a驱动的涂敷液喷嘴50的移动动作、由第1开闭阀V1控制的涂敷液喷嘴50的涂敷液的供给动作、由第2喷嘴驱动部48b进行的纯水喷嘴57的移动动作、由第2开闭阀V2控制的纯水喷嘴57的纯水的供给动作等。控制器60由例如具有CPU、存储器等的计算机构成，例如通过执行存储于存储器中的程序，能实现涂敷处理装置40的抗蚀剂涂敷处理。另外，用于实现涂敷处理装置40的抗蚀剂涂敷处理的各种程序被存储于例如计算机能读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MD)、存储卡等存储介质H中，使用从该存储介质H安装到控制部60中的程序。
接着，说明在以上那样构成的涂敷处理装置40中进行的涂敷处理工艺。图6是表示涂敷处理装置40的涂敷处理工艺的主要工序的流程图。图7是表示涂敷处理工艺的各工序中的晶圆W的转速、涂敷液及纯水的供给时刻的曲线图，图8是示意性地表示涂敷处理工艺的各工序中的晶圆上的液膜的状态的概略剖视图。另外，为了优先理解技术的难易程序，图7中的工艺的时间的长度不一定与实际时间的长度相对应。
被搬入到涂敷处理装置40中的晶圆W首先被吸附保持在旋转吸盘42上。接着，利用第2臂49b使位于待机部58的纯水喷嘴57移动到晶圆W的中心部的上方。接着，如图4所示那样控制吸盘驱动机构43，利用旋转吸盘42使晶圆W以作为第1转速的例如10rpm～50rpm、在本实施方式中以10rpm旋转。在该晶圆W旋转的同时，如图8的(a)所示那样自纯水喷嘴57向晶圆W的中心部供给纯水DIW(图6及图7的工序S1)。这样，在使晶圆W以第1转速低速旋转的情况下，被供给到晶圆W上的纯水DIW在晶圆W上几乎不扩散，形成例如约0.5mm～4.0mm的纯水的积水部(纯水堆PD)。另外，该工序S1例如进行4秒钟。
当纯水DIW的供给结束时，纯水喷嘴57从晶圆W的中心部上方向外方移动，利用第1臂49a使位于待机部51的涂敷液喷嘴50移动到晶圆W的中心部上方。
然后，在第1转速例如为10rpm的状态下，如图8的(b)所示那样从涂敷液喷嘴50向晶圆W的中心部供给(喷出)涂敷液(TARC药液)TARC(图6及图7的工序S2)。这样，通过在使晶圆W低速旋转的第1转速的状态下向纯水DIW即纯水堆PD上供给(喷出)涂敷液TARC，能利用纯水堆PD降低涂敷液TARC的喷出冲击，并且，能降低涂敷液TARC中所含有的表面活性剂的浓度。因此，能抑制供给(喷出)涂敷液TARC时的气泡的产生。另外，该工序S2例如进行0.5秒钟。
当如上所述那样向纯水堆PD上供给(喷出)涂敫液TARC而在涂敷液TARC的下层形成残留了纯水DIW的混合层时，如图7所示，使晶圆W的旋转加速到作为第2转速的例如1500rpm～2500rpm、在本实施方式中为2000rpm。在该期间，如图8的(c)所示那样自涂敷液喷嘴50持续供给涂敷液TARC。这样，在使晶圆W以第2转速高速旋转的情况下，混合层PT在晶圆W上扩散，涂敷液TARC被混合层PT引导而在晶圆W上扩散而形成涂敷液膜(图6及图7的工序S3)。并且，与纯水DIW相比，混合层PT与抗蚀剂膜的接触角较小且湿润性较好，因此，涂敷液TARC能在晶圆W上的整个表面上顺畅且均匀地扩散。另外，此时即使产生气泡，也是极少量且被纯水DIW阻止，附着到晶圆W上的概率较小，不会产生不均匀。另外，该工序S3例如进行1.5秒钟。
当涂敷液TARC扩散到晶圆W的整个表面上而形成涂敷液膜时，如图7所示那样使晶圆W的转速减速到作为第3转速的例如1500rpm。并且，在这样使晶圆W以第3转速旋转的过程中，朝向中心的力作用于晶圆W上的涂敷液TARC上，晶圆W上的涂敷液膜被干燥(调整)(图6及图7的工序S4)。另外，该工序S4例如进行15秒钟。
当晶圆W上的涂敷液TARC的膜厚被调整时，如图7所示那样使晶圆W的旋转减速到作为第4转速的例如1000rpm。并且，在这样使晶圆W以第4转速旋转的过程中，自冲洗喷嘴(未图示)向晶圆W的背面缘部供给(喷出)冲洗液例如纯水来清洗晶圆背面(图6及图7的工序S5)。另外，该工序S5例如进行5秒钟。然后，使晶圆W的旋转加速到作为第5转速的例如3000rpm。由此，扩散到晶圆W的整个表面的涂敷液TARC被干燥而形成涂敷膜(图6及图7的工序S6)。另外，该工序S6例如进行10秒钟。
采用以上实施方式，通过使晶圆W以低速的第1转速旋转，在晶圆W上形成纯水堆PD，在以该第1转速旋转的状态下供给(喷出)涂敷液TARC，能利用纯水堆PD降低涂敷液TARC的喷出冲击，通过一边使晶圆W以低速的第1转速旋转一边将纯水DIW和涂敷液TARC混合，能局部地降低涂敷液TARC中所含有的表面活性剂的浓度。因此，能抑制供给(喷出)涂敷液TARC时的气泡的产生，能降低涂敷不良(涂敷不均匀)，能实现提高涂敷液膜的均匀性及成品率。
接着，说明在以上那样构成的涂敷处理装置40中进行的另一涂敷处理工艺。图9是表示涂敷处理装置40中的涂敷处理工艺的主要工序的流程图。图10是表示涂敷处理工艺的各工序中的晶圆W的转速、涂敷液及纯水的供给时刻的曲线图。为了优先理解技术的难易程度，图10中的工艺的时间长度不一定与实际的时间长度相对应。
被搬入到涂敷处理装置40中的晶圆W首先被吸附保持在旋转吸盘42上。接着，利用第2臂49b使位于待机部58的纯水喷嘴57移动到晶圆W的中心部的上方。接着，如图4所示那样控制吸盘驱动机构43，利用旋转吸盘42使晶圆W以作为第1转速的例如10rpm～50rpm、在本实施方式中以10rpm旋转。在该晶圆W旋转的同时，如图8的(a)所示那样自纯水喷嘴57向晶圆W的中心部供给纯水DIW(图9及图10的工序S11)。这样，在使晶圆W以第1转速低速旋转的情况下，被供给到晶圆W上的纯水DIW在晶圆W上几乎不扩散，形成例如约0.5mm～4.0mm的纯水的积水部(纯水堆PD)。另外，该工序S11例如进行4秒钟。
当纯水DIW的供给结束时，纯水喷嘴57从晶圆W的中心部上方向外方移动，利用第1臂49a使位于待机部51的涂敷液喷嘴50移动到晶圆W的中心部上方。
然后，在第1转速例如10rpm的状态下，如图8的(b)所示那样从涂敷液喷嘴50向晶圆W的中心部供给(喷出)涂敷液(TARC药液)TARC(图9及图10的工序S12)。这样，通过在使晶圆W低速旋转的第1转速的状态下向纯水DIW即纯水堆PD上供给(喷出)涂敷液TARC，能利用纯水堆PD降低涂敷液TARC的喷出冲击，并且，能降低涂敷液TARC中所含有的表面活性剂的浓度。因此，能抑制供给(喷出)涂敷液TARC时的气泡的产生。另外，该工序S12例如进行0.5秒钟～1.5秒钟，在本实施方式进行0.5秒钟。
当如上所述那样向纯水堆PD上供给(喷出)涂敷液TARC而在涂敷液TARC的下层形成残留了纯水DIW的混合层时，如图10所示那样使晶圆W的旋转加速到作为第2转速的例如2000rpm～4000rpm、在本实施方式中为2000rpm。在该期间，如图8的(c)所示那样自涂敷液喷嘴50持续供给涂敷液TARC。这样，在使晶圆W以第2转速高速旋转的情况下，混合层PT在晶圆W上扩散，涂敷液TARC被混合层PT引导而在晶圆W上扩散而形成涂敷液膜(图9及图10的工序S13)。并且，与纯水DIW相比，混合层PT与抗蚀剂膜的接触角较小且湿润性较好，因此，涂敷液TARC能在晶圆W上的整个表面上顺畅且均匀地扩散。另外，此时即使产生气泡，也是极少量且被纯水DIW阻挡，附着到晶圆W上的概率较小，不会产生不均匀。另外，该工序S13例如进行0.5秒钟～1.5秒钟，在本实施方式进行1.5秒钟。
当涂敷液TARC扩散到晶圆W的整个表面上而形成涂敷液膜时，如图10所示那样使晶圆W的转速减速到作为第3转速的例如100rpm。并且，在这样使晶圆W以第3转速旋转的过程中，朝向中心的力作用于晶圆W上的涂敷液TARC上，晶圆W上的涂敷液膜被干燥(调整)(图9及图10的工序S14)。另外，该工序S14例如进行1秒钟。
当晶圆W上的涂敷液TARC的膜厚被调整时，如图10所示那样使晶圆W的旋转减速到作为第4转速的例如1000～2000rpm、在本实施方式中为1500rpm。由此，扩散到晶圆W的整个表面的涂敷液TARC被干燥而形成涂敷膜(图9及图10的工序S15)。另外，该工序S15例如进行10秒钟。
另外，在上述实施方式中，说明了将纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)为0.5秒、使形成涂敷液膜的工序(S13)为1.5秒的情况(参照图10的I)，也可以如图10中的II所示那样使上述工序S12为1.0秒，使上述工序S13为1.0秒，或者如图10中的III所示那样使上述工序S12为1.5秒，使上述工序S13为0.5秒。这样，通过将混合纯水DIW和涂敷液TARC的工序(S12)和形成涂敷液膜的工序(S13)的时间比率控制成，形成涂敷液膜的工序(S13)相对于将纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)在1∶3～3∶1的范围内(即S12∶S13＝1∶3～3∶1)，从而能将涂敷液TARC的喷出量设定在能均匀地形成涂敷液膜厚的范围内。
采用以上实施方式，通过使晶圆W以低速的第1转速旋转，在晶圆W上形成纯水堆PD，在以该第1转速旋转的状态下供给(喷出)涂敷液TARC，能利用纯水堆PD降低涂敷液TARC的喷出冲击，通过一边使晶圆W以低速的第1转速旋转一边将纯水DIW和涂敷液TARC混合，能局部地降低涂敷液TARC中所含有的表面活性剂的浓度。由此，能抑制供给(喷出)涂敷液TARC时的气泡的产生，能降低涂敷不良(涂敷不均匀)，因此，能在将纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)中使涂敷液膜均匀地扩散。
另外，采用上述实施方式，在通过将纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)使涂敷液膜均匀地扩散的状态下，一边供给(喷出)涂敷液TARC一边使晶圆W以第2转速高速旋转，使晶圆W上的混合层PT扩散，涂敷液TARC被混合层PT引导在晶圆W上扩散而形成涂敷液膜。由此，能实现利用少量的涂敷液TARC使涂敷膜均匀化。
以上，参照附图说明了本发明优选的实施方式，但本发明并不限定于上述例子，能采取各种方式。例如，在上述实施方式中，说明了以形成抗反射膜的涂敷液作为水溶性的涂敷液为例，本发明也适用于RELACS(Resolution EnhancementLithography Assisted by Chemical Shrink；化学缩微来增强微影解析度)技术中的抗蚀剂图案尺寸缩小剂(RELACS剂)。另外，在上述实施方式中，以在晶圆上进行涂敷处理为例，本发明也可以适用于基板为除了晶圆以外的FPD基板、光掩模用的中间掩模(mask reticule)等其它基板的涂敷处理。
另外，在上述实施方式中，说明了曝光装置为浸液曝光的情况，本发明的涂敷处理装置(方法)也可以适用于采用浸液曝光以外的曝光技术的涂敷、显影处理装置。
实施例
接着，说明图9及图10的涂敷处理中的晶圆W的旋转控制(加速控制)和涂敷液TARC的使用量的评价试验。
首先，准备实施了粘附(ADH)处理的晶圆作为涂敷液TARC的覆盖性不好的试样。接着，在将纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)时的晶圆的转速为10rpm、使形成涂敷液膜的工序(S13)时的晶圆的转速为2000rpm的情况下，以能确保形成涂敷膜厚(覆盖性)的最小量的涂敷液TARC的喷出量为基础，使将纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)和形成涂敷液膜的工序(S13)的时间比率如表1、表2、表3所示那样为0.5(秒)∶1.5(秒)、1.0(秒)∶1.0(秒)、1.5(秒)∶0.5(秒)，换言之，使形成涂敷液膜的工序(S13)相对于将纯水DIW和涂敫液TARC混合的工序(S12)的时间比率为1∶3、1∶1、3∶1。
表1
  步骤   时间(秒)   转速(rpm)   喷出
  1   4.0   10   DIW
  2   0.5   10   TARC
  3   1.5   2000   TARC
  4   1.0   100   -
  5   10.0   1500   -
表2
  步骤   时间(秒)   转速(rpm)   喷出
  1   4.0   10   DIW
  2   1.0   10   TARC
  3   1.0   2000   TARC
  4   1.0   100   -
  5   10.0   1500   -
表3
  步骤   时间(秒)   转速(rpm)   喷出
  1   4.0   10   DIW
  2   1.5   10   TARC
  3   0.5   2000   TARC
  4   1.0   100   -
  5   10.0   1500   -
调整上述工序(S12)和(S13)的时间比率分别为0.5(秒)∶1.5(秒)[实施例1]、1.0(秒)∶1.0(秒)[实施例2]、1.5(秒)∶0.5(秒)[实施例3]时的涂敷膜的覆盖性能和涂敷液TARC的喷出量，能得到表4所示的结果。
表4
喷出量(ml) 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 .. 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2
  实施例1   ×   ×   ×   ×   ×   ×   ×   ×   ×   ×   ×   ○   ○   ○   ○   ○
  实施例2   ×   ×   ×   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
  实施例3   ×   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○   ○
※○：涂敷液膜的均匀性(覆盖性)  良好
×：涂敷液膜的均匀性(覆盖性)    不良
上述评价的结果如下所述：在实施例1中，能确保以涂敷液TARC的喷出量1.8ml形成涂敷膜厚(覆盖性)，在实施例2中，能确保以涂敷液TAR C的喷出量0.6ml形成涂敷膜厚(覆盖性)，在实施例3中，能确保以涂敷液TARC的喷出量0.4ml形成涂敷膜厚(覆盖性)。由此，在实施例1中，与在目前的低速旋转条件下向晶圆上供给(喷出)涂敷液TARC、在高速旋转下扩散的方式时的喷出量为5.0ml～6.0ml相比，能大幅度地减少喷出量。另外，在实施例1中，喷出量为1.7ml以下，涂敷液膜的均匀性(覆盖性)不良，在实施例2中，喷出量一直到0.6ml，涂敷液膜的均匀性(覆盖性)良好，在实施例3中，喷出量一直到0.4ml，涂敷液膜的均匀性(覆盖性)良好，与实施例1相比，能进一步大幅度地减少喷出量。
在实施评价实验中，说明了形成涂敷液膜的工序(S13)时的晶圆的转速为2000rpm的情况，但在晶圆的转速为2000rpm、2500rpm、3000rpm、4000rpm的情况下，向晶圆表面供给(喷出)涂敷液(喷出量0.5ml)而调查了膜厚分布，结果如图11所示，在晶圆的转速为2000rpm、2500rpm、3000rpm、4000rpm时膜厚几乎没有变化。由此可知，形成涂敷液膜的工序(S13)时的晶圆的转速只要在2000rpm～4000rpm的范围内即可。
另外，虽然在晶圆的转速为1500rpm的情况下与晶圆的转速为2000rpm～4000rpm的情况下膜厚几乎没有变化，但在晶圆的转速为1500rpm时产生未涂敷区域，与晶圆的转速为2000rpm～4000rpm的情况相比，覆盖程度下降0.1ml左右。另外，在晶圆的转速为高于4000rpm的高速时，会产生涂敷液的雾，雾再次附着在涂敷液膜上而对覆盖性产生恶劣影响。
另外，在上述评价实验中，说明了将纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)时的晶圆的转速为10rpm的情况，但只要晶圆的转速在10rpm～50rpm的范围内，积水部(纯水堆)就能扩散为期望的大小，因此能推测出，只要将纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)时的晶圆的转速在10rpm～50rpm的范围内，就能得到与上述评价实验同样的结果。
另外，若晶圆的转速为比10rpm低的速度时，用于形成积水部(纯水堆)的外周部的堤的一部分损坏，因损坏的部分而使纯水呈须(枝)状延伸而不能保持期望大小的圆形状态。因此，优选使纯水DIW和涂敷液TARC混合的工序(S12)时的晶圆的转速在10rpm～50rpm的范围内。

Claims (8)

1.一种涂敷处理方法，其用于向被处理基板供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜，其特征在于，
该涂敷处理方法包括以下工序：
第1工序，其用于使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；
第2工序，其在第1工序之后，用于在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合；
第3工序，其在第2工序之后，用于一边继续向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，一边使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜，
上述第1转速为10rpm～50rpm，上述第2转速为1500rpm～2500rpm。
2.一种涂敷处理方法，其用于向被处理基板供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜，其特征在于，
该涂敷处理方法包括以下工序：
第1工序，其用于使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；
第2工序，其在第1工序之后，用于在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合；
第3工序，其在第2工序之后，用于一边继续向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，一边使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜；
通过控制上述第2工序和第3工序的时间比率来设定涂敷液的供给量，
上述第1转速为10rpm～50rpm，上述第2转速为2000rpm～4000rpm。
3.根据权利要求2所述的涂敷处理方法，其特征在于，
上述第2工序和第3工序的时间比率设为第3工序相对于第2工序的时间比率在1∶3～3∶1的范围内。
4.根据权利要求1或2所述的涂敷处理方法，其特征在于，
上述涂敷液为含有表面活性剂的液体。
5.一种涂敷处理装置，其向被处理基板供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜，其特征在于，
该涂敷处理装置包括：
保持部件，其以该被处理基板的正面为上表面地保持被处理基板；
旋转机构，其用于使上述保持部件绕铅直轴线旋转；
涂敷液喷嘴，其用于向被处理基板供给涂敷液；
纯水喷嘴，其用于向被处理基板供给纯水；
第1喷嘴移动机构，其用于使上述涂敷液喷嘴移动到被处理基板的中心部；
第2喷嘴移动机构，其用于使上述纯水喷嘴移动到被处理基板的中心部；
第1开闭阀，其设于将上述涂敷液喷嘴和涂敷液供给源连接的涂敷液供给管路上；
第2开闭阀，其设于将上述纯水喷嘴和纯水供给源连接的纯水供给管路上；
控制部件，其用于控制上述旋转机构的旋转驱动、第1喷嘴移动机构及第2喷嘴移动机构的驱动及上述第1开闭阀及第2开闭阀的开闭；
利用控制部件进行以下3个工序：第1工序，其用于使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；第2工序，其在第1工序之后，在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合；第3工序，其在第2工序之后，用于使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜，
上述第1转速为10rpm～50rpm，上述第2转速为1500rpm～2500rpm。
6.一种涂敷处理装置，其用于向被处理基板供给具有水溶性的涂敷液而形成涂敷液膜，其特征在于，
该涂敷处理装置包括：
保持部件，其以该被处理基板的正面为上表面地保持被处理基板；
旋转机构，其用于使上述保持部件绕铅直轴线旋转；
涂敷液喷嘴，其用于向被处理基板供给涂敷液；
纯水喷嘴，其用于向被处理基板供给纯水；
第1喷嘴移动机构，其用于使上述涂敷液喷嘴移动到被处理基板的中心部；
第2喷嘴移动机构，其用于使上述纯水喷嘴移动到被处理基板的中心部；
第1开闭阀，其设于将上述涂敷液喷嘴和涂敷液供给源连接的涂敷液供给管路上；
第2开闭阀，其设于将上述纯水喷嘴和纯水供给源连接的纯水供给管路上；
控制部件，其用于控制上述旋转机构的旋转驱动、第1喷嘴移动机构及第2喷嘴移动机构的驱动及上述第1开闭阀及第2开闭阀的开闭；
利用控制部件进行以下3个工序：第1工序，其用于使被处理基板以低速的第1转速旋转，向被处理基板的中心部供给纯水而形成纯水的积水部；第2工序，其在第1工序之后，用于在使被处理基板以上述第1转速旋转的状态下向被处理基板的中心部供给水溶性的涂敷液，使该涂敷液和上述积水部的纯水混合；第3工序，其在第2工序之后，用于使被处理基板以比上述第1转速高的第2转速旋转而形成涂敷液膜；并且，通过控制上述第2工序和第3工序的时间比率来设定涂敷液的供给量，
上述第1转速为10rpm～50rpm，上述第2转速为2000rpm～4000rpm。
7.根据权利要求6所述的涂敷处理装置，其特征在于，
上述第2工序和第3工序的时间比率设为第3工序相对于第2工序的时间比率在1∶3～3∶1的范围内。
8.根据权利要求5或6所述的涂敷处理装置，其特征在于，
上述涂敷液为含有表面活性剂的液体。
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