TWI583831B - Ｍ面氮化鎵的製備方法 - Google Patents

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Description

M面氮化鎵的製備方法
本發明係關於一種氮化鎵的製備方法，尤其是一種M面氮化鎵的製備方法。
習知的LED元件中多使用c面(c-plane)氮化鎵，惟由於量子侷限史塔克效應(quantum confined stark effect)而導致其發光效率不佳。因此，實務上傾向以M面(M-plane)氮化鎵取代c面氮化鎵，以解決上述問題，進而提升發光效率。然而，習知的M面氮化鎵製備方法，係於鋁酸鋰(LiAlO2)、鎵酸鋰(LiGaO2)或碳化矽(SiC)基板之表面生長M面氮化鎵，此類基板製作困難且生產成本高，進而也使得M面氮化鎵的生產成本難以降低。
有鑑於此，習知的M面氮化鎵製備方法仍有加以改善之必要。
為解決上述問題，本發明提供一種M面氮化鎵製備方法，其無需使用鋁酸鋰、鎵酸鋰或碳化矽等高價基板，即可以成長M面氮化鎵者。
本發明提供一種M面氮化鎵的製備方法，包含：提供一氧化鋅六角柱，該氧化鋅六角柱具有一成長面，該成長面係為垂直重力方向之M面；及自該氧化鋅六角柱之成長面成長一氮化鎵層，其中，該氧化鋅 六角柱之柱長可以為1~3μm，且直徑可以為1~2μm。
據此，本發明M面氮化鎵的製備方法，無需使用鋁酸鎵或鋁酸鋰等高價基板，即可以成長M面之氮化鎵層。該氧化鋅六角柱之製備方法簡便且成本便宜，進而能夠達成「降低該氮化鎵層之生產成本」功效。
其中，係可以以電漿輔助分子束磊晶法成長該氮化鎵層。係可以於500~600℃之溫度下成長該氮化鎵層，或於550℃之溫度下成長該氮化鎵層；係可以於氮/鎵流速比值為40~60之環境下成長該氮化鎵層，或於氮/鎵流速比值為53之環境下成長該氮化鎵層。藉此，可以避免該氮化鎵發生晶格缺陷，提升該氮化鎵之發光效率。
其中，提供該氧化鋅六角柱可以包含提供一基板，及以水熱法於該基板之表面合成該氧化鋅六角柱。該基板係可以為矽(100)基板，水熱法之反應溶液可以包含六水合硝酸鋅(zinc nitrate hexahydrate)與六亞甲基四胺(hexamethylenetetramine)。藉此，可以提供品質良好且製作成本低廉之氧化鋅六角柱。
S1‧‧‧基材提供步驟
S2‧‧‧氮化鎵成長步驟
A‧‧‧a軸方向
C‧‧‧c軸方向
第1圖：本發明M面氮化鎵的製備方法之流程圖。
第2圖：氧化鋅與氮化鎵界面之球棒模型圖。
第3a圖：氧化鋅六角柱之XRD圖譜。
第3b圖：氧化鋅六角柱之SEM影像(一)。
第3c圖：氧化鋅六角柱之SEM影像(二)。
第4a圖：氮化鎵層之SEM影像(一)。
第4b圖：氮化鎵層之SEM影像(二)。
第5a圖：氧化鋅六角柱及氮化鎵層之TEM影像。
第5b圖：氮化鎵層之SAD圖譜。
第5c圖：氮化鎵層與氧化鋅六角柱介面之SAD圖譜。
第5d圖：氧化鋅六角柱之SAD圖譜。
第6圖：氮化鎵層與氧化鋅六角柱之偏極化光激螢光光譜。
為讓本發明之上述及其他目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：如第1圖所示，本發明之M面氮化鎵的製備方法，可以包含一基材提供步驟S1及一氮化鎵成長步驟S2。其中，該基材提供步驟S1可以包含提供一氧化鋅六角柱，該氧化鋅六角柱具有一成長面，該成長面係為垂直重力方向之M面；該氮化鎵成長步驟S2可以包含於該氧化鋅六角柱之成長面成長一氮化鎵層。
本發明所述之「M面氮化鎵」，係指成長方向為[100]的氮化鎵。更詳言之，該氮化鎵層可以為自該成長面以M面之堆疊方式生長，故該氮化鎵層之表面具有M面特性。
本發明不限制該氧化鋅六角柱的製備方法，舉例而言，係可以於一基板之表面以水熱法生長該氧化鋅六角柱，且該氧化鋅六角柱的尺寸較佳為微米尺度，例如其柱長可以為1~3μm，且直徑可以為1~2μm，以提供品質穩定之成長面，進而提升所製得之氮化鎵層的品質。於本實施例中，係於一矽基板(100)之表面，以六水合硝酸鋅(zinc nitrate hexahydrate)與六亞甲基四胺(hexamethylenetetramine)為反應物，於70~100℃之溫度下反應10~20小時，以成長該氧化鋅六角柱。
該氧化鋅六角柱係用以提供一成長面，以成長該氮化鎵層。詳言之，該氧化鋅六角柱具有二個頂面及六個側壁面，各側壁面皆為M面。係使該氧化鋅六角柱呈橫倒之狀態，該氧化鋅六角柱的其中一個M面與重力方向垂直，以作為該成長面。於本實施例中，係使該氧化鋅六角柱的一 個M面貼接該基板之表面，另一相對之M面則作為該成長面。
成長該氮化鎵層之前，另可以先去除該氧化鋅六角柱之水氣及有機物污染，以及對該氧化鋅六角柱進行熱退火等前處理。詳言之，本實施例係先於180℃之溫度及10-7~10-8torr之真空度下，移除附著於該基板及氧化鋅六角柱的水氣；續於550℃之溫度及10-9torr之真空度下，去除有機物污染；最後於600~650℃之溫度及10-10torr之真空度下，對該氧化鋅六角柱進行熱退火處理，以提供良好的生長環境，用以成長該氮化鎵層。
成長該氮化鎵層的方法，可以為磁控濺鍍、原子層化學氣相沉積或脈衝雷射蒸鍍等。或者，可以使用分子束磊晶法(molecular beam epitaxy)在低溫環境下成長該氮化鎵層。於本實施例中，係藉由電漿輔助分子束磊晶法，於500~600℃之溫度及低氮鎵比(氮的蒸汽壓/鎵的蒸汽壓)之環境下成長該氮化鎵層，例如氮與鎵之流速比值為40~60，較佳為53；成長時間為30分鐘~3小時，較佳為1小時，以製備晶格缺陷(lattice defect)少的氮化鎵層。此外，於成長該氮化鎵層之後，另可以藉由雷射剝離，將該氮化鎵層自該氧化鋅六角柱之成長面取下。於電漿輔助分子束磊晶之過程中，若溫度過高，可能導致氧化鋅分解，而與氮或鎵反應，造成堆積缺陷(stacking fault)。
值得一提的是，氧化鋅的晶格參數(lattice parameter)係為a=3.25Å及c=5.2Å，與氮化鎵的晶格參數接近(3.20Å及5.18Å)，且氧化鋅與氮化鎵的晶格不匹配度低(lattice mismatch，[110]ZnO//[110]GaN及[0002]ZnO//[0002]GaN分別為1.86%及0.6%)，故如第2圖所示，其中於a軸方向A上，aZnO aGaN；且於c軸方向C上，cZnO cGaN，而使得氧化鋅可以作為良好的基材以成長氮化鎵。再者，於成長該氮化鎵層時，氮源及鎵源係沿重力方向沉降堆積而成長氮化鎵，故必須使該氧化鋅六角柱的成長面垂直重力方向，以使氮源及鎵源得以堆疊於該生長面，進而促使該氮 化鎵層由該氧化鋅六角柱的M面向上生長，形成M面氮化鎵。反之，若該氧化鋅六角柱係呈直立狀態，亦即該氧化鋅六角柱的一頂面貼接該基板，而其M面與重力方向平行，則僅有少數的氮源及鎵源得以附著於該氧化鋅六角柱的M面，成長為M面之氮化鎵層；惟，大多數的氮源及鎵源會沉積於該基板之表面，而自該基板之表面成長為非M面之氮化鎵，並於逐漸沉積增高的過程中影響該氮化鎵層的成長。
為證實本發明之M面氮化鎵的製備方法確實可以成長氮化鎵層，且該氮化鎵層係為M面氮化鎵，遂進行下述實驗。
於本實驗中，係以上述水熱法於矽(100)基板之表面成長該氧化鋅六角柱，其反應溶液包含0.15M六水合硝酸鋅與0.03M六亞甲基四胺，並於90℃之溫度下反應12小時，所生成氧化鋅六角柱的XRD檢驗結果如第3a圖所示，SEM影像則如第3b、3c圖所示。由上述結果可知，藉由水熱法可以成長出具有平坦M面之氧化鋅六角柱，以供成長該氮化鎵層。
而後，續藉由上述電漿輔助分子束磊晶法，於該氧化鋅六角柱之成長面成長該氮化鎵層，成長溫度為550℃，氮/鎵流速比值為53，成長時間為60分鐘，而其SEM影像係如第4a及4b圖所示。續以TEM及SAD分析該氧化鋅六角柱及M面氮化鎵，結果如第5a~5d圖所示，其中第5a圖為沿[100]方向之剖面TEM影像，第5b~5d圖分別為第5a圖中標示區域(DP01、DP02、DP03)之SAD圖譜，分別包含氧化鋅六角柱、氮化鎵與氧化鋅介面以及氮化鎵層。由第5b圖可知，該氮化鎵層係為纖維鋅礦(wurtzite)結構，且生長方向為[100]，而第5d圖則顯示該氧化鋅六角柱為M面纖維鋅礦(wurtzite)結構。如第5c圖所示，氮化鎵層與氧化鋅六角柱之SAD圖譜於DP02區域重疊，顯示GaN(110)//ZnO(110)之繞射點，證實該氮化鎵層係以[100]之方向生長且平行ZnO[100]。
此外，本實驗另於室溫下以偏極化光激螢光(polarization-dependent photoluminescence)檢驗該氧化鋅六角柱及M面氮化鎵，結果如第6圖所示。其中，φ=0°係定義為平行c軸之方向。上述螢光光譜之強度自φ=0°(E//c)至φ=90°(E⊥c)呈漸增，顯示氧化鋅及氮化鎵之非極性面特性，亦證實該氮化鎵層確實成長為M面氮化鎵。
綜上所述，本發明之M面氮化鎵的製備方法，藉由使用該氧化鋅六角柱作為基材，無需使用鋁酸鎵或鋁酸鋰等高價基板，即可以成長M面之氮化鎵層。該氧化鋅六角柱之製備方法簡便且成本便宜，進而能夠達成「降低該氮化鎵層之生產成本」功效。
此外，本發明之M面氮化鎵的製備方法中，藉由於該氧化鋅六角柱的成長面成長該氮化鎵層，由於該成長面係為垂直重力方向之M面，可以使該氮化鎵層確實為M面氮化鎵，且該氮化鎵層的晶格缺陷少，進而能夠達成「提升該氮化鎵層之發光效率」功效。
雖然本發明已利用上述較佳實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者在不脫離本發明之精神和範圍之內，相對上述實施例進行各種更動與修改仍屬本發明所保護之技術範疇，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S1‧‧‧基材提供步驟
S2‧‧‧氮化鎵成長步驟

Claims (9)

  1. 一種M面氮化鎵的製備方法，包含：提供一氧化鋅六角柱，該氧化鋅六角柱具有一成長面，該成長面係為垂直重力方向之M面；及自該氧化鋅六角柱之成長面成長一氮化鎵層，其中，該氧化鋅六角柱之柱長為1~3μm，直徑為1~2μm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之M面氮化鎵的製備方法，其中，係以電漿輔助分子束磊晶法成長該氮化鎵層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之M面氮化鎵的製備方法，其中，係於500~600℃之溫度下成長該氮化鎵層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之M面氮化鎵的製備方法，其中，係於550℃之溫度下成長該氮化鎵層。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之M面氮化鎵的製備方法，其中，係於氮/鎵流速比值為40~60之環境下成長該氮化鎵層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之M面氮化鎵的製備方法，其中，係於氮/鎵流速比值為53之環境下成長該氮化鎵層。
  7. 如申請專利範圍第1~6項任一項所述之M面氮化鎵的製備方法，其中，提供該氧化鋅六角柱包含提供一基板，及以水熱法於該基板之表面合成該氧化鋅六角柱。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之M面氮化鎵的製備方法，其中，該基板係為矽(100)基板。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之M面氮化鎵的製備方法，其中，水熱法之反應溶液包含六水合硝酸鋅(zinc nitrate hexahydrate)與六亞甲基四胺(hexamethylenetetramine)。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI792547B (zh) * 2021-09-09 2023-02-11 國立中山大學 氮化物多孔單晶膜的製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108597985B (zh) * 2018-04-17 2020-12-22 中山大学 一种叠层结构

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070194467A1 (en) * 2003-06-20 2007-08-23 Peidong Yang Nanowire array and nanowire solar cells and methods for forming the same
US20090114887A1 (en) * 2005-05-09 2009-05-07 Kent A J Bulk, free-standing cubic III-N substrate and a method for forming same.
US20120205623A1 (en) * 2002-04-15 2012-08-16 The Regents Of The University Of California NON-POLAR (Al,B,In,Ga)N QUANTUM WELL AND HETEROSTRUCTURE MATERIALS AND DEVICES
CN103325895A (zh) * 2013-07-04 2013-09-25 江苏中谷光电股份有限公司 氮化镓单晶非极性面衬底生长氮化镓发光二极管的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120205623A1 (en) * 2002-04-15 2012-08-16 The Regents Of The University Of California NON-POLAR (Al,B,In,Ga)N QUANTUM WELL AND HETEROSTRUCTURE MATERIALS AND DEVICES
US20070194467A1 (en) * 2003-06-20 2007-08-23 Peidong Yang Nanowire array and nanowire solar cells and methods for forming the same
US20090114887A1 (en) * 2005-05-09 2009-05-07 Kent A J Bulk, free-standing cubic III-N substrate and a method for forming same.
CN103325895A (zh) * 2013-07-04 2013-09-25 江苏中谷光电股份有限公司 氮化镓单晶非极性面衬底生长氮化镓发光二极管的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI792547B (zh) * 2021-09-09 2023-02-11 國立中山大學 氮化物多孔單晶膜的製造方法

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