JP2013219302A - 半導体装置の製造方法及びリンス装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】リンス不良による撥水性レジスト残渣の発生を防止して、パターン不良が起こらないようにする。歩留まりを向上させる。
【解決手段】撥水性レジストを設けた基板を回転させながら、基板の中心から端部に向かって界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することで、基板のリンス処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法。ウェハチャックを回転させることが可能な回転手段と、リンス液吐出ノズルと、リンス液吐出ノズルに界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することが可能な供給手段と、リンス液吐出ノズルを基板中心の上方から基板端部の上方に向かって移動させることが可能な移動手段と、を有することを特徴とするリンス装置。
【選択図】図3
【解決手段】撥水性レジストを設けた基板を回転させながら、基板の中心から端部に向かって界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することで、基板のリンス処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法。ウェハチャックを回転させることが可能な回転手段と、リンス液吐出ノズルと、リンス液吐出ノズルに界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することが可能な供給手段と、リンス液吐出ノズルを基板中心の上方から基板端部の上方に向かって移動させることが可能な移動手段と、を有することを特徴とするリンス装置。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置の製造方法及びリンス装置に関する。
従来から、半導体装置の製造工程において、リソグラフィー工程を利用したドライエッチングが行われている。微細化の進展に伴い、このリソグラフィー工程では、レジストと投影レンズの間を純水で満たす液浸露光機を使用した露光工程が使用されている。この露光工程ではレジスト上に純水を保持するため、露光後に純水の除去を行えるように、レジスト表面が高い撥水性を持つことが要求されている。そこで、従来はレジスト表面の撥水性を確保するため、トップコート材と呼ばれる、現像液に可溶性のレジスト上層塗布材が用いられてきた。しかし、近年は、プロセス簡素化のため、トップコート材無しでも撥水性を確保できるようにレジスト表面に撥水性を持たせた、撥水性レジストが用いられるようになってきている。
図1は、液浸露光工程を利用したドライエッチング工程を表すフローチャートである。まず、塗布工程(図1のS1)では、基板上に、撥水性レジストの溶液を塗布する(図1のS11)。次に、プリベークにより、撥水性レジストの溶液中の溶媒を気化させて除去する(図1のS12)。次に、液浸露光工程(S2)により露光を行う(図1のS21)。続いて、プリベークにより、液浸露光工程で基板上に残留した液体を除去する(図1のS22)。
次に、現像工程(図1のS3)では、ポストベークにより、撥水性レジストの露光部分に熱酸反応を起こす(図1のS31)。続いて、現像処理では、純水を主成分とする現像液に基板を浸して、撥水性レジストの露光部分を現像液に溶解させる(図1のS32)。次に、リンス処理により、現像液中に溶解した撥水性レジスト成分を除去する(図1のS33)。これにより、撥水性レジストからなるマスクが完成する。
次に、ドライエッチング工程(図1のS4)では、撥水性レジストのマスクを用いて、被加工材料をドライエッチングする(図1のS41)。ドライエッチングの完了後に、レジスト剥離工程(図1のS5)では、アッシングにより残留した撥水性レジストを除去する(図1のS51)。
上記のリンス処理では、図2Aのようなリンス装置20が使用されている。この処理ではまず、制御手段10の命令により、移動手段7がリンス液吐出ノズル4を基板3の中心直上に移動させる。次に、制御手段10の命令により回転機構6が100rpmの回転数で、ウェハチャック5を回転させる。ウェハチャック5は基板3を保持しており、ウェハチャック5の回転に伴い基板3も回転する。制御手段10の命令により、リンス液供給系8が、リンス液タンク9からリンス液1aをリンス液吐出ノズル4へ移送する。リンス液吐出ノズル4から基板3上へ供給されたリンス液1aは、拡散力と遠心力により基板3の表面に広がり、基板3の表面をリンス処理する。これにより、露光現像処理により現像液に溶解した撥水性レジストを除去する。
特許文献1(特開2009−71028号公報)及び特許文献2(特開2011−135002号公報)には、リンス液供給手段を含む基板処理装置が開示されている。
図2Aのようなリンス装置を使用して基板3のリンス処理を行うと、基板3の端部付近では、角速度が大きくなるため、撥水性レジスト2が水を弾く力が強くなる。また、図2Bに示すように、リンス液1aは比較的、大きな表面張力を有するため、基板3上を十分に流動せずに、基板3上にリンス液1aが不均一に分布することとなっていた。この結果、基板3にはリンス液1aで被覆された領域3aと、リンス液1aで被覆されない領域3bが発生していた。領域3bでは、リンス不良が起きるため、現像液中に溶解していた撥水性レジスト成分の残渣が発生し、パターン不良を引き起こしていた。
一実施形態は、
撥水性レジストを設けた基板を回転させながら、前記基板の中心から端部に向かって界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することで、前記基板のリンス処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
他の実施形態は、
基板の保持が可能なウェハチャックを有し、前記ウェハチャックを回転させることが可能な回転手段と、
リンス液吐出ノズルと、
前記リンス液吐出ノズルに、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することが可能な供給手段と、
前記リンス液吐出ノズルを、基板中心の上方から基板端部の上方に向かって移動させることが可能な移動手段と、
を有することを特徴とするリンス装置に関する。
撥水性レジストを設けた基板を回転させながら、前記基板の中心から端部に向かって界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することで、前記基板のリンス処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
他の実施形態は、
基板の保持が可能なウェハチャックを有し、前記ウェハチャックを回転させることが可能な回転手段と、
リンス液吐出ノズルと、
前記リンス液吐出ノズルに、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することが可能な供給手段と、
前記リンス液吐出ノズルを、基板中心の上方から基板端部の上方に向かって移動させることが可能な移動手段と、
を有することを特徴とするリンス装置に関する。
リンス不良による撥水性レジスト残渣の発生を防止して、パターン不良が起こらないようにする。この結果、歩留まりを向上させる。
本発明の半導体装置の製造方法の一例では、撥水性レジストを有する基板を回転させながら、基板の中心から端部に向かって、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給する。これにより基板のリンス処理を行う。この製造方法では、基板の端部およびその近傍にも直接、リンス液が供給されるため、角速度が大きく水を弾く力が大きい基板の端部付近にも効果的にリンス液を供給することができる。この結果、基板の表面上に均一にリンス液を被覆することができる。また、リンス液は界面活性剤を含有する水を含むため、界面活性剤中の疎水性部分が現像液中に溶解した撥水性レジスト成分と結合し、親水性部分がリンス液中の水と結合することにより、撥水性レジストの撥水性を低減して現像液中に溶解したレジスト成分をリンス液中に溶解させることができる。更に、界面活性剤によってリンス液の表面張力が小さくなり、高い流動性を有して基板上に均一にリンス液が分布できるようになる。この結果、基板のリンス処理が効果的に行われ、リンス不良による撥水性レジスト残渣の発生を防止し、パターン不良の発生を防止して歩留まりを向上させることができる。
基板上のリンス液の供給位置は、一定の速度で移動しても良いし、途中で移動速度が変化しても良いし、途中で停止しても良い。基板上のリンス液の供給位置が基板の端部近傍に存在するときに一定時間、停止することが好ましい。基板の端部近傍ではリンス液を弾く力が強くなるが、リンス液の供給位置を基板の端部近傍で停止させてリンス液を供給することにより、基板の端部近傍に、より大量のリンス液を供給して、基板をリンス液で均一に被覆することができるようになる。
基板の回転数は一定としても良いし、途中で変化させても良い。基板の回転数を途中で変化させる場合は、連続的に基板の回転数を変化させても良いし、断続的に変化させても良い。好ましくは、リンス液の供給位置が基板の端部近傍にあるときは、基板の中心近傍にあるときよりも基板の回転数を小さくするのが良い。これにより、基板の端部付近における角速度の増加を抑制して、基板がリンス液を弾く力が強くなるのを抑制することができる。
また、リンス液の供給量は一定としても良いし、一定の時間の間、リンス液の供給を止めても良い。また、リンス液の供給量は連続的に、または断続的に変化させても良い。
図3は、上記のリンス工程を実施するためのリンス装置の一例を示す図である。図3のリンス装置20は、回転機構6とウェハチャック5を有する回転手段を備える。ウェハチャック5は基板3を水平に保持することができるようになっている。回転機構6はウェハチャック5を回転させることができるようになっており、ウェハチャック5の回転に伴いウェハチャック5に水平に保持された基板3も、回転軸が垂直な状態でウェハチャック5と同じ回転数で回転する。基板3上には、リンス液吐出ノズル4が配置されている。リンス液吐出ノズル4は、供給手段に接続されている。供給手段は、リンス液供給系8とリンス液タンク9を備え、リンス液タンク9に貯留されたリンス液1bはリンス液供給系8を介してリンス液吐出ノズル4に供給されるようになっている。リンス液タンク9には、界面活性剤を含有する水を含むリンス液1bが貯留されている。
リンス液吐出ノズル4は移動手段7に固定されている。移動手段7は、基板3の半径以上のストロークを持ち、その一端でリンス液吐出ノズル4が基板3の中心の直上に位置し、反対の端でリンス液吐出ノズル4が基板3の端部の外側に位置する。この移動手段7がストロークの範囲内で動くことにより、リンス液吐出ノズル4は基板3の直上から基板3の端部まで移動可能となっている。
制御手段10は、下記(a)〜(c)の制御を行えるようになっている。
(a)移動手段7によるリンス液吐出ノズル4の移動・停止、リンス液吐出ノズル4の移動速度
(b)供給手段によるリンス液吐出ノズル4からのリンス液1bの供給・停止、リンス液1bの供給量
(c)回転手段による基板3の回転・停止、基板3の回転数。
(a)移動手段7によるリンス液吐出ノズル4の移動・停止、リンス液吐出ノズル4の移動速度
(b)供給手段によるリンス液吐出ノズル4からのリンス液1bの供給・停止、リンス液1bの供給量
(c)回転手段による基板3の回転・停止、基板3の回転数。
例えば、制御手段10により、リンス液吐出ノズル4の移動速度は、−350〜350mm/secの範囲で制御される。リンス液吐出ノズル4からのリンス液1bの供給量は0および1〜3000mL/minの範囲で制御される。また、基板3の回転数は、0および1〜2500rpmの範囲で制御される。
図3のリンス装置20は、移動手段7により、リンス液吐出ノズル4が基板3の端部およびその近傍の上方に移動して、基板3の端部およびその近傍にも直接、リンス液1bを供給できるようになっている。このため、角速度が大きく水を弾く力が大きい基板3の端部付近にも効果的にリンス液1bを供給することができる。この結果、図3Bに示すように、撥水性レジスト2を設けた基板3の表面上に均一にリンス液1bを被覆して、リンス液1bで被覆された領域3aとすることができる。また、リンス液1bは界面活性剤を含有する水を含むため、界面活性剤中の疎水性部分が現像液中に溶解した撥水性レジスト成分と結合し、親水性部分がリンス液1b中の水と結合することにより、撥水性レジストの撥水性を低減して現像液中に溶解したレジスト成分をリンス液中に溶解させることができる。更に、界面活性剤によってリンス液1bの表面張力が小さくなり、高い流動性を有して基板3上に均一にリンス液1bが分布できるようになる。この結果、基板3のリンス処理が効果的に行われ、リンス不良による撥水性レジスト残渣の発生を防止し、パターン不良の発生を防止して歩留まりを向上させることができる。
リンス液中に使用する界面活性剤は、アミンオキシド系界面活性剤であることが好ましい。また、リンス液中の界面活性剤の濃度は、100質量ppm以上3質量%以下であることが好ましい。これにより、基板上へのリンス液の分散特性を向上させて、基板のリンス効果をより向上させることができる。
基板の中心から端部に向かってリンス液の供給位置が移動するにつれて、基板の回転数を断続的に減少させるか、または連続的に一定の割合で減少させることが好ましい。基板の中心から端部に向かうにつれて角速度は段々と大きくなるため、上記のように基板の回転数を小さくすることによって角速度の増加によるリンス液の弾きを抑制することができる。基板の回転数を連続的に一定の割合で減少させる場合、基板の回転数を150〜200rpm/minの割合で減少させることが好ましい。
図4〜6は、本発明のリンス処理工程を利用して、ドライエッチングにより絶縁膜内にコンタクト孔を形成する半導体装置の製造方法を説明する図である。
まず、図4Aに示すように、半導体基板2上にCVD法で形成した酸化シリコン膜や塗布系絶縁膜(SOD膜)等の絶縁膜11を形成する。なお、半導体基板2の表面には図示しない拡散層や配線層が形成されている。次に、絶縁膜11上に、撥水性レジスト3を塗布した後、プリベークを施すことで、撥水性レジスト3を焼き締める(図1のS1)。
まず、図4Aに示すように、半導体基板2上にCVD法で形成した酸化シリコン膜や塗布系絶縁膜(SOD膜)等の絶縁膜11を形成する。なお、半導体基板2の表面には図示しない拡散層や配線層が形成されている。次に、絶縁膜11上に、撥水性レジスト3を塗布した後、プリベークを施すことで、撥水性レジスト3を焼き締める(図1のS1)。
図4Bに示すように、絶縁膜11を設けた半導体基板2を液浸露光機(図示していない)にセットし、レクチル12を介して、撥水性レジスト3にArF光13を照射することで、コンタクト孔のパターンを撥水性レジスト3に露光する。露光直後に、撥水性レジスト3においてArF光13が露光された部分3dには潜像が生じ、その他の部分3cは変化しない。続いて、プリベークにより、半導体基板2上に残留した液体を除去する(図1のS2)。
図5Aに示すように、ポストベーク処理を行う(図1のS31)。この際、露光部分3dは熱酸反応により3eに変化する。次に、撥水性レジスト3を現像液14中に浸漬させて現像処理を行う(図1のS32)。この際、撥水性レジスト3の露光部分3eは現像液に溶解するが、未露光部分3cは現像液に溶解しない。
図5Bに示すように、図3のリンス装置を用い、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を用いてリンス処理を行い、現像液中の撥水性レジスト成分を除去する(図1のS33)。このリンス処理は、現像液14が蒸発して、現像液14中に溶解した露光部分3eの撥水性レジストが析出してパターン不良を起こすことを防止する目的で行う。この際、リンス液として界面活性剤を含有する純水を使用するため、現像液中に溶解した撥水性レジストの撥水性を減少させて、撥水性レジストをリンス液中に溶解しやすくすることができる。また、図3のリンス装置を用いて上記のようにリンス処理を行うことにより、リンス不良によるレジスト残渣の発生を防止して、パターン不良が起こらないようにすることができる。
図6Aに示すように、リンス処理後の撥水性レジスト3をマスクに用いて、半導体基板2に到達するまで絶縁膜11をドライエッチングする(図1のS4)。
図6Bに示すように、レジスト除去装置(アッシング装置または酸剥離装置)により、撥水性レジスト3を除去する(図1のS5)。
以下に、図3のリンス装置を使用したリンス工程に関する実施例1〜3を例に挙げて、本発明に係る半導体装置の製造方法を説明する。なお、これらの実施例は、本発明のより一層の深い理解のために示される具体例であって、本発明は、これらの具体例に何ら限定されるものではない。
(実施例1)
本実施例におけるリンス処理のシーケンス(リンス液吐出ノズル4の位置、基板3の回転数、リンス液1bの供給量の経時変化)を図7に示す。以下、図7を参照して、本実施例の工程を説明する。
本実施例におけるリンス処理のシーケンス(リンス液吐出ノズル4の位置、基板3の回転数、リンス液1bの供給量の経時変化)を図7に示す。以下、図7を参照して、本実施例の工程を説明する。
まず、円形基板3の中心からその半径方向のAの位置(第1の位置)まで、10mm/s(第1の速度)で、リンス液吐出ノズル4を移動させながら、基板3上に240ml/minの供給量で、界面活性剤を含有する純水からなるリンス液1bを供給する(工程(1))。この間、基板3を100rpm(第1の回転数)で回転させる。
リンス液吐出ノズル4を、Aの位置でリンス処理に十分な時間(第1の時間)、停止させる。この間、基板3を100rpm(第1の回転数)で回転させながら、リンス液吐出ノズル4から基板3上に、工程(1)と同じ240ml/minの供給量でリンス液1bを供給する(工程(2))。
基板3を、リンス液を振り切るのに十分な時間(第2の時間)、100rpm(第1の回転数)で回転させるが、リンス液吐出ノズル4からのリンス液1bの供給を停止する(工程(3))。また、Aの位置から基板3端部の上方まで、350mm/sでリンス液吐出ノズル4を移動させる。
本実施例では、工程(2)において、リンス液吐出ノズル4が基板3の端部に近い位置Aで停止して、基板3上にリンス液1bを供給する。基板3の端部に近い領域では角速度が大きくなるため、リンス液1bが弾き飛ばされやすくなるが、リンス液吐出ノズル4が位置Aで停止してリンス液1bを大量に供給することにより、基板3上にリンス液1bを安定して均一に供給することができる。この結果、基板のリンス処理を効果的に行うことができる。また、リンス液1bとして界面活性剤を含有する純水を使用するため、現像液中に溶解した撥水性レジストの撥水性を減少させて、リンス液1bに溶解させて除去しやすくなる。
(実施例2)
本実施例におけるリンス処理のシーケンスを図8に示す。以下、図8を参照して、本実施例の工程を説明する。
本実施例におけるリンス処理のシーケンスを図8に示す。以下、図8を参照して、本実施例の工程を説明する。
まず、円形基板3の中心からその半径方向のCの位置(第2の位置)まで、10mm/s(第2の速度)で、リンス液吐出ノズル4を移動させながら、基板3上に240ml/minの供給量で、界面活性剤を含有する純水からなるリンス液1bを供給する(工程(4))。この間、リンス液吐出ノズル4が移動し始めてから任意の地点(例えば、基板の中心から100mm(基板の半径の2/3))に達するまでの間(例えば、10秒間;Bの時間まで)は、基板3を100rpm(第2の回転数)で回転させ、任意の地点(例えば、基板の中心から100mm(基板半径の2/3))に到達後(例えば、リンス液吐出ノズル4が移動を開始してから10秒経過後)に、基板3の回転数を100rpmから50rpm(第3の回転数)に減少させる。
リンス液吐出ノズル4を、Cの位置でリンス処理に十分な時間(第3の時間)、停止させる。この間、基板3を50rpm(第3の回転数)で回転させながら、工程(4)と同じ流量で、リンス液吐出ノズル4から基板3上にリンス液1bを供給する(工程(5))。
基板3をリンス液を振り切るのに十分な時間(第4の時間)、50rpm(第3の回転数)で回転させるが、リンス液吐出ノズル4からのリンス液1bの供給を停止する(工程(6))。また、この間に、Cの位置から基板3端部の上方まで、リンス液吐出ノズル4を移動させる。
本実施例では、リンス液吐出ノズル4が基板3の端部に近い位置Cで移動を停止して、基板3上にリンス液1bを供給するため、実施例1と同様の効果を奏する。また、工程(4)の途中から工程(5)に至るまで、基板3の回転数を断続的に減少させる。この工程(4)の途中から工程(5)までの間、リンス液吐出ノズル4は基板3の端部に近い領域の上方に存在するため、角速度が大きくなり、リンス液が弾き飛ばされやすくなる傾向にあるが、上記のように基板の回転数を減少させることで、角速度の増加を抑制することができる。この結果、基板3上に供給されたリンス液の弾き飛ばしを抑制して、リンス処理を効果的に行うことができる。
(実施例3)
本実施例におけるリンス処理のシーケンスを図9に示す。以下、図9を参照して、本実施例の工程を説明する。
本実施例におけるリンス処理のシーケンスを図9に示す。以下、図9を参照して、本実施例の工程を説明する。
まず、円形基板3の中心からその半径方向のDの位置(第3の位置)まで、10mm/s(第3の速度)で、リンス液吐出ノズル4を移動させながら、基板3上に240ml/minの供給量で、界面活性剤を含有する純水からなるリンス液1bを供給する(工程(7))。この間、基板3を100rpm(第4の回転数)から一定の割合(第1の割合)で減少させる。
リンス液吐出ノズル4を、Dの位置でリンス処理に十分な時間(第5の時間)、停止させる。この間、工程(7)と同じ流量で、リンス液吐出ノズル4から基板3上にリンス液1bを供給する。また、引き続き、基板3の回転数を一定の割合(第1の割合)で減少させる(工程(8))。
リンス液を振り切るのに十分な時間(第6の時間)、引き続き、基板3の回転数を一定の割合(第1の割合)で減少させるが、リンス液吐出ノズル4からのリンス液1bの供給を停止する(工程(9))。この間に、リンス液吐出ノズル4を基板3の端部の上方に移動させる。
本実施例では、リンス液吐出ノズル4が基板3の端部に近い位置Dで移動を停止して、基板3上にリンス液を供給するため、実施例1と同様の効果を奏する。また、工程(7)から工程(8)に至るまで、基板3の回転数を連続的に一定の割合で減少させる。このため、実施例2と同様に角速度の増加を抑制することができる。この結果、基板3上に供給されたリンス液の弾き飛ばしを抑制してリンス処理を効果的に行うことができる。
1a、1b リンス液
2 撥水性レジスト
3 基板
3c 撥水性レジストの未露光部分
3d、3e 撥水性レジストの露光部分
4 リンス液吐出ノズル
5 ウェハチャック
6 回転手段
7 リンス液吐出ノズル移動手段
8 リンス液供給系
9 リンス液タンク
10 制御手段
11 絶縁膜
12 レクチル
13 ArF光
14 現像液
20 リンス装置
2 撥水性レジスト
3 基板
3c 撥水性レジストの未露光部分
3d、3e 撥水性レジストの露光部分
4 リンス液吐出ノズル
5 ウェハチャック
6 回転手段
7 リンス液吐出ノズル移動手段
8 リンス液供給系
9 リンス液タンク
10 制御手段
11 絶縁膜
12 レクチル
13 ArF光
14 現像液
20 リンス装置
Claims (19)
- 撥水性レジストを設けた基板を回転させながら、前記基板の中心から端部に向かって界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することで、前記基板のリンス処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法。
- 前記界面活性剤は、アミンオキシド系界面活性剤であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記リンス液中の前記界面活性剤の濃度は、100質量ppm以上3質量%以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の中心から端部に向かって前記リンス液の供給位置が移動するにつれて、前記基板の回転数を断続的に減少させることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の中心から端部に向かって前記リンス液の供給位置が移動するにつれて、前記基板の回転数を連続的に一定の割合で減少させることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板の回転数を150〜200rpm/minの割合で減少させることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- (1)円形基板の中心からその半径方向の第1の位置まで、第1の速度で前記円形基板上のリンス液の供給位置を移動させながら、リンス液を供給する工程と、
(2)前記第1の位置で第1の時間の間、前記リンス液を供給する工程と、
(3)第2の時間の間、前記円形基板上へのリンス液の供給を停止する工程と、
を有し、
前記工程(1)〜(3)の間、前記基板を第1の回転数で回転させることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - (4)円形基板の中心からその半径方向の第2の位置まで、第2の速度で前記円形基板上のリンス液の供給位置を移動させながら、リンス液を供給する工程と、
(5)前記第2の位置で第3の時間の間、前記リンス液を供給する工程と、
(6)第4の時間の間、前記円形基板上へのリンス液の供給を停止する工程と、
を有し、
前記工程(4)の開始時から工程(4)の途中まで、前記円形基板を第2の回転数で回転させ、
残りの工程(4)、工程(5)および工程(6)は、前記円形基板を第2の回転数よりも小さい第3の回転数で回転させることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - (7)円形基板の中心からその半径方向の第3の位置まで、第3の速度で前記円形基板上のリンス液の供給位置を移動させながら、リンス液を供給する工程と、
(8)前記第3の位置で第5の時間の間、前記リンス液を供給する工程と、
(9)第6の時間の間、前記円形基板上へのリンス液の供給を停止する工程と、
を有し、
前記工程(7)〜(9)の間、前記円形基板の回転数を第4の回転数から第1の割合で減少させることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記基板上に前記撥水性レジストを形成する工程と、
前記撥水性レジストに現像処理を行う工程と、
請求項1〜9の何れか1項に記載のリンス処理を行う工程によって前記基板のリンス処理を行うことにより、前記撥水性レジストのパターンを形成する工程と、
前記撥水性レジストのパターンをマスクに用いて、前記基板のエッチングを行う工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の保持が可能なウェハチャックを有し、前記ウェハチャックを回転させることが可能な回転手段と、
リンス液吐出ノズルと、
前記リンス液吐出ノズルに、界面活性剤を含有する水を含むリンス液を供給することが可能な供給手段と、
前記リンス液吐出ノズルを、基板中心の上方から基板端部の上方に向かって移動させることが可能な移動手段と、
を有することを特徴とするリンス装置。 - 前記界面活性剤は、アミンオキシド系界面活性剤であることを特徴とする請求項11に記載のリンス装置。
- 前記リンス液中の前記界面活性剤の濃度は、100質量ppm以上3質量%以下であることを特徴とする請求項11又は12に記載のリンス装置。
- 前記回転手段は、前記基板の回転数を断続的に減少させることが可能であることを特徴とする請求項11〜13の何れか1項に記載のリンス装置。
- 前記回転手段は、前記基板の回転数を連続的に一定の割合で減少させることが可能であることを特徴とする請求項11〜13の何れか1項に記載のリンス装置。
- 前記回転手段は、前記基板の回転数を150〜200rpm/minの割合で減少させることが可能であることを特徴とする請求項15に記載のリンス装置。
- 前記リンス装置は更に制御手段を有し、
前記制御手段は、下記工程(1)〜(3)の制御が可能であり、
(1)前記ウェハチャックの中心上方からその半径方向の第1の位置まで、第1の速度で前記リンス液吐出ノズルを移動させながら、リンス液吐出ノズルからリンス液を供給する工程、
(2)前記第1の位置で第1の時間の間、前記リンス液吐出ノズルから前記リンス液を供給する工程、
(3)第2の時間の間、前記リンス液吐出ノズルからのリンス液の供給を停止する工程、
前記制御手段は、
前記工程(1)〜(3)の間、前記ウェハチャックを第1の回転数で回転させるように制御が可能であることを特徴とする請求項11〜13の何れか1項に記載のリンス装置。 - 前記リンス装置は更に制御手段を有し、
前記制御手段は、下記工程(4)〜(6)の制御が可能であり、
(4)前記ウェハチャックの中心上方からその半径方向の第2の位置まで、第2の速度で前記リンス液吐出ノズルを移動させながら、リンス液吐出ノズルからリンス液を供給する工程、
(5)前記第2の位置で第3の時間の間、前記リンス液吐出ノズルから前記リンス液を供給する工程、
(6)第4の時間の間、前記リンス液吐出ノズルからのリンス液の供給を停止する工程、
前記制御手段は、
前記工程(4)の開始時から工程(4)の途中まで、前記ウェハチャックを第2の回転数で回転させ、
残りの工程(4)、工程(5)および工程(6)は、前記ウェハチャックを第2の回転数よりも小さい第3の回転数で回転させるように制御が可能であることを特徴とする請求項11〜13の何れか1項に記載のリンス装置。 - 前記リンス装置は更に制御手段を有し、
前記制御手段は、下記工程(7)〜(9)の制御が可能であり、
(7)前記ウェハチャックの中心上方からその半径方向の第3の位置まで、第3の速度で前記リンス液吐出ノズルを移動させながら、リンス液吐出ノズルからリンス液を供給する工程、
(8)前記第3の位置で第5の時間の間、前記リンス液吐出ノズルから前記リンス液を供給する工程、
(9)第6の時間の間、前記リンス液吐出ノズルからのリンス液の供給を停止する工程、
前記制御手段は、
前記工程(7)〜(9)の間、前記ウェハチャックの回転数を第4の回転数から第1の割合で減少させるように制御が可能であることを特徴とする請求項11〜13の何れか1項に記載のリンス装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012090885A JP2013219302A (ja) | 2012-04-12 | 2012-04-12 | 半導体装置の製造方法及びリンス装置 |
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JP2012090885A JP2013219302A (ja) | 2012-04-12 | 2012-04-12 | 半導体装置の製造方法及びリンス装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2018137350A (ja) * | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理レシピの評価方法、記憶媒体、処理レシピ評価用の支援装置、及び液処理装置 |
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2012
- 2012-04-12 JP JP2012090885A patent/JP2013219302A/ja active Pending
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