JP2000058454A - 横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法 - Google Patents
横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法Info
- Publication number
- JP2000058454A JP2000058454A JP10221535A JP22153598A JP2000058454A JP 2000058454 A JP2000058454 A JP 2000058454A JP 10221535 A JP10221535 A JP 10221535A JP 22153598 A JP22153598 A JP 22153598A JP 2000058454 A JP2000058454 A JP 2000058454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- epitaxial growth
- inorganic
- lateral epitaxial
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 横方向エピタキシャル成長のための無機マス
クを低コストでしかも下地の基板に損傷を与えることな
く形成することができる横方向エピタキシャル成長用マ
スクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法を
提供する。 【解決手段】 サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長
させ、その上にライン・アンド・スペース形状のレジス
トパターン３を形成し、基板全面にＳｉＯ2 膜４を成膜
した後、レジストパターン３をその上のＳｉＯ2 膜４と
ともに除去することにより、ＧａＮ層２上に無機マスク
としてのＳｉＯ2 膜４をライン・アンド・スペース形状
に形成する。あるいは、ＧａＮ層上に磁石で吸着可能な
ライン・アンド・スペース形状の金属マスクを設置し、
サファイア基板の裏面側に設けた磁石による磁力でこの
金属マスクをＧａＮ層に密着固定し、その状態でＳｉＯ
2膜を基板全面に成膜した後、金属マスクをＧａＮ層か
ら取り外すことにより、無機マスクとしてのＳｉＯ2 膜
を形成してもよい。この無機マスクを用いてＧａＮ層５
を横方向エピタキシャル成長させる。
クを低コストでしかも下地の基板に損傷を与えることな
く形成することができる横方向エピタキシャル成長用マ
スクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法を
提供する。 【解決手段】 サファイア基板１上にＧａＮ層２を成長
させ、その上にライン・アンド・スペース形状のレジス
トパターン３を形成し、基板全面にＳｉＯ2 膜４を成膜
した後、レジストパターン３をその上のＳｉＯ2 膜４と
ともに除去することにより、ＧａＮ層２上に無機マスク
としてのＳｉＯ2 膜４をライン・アンド・スペース形状
に形成する。あるいは、ＧａＮ層上に磁石で吸着可能な
ライン・アンド・スペース形状の金属マスクを設置し、
サファイア基板の裏面側に設けた磁石による磁力でこの
金属マスクをＧａＮ層に密着固定し、その状態でＳｉＯ
2膜を基板全面に成膜した後、金属マスクをＧａＮ層か
ら取り外すことにより、無機マスクとしてのＳｉＯ2 膜
を形成してもよい。この無機マスクを用いてＧａＮ層５
を横方向エピタキシャル成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、横方向エピタキ
シャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシ
ャル成長方法に関し、特に、基板上にＧａＮなどの窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるのに用いて
好適なものである。
シャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシ
ャル成長方法に関し、特に、基板上にＧａＮなどの窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させるのに用いて
好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体層のエピタキシャル成長におい
て、半導体層中の欠陥密度を減少させるために、横方向
エピタキシャル成長（Epitaxial Lateral Overgrowth，
ＥＬＯ）法と呼ばれる成長技術が知られており（例え
ば、J.Jpn.Appl.Phys.,vol.28,no.3,pp.L337-339,198
9)、ＧａＮの成長に適用する試みが行われている（例え
ば、日本学術振興会短波長光デバイス第１６２委員会第
７回研究会および光電相互変換第１２５委員会第１６０
回研究会の合同研究会資料（平成９年９月２６日）、ｐ
ｐ．１８−２４）。このＥＬＯ法においては、成長させ
る半導体層の欠陥密度を減少させるために、基板上に酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）などからなる無機マスクを形成
した後、その上に半導体層を成長させる。
て、半導体層中の欠陥密度を減少させるために、横方向
エピタキシャル成長（Epitaxial Lateral Overgrowth，
ＥＬＯ）法と呼ばれる成長技術が知られており（例え
ば、J.Jpn.Appl.Phys.,vol.28,no.3,pp.L337-339,198
9)、ＧａＮの成長に適用する試みが行われている（例え
ば、日本学術振興会短波長光デバイス第１６２委員会第
７回研究会および光電相互変換第１２５委員会第１６０
回研究会の合同研究会資料（平成９年９月２６日）、ｐ
ｐ．１８−２４）。このＥＬＯ法においては、成長させ
る半導体層の欠陥密度を減少させるために、基板上に酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）などからなる無機マスクを形成
した後、その上に半導体層を成長させる。
【０００３】従来、このＥＬＯ法において用いられる無
機マスクの形成は、次のようにして行われていた。すな
わち、基板上に化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＯ
2 膜などの無機膜を成膜した後、この無機膜上にフォト
リソグラフィーにより所定形状のレジストパターンを形
成する。次に、このレジストパターンをマスクとして無
機膜をドライエッチング法またはウエットエッチング法
によりエッチングした後、レジストパターンを除去す
る。これによって、無機マスクが形成される。
機マスクの形成は、次のようにして行われていた。すな
わち、基板上に化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＯ
2 膜などの無機膜を成膜した後、この無機膜上にフォト
リソグラフィーにより所定形状のレジストパターンを形
成する。次に、このレジストパターンをマスクとして無
機膜をドライエッチング法またはウエットエッチング法
によりエッチングした後、レジストパターンを除去す
る。これによって、無機マスクが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
無機マスクの形成方法は、上述のように無機膜の成膜、
レジストパターンの形成、エッチングおよびレジストパ
ターンの除去の４工程が必要であるため、無機マスクの
形成コストが高かった。特に、ＥＬＯ法を異なった結晶
方位に対して複数回行いたい場合には、この問題は深刻
化するため、無機マスクの形成に要する工程数を削減す
ることは、コスト削減や歩留まり向上の観点から重要で
ある。
無機マスクの形成方法は、上述のように無機膜の成膜、
レジストパターンの形成、エッチングおよびレジストパ
ターンの除去の４工程が必要であるため、無機マスクの
形成コストが高かった。特に、ＥＬＯ法を異なった結晶
方位に対して複数回行いたい場合には、この問題は深刻
化するため、無機マスクの形成に要する工程数を削減す
ることは、コスト削減や歩留まり向上の観点から重要で
ある。
【０００５】また、ＳｉＯ2 膜などからなる無機マスク
の開口部はできるだけ狭く形成し、ピッチも短い方が、
成長させるエピタキシャル層が薄くて済むという利点が
あるが、無機マスクの開口部を狭くしようとすると、エ
ッチングに高性能なドライエッチング装置を使用するこ
とが必要となり、無機マスクの形成コストが増加してし
まうという問題があった。
の開口部はできるだけ狭く形成し、ピッチも短い方が、
成長させるエピタキシャル層が薄くて済むという利点が
あるが、無機マスクの開口部を狭くしようとすると、エ
ッチングに高性能なドライエッチング装置を使用するこ
とが必要となり、無機マスクの形成コストが増加してし
まうという問題があった。
【０００６】さらに、無機膜のエッチングにドライエッ
チング法を用いる場合には、下地の基板表面に損傷が生
じてしまうおそれがあるという問題があった。
チング法を用いる場合には、下地の基板表面に損傷が生
じてしまうおそれがあるという問題があった。
【０００７】したがって、この発明の目的は、横方向エ
ピタキシャル成長を行うための無機マスクを少ない工程
数で、したがって低コストで、しかも下地の基板に損傷
を与えることなく形成することができる横方向エピタキ
シャル成長用マスクの形成方法およびこれを用いた横方
向エピタキシャル成長方法を提供することにある。
ピタキシャル成長を行うための無機マスクを少ない工程
数で、したがって低コストで、しかも下地の基板に損傷
を与えることなく形成することができる横方向エピタキ
シャル成長用マスクの形成方法およびこれを用いた横方
向エピタキシャル成長方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、基板上に横方向エピタキ
シャル成長用マスクとして無機マスクを形成するように
した横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法にお
いて、基板上にリフトオフ法により無機マスクを形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
に、この発明の第１の発明は、基板上に横方向エピタキ
シャル成長用マスクとして無機マスクを形成するように
した横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法にお
いて、基板上にリフトオフ法により無機マスクを形成す
るようにしたことを特徴とするものである。
【０００９】この発明の第２の発明は、基板上に横方向
エピタキシャル成長用マスクとして無機マスクを形成す
るようにした横方向エピタキシャル成長用マスクの形成
方法において、基板上に横方向エピタキシャル成長用マ
スクの反転パターン形状を有するマスクを設置し、マス
クの上から無機マスク形成用の無機材料を成膜または塗
布した後、マスクを基板から取り外すようにしたことを
特徴とするものである。
エピタキシャル成長用マスクとして無機マスクを形成す
るようにした横方向エピタキシャル成長用マスクの形成
方法において、基板上に横方向エピタキシャル成長用マ
スクの反転パターン形状を有するマスクを設置し、マス
クの上から無機マスク形成用の無機材料を成膜または塗
布した後、マスクを基板から取り外すようにしたことを
特徴とするものである。
【００１０】この発明の第３の発明は、基板上に横方向
エピタキシャル成長用マスクとして無機マスクを形成
し、無機マスクを用いて基板上に横方向エピタキシャル
成長を行うようにした横方向エピタキシャル成長方法に
おいて、基板上にリフトオフ法により無機マスクを形成
するようにしたことを特徴とするものである。
エピタキシャル成長用マスクとして無機マスクを形成
し、無機マスクを用いて基板上に横方向エピタキシャル
成長を行うようにした横方向エピタキシャル成長方法に
おいて、基板上にリフトオフ法により無機マスクを形成
するようにしたことを特徴とするものである。
【００１１】この発明の第４の発明は、基板上に横方向
エピタキシャル成長用マスクとして無機マスクを形成
し、無機マスクを用いて基板上に横方向エピタキシャル
成長を行うようにした横方向エピタキシャル成長方法に
おいて、基板上に横方向エピタキシャル成長用マスクの
反転パターン形状を有するマスクを設置し、マスクの上
から無機マスク形成用の無機材料を成膜または塗布した
後、マスクを基板から取り外すことにより無機マスクを
形成するようにしたことを特徴とするものである。
エピタキシャル成長用マスクとして無機マスクを形成
し、無機マスクを用いて基板上に横方向エピタキシャル
成長を行うようにした横方向エピタキシャル成長方法に
おいて、基板上に横方向エピタキシャル成長用マスクの
反転パターン形状を有するマスクを設置し、マスクの上
から無機マスク形成用の無機材料を成膜または塗布した
後、マスクを基板から取り外すことにより無機マスクを
形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００１２】この発明の第１および第３の発明におい
て、リフトオフ法による無機マスクの形成は、具体的に
は次のようにして行う。すなわち、まず、基板上に横方
向エピタキシャル成長用マスクの反転パターン形状を有
するレジストパターンを形成した後、基板全面に無機マ
スク形成用の無機材料を成膜する。この後、レジストパ
ターンをその上に成膜された無機材料とともに除去す
る。
て、リフトオフ法による無機マスクの形成は、具体的に
は次のようにして行う。すなわち、まず、基板上に横方
向エピタキシャル成長用マスクの反転パターン形状を有
するレジストパターンを形成した後、基板全面に無機マ
スク形成用の無機材料を成膜する。この後、レジストパ
ターンをその上に成膜された無機材料とともに除去す
る。
【００１３】この発明の第２および第４の発明におい
て、基板上に設置するマスクは、典型的には、磁力によ
り基板上に密着固定する。具体的には、例えば、マスク
を磁石で吸着可能な金属材料、例えば鉄系材料で形成
し、このマスクを成長を行う基板の一方の主面上に設置
し、基板の他方の主面側に十分に強い磁石を設置するこ
とにより、磁力で基板上にマスクを密着固定する。この
磁石は永久磁石であっても、電磁石であってもよい。
て、基板上に設置するマスクは、典型的には、磁力によ
り基板上に密着固定する。具体的には、例えば、マスク
を磁石で吸着可能な金属材料、例えば鉄系材料で形成
し、このマスクを成長を行う基板の一方の主面上に設置
し、基板の他方の主面側に十分に強い磁石を設置するこ
とにより、磁力で基板上にマスクを密着固定する。この
磁石は永久磁石であっても、電磁石であってもよい。
【００１４】この発明において、無機マスクは、典型的
には、酸化シリコン（ＳｉＯx ）膜または窒化シリコン
（ＳｉＮx ）膜からなる。これらの膜は、例えば、ヘリ
コン波プラズマ化学気相成長法または電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ化学気相成長法により成膜さ
れる。これらの方法によれば、常温付近で成膜が可能で
ある。また、第２の発明においては、無機マスク形成用
の無機材料を塗布する場合、その塗布材料としては、例
えばＳＯＧ（Spin on Glass)を用いることができる。
には、酸化シリコン（ＳｉＯx ）膜または窒化シリコン
（ＳｉＮx ）膜からなる。これらの膜は、例えば、ヘリ
コン波プラズマ化学気相成長法または電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ化学気相成長法により成膜さ
れる。これらの方法によれば、常温付近で成膜が可能で
ある。また、第２の発明においては、無機マスク形成用
の無機材料を塗布する場合、その塗布材料としては、例
えばＳＯＧ（Spin on Glass)を用いることができる。
【００１５】この発明は、基本的には、任意の物質の成
長に適用することが可能であるが、典型的な一つの例で
は、少なくともＧａとＮとを含む化合物膜の成長に用い
られる。この少なくともＧａとＮとを含む化合物層は、
典型的には、Ｇａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層
である。このＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層
は、一般には、ＩＩＩ族元素としてＧａ以外にＡｌ、Ｉ
ｎまたはＢの一種または二種以上を含み、Ｖ族元素とし
て場合によりＡｓまたはＰを含むものであってよい。具
体的には、このＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
層は、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、Ａｌ
ＧａＩｎＮなどからなる層である。
長に適用することが可能であるが、典型的な一つの例で
は、少なくともＧａとＮとを含む化合物膜の成長に用い
られる。この少なくともＧａとＮとを含む化合物層は、
典型的には、Ｇａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層
である。このＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物層
は、一般には、ＩＩＩ族元素としてＧａ以外にＡｌ、Ｉ
ｎまたはＢの一種または二種以上を含み、Ｖ族元素とし
て場合によりＡｓまたはＰを含むものであってよい。具
体的には、このＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物
層は、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ、Ａｌ
ＧａＩｎＮなどからなる層である。
【００１６】上述のように構成されたこの発明の第１お
よび第３の発明においては、リフトオフ法により無機マ
スクを形成するようにしていることにより、無機マスク
の形成に必要な工程は、基板上へのレジストパターンの
形成、無機膜の成膜およびレジストパターンの除去の３
工程で済み、従来の無機マスクの形成方法に比べて１工
程減少する。また、無機マスクの形成にドライエッチン
グが不要であるので、高価なドライエッチング装置も不
要である。さらに、無機膜の成膜時には、最終的に形成
される無機マスクの開口部の基板表面はレジストパター
ンで覆われているため、成膜時に損傷が発生するのを防
止することができる。
よび第３の発明においては、リフトオフ法により無機マ
スクを形成するようにしていることにより、無機マスク
の形成に必要な工程は、基板上へのレジストパターンの
形成、無機膜の成膜およびレジストパターンの除去の３
工程で済み、従来の無機マスクの形成方法に比べて１工
程減少する。また、無機マスクの形成にドライエッチン
グが不要であるので、高価なドライエッチング装置も不
要である。さらに、無機膜の成膜時には、最終的に形成
される無機マスクの開口部の基板表面はレジストパター
ンで覆われているため、成膜時に損傷が発生するのを防
止することができる。
【００１７】上述のように構成されたこの発明の第２お
よび第４の発明においては、基板上に横方向エピタキシ
ャル成長用マスクの反転パターン形状を有するマスクを
設置し、マスクの上から無機マスク形成用の無機材料を
成膜または塗布した後、マスクを基板から取り外すこと
により無機マスクを形成するようにしていることによ
り、無機マスクの形成に必要な工程は、基板上へのマス
クの設置、無機膜の成膜およびマスクの取り外しの３工
程で済み、従来の無機マスクの形成方法に比べて１工程
減少する。また、無機マスクの形成にドライエッチング
が不要であるので、高価なドライエッチング装置も不要
である。さらに、無機膜の成膜時には、最終的に形成さ
れる無機マスクの開口部の基板表面はマスクで覆われて
いるため、成膜時に損傷が発生するのを防止することが
できる。
よび第４の発明においては、基板上に横方向エピタキシ
ャル成長用マスクの反転パターン形状を有するマスクを
設置し、マスクの上から無機マスク形成用の無機材料を
成膜または塗布した後、マスクを基板から取り外すこと
により無機マスクを形成するようにしていることによ
り、無機マスクの形成に必要な工程は、基板上へのマス
クの設置、無機膜の成膜およびマスクの取り外しの３工
程で済み、従来の無機マスクの形成方法に比べて１工程
減少する。また、無機マスクの形成にドライエッチング
が不要であるので、高価なドライエッチング装置も不要
である。さらに、無機膜の成膜時には、最終的に形成さ
れる無機マスクの開口部の基板表面はマスクで覆われて
いるため、成膜時に損傷が発生するのを防止することが
できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１９】まず、この発明の第１の実施形態による横
方向エピタキシャル成長方法について説明する。
方向エピタキシャル成長方法について説明する。
【００２０】この第１の実施形態においては、図１Ａに
示すように、まず、例えばｃ面方位のサファイア（単結
晶Ａｌ2 Ｏ3 ）基板１上にＧａＮ層２をエピタキシャル
成長させる。このＧａＮ層２の厚さは例えば１μｍであ
る。このＧａＮ層２のエピタキシャル成長には例えば有
機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いる。このＧ
ａＮ層２の成長条件の一例を挙げると、成長原料として
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびアンモニア（ＮＨ
3 ）を用い、それらの流量をそれぞれ５０ＳＣＣＭおよ
び２０ＳＬＭとし、反応圧力を５００Ｔｏｒｒ、基板温
度を７００〜１０００℃とする。
示すように、まず、例えばｃ面方位のサファイア（単結
晶Ａｌ2 Ｏ3 ）基板１上にＧａＮ層２をエピタキシャル
成長させる。このＧａＮ層２の厚さは例えば１μｍであ
る。このＧａＮ層２のエピタキシャル成長には例えば有
機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いる。このＧ
ａＮ層２の成長条件の一例を挙げると、成長原料として
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）およびアンモニア（ＮＨ
3 ）を用い、それらの流量をそれぞれ５０ＳＣＣＭおよ
び２０ＳＬＭとし、反応圧力を５００Ｔｏｒｒ、基板温
度を７００〜１０００℃とする。
【００２１】次に、図１Ｂに示すように、ＧａＮ層２上
に紫外線を用いたフォトリソグラフィーにより所定のラ
イン・アンド・スペース形状のレジストパターン３を形
成する。このレジストパターン３の形成は、具体的には
次のようにして行う。すなわち、まず、ＧａＮ層２の全
面にポジ型のレジストを塗布し、このレジストをマスク
アライナーにおいて所定のフォトマスクを用いて例えば
高圧水銀ランプによるｇ線（波長４３６ｎｍ）により露
光した後、レジストの現像を行うことにより、レジスト
パターン３を形成する。このレジストパターン３のライ
ン幅およびスペース幅は、例えばそれぞれ０．８μｍお
よび１．５μｍである。
に紫外線を用いたフォトリソグラフィーにより所定のラ
イン・アンド・スペース形状のレジストパターン３を形
成する。このレジストパターン３の形成は、具体的には
次のようにして行う。すなわち、まず、ＧａＮ層２の全
面にポジ型のレジストを塗布し、このレジストをマスク
アライナーにおいて所定のフォトマスクを用いて例えば
高圧水銀ランプによるｇ線（波長４３６ｎｍ）により露
光した後、レジストの現像を行うことにより、レジスト
パターン３を形成する。このレジストパターン３のライ
ン幅およびスペース幅は、例えばそれぞれ０．８μｍお
よび１．５μｍである。
【００２２】次に、図１Ｃに示すように、基板全面にＳ
ｉＯ2 膜４を成膜する。このＳｉＯ2 膜４の厚さは、後
のリフトオフを支障なく行うことができるように、レジ
ストパターン３に比べて十分に薄く選ばれ、具体的には
例えば０．１μｍである。このＳｉＯ2 膜４の成膜には
例えばＥＣＲＣＶＤ法を用いる。このＳｉＯ2 膜４の成
膜条件の一例を挙げると、プロセスガスとしてモノシラ
ン（ＳｉＨ4 ）、酸素（Ｏ2 ）およびヘリウム（Ｈｅ）
を用い、それらの流量をそれぞれ５０ＳＣＣＭ、２００
ＳＣＣＭおよび２００ＳＣＣＭとし、反応圧力を１ｍＴ
ｏｒｒ、基板温度を４０℃、投入パワー（２．４５ＧＨ
ｚ）を５００Ｗとする。このＳｉＯ2 膜４の成膜時に
は、最終的に無機マスクの開口部となる部分のＧａＮ層
２の表面はレジストパターン３で覆われていることによ
り、損傷の発生が防止される。
ｉＯ2 膜４を成膜する。このＳｉＯ2 膜４の厚さは、後
のリフトオフを支障なく行うことができるように、レジ
ストパターン３に比べて十分に薄く選ばれ、具体的には
例えば０．１μｍである。このＳｉＯ2 膜４の成膜には
例えばＥＣＲＣＶＤ法を用いる。このＳｉＯ2 膜４の成
膜条件の一例を挙げると、プロセスガスとしてモノシラ
ン（ＳｉＨ4 ）、酸素（Ｏ2 ）およびヘリウム（Ｈｅ）
を用い、それらの流量をそれぞれ５０ＳＣＣＭ、２００
ＳＣＣＭおよび２００ＳＣＣＭとし、反応圧力を１ｍＴ
ｏｒｒ、基板温度を４０℃、投入パワー（２．４５ＧＨ
ｚ）を５００Ｗとする。このＳｉＯ2 膜４の成膜時に
は、最終的に無機マスクの開口部となる部分のＧａＮ層
２の表面はレジストパターン３で覆われていることによ
り、損傷の発生が防止される。
【００２３】次に、図１Ｄに示すように、リフトオフ法
によりレジストパターン３を除去することにより、ライ
ン・アンド・スペース形状のＳｉＯ2 膜４を得る。すな
わち、サファイア基板１を有機溶媒中に漬け、レジスト
パターン３をその上に成膜されたＳｉＯ2 膜４とともに
除去し、ＧａＮ層２上に直接成膜されたＳｉＯ2 膜４の
みを残すことにより、ライン・アンド・スペース形状の
ＳｉＯ2 膜４を得る。このＳｉＯ2 膜４のライン幅およ
びスペース幅は、例えばそれぞれ１．５μｍおよび０．
８μｍである。
によりレジストパターン３を除去することにより、ライ
ン・アンド・スペース形状のＳｉＯ2 膜４を得る。すな
わち、サファイア基板１を有機溶媒中に漬け、レジスト
パターン３をその上に成膜されたＳｉＯ2 膜４とともに
除去し、ＧａＮ層２上に直接成膜されたＳｉＯ2 膜４の
みを残すことにより、ライン・アンド・スペース形状の
ＳｉＯ2 膜４を得る。このＳｉＯ2 膜４のライン幅およ
びスペース幅は、例えばそれぞれ１．５μｍおよび０．
８μｍである。
【００２４】次に、図１Ｅに示すように、以上のように
して形成されたＳｉＯ2 膜４からなる無機マスクを用い
て例えばＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層５を横方向エピタ
キシャル成長により必要な厚さに成長させる。
して形成されたＳｉＯ2 膜４からなる無機マスクを用い
て例えばＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層５を横方向エピタ
キシャル成長により必要な厚さに成長させる。
【００２５】以上のように、この第１の実施形態によれ
ば、ＧａＮ層２上にリフトオフ法によりＳｉＯ2 膜４か
らなる無機マスクを形成していることにより、無機マス
クの形成に必要な工程は、レジストパターン３の形成、
ＳｉＯ2 膜４の成膜およびレジストパターン３の除去の
３工程で済み、従来の無機マスクの形成方法に比べて１
工程削減される。このため、その分だけ無機マスクの形
成に要するコストの低減、ひいてはＧａＮ層５の成長コ
ストの低減を図ることができる。また、ＧａＮ層２上に
レジストパターン３を形成した状態でＳｉＯ2 膜４の成
膜を行っているので、このＳｉＯ2 膜４の成膜時に無機
マスクの開口部のＧａＮ層２に損傷が発生するのを防止
することができる。さらに、従来の無機マスクの形成方
法のように無機マスクの形成にドライエッチング法によ
るエッチングを行う必要がないので、このエッチング時
にＧａＮ層２に損傷が生じるおそれもない。このように
無機マスクの開口部のＧａＮ層２の損傷を防止すること
ができることにより、無機マスクを用いたＧａＮ層５の
横方向エピタキシャル成長を良好に行うことができ、結
晶性の良好なＧａＮ層５を成長させることができる。ま
た、無機マスクの形成にドライエッチングを必要とせ
ず、したがってドライエッチング装置を用いる必要がな
いので、その分だけ無機マスクの形成コスト、ひいては
横方向エピタキシャル成長のコストの低減を図ることが
できる。
ば、ＧａＮ層２上にリフトオフ法によりＳｉＯ2 膜４か
らなる無機マスクを形成していることにより、無機マス
クの形成に必要な工程は、レジストパターン３の形成、
ＳｉＯ2 膜４の成膜およびレジストパターン３の除去の
３工程で済み、従来の無機マスクの形成方法に比べて１
工程削減される。このため、その分だけ無機マスクの形
成に要するコストの低減、ひいてはＧａＮ層５の成長コ
ストの低減を図ることができる。また、ＧａＮ層２上に
レジストパターン３を形成した状態でＳｉＯ2 膜４の成
膜を行っているので、このＳｉＯ2 膜４の成膜時に無機
マスクの開口部のＧａＮ層２に損傷が発生するのを防止
することができる。さらに、従来の無機マスクの形成方
法のように無機マスクの形成にドライエッチング法によ
るエッチングを行う必要がないので、このエッチング時
にＧａＮ層２に損傷が生じるおそれもない。このように
無機マスクの開口部のＧａＮ層２の損傷を防止すること
ができることにより、無機マスクを用いたＧａＮ層５の
横方向エピタキシャル成長を良好に行うことができ、結
晶性の良好なＧａＮ層５を成長させることができる。ま
た、無機マスクの形成にドライエッチングを必要とせ
ず、したがってドライエッチング装置を用いる必要がな
いので、その分だけ無機マスクの形成コスト、ひいては
横方向エピタキシャル成長のコストの低減を図ることが
できる。
【００２６】この第１の実施形態による方法は、ＧａＮ
系半導体レーザやＧａＮ系発光ダイオードあるいはＧａ
Ｎ系ＦＥＴの製造におけるＧａＮ系半導体層の成長に適
用して好適なものである。
系半導体レーザやＧａＮ系発光ダイオードあるいはＧａ
Ｎ系ＦＥＴの製造におけるＧａＮ系半導体層の成長に適
用して好適なものである。
【００２７】次に、この発明の第２の実施形態による横
方向エピタキシャル成長方法について説明する。
方向エピタキシャル成長方法について説明する。
【００２８】この第２の実施形態においては、図２Ａに
示すように、まず、例えばｃ面方位のサファイア基板１
１上にＧａＮ層１２をエピタキシャル成長させる。この
ＧａＮ層１２の厚さは例えば１μｍである。このＧａＮ
層１２のエピタキシャル成長には例えばＭＯＣＶＤ法を
用いる。このＧａＮ層１２の成長条件は、第１の実施形
態におけるＧａＮ層２の成長条件と同様である。
示すように、まず、例えばｃ面方位のサファイア基板１
１上にＧａＮ層１２をエピタキシャル成長させる。この
ＧａＮ層１２の厚さは例えば１μｍである。このＧａＮ
層１２のエピタキシャル成長には例えばＭＯＣＶＤ法を
用いる。このＧａＮ層１２の成長条件は、第１の実施形
態におけるＧａＮ層２の成長条件と同様である。
【００２９】次に、図２Ｂに示すように、ＧａＮ層１２
上に、磁石で吸着可能な鉄系材料からなる所定のライン
・アンド・スペース形状の薄い金属マスク１３を設置す
る。この金属マスク１３の厚さは例えば５０μｍであ
る。また、この金属マスク１３のライン幅およびスペー
ス幅は、例えばそれぞれ１０μｍおよび１５μｍであ
る。次に、サファイア基板１１の裏面を十分に強力な磁
石１４と接触させることにより、磁力により金属マスク
１３をＧａＮ層１２に密着固定する。この磁石１４とし
ては、例えば永久磁石を用いる。
上に、磁石で吸着可能な鉄系材料からなる所定のライン
・アンド・スペース形状の薄い金属マスク１３を設置す
る。この金属マスク１３の厚さは例えば５０μｍであ
る。また、この金属マスク１３のライン幅およびスペー
ス幅は、例えばそれぞれ１０μｍおよび１５μｍであ
る。次に、サファイア基板１１の裏面を十分に強力な磁
石１４と接触させることにより、磁力により金属マスク
１３をＧａＮ層１２に密着固定する。この磁石１４とし
ては、例えば永久磁石を用いる。
【００３０】次に、金属マスク１３をＧａＮ層１２に密
着固定したままの状態で、図２Ｃに示すように、基板全
面にＳｉＯ2 膜１５を成膜する。このＳｉＯ2 膜１５の
厚さは例えば０．１μｍである。このＳｉＯ2 膜１５の
成膜には例えばＥＣＲＣＶＤ法を用いる。このＳｉＯ2
膜１５の成膜条件は、第１の実施形態におけるＳｉＯ2
膜４の成膜条件と同様である。このＳｉＯ2 膜１５の成
膜時には、最終的に無機マスクの開口部となる部分のＧ
ａＮ層１２の表面は金属マスク１３で覆われていること
により、損傷の発生が防止される。
着固定したままの状態で、図２Ｃに示すように、基板全
面にＳｉＯ2 膜１５を成膜する。このＳｉＯ2 膜１５の
厚さは例えば０．１μｍである。このＳｉＯ2 膜１５の
成膜には例えばＥＣＲＣＶＤ法を用いる。このＳｉＯ2
膜１５の成膜条件は、第１の実施形態におけるＳｉＯ2
膜４の成膜条件と同様である。このＳｉＯ2 膜１５の成
膜時には、最終的に無機マスクの開口部となる部分のＧ
ａＮ層１２の表面は金属マスク１３で覆われていること
により、損傷の発生が防止される。
【００３１】次に、サファイア基板１１と磁石１４とを
離し、金属マスク１３をＧａＮ層１２から取り外す。こ
れによって、図２Ｄに示すように、ＧａＮ層１２上に直
接成膜されたＳｉＯ2 膜１５のみが残され、ライン・ア
ンド・スペース形状のＳｉＯ2 膜１５が得られる。この
ＳｉＯ2 膜１５のライン幅およびスペース幅は、例えば
それぞれ１５μｍおよび１０μｍである。
離し、金属マスク１３をＧａＮ層１２から取り外す。こ
れによって、図２Ｄに示すように、ＧａＮ層１２上に直
接成膜されたＳｉＯ2 膜１５のみが残され、ライン・ア
ンド・スペース形状のＳｉＯ2 膜１５が得られる。この
ＳｉＯ2 膜１５のライン幅およびスペース幅は、例えば
それぞれ１５μｍおよび１０μｍである。
【００３２】次に、図２Ｅに示すように、以上のように
して形成されたＳｉＯ2 膜１５からなる無機マスクを用
いて例えばＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層１６を横方向エ
ピタキシャル成長により必要な厚さに成長させる。
して形成されたＳｉＯ2 膜１５からなる無機マスクを用
いて例えばＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ層１６を横方向エ
ピタキシャル成長により必要な厚さに成長させる。
【００３３】以上のように、この第２の実施形態によれ
ば、ＧａＮ層１２上に金属マスク１３を磁石１４により
吸着して密着固定し、基板全面にＳｉＯ2 膜１５を成膜
した後、金属マスク１３をＧａＮ層１２から取り外すこ
とにより無機マスクを形成するようにしていることによ
り、無機マスクの形成に必要な工程は、金属マスク１３
の設置、ＳｉＯ2 膜１５の成膜および金属マスク１３の
取り外しの３工程で済み、従来の無機マスクの形成方法
に比べて１工程削減される。このため、その分だけ無機
マスクの形成に要するコストの低減、ひいてはＧａＮ層
１６の成長コストの低減を図ることができる。また、Ｇ
ａＮ層１２上に金属マスク１３を設置した状態でＳｉＯ
2 膜１５の成膜を行っているので、このＳｉＯ2 膜１５
の成膜時に無機マスクの開口部のＧａＮ層１２に損傷が
発生するのを防止することができる。さらに、従来の無
機マスクの形成方法のように無機マスクの形成にドライ
エッチング法によるエッチングを行う必要がないので、
このエッチング時にＧａＮ層１２に損傷が生じるおそれ
もない。このように無機マスクの開口部のＧａＮ層１２
の損傷を防止することができることにより、無機マスク
を用いたＧａＮ層１６の横方向エピタキシャル成長を良
好に行うことができ、結晶性の良好なＧａＮ層１６を成
長させることができる。また、無機マスクの形成にドラ
イエッチングを必要とせず、したがってドライエッチン
グ装置を用いる必要がないので、その分だけ無機マスク
の形成コスト、ひいては横方向エピタキシャル成長のコ
ストの低減を図ることができる。
ば、ＧａＮ層１２上に金属マスク１３を磁石１４により
吸着して密着固定し、基板全面にＳｉＯ2 膜１５を成膜
した後、金属マスク１３をＧａＮ層１２から取り外すこ
とにより無機マスクを形成するようにしていることによ
り、無機マスクの形成に必要な工程は、金属マスク１３
の設置、ＳｉＯ2 膜１５の成膜および金属マスク１３の
取り外しの３工程で済み、従来の無機マスクの形成方法
に比べて１工程削減される。このため、その分だけ無機
マスクの形成に要するコストの低減、ひいてはＧａＮ層
１６の成長コストの低減を図ることができる。また、Ｇ
ａＮ層１２上に金属マスク１３を設置した状態でＳｉＯ
2 膜１５の成膜を行っているので、このＳｉＯ2 膜１５
の成膜時に無機マスクの開口部のＧａＮ層１２に損傷が
発生するのを防止することができる。さらに、従来の無
機マスクの形成方法のように無機マスクの形成にドライ
エッチング法によるエッチングを行う必要がないので、
このエッチング時にＧａＮ層１２に損傷が生じるおそれ
もない。このように無機マスクの開口部のＧａＮ層１２
の損傷を防止することができることにより、無機マスク
を用いたＧａＮ層１６の横方向エピタキシャル成長を良
好に行うことができ、結晶性の良好なＧａＮ層１６を成
長させることができる。また、無機マスクの形成にドラ
イエッチングを必要とせず、したがってドライエッチン
グ装置を用いる必要がないので、その分だけ無機マスク
の形成コスト、ひいては横方向エピタキシャル成長のコ
ストの低減を図ることができる。
【００３４】この第２の実施形態による方法は、特に、
無機マスクのピッチが大きい場合に好適なものである。
また、この第２の実施形態による方法は、第１の実施形
態による方法と同様に、ＧａＮ系半導体レーザやＧａＮ
系発光ダイオードあるいはＧａＮ系ＦＥＴの製造におけ
るＧａＮ系半導体層の成長に適用して好適なものであ
る。
無機マスクのピッチが大きい場合に好適なものである。
また、この第２の実施形態による方法は、第１の実施形
態による方法と同様に、ＧａＮ系半導体レーザやＧａＮ
系発光ダイオードあるいはＧａＮ系ＦＥＴの製造におけ
るＧａＮ系半導体層の成長に適用して好適なものであ
る。
【００３５】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００３６】例えば、上述の第１および第２の実施形態
において挙げた数値、材料、形状、構造、原料、プロセ
スなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これら
と異なる数値、材料、形状、構造、原料、プロセスなど
を用いてもよい。
において挙げた数値、材料、形状、構造、原料、プロセ
スなどはあくまでも例に過ぎず、必要に応じて、これら
と異なる数値、材料、形状、構造、原料、プロセスなど
を用いてもよい。
【００３７】具体的には、上述の第１および第２の実施
形態においては、ＳｉＯ2 膜４、１５の成膜にＥＣＲＣ
ＶＤ法を用いているが、これらのＳｉＯ2 膜４、１５の
成膜には、例えば平行平板型高周波（ＲＦ）プラズマＣ
ＶＤ法（成膜温度は例えば１００℃）を用いてもよい。
形態においては、ＳｉＯ2 膜４、１５の成膜にＥＣＲＣ
ＶＤ法を用いているが、これらのＳｉＯ2 膜４、１５の
成膜には、例えば平行平板型高周波（ＲＦ）プラズマＣ
ＶＤ法（成膜温度は例えば１００℃）を用いてもよい。
【００３８】また、上述の第１および第２の実施形態に
おいては、ＧａＮ層２、５、１２、１６のエピタキシャ
ル成長にＭＯＣＶＤ法を用いているが、これらのＧａＮ
層２、５、１２、１６のエピタキシャル成長には、例え
ばハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）法
を用いてもよい。
おいては、ＧａＮ層２、５、１２、１６のエピタキシャ
ル成長にＭＯＣＶＤ法を用いているが、これらのＧａＮ
層２、５、１２、１６のエピタキシャル成長には、例え
ばハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）法
を用いてもよい。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による横
方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法によれば、
少ない工程数で、したがって低コストで、しかも下地の
基板に損傷を与えることなく、横方向エピタキシャル成
長用マスクを形成することができる。
方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法によれば、
少ない工程数で、したがって低コストで、しかも下地の
基板に損傷を与えることなく、横方向エピタキシャル成
長用マスクを形成することができる。
【００４０】この発明による横方向エピタキシャル成長
方法によれば、少ない工程数で、したがって低コスト
で、しかも下地の基板に損傷を与えることなく、横方向
エピタキシャル成長用マスクを形成することができ、こ
の横方向エピタキシャル成長用マスクを用いて、横方向
エピタキシャル成長を低コストで良好に行うことができ
る。
方法によれば、少ない工程数で、したがって低コスト
で、しかも下地の基板に損傷を与えることなく、横方向
エピタキシャル成長用マスクを形成することができ、こ
の横方向エピタキシャル成長用マスクを用いて、横方向
エピタキシャル成長を低コストで良好に行うことができ
る。
【図１】この発明の第１の実施形態による横方向エピタ
キシャル成長方法を説明するための断面図である。
キシャル成長方法を説明するための断面図である。
【図２】この発明の第２の実施形態による横方向エピタ
キシャル成長方法を説明するための断面図である。
キシャル成長方法を説明するための断面図である。
１、１１・・・サファイア基板、２、５、１２、１６・
・・ＧａＮ層、３・・・レジストパターン、４、１５・
・・ＳｉＯ2 膜、１３・・・金属マスク、１４・・・磁
石
・・ＧａＮ層、３・・・レジストパターン、４、１５・
・・ＳｉＯ2 膜、１３・・・金属マスク、１４・・・磁
石
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AA04 AA08 AA10 AB14 AB17 AB18 AB32 AB33 AC01 AC08 AC11 AC12 AC17 AD04 AD11 AD12 AD13 AD14 AE15 AE25 AF09 AF13 AF20 BB08 BB12 BB16 EB19 EH13 HA11 5F052 DA04 DB01 EA15 EA16 GB06 GC06 JA08 5F058 BA20 BB06 BF07 BF09 BF23 BF29 BF46 BH20 BJ01
Claims (18)
- 【請求項１】 基板上に横方向エピタキシャル成長用マ
スクとして無機マスクを形成するようにした横方向エピ
タキシャル成長用マスクの形成方法において、 上記基板上にリフトオフ法により上記無機マスクを形成
するようにしたことを特徴とする横方向エピタキシャル
成長用マスクの形成方法。 - 【請求項２】 上記無機マスクが酸化シリコン膜または
窒化シリコン膜からなることを特徴とする請求項１記載
の横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法。 - 【請求項３】 上記酸化シリコン膜または窒化シリコン
膜がヘリコン波プラズマ化学気相成長法または電子サイ
クロトロン共鳴プラズマ化学気相成長法により成膜され
たものであることを特徴とする請求項２記載の横方向エ
ピタキシャル成長用マスクの形成方法。 - 【請求項４】 上記横方向エピタキシャル成長用マスク
が少なくともＧａとＮとを含む化合物膜の成長に用いら
れるものであることを特徴とする請求項１記載の横方向
エピタキシャル成長用マスクの形成方法。 - 【請求項５】 基板上に横方向エピタキシャル成長用マ
スクとして無機マスクを形成するようにした横方向エピ
タキシャル成長用マスクの形成方法において、 上記基板上に横方向エピタキシャル成長用マスクの反転
パターン形状を有するマスクを設置し、上記マスクの上
から上記無機マスク形成用の無機材料を成膜または塗布
した後、上記マスクを上記基板から取り外すことにより
上記無機マスクを形成するようにしたことを特徴とする
横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法。 - 【請求項６】 上記無機材料が酸化シリコンまたは窒化
シリコンであることを特徴とする請求項５記載の横方向
エピタキシャル成長用マスクの形成方法。 - 【請求項７】 上記酸化シリコンまたは窒化シリコンが
ヘリコン波プラズマ化学気相成長法または電子サイクロ
トロン共鳴プラズマ化学気相成長法により成膜されたも
のであることを特徴とする請求項６記載の横方向エピタ
キシャル成長用マスクの形成方法。 - 【請求項８】 上記マスクを磁力により上記基板上に固
定するようにしたことを特徴とする請求項５記載の横方
向エピタキシャル成長用マスクの形成方法。 - 【請求項９】 上記横方向エピタキシャル成長用マスク
が少なくともＧａとＮとを含む化合物膜の成長に用いら
れるものであることを特徴とする請求項５記載の横方向
エピタキシャル成長用マスクの形成方法。 - 【請求項１０】 基板上に横方向エピタキシャル成長用
マスクとして無機マスクを形成し、上記無機マスクを用
いて上記基板上に横方向エピタキシャル成長を行うよう
にした横方向エピタキシャル成長方法において、 上記基板上にリフトオフ法により上記無機マスクを形成
するようにしたことを特徴とする横方向エピタキシャル
成長方法。 - 【請求項１１】 上記無機マスクが酸化シリコン膜また
は窒化シリコン膜からなることを特徴とする請求項１０
記載の横方向エピタキシャル成長方法。 - 【請求項１２】 上記酸化シリコン膜または窒化シリコ
ン膜がヘリコン波プラズマ化学気相成長法または電子サ
イクロトロン共鳴プラズマ化学気相成長法により成膜さ
れたものであることを特徴とする請求項１０記載の横方
向エピタキシャル成長方法。 - 【請求項１３】 少なくともＧａとＮとを含む化合物膜
の横方向エピタキシャル成長を行うようにしたことを特
徴とする請求項１０記載の横方向エピタキシャル成長方
法。 - 【請求項１４】 基板上に横方向エピタキシャル成長用
マスクとして無機マスクを形成し、上記無機マスクを用
いて上記基板上に横方向エピタキシャル成長を行うよう
にした横方向エピタキシャル成長方法において、 上記基板上に横方向エピタキシャル成長用マスクの反転
パターン形状を有するマスクを設置し、上記マスクの上
から上記無機マスク形成用の無機材料を成膜または塗布
した後、上記マスクを上記基板から取り外すことにより
上記無機マスクを形成するようにしたことを特徴とする
横方向エピタキシャル成長方法。 - 【請求項１５】 上記無機材料が酸化シリコンまたは窒
化シリコンであることを特徴とする請求項１４記載の横
方向エピタキシャル成長方法。 - 【請求項１６】 上記酸化シリコンまたは窒化シリコン
がヘリコン波プラズマ化学気相成長法または電子サイク
ロトロン共鳴プラズマ化学気相成長法により成膜された
ものであることを特徴とする請求項１５記載の横方向エ
ピタキシャル成長方法。 - 【請求項１７】 上記マスクを磁力により上記基板上に
固定するようにしたことを特徴とする請求項１４記載の
横方向エピタキシャル成長方法。 - 【請求項１８】 少なくともＧａとＮとを含む化合物膜
の横方向エピタキシャル成長を行うようにしたことを特
徴とする請求項１４記載の横方向エピタキシャル成長方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10221535A JP2000058454A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10221535A JP2000058454A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058454A true JP2000058454A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16768251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10221535A Pending JP2000058454A (ja) | 1998-08-05 | 1998-08-05 | 横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058454A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008032873A1 (fr) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Procédé pour fabriquer un substrat cristallin épitaxial semi-conducteur |
| JP2009514187A (ja) * | 2003-06-24 | 2009-04-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積回路デバイス内の相互接続構造体 |
| JP2015192147A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | ツィンファ ユニバーシティ | エピタキシャル構造体の製造方法 |
| CN109119329A (zh) * | 2018-07-16 | 2019-01-01 | 华天慧创科技（西安）有限公司 | 一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法 |
-
1998
- 1998-08-05 JP JP10221535A patent/JP2000058454A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009514187A (ja) * | 2003-06-24 | 2009-04-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積回路デバイス内の相互接続構造体 |
| JP4763600B2 (ja) * | 2003-06-24 | 2011-08-31 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | エッチング・パターンを形成する方法及びデュアル・ダマシン相互接続構造体を形成する方法 |
| WO2008032873A1 (fr) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Procédé pour fabriquer un substrat cristallin épitaxial semi-conducteur |
| JP2008098603A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体エピタキシャル結晶基板の製造方法 |
| GB2456437A (en) * | 2006-09-15 | 2009-07-22 | Sumitomo Chemical Co | Method for manufacturing semiconductor epitaxial crystal substrate |
| US7951685B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-05-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for manufacturing semiconductor epitaxial crystal substrate |
| TWI417414B (zh) * | 2006-09-15 | 2013-12-01 | Sumitomo Chemical Co | 半導體磊晶結晶基板的製造方法 |
| JP2015192147A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | ツィンファ ユニバーシティ | エピタキシャル構造体の製造方法 |
| CN109119329A (zh) * | 2018-07-16 | 2019-01-01 | 华天慧创科技（西安）有限公司 | 一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5880485A (en) | Semiconductor device including Gallium nitride layer | |
| US7713812B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor thin film | |
| US8008170B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| US8247314B2 (en) | Methods for improving the quality of structures comprising semiconductor materials | |
| JP5371430B2 (ja) | 半導体基板並びにハイドライド気相成長法により自立半導体基板を製造するための方法及びそれに使用されるマスク層 | |
| US8329565B2 (en) | Methods for improving the quality of structures comprising semiconductor materials | |
| US7682944B2 (en) | Pendeo epitaxial structures and devices | |
| US7687378B2 (en) | Fabricating method of nitride semiconductor substrate and composite material substrate | |
| JP2006523033A (ja) | シリコン上に単結晶ＧａＮを成長させる方法 | |
| US7708832B2 (en) | Method for preparing substrate for growing gallium nitride and method for preparing gallium nitride substrate | |
| JP2015061818A (ja) | 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減 | |
| US20050164475A1 (en) | Technique for perfecting the active regions of wide bandgap semiconductor nitride devices | |
| US8158496B2 (en) | Method for preparing compound semiconductor substrate | |
| US20190157068A1 (en) | Stacking-fault-free semipolar or nonpolar group iii-nitride substrates | |
| JP2000058454A (ja) | 横方向エピタキシャル成長用マスクの形成方法および横方向エピタキシャル成長方法 | |
| JP2001148348A (ja) | ＧａＮ系半導体素子とその製造方法 | |
| JP4451606B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| US20210175077A1 (en) | Semipolar or nonpolar group iii-nitride substrates | |
| KR100359739B1 (ko) | 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법 | |
| JP2001288000A (ja) | 半導体薄膜結晶の製造方法 | |
| US20050136564A1 (en) | Method of laterally growing GaN with indium doping | |
| CN111052306B (zh) | 衬底及其制备方法 | |
| KR20070094344A (ko) | 유전체 ｄｂｒ을 구비한 질화물계 발광소자 및 이의제조방법 | |
| KR100844767B1 (ko) | 질화물 기판 제조 방법 | |
| WO2021026751A1 (zh) | 氮化物半导体衬底的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20041222 |