JP2015061818A - 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減 - Google Patents

非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減 Download PDF

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Abstract

【課題】非極性のａ平面窒化ガリウム薄膜の螺旋転位密度を減少させる横方向エピタキシャル過剰成長（ＬＥＯ）法の提供。【解決手段】ＬＥＯ法であって、（ａ）非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜上に誘電性再成長マスク堆積する工程１０２、（ｂ）堆積されたマスクをパターン化する工程１０４、および（ｃ）選択的な再成長１０８を行い、パターン化マスクに基づく過剰成長を達成する工程１１０、を包含する。この方法において、非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜は、シード層を含み得る。【選択図】図１

Description

（関連出願の引用）
本願は、米国特許法第１１９条第（ｅ）項のもとで、以下の同時係属中の、同一人に譲渡された米国仮特許出願番号６０／３７２，９０９（発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＡＮＤ ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、２００２年４月１５日出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒ，Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，Ｔａｌ Ｍａｒｇａｌｉｔｈ，Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ，Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ，およびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈａｒａ、代理人文書番号３０７９４．９５−ＵＳ−Ｐ１）の利益を主張する。この出願は、本明細書中に参考として援用される。
本願は、以下の同時係属中の、同一人に譲渡された米国特許出願に関する：
出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ（ＡＬ，Ｂ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＱＵＡＮＴＵＭ ＷＥＬＬ ＡＮＤ ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ、Ｓｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒ、Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ． ＤｅｎＢａａｒｓ、Ｔａｌ Ｍａｒｇａｌｉｔｈ、Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｈｕｊｉ ＮａｋａｍｕｒａおよびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、代理人文書番号３０７９４．１０１−ＵＳ−Ｕ１）；ならびに
出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ Ａ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＧＲＯＷＮ ＢＹ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．ＣｒａｖｅｎおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、代理人文書番号３０７９４．１００−ＵＳ−Ｕ１）；
これらの出願の両方が、本明細書中に参考として援用される。
（１．発明の分野）
本発明は、半導体材料、方法、およびデバイスに関し、そしてより具体的には、非極性窒化ガリウム（ＧａＮ）薄層における転位低減に関する
（２．関連技術の説明）
（注：本願は、多数の異なる特許、出願および／または刊行物を、１つ以上の参照番号によって、本明細書全体に示されるように参照する。これらの異なる刊行物の、これらの参照番号に従った順序にしたリストは、以下の「参考文献」の表題の節に見出され得る。これらの刊行物の各々は、本明細書中に参考として援用される）。
現在の窒化物ベースのデバイスは、極性［０００１］ｃ方向に沿って成長したヘテロ構造を用い、成長方向に対して平行な強い静電場の形成を生じる。参考文献１〜７を参照のこと。「一体型（ｂｕｉｌｔ−ｉｎ）」静電場は、ｃ−平面（０００１）窒化物構造内の表面および界面における分極不連続性に関連する一定のシート電荷により生じる。
これらの分極誘導性電場は、現在の最新技術の光電子窒化物デバイスおよび電子窒化物デバイスの性能に影響を与える。例えば、分極場は、量子井戸（ＱＷ）構造における電子およびホールの波動関数を空間的に分離し、それによって、ＱＷベースのデバイス（例えば、レーザーダイオードおよび発光ダイオード（ＬＥＤ））におけるキャリアの再結合効率を減少させる。さらに、分極場は、窒化物ヘテロ構造を用いるトランジスタ構造において大きな可動シート電荷密度を誘導する。全分極における不連続性は、対応する界面または表面において一定のシート電荷の形成を生じる。
非極性ウルツ窒化物半導体フィルムのエピタキシャル成長は、窒化物の量子構造における分極誘導性電場の効果を排除する有望な手段を提供する。上記の関連の出願において、非極性
Figure 2015061818
ａ平面ＧａＮ膜（本明細書中で、ａ−ＧａＮと呼ばれる）は、金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）によって、
Figure 2015061818
ｒ平面サファイア基板上で成長された。参考文献１３を参照のこと。しかし、これらの膜に存在するスレッディング転位密度は、約２．６×１０１０ｃｍ−２であると決定されている。
非極性窒化物層の利点を十分に理解するために、エピタキシャル膜の質の改良が必要であり、特に、転位密度の低減が必要である。詳細には、これらの膜の結晶の質を改良することは、分極誘導性電場を伴わずに作動する高性能窒化物デバイスの実現に必須である。
種々の技術が示されているが、転位の低減は、横方向に過剰成長した極性ＧａＮ膜において広範に研究されている。参考文献８〜１１を参照のこと。種々の横方向過剰成長技術により得られる低転位密度基板は、窒化物ベースのオプトエレクトロニクスの顕著な性能、もっとも注目すべきは、長寿命の持続波ＩｎＧａＮレーザーダイオードを直接的に担っている。参考文献１２を参照のこと。
横方向過剰成長技術は、従来技術において周知である。例えば横方向過剰成長技術は、極性ｃ平面（０００１）ＧａＮ膜の転位低減について徹底的に研究されている。特定の過剰成長技術としては、横方向エピタキシャル過剰成長（ＬＥＯ）（これはまた、エピタキシャル横方向過剰成長（ＥＬＯまたはＥＬＯＧ）としても公知である）、およびＰＥＮＤＥＯ（登録商標）エピタキシーが上げられる。これらのプロセスの間の差に関わらず、転位の低減は、一般的な機構、主に、マスクブロッキングおよび転位湾曲によって達成される。参考文献１１および１９を参照のこと。
しかし、本発明は、ＧａＮ膜のためのこれらの方法の新規な適用である。詳細には、本発明は、ａ−ＧａＮシード層を使用するＬＥＯ法を記載し、これはスレッディング転位低減を達成する。低転位密度ａ−ＧａＮは、高性能分極誘導性場を含まない（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎベースのデバイスのための緩衝層として使用され得る。
本発明は、例えば、以下を提供する：
（項目１）
非極性のａ平面窒化ガリウム薄膜において、螺旋転位密度を減少する方法であって、以下の工程
（ａ）非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜上に誘電性再成長マスク堆積する工程；
（ｂ）堆積された該マスクをパターン化する工程；および
（ｃ）選択的な再成長を行い、該パターン化マスクに基づく過剰成長を達成する工程、
を包含する、方法。
（項目２）
上記非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜がシード層を含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
上記堆積する工程が、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）によって、上記非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜上に誘電性再成長マスクを堆積する工程を包含する、項目１に記載の方法。
（項目４）
上記堆積されたマスクが、種々の結晶学的方向に方向付けられた長く狭いストライプの開口部でパターン化される、項目１に記載の方法。
（項目５）
上記過剰成長が、横方向過剰成長した、ストライプを形成した窒化ガリウムを含む、項目１に記載の方法。
（項目６）
上記行う工程は、上記窒化ガリウムの選択的な再成長を行い、パターン化マスクに基づく過剰成長を達成する工程を包含し、そして上記窒化ガリウムが、垂直な成長方向に対して垂直な方向でマスク中で横方向過剰成長する前に、該マスク中の開口部を通って垂直に初めに成長する、項目１に記載の方法。
（項目７）
上記横方向過剰成長領域が、上記マスク中の開口部を通って垂直に成長する領域と比較して、減少した転位密度を含む、項目６に記載の方法。
（項目８）
上記転位が、成長フィルムへの垂直方向の転位の広がりをブロックするマスクによって過剰成長領域が減少される、項目７に記載の方法。
（項目９）
上記転位が、垂直な成長から横方向成長までの移行を介して転位の屈曲によって過剰成長領域が減少される、項目７に記載の方法。
（項目１０）
上記過剰成長が、横方向エピタキシャルな過剰成長を使用して行われる、項目１に記載の方法。
（項目１１）
上記過剰成長が、以下：片持ちばりエピタキシー、二重横方向エピタキシャル過剰成長（ｄｏｕｂｌｅ ｌａｔｅｒａｌ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ：二重ＬＥＯ）およびＳｉＮナノマスキングからなる群から選択される方法を使用して行われる、項目１に記載の方法。
（項目１２）
項目１に記載の方法を使用して作製されたデバイス。
（発明の要旨）
非極性
Figure 2015061818
ａ−平面ＧａＮ薄膜の横方向エピタキシャル過剰成長は、ＧａＮ膜におけるスレッディング転位を低減する。第１に、薄いパターン化誘電性マスクが、シード層に適用される。第２に、選択的エピタキシャル再成長が実施されて、パターン化マスクを基礎として横方向過剰成長ベースが達成される。再成長の際、ＧａＮ膜は、最初に、誘電性マスク中の開口部を通って垂直方向に成長し、その後、この垂直成長方向に対して垂直の方向でこのマスクを横方向に過剰成長させる。スレッディング転位は、（１）成長中の膜に向かう垂直方向の転位の伝達をブロックするマスク、および（２）垂直から横方向への成長の移行による転位の湾曲によって、過剰成長領域において低減される。
ここで、図面が参照される。図面において、類似の参照番号は、全体にわたって、対応する部品を表す。
図１は、本発明の好ましい実施形態に従う、平面ヘテロエピタキシャル「シード」層の横方向過剰成長によるａ−ＧａＮにおけるスレッディング転位密度を低減するための工程を示すフローチャートである。 図２は、ａ−ＧａＮ ＬＥＯワゴンホイールパターンの半分を示す平面走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像写真である。 図３（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ、
Figure 2015061818
に対して平行に配向された３つのストライプの傾けられた図を含む一連のＳＥＭ画像である。
図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、
Figure 2015061818
ストライプの断面ＴＥＭ画像である。
図５（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、
Figure 2015061818
に対して平行に配向されたストライプの平面多色ＣＬ画像であり、一方、図５（ｄ）は、図５（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の結晶学的配向を示す。
（発明の詳細な説明）
以下の好ましい実施形態の説明において、添付の図面に対して参照がなされる。この図面は、本明細書の一部を形成し、そしてこの図面において、例として、本発明が実施され得る特定の実施形態が説明され得る。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態が利用され得、そして構造的変化がなされ得ることが、理解されるべきである。
（概説）
本発明は、ａ−ＧａＮにおけるスレッディング転位密度を、平面ヘテロエピタキシャル「シード」層の横方向過剰成長によって低減する。横方向過剰成長技術は、２つのＭＯＣＶＤ成長（最初のヘテロエピタキシャル成長および横方向過剰成長を構成する再成長）の間の処理工程を必要とする。第１に、薄いパターン化された誘電性マスクが、シード層に適用される。再成長の際、ＧａＮは、最初に、この誘電性マスク中の開口部を通って垂直に成長し、その後、この垂直成長方向に対して垂直の方向で、このマスクを横方向に過剰成長させる。適切なマスクおよび再成長条件を用いて、転位密度が、このマスク中の開口部を通って垂直に成長した領域と比較して、横方向過剰成長領域において低減される。転位は、（１）成長中の膜に向かう垂直方向の転位の伝達をブロックするマスク、および（２）垂直から横方向への成長の移行による転位の湾曲によって、過剰成長領域において低減される。
（プロセス工程）
図１は、本発明の好ましい実施形態に従う、平面ヘテロエピタキシャル「シード」層の横方向過剰成長によるａ−ＧａＮにおけるスレッディング転位密度を低減するための工程を示すフローチャートである。
ブロック１００は、同時係属中の、同一人に譲渡された米国仮特許出願番号６０／３７２，９０９（発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＡＮＤ ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、２００２年４月１５日出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒ，Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，Ｔａｌ Ｍａｒｇａｌｉｔｈ，Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ，Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ，およびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈａｒａ、代理人文書番号３０７９４．９５−ＵＳ−Ｕ１）、ならびに同時係属中の、同一人に譲渡された米国特許出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ Ａ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＧＲＯＷＮ ＢＹ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．ＣｒａｖｅｎおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、代理人文書番号３０７９４．１００−ＵＳ−Ｕ１）（これらの出願の両方は、本明細書中で参考として援用される）に記載されるように、ＭＯＣＶＤによって、
Figure 2015061818
ｒ平面サファイア基板上における、非極性
Figure 2015061818
ａ平面ＧａＮ薄膜の成長を表す。ヘテロエピタキシャル成長した非極性
Figure 2015061818
ａ平面ＧａＮ薄膜は、本発明の横方向過剰成長のための「シード層」を含む。
ブロック１０２は、非極性
Figure 2015061818
 ａ平面ＧａＮフィルム上に、プラズマ増強化学的蒸着堆積（ＰＥＣＶＤ）を介して誘電性再成長マスク（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒｅｇｒｏｗｔｈ ｍａｓｋ）を堆積させる工程を示す。好ましい実施形態において、このマスクは、２００ナノメートル（ｎｍ）のＳｉＯ２から構成されるが、これに限定されない。
ブロック１０４は、堆積されたマスクをパターン化する工程を表し、ここで、このパターンは、従来の光リソグラフィー技術および緩衝化されたフッ化水素酸を用いる湿式エッチングを使用してＳｉＯ２に移される。好ましくは、堆積されたマスクは、種々の結晶学的方向で配向された長く、狭いストライプ開口部によりパターン化される。
マスクをパターン化した後、ブロック１０６は、溶媒を使用してサンプルを洗浄する工程を表す。
ブロック１０８は、選択的エピタキシャル再成長を実施して、パターン化されたマスクに基づく横方向過剰成長を達成する工程を表し、ここで、窒化ガリウムは、初期はマスクにおける開口部を通って垂直に成長し、その後、垂直な成長方向に対して垂直な方向でマスクを横方向に過剰成長させる。転位密度は、マスクにおける開口部を通って垂直に成長する領域と比較して、垂直に過剰成長した領域において減少される。さらに成長フィルムへの垂直方向での転位の広がりをブロックするマスクによって、および、垂直から横方向への成長の移行による転位の屈曲によって、転位は過剰成長領域において減少される。
好ましくは、ブロック１０８は、サファイア基板上でのヘテロエピタキシャル成長に使用される条件と同じ反応器条件（すなわち、約１１００℃成長温度。約１３００Ｖ／ＩＩＩ速度、および約０．１気圧（ａｔｍ）成長圧力）を使用するが、改変された条件が使用され得る。
ブロック１１０は、得られる横方向過剰成長を表し、ここで、この横方向過剰成長は、基礎となるマスクパターンによって決定されるように、ストライプを形成した横方向に過剰成長したＧａＮを含む。過剰成長ストライプ形態学は、マスクストライプの結晶学的配向に依存する。例えば、
Figure 2015061818
に対して整列されたストライプは、矩形の断面を有し、そして、過剰成長領域においてかなりの転位の減少を示す。
この方法を使用して製造され得る可能なデバイスとしては、レーザーダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、共鳴空洞ＬＥＤ（ＲＣ−ＬＥＤ）、垂直空洞表面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合双極トランジスタ（ＨＢＴ）、ヘテロ接合場効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）、ならびにＵＶ光検出器および近ＵＶ光検出器が挙げられる。
（実験結果）
横方向エピタキシャル過剰成長が、非極性
Figure 2015061818
 ａ平面ＧａＮフィルムの螺旋転位（ｔｈｒｅａｄｉｎｇ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）密度を首尾良く減少させたという実験結果が、見出された。この節では、形態学および欠損減少の結晶学的ストライプ配向に対する依存性を報告する。
［０００１］および
Figure 2015061818
に沿って整列されたストライプは、最も好ましいａ平面ＧａＮ ＬＥＯストライプ配向であり、良く整えられた（ｗｅｌｌ−ｂｅｈａｖｅｄ）対称的な形態学を保有する。マスクブロッキングを介する螺旋転位減少を、最適な矩形断面を有する
Figure 2015061818
ストライプに対する透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察した。カソードルミネセンス（ＣＬ）研究は、ウィンドウ領域と比較して過剰成長領域に対して増加した発光を示した。これらのストライプの横方向過剰成長の程度は、垂直ｃ平面サイドウォールの反体の極性に起因して非対称的であった。逆に、螺旋転位は、同時に存在する曲がったかつ垂直な
Figure 2015061818
面を保有する［０００１］ストライプの対称的な過剰成長領域に広がった。
ストライプの形態学をＪＥＯＬ ６３００ＴＭ場放射走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を使用し、５ｋＶで操作して観察した。横方向過剰成長の微小構造を、ＪＥＯＬ ２０００ＦＸＴＭ透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を使用し２００ｋＶで操作して、断面において研究した。カソードルミネセンス（ＣＬ）画像を、室温でＪＥＯＬ ６３００ＴＭ ＦＥ−ＳＥＭに装着されたＧａｔａｎ ＭｏｎｏＣＬＴＭを使用して得、そして横方向過剰成長ストライプからのルミネセンスの空間マップを提供した。
横方向に過剰成長したｃ平面ＧａＮについて示されるように、マスクストライプ開口部の結晶学的配向は、これゆえに、横方向過剰成長の特徴を形成する面を記載する。参考文献１４を参照のこと。横方向に過剰成長したａ−ＧａＮの配向依存性を調査するために、ＳｉＯ２マスクを「ワゴンホイール」設計を形成する矩形マスク開口部（ウィンドウ）の任意のアレイによりパターン化した。ワゴンホイールパターンを作製するウィンドウは、５μｍ幅および５°間隔で配向し、その結果、結晶学的マスク配向の範囲は、単一のＭＯＣＶＤ成長を実行することで分析し得た。この実験設計は、線形マスク開口部から横方向に過剰成長したｃ−平面ＧａＮの初期調査に使用した設計と類似する。参考文献１４および１５を参照のこと。
図２は、ａ−ＧａＮ ＬＥＯワゴンホイールパターンの半分を示す平面図操作電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像モンタージュである。この角度は、０°がＧａＮ ｃ−軸［０００１］に対応するワゴンホイールパターンへの参照を容易にするように含まれる。（ｃ−ＧａＮ表面に対して）ａ−ＧａＮ表面の減少した対称性は、図２に示されるストライプ配向依存性において明らかである。この図は、単一のワゴンホイールパターンの１８０°図である。主に、この平面図ＳＥＭ画像は、横方向過剰成長が、全ての可能なストライプ配向に対して生じたことを示す。より近くで検査する際に、３つのストライプ配向は、切子面にされたサイドウォールを伴うことなく均一の形態学を有し：［０００１］に対して平行、ＧａＮ ｃ−軸から４５°離れている、およびＧａＮ ｃ−軸に対して垂直方向（
Figure 2015061818
方向に対して平行）。ｃ−軸から４５°離れて配向したストライプは、
Figure 2015061818
ストライプとして指標とされる。なぜなら、この結晶学的方向は、ｃ−軸との角度を４６．８°にするためである。図２は、［０００１］から
Figure 2015061818
まで変化したストライプ配向のように、ストライプ幅が、最大幅がｃ−軸から７０°離れて整列したストライプに達するまで増加したことを示す。この最大に達した後に、ストライプ幅は、
Figure 2015061818
に達するまで減少した。特定の結晶学的指標付けは、ｃ−ＧａＮと比較して、このフィルム／基板系の減少した対称性に起因して、この説明全体を通して一致して使用されることに留意のこと。
ａ−ＧａＮ ＬＥＯ形態学に対するストライプ配向の効果を明確に観察するために、さらなる斜視図が必要である。図３（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ［０００１］、
Figure 2015061818
に対して平行に配向した３つのストライプの曲がった図による一連のＳＥＭ画像である。ここで、これらの画像は、図２における０°、４５°、および９０°の配向標識に対応する（そして、５５μｍに相当するスケールバーを有する）。
使用される成長条件について、［０００１］および
Figure 2015061818
のストライプは、曲がったサイドウォールおよび垂直なサイドウォールの種々の組み合わせを有した。特に、対称的な形態学を［０００１］ストライプについて観察し、一方、
Figure 2015061818
ストライプは、１つの微小切子面垂直
Figure 2015061818
サイドウォールおよび１つの曲がった
Figure 2015061818
サイドウォールを有する非対称的な形態学を有した。［０００１］ストライプは、
Figure 2015061818
平面の同じ結晶学的ファミリーからの同時に存在する垂直面および曲がった面を有した。逆に、
Figure 2015061818
ストライプは、垂直な（０００１）基礎平面サイドウォールを有する矩形断面を有した。全体的に、［０００１］配向および
Figure 2015061818
ストライプ配向は、均一で対称的な形態学を生じた。
図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、
Figure 2015061818
ストライプの断面ＴＥＭ画像であり、ここで、図４（ａ）は、非対称的な過剰成長領域における螺旋転位減少を示す。図４（ａ）において破線四角によって規定されるマスク縁部領域の拡大図が、図４（ｂ）
Figure 2015061818
ストライプおよび図４（ｃ）
Figure 2015061818
ストライプについて示される。この転位線は、ウィンドウ領域から［０００１］に沿って整列したストライプに対する過剰成長領域へ屈曲し、この間、転位屈曲は、
Figure 2015061818
ストライプについては観察されない。図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、種々の回折条件での明瞭場画像である：図４（ａ）ｇ＝
Figure 2015061818
、図４（ｂ）ｇ＝０００６、および図４（ｃ）ｇ＝
Figure 2015061818
。画像化されたストライプは、平行なストライプパターン（および、ワゴンホイールパターンではない）からのもであるが、類似の形態学をマスクストライプパターンに関わらず観察した。
螺旋転位（ｔｈｒｅａｄｉｎｇ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ：ＴＤ）の減少は、図４（ａ）に断面ＴＥＭ画像に示されるように、
Figure 2015061818
に沿って整列したＬＥＯストライプについて観察された。転位が、図４（ｂ）に示されるよに、横方向の過剰成長の方向へ屈曲することが観察されないので、マスクブロッキングは、主な転位減少機構である。
Figure 2015061818
ストライプと異なり、図４（ｃ）は、転位が［０００１］に沿って整列するストライプの過剰成長領域へと広がったことを示す。この転位屈曲の正確な起源は、未だ未知であるが、［０００１］ストライプ方向について曲げられた面の安定性は、重要な役割を果す。
ＴＤ減少に加えて、図４（ａ）は、
Figure 2015061818
ストライプに対する横方向過剰成長速度における非対称を明らかにする。極性のｃ平面サイドウォールの存在は、この非対称を説明する。ストライプ方向に対して垂直な極性軸で、１つのサイドウォールは、＋ｃ平面またはＧａ−面であり、一方、反対のサイドウォールは、−ｃ平面またはＮ−面である。予期されるように、Ｇａ−面サイドウォールは、成長条件に依存して約１０倍Ｎ−面サイドウォールよりも速く成長する。ｒサファイア上のａ−ＧａＮの極性は、収束性ビーム電子回折測定を使用して以前に測定されたことが記載される。参考文献１３を参照のこと。極性は、
Figure 2015061818
ストライプの横方向過剰成長にこのような有意な効果を有するので、図２および３において観察される非対称な形態学が、構造の低い対称性に関連し得る。
極性ＧａＮに対する横方向過剰成長の非対称性のさらなる証拠は、［０００１］、
Figure 2015061818
および
Figure 2015061818
のＬＥＯストライプの平面多色ＣＬ画像によって提供された。図５（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、［０００１］、
Figure 2015061818
および
Figure 2015061818
に対して平行に配向されたストライプの平面多色ＣＬ画像であり、一方、図５（ｄ）は、図５（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に対して結晶学的方向を図示する。ＣＬ画像は、図３（ａ）、（ｂ）および（ｃ）におけるＳＥＭによって画像化されたストライプに直接的に対応して、図５（ａ）〜（ｃ）に示した（そして、５５μｍを示すスケールバーを有する）。各ストライプ方向内での斑点領域は、ＳｉＯ２マスクにおけるウィンドウを規定し、ＴＤは、ＬＥＯストライプの上面に妨げられずに延びる。このＣＬ特徴は、極性ＧａＮ ＬＥＯストライプに観察された。参考文献１６〜１８を参照のこと。斑点領域は、［０００１］ストライプの全体の幅を横切って伸び、これは、このストライプの方向に対して横方向過剰成長領域への転位屈曲のＴＥＭ観察に対応する。図５（ａ）〜（ｃ）に示される［０００１］ストライプは、わずかな横方向過剰成長を有するにもかかわらず、同様の条件下で成長した幅広いストライプのＣＬ測定は、図４（ｃ）において観察される転位屈曲を確立した。
Figure 2015061818
ストライプの過剰成長領域からの均一なルミネセンスは、これらの領域が相対的にＴＤを含まないことを確認する。
Figure 2015061818
ストライプの横方向過剰成長速度に対する極性の効果がまた、明らかに観察される。
要約すると、非極性
Figure 2015061818
ａ平面ＧａＮフィルムのＬＥＯは、証明され、そしてＴＤ密度の減少が達成された。低対称性のａ−ＧａＮ表面は、結晶学的ストライプ整列に依存したＬＥＯストライプ形態学を示した。２つの主な方向（［０００１］および
Figure 2015061818
）は、均一な対称性ストライプ形態学を有することが観察され；
Figure 2015061818
 ストライプは、垂直なサイドウォールを有し、一方、［０００１］ストライプは、同時に存在する垂直なサイドウォールおよび曲がったサイドウォールを有した。転位減少は、
Figure 2015061818
ストライプ中で達成され、一方、転位は、［０００１］ストライプの横方向過剰成長領域へと広がった。［０００１］と
Figure 2015061818
との間の方向（非対称性のストライプ形態学）が、観察された。非極性の横方向成長方向を有する［０００１］ストライプを除いて、全てのストライプは、非対称性の横方向成長速度を示した。継続中の研究は、非極性ＧａＮ ＬＥＯの独特な構造的特性の調査を続ける。
（参考文献）
以下の参考文献が、本明細書中に参考として援用される：
Figure 2015061818
Figure 2015061818
Figure 2015061818
（結論）
これは、発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。以下は、本発明を達成するための、いくつかの代替の実施形態を記載する。
横方向過剰成長技術の重大な局面は、誘電性のマスク特異性およびＭＯＣＶＤ再成長条件である。種々の誘電性材料、堆積技術およびパターン化方法を使用して、横方向過剰成長に有効なマスクを組みたて得る。さらに、マスクパターンの方向、設計および寸法を改変することは、後の横方向過剰成長の特性を最終的に決定する。転位減少を達成し、そしてマスクを完全に過剰成長するために横方向過剰成長の十分な制御は、必要であり、その結果、平面フィルムは再形成される。横方向過剰成長の特定の詳細（横方向〜垂直の成長速度比およびサイドウォール面の安定性を含む）は、ＭＯＣＶＤ再成長条件によって制御される。ＭＯＣＶＤ成長条件は、反応器に依存性であり、そして特定の反応器設計の間で変動し得る。成長温度、成長圧力、Ｖ／ＩＩＩ比、前駆体フロー、および原料のような条件における基礎的なバリエーションが、本発明の可能な改変である。
さらに、転位減少はまた、代替の過剰成長方法を使用して達成され得る。例えば、片持ちばりエピタキシー、二重横方向エピタキシャル過剰成長（ｄｏｕｂｌｅ ｌａｔｅｒａｌ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ：二重ＬＥＯ）およびＳｉＮナノマスキング技術は、横方向エピタキシャル過剰成長に対する代替として使用され得る。
さらに、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜が、本明細書中に記載されるが、同じ技術が、非極性のｍ平面ＧａＮ薄膜に対して適用可能である。さらに、非極性のＩｎＮ薄膜、ＡｌＮ薄膜、およびＡｌＩｎＧａＮ薄膜が、ＧａＮ薄膜の代わりに使用され得る。
最後に、サファイア基板以外の基板が、非極性ＧａＮ成長のために使用され得る。これらの基板としては、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素、酸化亜鉛、窒化ホウ素、アルミン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ゲルマニウム、窒化アルミニウム、およびガリウム酸リチウムが挙げられる。
要約すると、本発明は、螺旋転位減少を生じる非極性
Figure 2015061818
ａ平面ＧａＮシード層の横方向エピタキシャル過剰成長を記載する。第１に、薄いパターン化した誘電性マスクが、シード層に適用される。第２に、選択的なエピタキシャル再成長が行われ、パターン化マスクの横方向過剰成長が達成される。再成長の際に、ＧａＮフィルムは、垂直な成長方向に対して垂直な方向においてマスクを横方向過剰成長する前に、最初に誘電性マスクの開口部を通って垂直に成長する。螺旋転位は、（１）成長フィルムに対して垂直な転位の広がりをブロックするマスクおよび（２）垂直から横方向までの成長の移行による転位の屈曲によって過剰成長領域を減少する。
本発明の１つ以上の実施形態の上記説明は、例示および説明の目的で提供された。排他的であることも、本発明を開示された正確な形態に限定することも、意図されない。多くの改変およびバリエーションが、上記教示を考慮して、可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によって限定されるのではなく、本明細書に添付された特許請求の範囲によって限定されることが、意図される。

Claims (1)

  1. 明細書に記載の発明。
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JP (12) JP5254521B2 (ja)
KR (7) KR101288489B1 (ja)
AU (3) AU2003223563A1 (ja)
WO (3) WO2003089696A1 (ja)

Families Citing this family (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7361341B2 (en) * 2001-05-25 2008-04-22 Human Genome Sciences, Inc. Methods of treating cancer using antibodies that immunospecifically bind to trail receptors
JP4932121B2 (ja) * 2002-03-26 2012-05-16 日本電気株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法
US8809867B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar III-nitride thin films
JP5254521B2 (ja) * 2002-04-15 2013-08-07 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減
US7208393B2 (en) * 2002-04-15 2007-04-24 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US6900067B2 (en) * 2002-12-11 2005-05-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
KR101086155B1 (ko) 2002-12-16 2011-11-25 독립행정법인 과학기술진흥기구 수소화합물 기상 성장법에 의한 평면, 비극성 질화 갈륨의 성장
US7427555B2 (en) * 2002-12-16 2008-09-23 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
KR100678407B1 (ko) * 2003-03-18 2007-02-02 크리스탈 포토닉스, 인코포레이티드 Ⅲ족 질화물 장치를 제조하는 방법과 이 방법으로 제조된장치
US20060276043A1 (en) * 2003-03-21 2006-12-07 Johnson Mark A L Method and systems for single- or multi-period edge definition lithography
EP1697965A4 (en) * 2003-04-15 2011-02-09 Univ California QUANTUM WELLS (A1, B, IN, GA) N NON-POLAR
US7323256B2 (en) * 2003-11-13 2008-01-29 Cree, Inc. Large area, uniformly low dislocation density GaN substrate and process for making the same
US7198970B2 (en) * 2004-01-23 2007-04-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Technique for perfecting the active regions of wide bandgap semiconductor nitride devices
US7115908B2 (en) * 2004-01-30 2006-10-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced polarization fields
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
US7408201B2 (en) * 2004-03-19 2008-08-05 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarized semiconductor light emitting device
KR100718188B1 (ko) * 2004-05-07 2007-05-15 삼성코닝 주식회사 비극성 ａ면 질화물 반도체 단결정 기판 및 이의 제조방법
US7504274B2 (en) 2004-05-10 2009-03-17 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
WO2005112123A2 (en) 2004-05-10 2005-11-24 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US7842527B2 (en) * 2006-12-11 2010-11-30 The Regents Of The University Of California Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
US8227820B2 (en) * 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US7956360B2 (en) * 2004-06-03 2011-06-07 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US9011598B2 (en) * 2004-06-03 2015-04-21 Soitec Method for making a composite substrate and composite substrate according to the method
US20060073621A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-06 Palo Alto Research Center Incorporated Group III-nitride based HEMT device with insulating GaN/AlGaN buffer layer
JP4806999B2 (ja) * 2004-11-29 2011-11-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法
KR101145755B1 (ko) * 2005-03-10 2012-05-16 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 평면의 반극성 갈륨 질화물의 성장을 위한 기술
KR100593936B1 (ko) * 2005-03-25 2006-06-30 삼성전기주식회사 비극성 ａ면 질화갈륨 단결정 제조방법
WO2006124067A1 (en) * 2005-05-11 2006-11-23 North Carolina State University Controlled polarity group iii-nitride films and methods of preparing such films
US9153645B2 (en) 2005-05-17 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US20070267722A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US8324660B2 (en) 2005-05-17 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
EP2595176B1 (en) * 2005-05-17 2020-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
JP2006324465A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
TWI377602B (en) 2005-05-31 2012-11-21 Japan Science & Tech Agency Growth of planar non-polar {1-100} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)
TW200703463A (en) * 2005-05-31 2007-01-16 Univ California Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)
KR101351396B1 (ko) * 2005-06-01 2014-02-07 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 반극성 (Ｇａ,Ａｌ,Ｉｎ,Ｂ)Ｎ 박막들, 헤테로구조들, 및소자들의 성장 및 제조에 대한 기술
US8278128B2 (en) 2008-02-01 2012-10-02 The Regents Of The University Of California Enhancement of optical polarization of nitride light-emitting diodes by wafer off-axis cut
JP2009501843A (ja) * 2005-07-13 2009-01-22 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 半極性窒化物薄膜の欠陥低減のための横方向成長方法
WO2007014294A2 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Amberwave Systems Corporation Solutions integrated circuit integration of alternative active area materials
US20070054467A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Amberwave Systems Corporation Methods for integrating lattice-mismatched semiconductor structure on insulators
US7638842B2 (en) * 2005-09-07 2009-12-29 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures on insulators
JP2007080855A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界効果型トランジスタ
CN100344006C (zh) * 2005-10-13 2007-10-17 南京大学 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法
EP1788619A3 (en) * 2005-11-18 2009-09-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4807081B2 (ja) * 2006-01-16 2011-11-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
US20120161287A1 (en) * 2006-01-20 2012-06-28 Japan Science And Technology Agency METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMI-POLAR (Al,In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
JP5896442B2 (ja) * 2006-01-20 2016-03-30 国立研究開発法人科学技術振興機構 Ｉｉｉ族窒化物膜の成長方法
RU2315135C2 (ru) 2006-02-06 2008-01-20 Владимир Семенович Абрамов Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы
JPWO2007119433A1 (ja) * 2006-03-20 2009-08-27 財団法人神奈川科学技術アカデミー Ｉｉｉ−ｖ族窒化物層およびその製造方法
JP4888857B2 (ja) * 2006-03-20 2012-02-29 国立大学法人徳島大学 Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
WO2007112066A2 (en) 2006-03-24 2007-10-04 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication
KR100809209B1 (ko) * 2006-04-25 2008-02-29 삼성전기주식회사 비극성 ｍ면 질화물 반도체 제조방법
KR20090018106A (ko) 2006-05-09 2009-02-19 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 비극성 및 준극성 (ａｌ, ｇａ, ｉｎ)ｎ을 위한 인-시츄 결함 감소 기술
CN100373548C (zh) * 2006-06-13 2008-03-05 中国科学院上海光学精密机械研究所 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
CN100403567C (zh) * 2006-07-26 2008-07-16 武汉华灿光电有限公司 一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的v-型缺陷的方法
US8173551B2 (en) 2006-09-07 2012-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Defect reduction using aspect ratio trapping
WO2008036256A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-27 Amberwave Systems Corporation Aspect ratio trapping for mixed signal applications
US7799592B2 (en) * 2006-09-27 2010-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping
US7875958B2 (en) 2006-09-27 2011-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures
US20080187018A1 (en) * 2006-10-19 2008-08-07 Amberwave Systems Corporation Distributed feedback lasers formed via aspect ratio trapping
US7589360B2 (en) * 2006-11-08 2009-09-15 General Electric Company Group III nitride semiconductor devices and methods of making
US8187507B2 (en) 2006-11-14 2012-05-29 Osaka University GaN crystal producing method, GaN crystal, GaN crystal substrate, semiconductor device and GaN crystal producing apparatus
EP2087507A4 (en) 2006-11-15 2010-07-07 Univ California METHOD FOR THE HETEROEPITAXIAL GROWTH OF QUALITATIVELY HIGH-QUALITY N-SIDE-GAN, INN AND AIN AND THEIR ALLOYS THROUGH METALLORGANIC CHEMICAL IMMUNE
US8193020B2 (en) * 2006-11-15 2012-06-05 The Regents Of The University Of California Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face GaN, InN, and AlN and their alloys by metal organic chemical vapor deposition
WO2008073384A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of University Of California Non-polar and semi-polar light emitting devices
WO2008073414A1 (en) * 2006-12-12 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Crystal growth of m-plane and semipolar planes of(ai, in, ga, b)n on various substrates
KR100843474B1 (ko) * 2006-12-21 2008-07-03 삼성전기주식회사 Ⅲ족 질화물 단결정 성장방법 및 이를 이용하여 제조된질화물 단결정
GB0702560D0 (en) * 2007-02-09 2007-03-21 Univ Bath Production of Semiconductor devices
EP2111634A4 (en) * 2007-02-12 2014-01-08 Univ California NON-POLAR NITRIDE III LIGHT-EMITTING DIODES AND LIGHT-EMITTING DIODES, FREE OF AL (X) GA (1-X) N SHEATH
US9508890B2 (en) 2007-04-09 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photovoltaics on silicon
US8237151B2 (en) 2009-01-09 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Diode-based devices and methods for making the same
US7825328B2 (en) 2007-04-09 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
US8304805B2 (en) 2009-01-09 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films
KR101488545B1 (ko) * 2007-05-17 2015-02-02 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 Ｉｉｉ 족 질화물 반도체 결정의 제조 방법, ｉｉｉ 족 질화물 반도체 기판 및 반도체 발광 디바이스
US8329541B2 (en) 2007-06-15 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InP-based transistor fabrication
JP4825747B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物単結晶の製造方法
JP4825746B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物の製造方法
JP4825745B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物の製造方法
EP2171748A1 (en) * 2007-07-26 2010-04-07 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Epitaxial methods and templates grown by the methods
JP2010536181A (ja) * 2007-08-08 2010-11-25 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ミスカット基板上に成長した平面型非極性ｍ平面ｉｉｉ族窒化物薄膜
JP2010536182A (ja) * 2007-08-08 2010-11-25 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 長波長放射を有する非極性ｉｉｉ窒化物発光ダイオード
JP4869179B2 (ja) * 2007-08-10 2012-02-08 三洋電機株式会社 半導体基板およびその製造方法
WO2009035746A2 (en) 2007-09-07 2009-03-19 Amberwave Systems Corporation Multi-junction solar cells
KR20100067114A (ko) * 2007-09-19 2010-06-18 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 비극성 및 반극성 질화물 기판들의 면적을 증가하기 위한 방법
US7670933B1 (en) 2007-10-03 2010-03-02 Sandia Corporation Nanowire-templated lateral epitaxial growth of non-polar group III nitrides
KR100998008B1 (ko) * 2007-12-17 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 소자 형성용 기판의 제조방법 및 질화물계 반도체 레이저다이오드의 제조방법
KR101510377B1 (ko) * 2008-01-21 2015-04-06 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 및 수직형 발광 소자의 제조방법
EP2261401A4 (en) * 2008-03-03 2012-11-28 Mitsubishi Chem Corp NITRIDE-SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
WO2009110187A1 (ja) * 2008-03-05 2009-09-11 パナソニック株式会社 発光素子
US9048169B2 (en) * 2008-05-23 2015-06-02 Soitec Formation of substantially pit free indium gallium nitride
US8183667B2 (en) 2008-06-03 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Epitaxial growth of crystalline material
US8274097B2 (en) 2008-07-01 2012-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of edge effects from aspect ratio trapping
CN100565804C (zh) * 2008-07-04 2009-12-02 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
US8981427B2 (en) 2008-07-15 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing of small composite semiconductor materials
US8673074B2 (en) * 2008-07-16 2014-03-18 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} M-plane and semi-polar {1 1 -2 2} gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
US7915178B2 (en) 2008-07-30 2011-03-29 North Carolina State University Passivation of aluminum nitride substrates
WO2010023516A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Uv absorption based monitor and control of chloride gas stream
WO2010033813A2 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Amberwave System Corporation Formation of devices by epitaxial layer overgrowth
US20100072515A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Amberwave Systems Corporation Fabrication and structures of crystalline material
US8253211B2 (en) 2008-09-24 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities
KR100988478B1 (ko) 2008-11-12 2010-10-18 전자부품연구원 비극성 또는 반극성 질화물 반도체 기판 및 제조방법
TWI380368B (en) * 2009-02-04 2012-12-21 Univ Nat Chiao Tung Manufacture method of a multilayer structure having non-polar a-plane {11-20} iii-nitride layer
TWI398908B (zh) * 2009-02-27 2013-06-11 Lextar Electronics Corp 半導體層的形成方法
JP5095653B2 (ja) * 2009-03-23 2012-12-12 日本電信電話株式会社 窒化物半導体構造
WO2010114956A1 (en) 2009-04-02 2010-10-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Devices formed from a non-polar plane of a crystalline material and method of making the same
JP5641506B2 (ja) * 2009-04-03 2014-12-17 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体の結晶成長方法および半導体装置の製造方法
TWI362772B (en) * 2009-05-07 2012-04-21 Lextar Electronics Corp Fabrication method of light emitting diode
CN102460739A (zh) * 2009-06-05 2012-05-16 加利福尼亚大学董事会 长波长非极性及半极性(Al,Ga,In)N基激光二极管
US8629065B2 (en) * 2009-11-06 2014-01-14 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {10-10} M-plane gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
KR101135950B1 (ko) * 2009-11-23 2012-04-18 전자부품연구원 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2011115950A1 (en) * 2010-03-15 2011-09-22 The Regents Of The University Of California Ammonothermally grown group-iii nitride crystal
TWI414087B (zh) * 2010-08-16 2013-11-01 Univ Nat Sun Yat Sen 於藍寶石基板上成長非極性面氮化鎵薄膜方法及其發光二極體構造
CN102146585A (zh) * 2011-01-04 2011-08-10 武汉华炬光电有限公司 非极性面GaN外延片及其制备方法
US20130025531A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Capano Michael A Methods for modifying crystallographic symmetry on the surface of a silicon wafer
WO2013021606A1 (ja) 2011-08-09 2013-02-14 パナソニック株式会社 窒化物半導体層成長用構造、積層構造、窒化物系半導体素子および光源ならびにこれらの製造方法
JP5416754B2 (ja) * 2011-11-15 2014-02-12 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体基板およびその製造方法
WO2013158210A2 (en) 2012-02-17 2013-10-24 Yale University Heterogeneous material integration through guided lateral growth
SG11201406151TA (en) * 2012-03-29 2014-10-30 Agency Science Tech & Res Iii-nitride high electron mobility transistor structures and methods for fabrication of same
KR20150006444A (ko) * 2012-04-16 2015-01-16 센서 일렉트로닉 테크놀로지, 인크 비-균일 다중 양자 우물 구조
JP5891390B2 (ja) 2012-10-05 2016-03-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体構造、積層構造、および窒化物半導体発光素子
KR101998339B1 (ko) 2012-11-16 2019-07-09 삼성전자주식회사 금속 산화물 반도체의 성장 결정면 제어방법 및 제어된 성장 결정면을 가지는 금속 산화물 반도체 구조물
CN103178171B (zh) * 2013-02-28 2015-08-05 溧阳市宏达电机有限公司 一种高亮度发光二极管
CN103215647A (zh) * 2013-03-27 2013-07-24 上海萃智科技发展有限公司 一种非极性a面GaN薄膜生长方法
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR101591677B1 (ko) 2014-09-26 2016-02-18 광주과학기술원 고품위 질화물계 반도체 성장방법
US9668573B2 (en) 2014-11-05 2017-06-06 Larry A. Salani Wine bottle rack-building kit, packaging, and method
KR102467949B1 (ko) * 2015-02-23 2022-11-16 미쯔비시 케미컬 주식회사 C 면 GaN 기판
US11322652B2 (en) * 2015-12-14 2022-05-03 Ostendo Technologies, Inc. Methods for producing composite GaN nanocolumns and light emitting structures made from the methods
US9608160B1 (en) 2016-02-05 2017-03-28 International Business Machines Corporation Polarization free gallium nitride-based photonic devices on nanopatterned silicon
TWI583831B (zh) * 2016-05-31 2017-05-21 國立中山大學 Ｍ面氮化鎵的製備方法
WO2018031876A1 (en) 2016-08-12 2018-02-15 Yale University Stacking fault-free semipolar and nonpolar gan grown on foreign substrates by eliminating the nitrogen polar facets during the growth
WO2018217973A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 Yale University Nitrogen-polar and semipolar gan layers and devices formed on sapphire with a high-temperature a1n buffer
CN109425442B (zh) * 2017-08-22 2020-07-24 北京自动化控制设备研究所 一种原子气室内部温度简易标定方法
US10892159B2 (en) 2017-11-20 2021-01-12 Saphlux, Inc. Semipolar or nonpolar group III-nitride substrates
US10373825B1 (en) * 2018-05-29 2019-08-06 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Method for manufacturing gallium nitride substrate using core-shell nanoparticle
JP6595731B1 (ja) * 2018-10-26 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
WO2020095179A1 (en) 2018-11-05 2020-05-14 King Abdullah University Of Science And Technology Optoelectronic semiconductor device
JPWO2020171147A1 (ja) * 2019-02-22 2021-12-16 三菱ケミカル株式会社 ＧａＮ結晶および基板
CN110061104B (zh) * 2019-02-28 2020-08-14 华灿光电(苏州）有限公司 氮化镓基发光二极管外延片的制造方法
CN110129765B (zh) * 2019-05-23 2021-04-02 广东省半导体产业技术研究院 一种氮化物半导体材料及其制备方法
CN110517949B (zh) * 2019-07-29 2021-05-11 太原理工大学 一种利用SiO2作为衬底制备非极性a面GaN外延层的方法
CN114784123A (zh) * 2022-03-18 2022-07-22 华南理工大学 非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US372909A (en) 1887-11-08 Method of making dress-forms
JPH033233A (ja) * 1989-05-30 1991-01-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
US5290393A (en) * 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
JP2540791B2 (ja) * 1991-11-08 1996-10-09 日亜化学工業株式会社 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
US5432808A (en) * 1993-03-15 1995-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semicondutor light-emitting device
US6440823B1 (en) 1994-01-27 2002-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Low defect density (Ga, Al, In)N and HVPE process for making same
US6958093B2 (en) 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US5974069A (en) 1994-09-16 1999-10-26 Rohm Co., Ltd Semiconductor laser and manufacturing method thereof
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3599896B2 (ja) * 1995-05-19 2004-12-08 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
JP2839077B2 (ja) 1995-06-15 1998-12-16 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH09116225A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Hitachi Ltd 半導体発光素子
US6072197A (en) * 1996-02-23 2000-06-06 Fujitsu Limited Semiconductor light emitting device with an active layer made of semiconductor having uniaxial anisotropy
JP3816176B2 (ja) * 1996-02-23 2006-08-30 富士通株式会社 半導体発光素子及び光半導体装置
US5923950A (en) 1996-06-14 1999-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Inc. Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device
US5784187A (en) 1996-07-23 1998-07-21 Lucent Technologies Inc. Wafer level integration of an optical modulator and III-V photodetector
JPH111399A (ja) * 1996-12-05 1999-01-06 Lg Electron Inc 窒化ガリウム半導体単結晶基板の製造方法並びにその基板を用いた窒化ガリウムダイオード
JP3488587B2 (ja) * 1997-01-09 2004-01-19 株式会社東芝 昇圧回路及びこれを備えたｉｃカード
JP3139445B2 (ja) * 1997-03-13 2001-02-26 日本電気株式会社 ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体膜
EP2234142A1 (en) 1997-04-11 2010-09-29 Nichia Corporation Nitride semiconductor substrate
JPH11191657A (ja) * 1997-04-11 1999-07-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
US6069021A (en) 1997-05-14 2000-05-30 Showa Denko K.K. Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer
JPH10335637A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Sony Corp ヘテロ接合電界効果トランジスタ
JP3496512B2 (ja) * 1997-06-30 2004-02-16 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3813740B2 (ja) 1997-07-11 2006-08-23 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス用基板
JPH11340580A (ja) 1997-07-30 1999-12-10 Fujitsu Ltd 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
US5926726A (en) * 1997-09-12 1999-07-20 Sdl, Inc. In-situ acceptor activation in group III-v nitride compound semiconductors
JP3955367B2 (ja) * 1997-09-30 2007-08-08 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 光半導体素子およびその製造方法
US6849472B2 (en) * 1997-09-30 2005-02-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Nitride semiconductor device with reduced polarization fields
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
CA2321118C (en) * 1998-02-27 2008-06-03 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6051849A (en) * 1998-02-27 2000-04-18 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer
JP3988245B2 (ja) * 1998-03-12 2007-10-10 ソニー株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体装置の製造方法
JPH11346002A (ja) * 1998-04-01 1999-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
US6086673A (en) * 1998-04-02 2000-07-11 Massachusetts Institute Of Technology Process for producing high-quality III-V nitride substrates
US6294440B1 (en) * 1998-04-10 2001-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor substrate, light-emitting device, and method for producing the same
JP3995790B2 (ja) * 1998-04-10 2007-10-24 シャープ株式会社 結晶製造方法
JPH11297631A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Matsushita Electron Corp 窒化物系化合物半導体の成長方法
US6180270B1 (en) 1998-04-24 2001-01-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low defect density gallium nitride epilayer and method of preparing the same
US6064078A (en) 1998-05-22 2000-05-16 Xerox Corporation Formation of group III-V nitride films on sapphire substrates with reduced dislocation densities
TW417315B (en) 1998-06-18 2001-01-01 Sumitomo Electric Industries GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same
US6218280B1 (en) 1998-06-18 2001-04-17 University Of Florida Method and apparatus for producing group-III nitrides
JP2000058917A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Pioneer Electron Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US6271104B1 (en) * 1998-08-10 2001-08-07 Mp Technologies Fabrication of defect free III-nitride materials
JP2000068609A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Ricoh Co Ltd 半導体基板および半導体レーザ
US6608330B1 (en) * 1998-09-21 2003-08-19 Nichia Corporation Light emitting device
JP3592553B2 (ja) 1998-10-15 2004-11-24 株式会社東芝 窒化ガリウム系半導体装置
WO2000033388A1 (en) 1998-11-24 2000-06-08 Massachusetts Institute Of Technology METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES
JP4304750B2 (ja) 1998-12-08 2009-07-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP3794530B2 (ja) * 1998-12-24 2006-07-05 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP2000216497A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP4097343B2 (ja) 1999-01-26 2008-06-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
US6177057B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for preparing bulk cubic gallium nitride
JP3754226B2 (ja) 1999-03-25 2006-03-08 三洋電機株式会社 半導体発光素子
JP3375064B2 (ja) * 1999-04-02 2003-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法
JP3587081B2 (ja) 1999-05-10 2004-11-10 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2001007394A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Ricoh Co Ltd 半導体基板およびその作製方法および半導体発光素子
JP4329166B2 (ja) 1999-06-23 2009-09-09 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体光デバイス
JP2001010898A (ja) 1999-06-24 2001-01-16 Nec Corp 結晶基板およびその製造方法
JP3857467B2 (ja) * 1999-07-05 2006-12-13 独立行政法人科学技術振興機構 窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法
US6265089B1 (en) * 1999-07-15 2001-07-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices grown on off-axis sapphire substrate
US6268621B1 (en) * 1999-08-03 2001-07-31 International Business Machines Corporation Vertical channel field effect transistor
US6590336B1 (en) 1999-08-31 2003-07-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Light emitting device having a polar plane piezoelectric film and manufacture thereof
US6455877B1 (en) * 1999-09-08 2002-09-24 Sharp Kabushiki Kaisha III-N compound semiconductor device
JP4424840B2 (ja) * 1999-09-08 2010-03-03 シャープ株式会社 Ｉｉｉ−ｎ系化合物半導体装置
US6398867B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-04 General Electric Company Crystalline gallium nitride and method for forming crystalline gallium nitride
US6812053B1 (en) 1999-10-14 2004-11-02 Cree, Inc. Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures
JP2001119066A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP2001160656A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体装置
US6515313B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Cree Lighting Company High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges
KR100388011B1 (ko) * 2000-01-17 2003-06-18 삼성전기주식회사 ＧａＮ박막 ＳＡＷ필터 및 이를 제조하는 방법
US6566231B2 (en) * 2000-02-24 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing high performance semiconductor device with reduced lattice defects in the active region
JP3557441B2 (ja) * 2000-03-13 2004-08-25 日本電信電話株式会社 窒化物半導体基板およびその製造方法
US6596079B1 (en) * 2000-03-13 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
US6447604B1 (en) * 2000-03-13 2002-09-10 Advanced Technology Materials, Inc. Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices
JP3946427B2 (ja) 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
JP2001298215A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子
US6534332B2 (en) * 2000-04-21 2003-03-18 The Regents Of The University Of California Method of growing GaN films with a low density of structural defects using an interlayer
KR20010103998A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 이계안 하이브리드 전기 자동차의 누전 차단장치 및 그 제어방법
JP2001326385A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Sony Corp 半導体発光素子の製造方法
GB2363518A (en) * 2000-06-17 2001-12-19 Sharp Kk A method of growing a nitride layer on a GaN substrate
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
US6680959B2 (en) * 2000-07-18 2004-01-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor laser
JP4556300B2 (ja) * 2000-07-18 2010-10-06 ソニー株式会社 結晶成長方法
US6610144B2 (en) * 2000-07-21 2003-08-26 The Regents Of The University Of California Method to reduce the dislocation density in group III-nitride films
JP4327339B2 (ja) * 2000-07-28 2009-09-09 独立行政法人物質・材料研究機構 半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置
EP2276059A1 (en) * 2000-08-04 2011-01-19 The Regents of the University of California Method of controlling stress in gallium nitride films deposited on substrates
US6586819B2 (en) * 2000-08-14 2003-07-01 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Sapphire substrate, semiconductor device, electronic component, and crystal growing method
JP2002076521A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 窒化物半導体発光素子
JP4154558B2 (ja) 2000-09-01 2008-09-24 日本電気株式会社 半導体装置
JP4416297B2 (ja) * 2000-09-08 2010-02-17 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子、ならびにそれを使用した発光装置および光ピックアップ装置
JP2002094113A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体発光素子の製造方法
JP2002100838A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置
KR100550158B1 (ko) 2000-09-21 2006-02-08 샤프 가부시키가이샤 질화물 반도체 발광소자 및 그것을 포함한 광학장치
JP2002111134A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
US6649287B2 (en) 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
US6635901B2 (en) 2000-12-15 2003-10-21 Nobuhiko Sawaki Semiconductor device including an InGaAIN layer
US6599362B2 (en) * 2001-01-03 2003-07-29 Sandia Corporation Cantilever epitaxial process
US6576932B2 (en) * 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
EP2273552A3 (en) 2001-03-30 2013-04-10 The Regents of the University of California Methods of fabricating nanstructures and nanowires and devices fabricated therefrom
US6773504B2 (en) * 2001-04-12 2004-08-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate
MY141883A (en) * 2001-06-06 2010-07-16 Ammono Sp Zoo Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
US6627551B2 (en) * 2001-06-06 2003-09-30 United Microelectronics Corp. Method for avoiding microscratch in interlevel dielectric layer chemical mechanical polishing process
US6488767B1 (en) 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
US7501023B2 (en) 2001-07-06 2009-03-10 Technologies And Devices, International, Inc. Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US6977953B2 (en) * 2001-07-27 2005-12-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
JP4111696B2 (ja) * 2001-08-08 2008-07-02 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子
JP2003060298A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子の製造方法と半導体発光素子
US7105865B2 (en) 2001-09-19 2006-09-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. AlxInyGa1−x−yN mixture crystal substrate
JP4388720B2 (ja) * 2001-10-12 2009-12-24 住友電気工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
CN1300901C (zh) * 2001-10-26 2007-02-14 波兰商艾蒙诺公司 使用氮化物块状单晶层的发光元件结构
PL225235B1 (pl) 2001-10-26 2017-03-31 Ammono Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Objętościowy monokryształ azotkowy oraz jego zastosowanie jako podłoże do epitaksji
US6617261B2 (en) 2001-12-18 2003-09-09 Xerox Corporation Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates
US6969426B1 (en) 2002-02-26 2005-11-29 Bliss David F Forming improved metal nitrides
US7063741B2 (en) * 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
JP5254521B2 (ja) * 2002-04-15 2013-08-07 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減
US7208393B2 (en) 2002-04-15 2007-04-24 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US20060138431A1 (en) * 2002-05-17 2006-06-29 Robert Dwilinski Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
SG130935A1 (en) 2002-06-26 2007-04-26 Agency Science Tech & Res Method of cleaving gan/sapphire for forming laser mirror facets
JP4201541B2 (ja) 2002-07-19 2008-12-24 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
US7119359B2 (en) 2002-12-05 2006-10-10 Research Foundation Of The City University Of New York Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures
US6876009B2 (en) * 2002-12-09 2005-04-05 Nichia Corporation Nitride semiconductor device and a process of manufacturing the same
KR101086155B1 (ko) 2002-12-16 2011-11-25 독립행정법인 과학기술진흥기구 수소화합물 기상 성장법에 의한 평면, 비극성 질화 갈륨의 성장
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US7098487B2 (en) * 2002-12-27 2006-08-29 General Electric Company Gallium nitride crystal and method of making same
EP1697965A4 (en) 2003-04-15 2011-02-09 Univ California QUANTUM WELLS (A1, B, IN, GA) N NON-POLAR
US6886375B2 (en) * 2003-06-27 2005-05-03 Paul J. Amo Handcuff restraint mechanism and method of use
US7170095B2 (en) * 2003-07-11 2007-01-30 Cree Inc. Semi-insulating GaN and method of making the same
US6847057B1 (en) * 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
US7432142B2 (en) 2004-05-20 2008-10-07 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions
US7303632B2 (en) * 2004-05-26 2007-12-04 Cree, Inc. Vapor assisted growth of gallium nitride
JP4883931B2 (ja) * 2005-04-26 2012-02-22 京セラ株式会社 半導体積層基板の製造方法
TW200610150A (en) * 2004-08-30 2006-03-16 Kyocera Corp Sapphire baseplate, epitaxial substrate and semiconductor device
JP5113330B2 (ja) * 2005-11-30 2013-01-09 ローム株式会社 窒化ガリウム半導体発光素子

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