JP4413558B2 - ウルツ鉱型iii−v族窒化物薄膜結晶の製造法 - Google Patents
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Description
また、酸化亜鉛基板を清浄化するための熱処理として、不純物の吸着による表面の汚染が顕著ではない、真空中での熱処理を実施することが考慮されるが、真空中での熱処理は、酸化亜鉛の表面に凹凸をもたらすことが懸念されるため、この出願の発明のように、その凹凸が発生しない温度、および、処理時間に限定して、真空中での基板熱処理を施すことが有効である。
<実施例2>化学機械研磨した酸化亜鉛単結晶基板を準備する。この基板を大気中1200℃において、イットリウム添加立方晶ジルコニア単結晶で上下からはさんだ状態にある酸化亜鉛単結晶基板を5時間熱処理し、原子間力顕微鏡の観察によって、酸化亜鉛の単位格子のc軸長に対応する5ナノメートルの段差からなるステップandテラス構造が観察されることを確認した。しかる後に、当該基板を金属ガリウム、金属インジウムを供給する金属蒸発源と、活性窒素を導入する誘導プラズマ型窒素ラジカル銃とを備え、かつ、基板加熱機構を有する分子線エピタキシー型結晶成長装置に導入する。基板をいったん700℃まで加熱し、30分間保持して真空雰囲気熱処理を施した後に、窒素ラジカル中、および、金属蒸着源からの原料供給によって、酸化亜鉛単結晶基板上に、ウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶を堆積させる。その結果得られたウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶のフォトルミネッセンススペクトルの評価を行ったところ、図2に示したものと同様に、可視光域に欠陥発光が認められない良質のウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶が得られた。当該窒化物薄膜を堆積させた状態にある酸化亜鉛単結晶基板を薄膜用のX線回折装置に導入し、酸化亜鉛基板の114回折線近傍の逆格子マップ評価を行った。その結果は図3に示すとおりであり、酸化亜鉛基板の回折ピーク31に顕著な広がりが認められず、また、窒化物薄膜からのX線回折スポット32もスポットとして明瞭に観察され、良質なウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶が得られたことが認められた。なお、図3においては、X線回折系のカウント数の対数について等高線を示している。
<比較例1>化学機械研磨した酸化亜鉛単結晶基板を準備する。この基板を特に熱処理すること無しに、当該基板を金属ガリウム、金属インジウムを供給する金属蒸発源と、活性窒素を導入する誘導プラズマ型窒素ラジカル銃とを備え、かつ、基板加熱機構を有する分子線エピタキシー型結晶成長装置に導入する。基板をいったん700℃まで加熱し、30分間保持して真空雰囲気熱処理を施した後に、窒素ラジカル中、および、金属蒸着源からの原料供給によって、酸化亜鉛単結晶基板上に、ウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶を堆積させる。その結果得られたウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶のフォトルミネッセンススペクトルの評価を行ったところ図4に示すように、励起子発光ピーク41に加えて、欠陥形成を示唆する発光ピーク42が認められ、大気中熱処理を施すこと無しに基板として用いることによって、窒化物薄膜中に欠陥が導入されたことが示唆された。ここで、ピーク43は、基板である酸化亜鉛の欠陥発光である。また、当該窒化物薄膜を堆積させた状態にある酸化亜鉛単結晶基板を薄膜用のX線回折装置に導入し、酸化亜鉛基板の114回折線近傍の逆格子マップ評価を行った。その結果は図5に示すとおりであり、酸化亜鉛基板の回折スポット51に顕著な広がりが認めら、また、窒化物薄膜からのX線回折スポット52においても、回折パターンの広がりが認められており良質なウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶が得られなかった。なお、図5においては、X線回折系のカウント数の対数について等高線を示している。
Claims (3)
- ウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶の製造法であって、酸化亜鉛単結晶のc面を研磨し、酸化亜鉛と反応しない鏡面研磨された1対の無機材質平板で挟み、
この状態において大気圧で水素ガス気流および一酸化炭素ガス気流以外の雰囲気中、酸化亜鉛の揮発温度に近い温度で焼鈍処理を行い酸化亜鉛の表面原子配列を整え、熱処理の結果得られた酸化亜鉛単結晶基板のc面を原子間力顕微鏡によって観察した際に、酸化亜鉛の単位格子の大きさを単位とするステップ・テラス構造が確認される状態に達していることが確認される状態を実現し、
しかる後に、この酸化亜鉛を減圧下で成膜するウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶の製造装置内に導入し、800℃以下で水素ガスおよび一酸化炭素ガスを含まない減圧雰囲気で熱処理を加え、
引き続き成膜原料を供給して、ウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶を成膜することを特徴とするウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶の製造方法。 - 分子線エピタキシー法によってウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶を成膜することを特徴とする請求項1のウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶の製造法。
- 酸化亜鉛単結晶は、水熱合成酸化亜鉛単結晶であることを特徴とする請求項1又は2のいずれかのウルツ鉱型III−V族窒化物薄膜結晶の製造法。
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