JP2009501843A - 半極性窒化物薄膜の欠陥低減のための横方向成長方法 - Google Patents
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- 230000012010 growth Effects 0.000 title claims abstract description 134
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 108
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 230000009467 reduction Effects 0.000 title abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 12
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 claims abstract description 5
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 7
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 7
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 35
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 15
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 241000921519 Syrrhopodon sp. Species 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 6
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPAHBIMNXMGCMI-UHFFFAOYSA-N [Ga].[In] Chemical compound [Ga].[In] SPAHBIMNXMGCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005701 quantum confined stark effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N tribenuron methyl Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1S(=O)(=O)NC(=O)N(C)C1=NC(C)=NC(OC)=N1 VLCQZHSMCYCDJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02609—Crystal orientation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02647—Lateral overgrowth
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
- H01L21/02647—Lateral overgrowth
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02513—Microstructure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
Description
本出願は米国特許法第119条(e)に基づいて、本発明の譲受人に譲渡された以下の同時係属の米国特許出願の利益を主張するものである。
この出願は参照として本明細書中に組み込まれる。
上記出願は米国特許法第365条(c)に基づいて、つぎの出願の優先権を主張するものである。
ベンジャミン・A.ハスケル、ポール・T.フィニ、松田成正(ShigemasaMatsuda)、マイケル・D.クレイブン、スティーブン・P.デンバース、ジェームス S.スペックおよび中村修二による米国実用特許出願第10/537,385号、2005年6月3日出願、発明の名称「ハイドライド気相成長法による平坦な無極性a面窒化ガリウムの成長(GROWTH OF PLANAR, NON−POLAR A−PLANE GALLIUM NITRIDE BY HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY)」、代理人整理番号30794.94−WO−US(2003−225);
上記出願は米国特許法第365条(c)に基づいて、以下の特許出願の利益を主張するものである。
マイケル・D.クレイブン、ジェームス・S.スペックによる米国実用特許出願第10/413,691、2003年4月15日出願、発明の名称「有機金属化学気相成長法により成長した無極性a面窒化ガリウム薄膜(NON−POLAR A−PLANE GALLIUM NITRIDE THIN FILMS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)」、代理人整理番号30794.100−US−U1(2002−294)。
マイケル・D.クレイブン、ステーシア・ケラー、スティーブン・P.デンバース、タル・マーガリス、ジェームス・S.スペック、中村修二およびウメシュ K.ミシュラによる米国実用特許出願第10/413,690号、2003年4月15日出願、発明の名称「無極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸とヘテロ構造材料及びデバイス(NON−POLAR (Al,B,In,Ga)N QUANTUM WELL AND HETEROSTRUCTURE MATERIALS AND DEVICES)」、代理人整理番号30794.101−US−U1(2002−301)、
上記出願は米国特許法第119条(e)に基づき、次の特許文献の優先権を主張している。
マイケル・D.クレイブン、スティーブン・P.デンバース、ジェームス・S.スペックによる米国実用特許出願第10/413,913号、2003年4月15日出願、発明の名称「無極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減(DISLOCATION REDUCTION IN NON−POLAR GALLIUM NITRIDE THIN FILMS)」、代理人整理番号30794.102−US−U1(2002−303)。この出願は現在米国特許第6,900,070号、2005年5月31日発効となっている。
アーパン・チャクラボーティ(Arpan Chakraborty)、ベンジャミン・A.ハスケル、ステーシア・ケラー、ジェームス・S.スペック、スティーブン・P.デンバース、中村修二およびウメシュ・K.ミシュラによる米国実用特許出願第11/123,805、2005年5月6日出願、発明の名称「有機金属化学気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの作製(FABRICATION OF NONPOLAR INDIUM GALLIUM NITRIDE THIN FILMS,HETEROSTRUCTURES AND DEVICES BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)」、代理人整理番号30794.117−US−U1(2004−495)。
ビルゲ M.イメル(Bilge M.Imer)、ジェームス・S.スペックおよびスティーブン・P.デンバースによる米国実用特許出願第11/444,084号、2006年5月31日出願、発明の名称「側壁を用いた選択横方向エピタキシャル成長(SLEO)を用いた無極性および半極性III族窒化物の欠陥低減方法及び装置(DEFECT REDUCTION OF NON−POLAR AND SEMI−POLAR III−NITRIDES WITH SIDEWALL LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH (SLEO))」、代理人整理番号30794.135−US−U1(2004−565)。
ロバート・M.ファレル(Robert M.Farrell)、トロイ・J.ベーカー、アーパン・チャクラボーティ、ベンジャミン・A.ハスケル、P.モルガン・パチソン(P.Morgan Pattison)、ラジャット・シャーマ(Rajat Sharma)、ウメシュ K.ミシュラ、スティーブン・P.デンバース、ジェームス・S.スペックおよび中村修二による米国実用特許出願第11/444,946号、2006年6月1日出願、発明の名称「半極性(Ga,Al,In,B)N薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置(TECHNIQUEFOR THE GROWTH AND FABRICATION OF SEMIPOLAR (Ga,Al,In,B)N THIN FILMS,HETEROSYRUCTURES,AND DEVICES)」代理人整理番号30794.140−US−U1(2005−668)。
マイケル・イザ(Michael Iza)、トロイ・J.ベーカー、ベンジャミン・A.ハスケル、スティーブン P.デンバースおよび中村修二による米国特許仮出願第60/715,491号、2005年9月9日出願、発明の名称「有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法(METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMIPOLAR(Al,In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)」、代理人整理番号30794.144−US−P1(2005−722)、
サトー・ヒトシ(Hitoshi Sato)、ジョン・F.ケディング(John F.Kaeding)、マイケル・イザ、トロイ・J.ベーカー、ベンジャミン・A.ハスケル、スティーブン P.デンバースおよび中村修二による米国特許仮出願第60/760,628号、2006年1月20日出願、発明の名称「有機金属化学気相成長法による半極性(Al,In,Ga,B)Nの成長促進法(METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMIPOLAR(Al,In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION)」、代理人整理番号30794.159−US−P1(2006−178)、
ジョン F.ケディング、サトー・ヒトシ、マイケル・イザ、アサミズ・ヒロクニ(Hirokuni Asamizu)、ホン・ゾーン(Hong Zhong)、スティーブン・P.デンバースおよび中村修二による米国特許仮出願第 60/772,184号、2006年2月10日出願、発明の名称「半極性(Al,In,Ga,B)Nの導電性制御の方法(METHOD FOR CONDUCTIVITY CONTROL OF SEMIPOLAR (Al,In,Ga,B)N)」、代理人整理番号30794.166−US−P1(2006−285)および
ホン・ゾーン、ジョン・F.ケディング、ラジャット・シャーマ、ジェームス・S.スペック、スティーブン・P.デンバースおよび中村修二による米国特許仮出願第60/774,467号、2006年2月17日出願、発明の名称「半極性(Al,ln,Ga,B)N光電子デバイスの成長方法(METHODFOR GROWTH OF SEMIPOLAR(Al,ln,Ga,B)N OPTOELECTRONICS DEVICES)」、代理人整理番号30794.173−US−P1(2006−422);
以上全ての出願は参照として本明細書中に組み込まれている。
本発明は半導体材料、方法、およびデバイスに関係し、より具体的には半極性窒化物薄膜の欠陥低減のための横方向成長方法に関するものである。
窒化ガリウム(GaN)、および((Al,In,Ga)Nまたは窒化物とよばれる)インジウム(In)とアルミニウム(Al)を含むその合金は、現在、可視光および紫外光の光電子デバイスおよび高出力電子デバイスを製造するために用いられている。窒化物薄膜は有機金属化学気相成長法(MOCVD)、分子線エピタキシー法(MBE)、およびハイドライド気相エピタキシャル成長法(HVPE)のような技術を用いてヘテロエピタキシャルに成長される。窒化物の発光ダイオード(LED)およびレーザ・ダイオード(LD)は現在市販されている。
概要
横方向成長はGaNのような窒化物を含む半導体薄膜における欠陥密度を低減するための実行可能な技術として示されている。本発明者らは最近、半極性面と呼ばれる、分極ベクトルを0度以上で90度以下の角度で切断する新しい方位のGaNの成長を実証した。本発明は半極性窒化物という発展途上の分野において横方向成長による欠陥低減のための新しい方法を記述している。横方向成長はLEO、SLEO、カンチレバー・エピタキシーおよびナノマスキングのような成長技術を用いることによって、半極性窒化物薄膜内の欠陥密度を低減するために用いることができる。
技術的に関する説明
最近の研究は半極性方位に成長したGaNの開発を先導している。半極性とは面を記述する慣用の記号(hkl)におけるミラー指数のhまたはkが0ではなく、かつlも0ではない値を持つ面を総称する。通常の窒化物は有極性の{0001}上に成長される。例えば前に指定した相互参照の特許出願(具体的には、米国実用特許出願第10/537,644号および第10/537,385号)において以前に開示されたように、2つの無極性方位{10−10}および{11−20}上でも研究が行われてきた。
工程ステップ
本発明はいろいろな形態で実現することができるが、すべての形態はいくつかの重要なステップまたは要素を含んでいる。
可能な変更と変形
本発明の利点は、窒化物系における半極性面のいずれかの上に用いる、いかなる横方向成長技術にも直接関係する。その利益を受けるためには、この考え方のどの順列で作ってもよい。例えばHVPE技術またはMOCVD技術によって{10−11}AlNの片持ち梁エピタキシー法を行うことができる。MOCVD技術によって{10−13}InGaNのLEO法を行うこともできる。in situのナノマスキング技術を用いてHVPE技術で{10−22} GaNを成長することもできる。横方向成長工程では窒化物テンプレートを用いても用いなくてもよい。
利点と改良点
窒化物を含む半導体の横方向成長の利点は欠陥密度、特に貫通転位の密度を低減する目的で十分に確立されてきた。横方向成長技術はGaNの有極性および無極性方位に適用されてきた。本発明は窒化物の半極性方位における欠陥を低減するために横方向成長を適用する方法を実証した。本発明がなされる前は、半極性窒化物薄膜における欠陥密度を低減するための手段は存在しなかった。
参考文献
以下の文献は参照として本明細書中に組み込まれる。
[2] Haskell,B.A.,“Defect Reduction in(1−100)m−plane gallium nitride via lateral epitaxial overgrowth by hydride vapor phase epitaxy,”Applied Physics Letters,Volume 86,111917(2005)
結論
これで本発明の好ましい実施形態の説明を終える。本発明の一つ以上の実施形態に関する上記の記述は、例示と記載のために示された。開示の形態そのものによって本発明を包括または限定することを意図するものではない。多くの変更と変形が上記の教示に照らして可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、本明細書に添付の請求項によって限定されるものである。
Claims (13)
- 半極性窒化物における欠陥密度を低減するために、マスクまたは空隙上に前記半極性窒化物の横方向成長を行うステップを備えた、半極性窒化物薄膜に対する欠陥低減の方法。
- 前記横方向成長が横方向エピタキシャル・オーバーグロス(LEO)法であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記横方向成長が側壁利用の横方向エピタキシャル・オーバーグロス(SLEO)法であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記横方向成長がカンチレバー・エピタキシー法であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記横方向成長がナノマスキング法であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記横方向成長を行うステップは、
半極性窒化物の面および組成を選択するステップと、
前記半極性窒化物の面および組成を成長するために適当な基板を選択するステップと、
前記マスクまたは空隙の存在ために前記半極性窒化物が前記基板またはテンプレート上のある領域では核生成し、前記基板またはテンプレート上の他の領域では核生成しない選択成長工程であって、窒化物材料の横方向成長を含むことを特徴とする選択成長工程を適用するステップと、
を備えることを特徴とする、請求項1に記載の方法。 - 前記適用するステップは、前記選択成長工程中に前記窒化物材料が付着しないようなマスク材料を塗布するステップを備えることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記窒化物材料が前記基板またはテンプレートに付着することを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 前記適用するステップは、前記窒化物材料のための核生成サイトとして働く隆起した領域を区画するステップを備えることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記窒化物材料の横方向成長は、前記窒化物材料の隣接する島やストライプが合併または会合するまで進行することを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記窒化物材料の横方向成長は結果として会合しない横方向成長窒化物材料となることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記横方向成長を多数回行うステップを更に備えることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 請求項1の方法を用いて作製されるデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US69874905P | 2005-07-13 | 2005-07-13 | |
PCT/US2006/027189 WO2007009035A2 (en) | 2005-07-13 | 2006-07-13 | Lateral growth method for defect reduction of semipolar nitride films |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009501843A true JP2009501843A (ja) | 2009-01-22 |
Family
ID=37637965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008521604A Pending JP2009501843A (ja) | 2005-07-13 | 2006-07-13 | 半極性窒化物薄膜の欠陥低減のための横方向成長方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8148244B2 (ja) |
JP (1) | JP2009501843A (ja) |
KR (1) | KR20080040709A (ja) |
TW (1) | TWI390633B (ja) |
WO (1) | WO2007009035A2 (ja) |
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- 2006-07-13 JP JP2008521604A patent/JP2009501843A/ja active Pending
- 2006-07-13 KR KR1020087003515A patent/KR20080040709A/ko not_active Application Discontinuation
- 2006-07-13 WO PCT/US2006/027189 patent/WO2007009035A2/en active Application Filing
- 2006-07-13 TW TW095125673A patent/TWI390633B/zh not_active IP Right Cessation
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US20070015345A1 (en) | 2007-01-18 |
WO2007009035A3 (en) | 2007-09-20 |
TW200746301A (en) | 2007-12-16 |
US8148244B2 (en) | 2012-04-03 |
WO2007009035A2 (en) | 2007-01-18 |
KR20080040709A (ko) | 2008-05-08 |
TWI390633B (zh) | 2013-03-21 |
US20120074524A1 (en) | 2012-03-29 |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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