CN109119329A - 一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法 - Google Patents

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李凡月
雷玫
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Abstract

本发明提供一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法，包括以下步骤：1)提供清洁的基板，在基板表面涂覆一层光刻胶；2)对步骤1)中形成的光刻胶使用光刻工艺，以具有预定图案的掩模进行图案曝光并显影，形成图案化的光刻胶图形；3)分别在图案化的光刻胶上表面和未被光刻胶覆盖的基板表面镀膜，形成膜层；4)去除光刻胶及光刻胶表面的膜层，从而在基板表面形成图案化膜层。本发明通过在基板上先涂布光刻胶，曝光显影形成光刻胶微结构阵列，然后在光刻胶微结构阵列上表面和裸露基板的表面镀膜的技术方案，减少了膜层与基板的接触面积，从而降低并分散了膜层产生的应力，有效改善了晶圆的翘曲度，提高了产品的良率，保证产品具有良好的性能。

Description

一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法。
背景技术
显示、半导体等行业中使用的基板在表面成膜的过程中会产生应力，使基板发生翘曲变形，导致光波入射到基板上时产生发射光束的波前畸变，严重的翘曲变形可能会导致膜层性能恶化甚至导致膜层龟裂和剥落，如附图1所示；同时，较大的晶圆翘曲会严重影响后续工艺的精度及自动化操作，同时带来诸多可靠性问题，导致产品的性能下降，产品良率降低。
发明内容
针对现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法，减小晶圆的翘曲度，提高产品的良率，保证产品的稳定性。
为达到上述目的，本发明的技术方案如下：
一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法，包括以下步骤：
1)提供清洁的基板，在基板表面涂覆一层光刻胶；
2)对步骤1)中形成的光刻胶使用光刻工艺，以具有预定图案的掩模进行图案曝光并显影，形成图案化的光刻胶图形；
3)分别在图案化的光刻胶上表面和未被光刻胶覆盖的基板表面镀膜，形成膜层；
4)去除光刻胶及光刻胶表面的膜层，从而在基板表面形成图案化膜层。
优选地，步骤2)中，当光刻胶为正性光刻胶时，显影液溶解去除曝光区域的光刻胶；当光刻胶为负性光刻胶时，显影液溶解去除未曝光区域的光刻胶；曝光显影后的光刻胶图形可以根据实际需要进行设计调整。
优选地，步骤3)中所镀膜包括但不限于增透膜、红外膜。
本发明通过在基板上先涂布光刻胶，曝光显影形成光刻胶微结构阵列，在光刻胶微结构阵列上表面和裸露基板的表面镀膜，然后去除光刻胶及光刻胶表面的膜层，从而在基板表面形成图案化膜层的技术方案，减少了膜层与基板的接触面积，从而降低并分散了膜层产生的应力，有效改善了晶圆的翘曲度，提高了产品的良率，保证产品具有良好的性能，大大降低了生产成本。
附图说明
图1为晶圆翘曲状态示意图；
图2至图6是根据本发明实施例所示的降低晶圆翘曲度的镀膜方法步骤示意性剖面图；
结合附图，对附图标记做以下说明：
10-基板；12-龟裂膜层；20-基板；22-未曝光显影的光刻胶；22A-曝光显影后的光刻胶；24-掩模；26-膜层，26A-图案化膜层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法，包括以下步骤：
1)参照图2，提供清洁的基板20，在基板表面涂覆一层光刻胶22；
2)对步骤1)中形成的光刻胶22使用光刻工艺，以具有预定图案的掩模24进行图案曝光并显影，通过显影液溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶，形成图案化的光刻胶图形22A，如图4所示；其中光刻胶的图形可以根据实际需要进行设计调整；参照图3A，当光刻胶为负性光刻胶时，显影液溶解去除未曝光区域的光刻胶；参照图3B，当光刻胶为正性光刻胶时，显影液溶解去除曝光区域的光刻胶；
3)参照图5，分别在图案化的光刻胶22A上表面和未被光刻胶覆盖的基板20表面镀膜，形成膜层26，所述膜层26可以是增透膜或红外膜；
4)去除光刻胶及光刻胶表面的膜层26，从而在基板20表面形成图案化膜层26A，如图6所示。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法，包括以下步骤：
1)提供清洁的基板，在基板表面涂覆一层光刻胶；
2)对步骤1)中形成的光刻胶使用光刻工艺，以具有预定图案的掩模进行图案曝光并显影，形成图案化的光刻胶图形；
3)分别在图案化的光刻胶上表面和未被光刻胶覆盖的基板表面镀膜，形成膜层；
4)去除光刻胶及光刻胶表面的膜层，从而在基板表面形成图案化膜层。
2.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲度的镀膜方法，其特征在于：光刻胶为正性光刻胶，显影液溶解去除曝光区域的光刻胶。
3.根据权利要求1所述的降低晶圆翘曲度的镀膜方法，其特征在于：光刻胶为负性光刻胶，显影液溶解去除未曝光区域的光刻胶。
4.根据权利要求1-3任一项所述的降低晶圆翘曲度的镀膜方法，其特征在于：曝光显影后的光刻胶图形根据实际需要进行设计调整。
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