JP2019047131A - 塗布、現像方法、記憶媒体及び塗布、現像装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000003860 storage Methods 0.000 title description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 274
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 111
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 322
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 106
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 104
- 230000008569 process Effects 0.000 description 74
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 72
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 61
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 59
- 238000011161 development Methods 0.000 description 50
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 50
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 31
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 30
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 28
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 7
- 101150075071 TRS1 gene Proteins 0.000 description 6
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000662805 Homo sapiens Trafficking protein particle complex subunit 5 Proteins 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100037497 Trafficking protein particle complex subunit 5 Human genes 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 229910003849 O-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003872 O—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 hexamethylene disilane Chemical compound 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
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Abstract
Description
前記基板の表面に現像液を供給して前記レジスト膜を現像する現像工程と、
前記現像工程の前において、前記レジスト膜が形成されていない基板の周縁部であって、少なくとも周端面及び裏面側周縁部に前記現像液に接することを防ぐ第1の保護膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。
前記レジスト膜を現像するために前記基板の表面に現像液を供給する現像工程と、
前記現像液が前記基板の周縁部に供給される前から、当該基板の表面から当該現像液が除去されるまでの間、前記レジスト膜が形成されていない基板の周縁部であって、少なくとも周端面及び裏面側周縁部に、前記金属の付着防止液を当該基板の周に沿って供給する工程と、
を含むことを特徴とする。
露光された後の前記レジスト膜を現像するために前記基板の表面に現像液を供給する現像モジュールと、
前記レジスト膜が形成されていない前記基板の周縁部であって、少なくとも周端面及び裏面側周縁部に、前記現像液に接することを防ぐ保護膜を前記現像液が供給される前の基板に形成する保護膜形成モジュールと、
を含むことを特徴とする。
露光された後の前記レジスト膜を現像するために前記基板の表面に現像液を供給する現像モジュールと、
前記現像液が前記基板の周縁部に供給される前から、当該基板の表面から当該現像液が除去されるまでの間、前記レジスト膜が形成されていない基板の周縁部であって、少なくとも周端面及び裏面側周縁部に、前記金属の付着防止液を当該基板の周に沿って供給する付着防止液供給部と、
を備えることを特徴とする。
また、本発明の他の発明によれば、現像液が基板の周端面及び裏面側周縁部に供給される前から現像液が基板から除去されるまでの間、当該基板の周端面及び裏面側周縁部へ、金属の付着防止液の供給が行われる。従って、現像処理中において、基板の周端面及び裏面側周縁部に、レジスト膜に含まれる金属が付着することを防ぐことができる。
本発明の第1の実施の形態に係る塗布、現像装置1について、図1の概略構成図を参照して説明する。この塗布、現像装置1は、例えば直径が300mmの円形の基板であるウエハWを、搬送機構11によって各々個別の処理を行う複数のモジュール間を搬送し、ウエハWの表面への金属を含有するレジストの塗布によるレジスト膜の形成と、露光後のレジスト膜への現像液の供給による現像と、を行う。上記の金属を含有するレジストとは、不純物としてレジストに金属が混入しているという意味では無く、主成分としてレジストに金属が含まれるという意味である。なお、上記のレジスト膜の露光は、塗布、現像装置1に接続される露光装置12により行われる。
以下、他の実施形態について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。図29は、第2の実施形態に係る塗布、現像装置91の概略構成を示しており、図29中の実線の矢印は、図1と同様にウエハWの搬送経路を示している。この塗布、現像装置91においては、露光装置12による露光後、加熱モジュール16によるPEBを行う前に保護膜72の形成を行う保護膜形成モジュール92が設けられている。この保護膜形成モジュール92は、既述の保護膜形成モジュール13と同様に構成されている。この保護膜形成モジュール92で保護膜72を形成するため、現像モジュール2においては保護膜72の形成は行われず、図14、図15で説明した現像及び保護膜72の除去のみが行われる。
第3の実施形態の塗布、現像装置におけるレジスト膜形成モジュール17においては、図6に示した上側保護膜除去用溶剤ノズル52が設けられておらず、下側保護膜除去用溶剤ノズル42から吐出される溶剤により、保護膜72のうちウエハWの裏面側に形成された部位のみが除去される。そして、現像モジュール2では保護膜72の形成が行われないため、図30に示すように上側保護膜形成用薬液ノズル51及び下側保護膜形成用薬液ノズル41が設けられていない。その代りに下側保護膜形成用薬液ノズル41と同様にウエハWの内方側から外方側へ、斜め上方に薬液を吐出する液膜形成用処理液ノズル93が設けられている。図中94は、この処理液を貯留すると共に、当該処理液を液膜形成用処理液ノズル93に供給する薬液供給源である。
第4の実施形態の塗布、現像装置について説明する。この第4の実施形態においては、第3の実施形態と同様に露光装置12へウエハWを搬入する前に、ウエハWの裏面側の保護膜が限定的に除去される。この限定的な保護膜の除去が、より確実に行われるようにするために、金属付着防止領域70を被覆する保護膜の上側と下側とを互いに異なる材質により構成し、下側の保護膜を除去する際には、当該下側の保護膜を選択的に除去することができる溶剤をウエハWに供給する。なお、このように保護膜を異なる材質により構成するために、図5で説明した保護膜形成モジュール13における上側保護膜形成用薬液ノズル51、下側保護膜形成用薬液ノズル41は、互いに成分が異なる薬液が貯留された薬液の供給源に接続される。
第5の実施形態では、図40に示す現像モジュール2において、金属付着防止領域70が保護膜により被覆されていない状態で現像処理が行われ、現像後に金属付着防止領域70に洗浄液として、SC2、SPM、純水が例えばこの順に供給されることによって洗浄される。SC2及びSPMはウエハWに付着した金属を除去する金属除去液であり、純水はこれらSC2及びSPMをウエハWから除去するために用いられる。この第5の実施形態で用いられる現像モジュール2では、ウエハWの下方において、下側保護膜形成用薬液ノズル41及び下側保護膜除去用溶剤ノズル42の代わりに、下側SC2ノズル111、下側SPMノズル112、下側純水ノズル113が設けられており、各ノズル111〜113は、ノズル41、42と同様に、ウエハWの裏面の周縁部に、内方から外方に向かって液を各々吐出することができる。
第6の実施形態は、第5の実施形態と同じく金属付着防止領域70が保護膜により被覆されていない状態で現像処理が行われる。この現像処理には第5の実施形態で説明した現像モジュール2と略同様の構成の現像モジュールが用いられる。ただし、ノズル114、ノズル111は、レジスト膜71を溶解しない有機溶媒の供給源に接続され、当該有機溶媒を吐出する。
図50は、ガス処理を行うことで保護膜を形成する保護膜形成モジュール131を示している。この保護膜形成モジュール131について、保護膜形成モジュール13との差異点を説明すると、保護膜形成モジュール131は、スピンチャック21に載置されたウエハWの周縁部を囲むように、ウエハWの中心部側に向かって開口した側面視コ字型の処理部132を備えている。図中133、134は、処理部132の上部、下部に、ウエハWの表面、裏面に夫々開口するように設けられたガスの吐出口である。図中135は、処理部132においてウエハWの側周面に対向するように形成された排気口であり、図中136は排気口135に接続される排気機構である。ガスの吐出口133、134には、例えばウエハWの表面を疎水化処理する疎水化ガスを貯留し、これらガス吐出口133、134に供給する疎水化ガス供給源が接続されている。疎水化ガスは、例えばHMDS(ヘキサメチレンジシラン)ガスである。図中138は、ウエハWがスピンチャック21に対して受け渡されることを妨げないように、処理部132をコ字型の開口方向に沿って移動させる駆動機構である。
図51にはレジスト膜形成モジュール17の変形例を示している。このレジスト膜形成モジュール17は、保護膜除去用の溶剤の供給源54と、上側保護膜除去用溶剤ノズル52及び下側保護膜除去用溶剤ノズル42と、を接続する流路を加熱するヒーター141を備えており、当該流路を流通中に溶剤76が加熱され、上側保護膜除去用溶剤ノズル52及び下側保護膜除去用溶剤ノズル42からカップ24内の雰囲気よりも高い温度の溶剤76が吐出される。このように加熱された溶剤76を供給することで、保護膜72の除去を速やかに行うことができるため、塗布、現像装置1のスループットの向上を図ることができる。なお、流路を流通中の溶剤76を加熱することには限られず、溶剤の供給源54を構成する、溶剤を貯留するタンクにヒーターを設け、溶剤76が供給源54において貯留されている間に加熱されるようにしてもよい。
図51、図52に示したブラシ142及びヒーター141は、既述の各実施形態に適用することができる。また、レジスト膜形成モジュール17に設けられることに限られず、現像モジュール2にも設けることができる。
次に、第1の実施形態における処理の第1の変形例について説明する。レジスト膜形成モジュール17にて、図18、図19に示したレジスト膜71の形成、不要なレジスト膜71の除去を行った後、下側保護膜除去用溶剤ノズル42及び上側保護膜除去用溶剤ノズル52から保護膜72に溶剤76を吐出する。このとき保護膜72の表面(上層側)のみが除去され、保護膜72の下層側がウエハWに残留した状態で溶剤76の吐出を停止する。つまり、依然として金属付着防止領域70は、薄層化された保護膜72に被覆された状態となっている(図54)。露光装置12への搬入時は保護膜72が薄層化されているので、ウエハWにおいて露光される位置が正常な位置からずれることを抑えることができる。そして、現像モジュール2では新たに保護膜72の形成を行わず、この残留した保護膜72を用いて現像処理が行われ、現像処理後は、第1の実施形態と同様に保護膜72が除去される。
1 塗布、現像装置
13 保護膜形成モジュール
17 レジスト膜形成モジュール
100 制御部
2 現像モジュール
41 下側保護膜形成用薬液ノズル
42 下側保護膜除去用溶剤ノズル
43 現像ノズル
51 上側保護膜形成用薬液ノズル
52 上側保護膜除去用溶剤ノズル
71 レジスト膜
72 保護膜
次いで、前記レジスト膜を露光する工程と、
続いて、前記基板の少なくとも周縁部に現像液に接することを防ぐ第1の保護膜を形成する工程と、
その後、前記基板の表面に前記現像液を供給して前記レジスト膜を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とする。
前記プログラムは本発明の塗布、現像方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
露光された後の前記レジスト膜を現像するために前記基板の表面に現像液を供給する現像モジュールと、
前記レジスト膜の露光後で前記現像液が供給される前の前記基板の少なくとも周縁部に当該現像液に接することを防ぐ保護膜を形成する保護膜形成モジュールと、
を含むことを特徴とする。
Claims (1)
- 基板の表面に金属を含有するレジストを塗布してレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光する工程と、
前記基板の表面に現像液を供給して前記レジスト膜を現像する現像工程と、
前記現像工程の前において、前記レジスト膜が形成されていない基板の周縁部であって、少なくとも周端面及び裏面側周縁部に前記現像液に接することを防ぐ第1の保護膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018217505A JP6627954B2 (ja) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 塗布、現像方法、記憶媒体及び塗布、現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018217505A JP6627954B2 (ja) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 塗布、現像方法、記憶媒体及び塗布、現像装置 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016185705A Division JP6439766B2 (ja) | 2016-09-23 | 2016-09-23 | 塗布、現像方法及び塗布、現像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019047131A true JP2019047131A (ja) | 2019-03-22 |
JP6627954B2 JP6627954B2 (ja) | 2020-01-08 |
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ID=65816603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018217505A Active JP6627954B2 (ja) | 2018-11-20 | 2018-11-20 | 塗布、現像方法、記憶媒体及び塗布、現像装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP6627954B2 (ja) |
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KR20220088311A (ko) | 2020-12-17 | 2022-06-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 현상 방법 및 기판 처리 시스템 |
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