JP2018064122A - 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス - Google Patents

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2018064122A
JP2018064122A JP2017249085A JP2017249085A JP2018064122A JP 2018064122 A JP2018064122 A JP 2018064122A JP 2017249085 A JP2017249085 A JP 2017249085A JP 2017249085 A JP2017249085 A JP 2017249085A JP 2018064122 A JP2018064122 A JP 2018064122A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polar
gan
plane
item
growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017249085A
Other languages
English (en)
Inventor
ディー． クレイブン マイケル
Michael D Craven
ディー． クレイブン マイケル
ケラー スタシア
Stacia Keller
ケラー スタシア
ピー． デンバーズ スティーブン
Steven P Denbaars
ピー． デンバーズ スティーブン
マーガリス タル
Tal Margalith
マーガリス タル
エス． スペック ジェームス
James S Speck
エス． スペック ジェームス
中村　修二
Shuji Nakamura
修二 中村
ケー． ミシュラ ウメッシュ
Umesh K Mishra
ケー． ミシュラ ウメッシュ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of California
Original Assignee
University of California
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of California filed Critical University of California
Publication of JP2018064122A publication Critical patent/JP2018064122A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/04—Pattern deposit, e.g. by using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
    • C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02433—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02609—Crystal orientation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02647—Lateral overgrowth

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

【課題】非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】１つ以上の非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層が、金属・有機化学気相成長ＭＯＣＶＤを使用して、ｒ平面（１１０２）サファイア基板上で成長される。これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。
【選択図】図１

Description

（関連出願の引用）
本願は、米国特許法第１１９条第（ｅ）項のもとで、以下の同時係属中の、同一人に譲渡された米国仮特許出願番号６０／３７２，９０９（発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＡＮＤ ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、２００２年４月１５日出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒ，Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，Ｔａｌ Ｍａｒｇａｌｉｔｈ，Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ，Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ，およびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、代理人文書番号３０７９４．９５−ＵＳ−Ｐ１）の利益を主張する。この出願は、本明細書中に参考として援用される。
本願は、以下の同時係属中の、同一人に譲渡された米国特許出願に関する：
出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ Ａ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＧＲＯＷＮ ＢＹ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．ＣｒａｖｅｎおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、代理人文書番号３０７９４．１００−ＵＳ−Ｐ１）；ならびに
出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮ ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ ＩＮ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒ，Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，Ｔａｌ Ｍａｒｇａｌｉｔｈ，Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ，およびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ代理人文書番号３０７９４．１０２−ＵＳ−Ｐ１）；
これらの出願の両方が、本明細書中に参考として援用される。
（１．発明の分野）
本発明は、半導体材料、方法、およびデバイスに関し、そしてより具体的には、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスに関する。
（２．関連技術の説明）
（注：本願は、多数の異なる特許、腫癌および／または刊行物を、１つ以上の参照番号によって、本明細書全体に示されるように参照する。これらの異なる刊行物の、これらの参照番号に従った順序にしたリストは、以下の「参考文献」の表題の節に見出され得る。これらの刊行物の各々は、本明細書中に参考として援用される）。
現在の技術水準の（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎヘテロ構造および量子井戸構造は、ｃ平面（０００１）層を使用する。ＩＩＩ−Ｎフィルムの全分極は、自発的な分極寄与および圧電分極寄与からなり、これらの両方は、ウルツ鉱窒化物結晶構造の単極［０００１］軸から生じる。表面および窒化物へテロ構造内の界面に存在する分極の不連続は、固定されたシート電荷に関連し、この電荷が次に、電場を生じる。これらの内部電場の整列は、ｃ平面（０００１）層の成長方向と一致するので、この電場は、デバイス構造のエネルギー帯に影響を与える。
量子井戸において、「傾いた」エネルギー帯は、電子およびホールの波動関数を空間的に分離させ、これは、放射遷移の振動子強度を減少させ、そして発光波長を赤色シフトさせる。これらの効果は、量子が閉じ込められたシュタルク効果（ＱＣＳＥ）の出現であり、そして、ＧａＮ／（Ａｌ，Ｇａ）Ｎ量子井戸について徹底的に分析されている。参考文献１〜８を参照のこと。さらに、大きい極性により誘導される電場は、ドーパントおよび不純物によって部分的に遮蔽され、従って、発光特徴は、正確に操作することが困難であり得る。
内部電場はまた、窒化物ベースのトランジスタへテロ構造における大きい可動シート電荷密度の原因であり得る。これらの大きい２Ｄ電子気体（２ＤＥＧ）は、デバイスのために魅力的であり、そして有用であるが、分極により誘導される電場、および２ＤＥＧ自体は、正確に制御することが困難である。
非極性成長は、ウルツ鉱窒化物半導体に存在する分極により誘導される強い電場を回避する、有望な手段である。分極により誘導される電場は、非極性の成長方向に沿った分極遷移の非存在に起因して、非極性の方向（すなわち、［０００１］に対して垂直）でのウルツ鉱窒化物半導体の成長に影響を与えない。
最近、２つのグループが、非極性ＧａＮ（Ａｌ，Ｇａ）Ｎ多重量子井戸（ＭＱＷ）を、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）によって、非極性の成長方向に沿って分極により誘導される電場なしで成長させた。Ｗａｌｔｅｒｅｉｔらは、ｍ平面ＧａＮ／Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ ＭＱＷを、γ−ＬｉＡｌＯ２（１００）基板上で成長させ、そしてＮｇは、ａ平面ＧａＮ／Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ ＭＱＷを、ｒ平面サファイア基板上で成長させた。参考文献９〜１０を参照のこと。
これらの結果にもかかわらず、非極性のＧａＮ配向の成長は、再現可能な様式で達成することが困難なままである。
（発明の要旨）
本発明は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを形成するための方法を記載する。第一に、非極性の
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ薄膜が、
Figure 2018064122
ｒ平面サファイア基板上に、金属・有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）を使用して成長される。これらの非極性
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ薄膜は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを上に形成するためのテンプレートである。
ここで、図面が参照される、図面において、類似の参照番号は、全体にわたって、対応する部品を表す。
例えば、本発明は以下を提供する。
（項目１）
窒化物半導体デバイスを形成するための方法であって、以下：
（ａ）１つ以上の非極性ａ平面ＧａＮ層を、ｒ平面基板上で成長させる工程；および
（ｂ）１つ以上の非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を、該非極性ａ平面ＧａＮ層上で成長させる工程、
を包含する、方法。
（項目２）
前記基板が、サファイア基板である、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記基板が、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素、酸化亜鉛、窒化ホウ素、アルミン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ゲルマニウム、窒化アルミニウム、および没食子酸リチウムからなる群より選択される、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記成長した非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層が、少なくとも１つの量子井戸を含む、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記量子井戸が、ＩｎＧａＮ量子井戸を含む、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記量子井戸が、ＧａＮでキャップされている、項目４に記載の方法。
（項目７）
前記成長した非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層が、少なくとも１つのヘテロ構造を含む、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記ヘテロ構造が、（Ａｌ，Ｇａ）Ｎ／ＧａＮ超格子を含む、項目７に記載の方法。
（項目９）
前記成長させる工程（ａ）が、以下：
（１）前記基板をアニールする工程；
（２）窒化物ベースの核生成層を、該基板上に堆積させる工程；
（３）非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを、該核生成層上で成長させる工程；および
（４）該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを、窒素の過剰圧力下で冷却する工程、を包含する、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記成長させる工程が、金属・有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）、水素化物蒸気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、昇華、およびプラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）からなる群より選択される方法によって実施される、項目１に記載の方法。
（項目１１）
項目１に記載の方法を使用して製造されたデバイス。
図１は、本発明の好ましい実施形態に従って、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを形成するための方法の工程を示す、フローチャートである。 図２は、室温で測定される場合に１．５ｎｍ、２．５ｎｍおよび５．０ｎｍの見かけの井戸幅を有する、５周期のａ平面Ｉｎ０．１ＧａＮ／Ｉｎ０．０３ＧａＮ ＭＱＷ構造の光ルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを示す。 図３は、種々のポンプ電力について測定された、５．０ｎｍの見かけの井戸幅を有する、ａ平面Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ／Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ ＭＱＷ構造のＰＬスペクトルを示す。 図４（ａ）は、１０周期のＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ／ＧａＮ超格子の２θ−ωｘ線回折走査を示し、これは、明らかに規定されたサテライトピークを明らかにする。図４（ｂ）は、図４（ａ）において特徴付けられた超格子のＰＬスペクトルを示す。
以下の好ましい実施形態の説明において、添付の図面に対して参照がなされる。この図面は、本明細書の一部を形成し、そしてこの図面において、例として、本発明が実施され得る特定の実施形態が説明され得る。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態が利用され得、そして構造的変化がなされ得ることが、理解されるべきである。
（概説）
本発明の目的は、非極性
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ薄膜をテンプレートとして使用して、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを形成するための方法を提供することである。
デバイス品質の非極性の
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ薄膜を、ＭＯＣＶＤを介して、
Figure 2018064122
ｒ平面サファイア基板上に成長させるための方法は、同時係属中の、同一人に譲渡された、米国仮特許出願番号６０／３７２，９０９（発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＡＮＤ ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、２００２年４月１５日出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒ，Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，Ｔａｌ Ｍａｒｇａｌｉｔｈ，Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ，Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ，およびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、代理人文書番号３０７９４．９５−ＵＳ−Ｐ１）、および同時係属中の、同一人に譲渡された米国特許出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ Ａ−ＰＬＡＮＥ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＧＲＯＷＮ ＢＹ ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＶＡＰＯＲ ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．ＣｒａｖｅｎおよびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、代理人文書番号３０７９４．１００−ＵＳ−Ｐ１）に記載されており、これらの出願の両方が、本明細書中に参考として援用される。
本発明は、（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、およびヘテロ構造材料の、引き続く
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層上への成長に焦点を当てる。これらの構造のルミネッセンス特徴は、分極によって誘導される電場がこれらの電子帯構造に影響を与えず、その結果、分極のない構造が得られることを示す。非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸およびヘテロ構造の開発は、分極によって誘導される電場によって影響を受けない、高性能の（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎベースのデバイスの実現のために重要である。
非極性
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層上に堆積される潜在的なデバイス層としては、レーザーダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、共振空洞ＬＥＤ（ＲＣ−ＬＥＤ）、垂直空洞表面発行レーザー（ＶＣＳＥＬ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ結合双極トランジスタ（ＨＢＴ）、ヘテロ結合電場効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）ならびにＵＶ光検出器および近ＵＶ光検出器が挙げられる。
（プロセス工程）
図１は、本発明の好ましい実施形態に従って、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを形成するための方法の工程を示すフローチャートである。この方法の工程は、「テンプレート」
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層の成長、引き続く、量子井戸およびヘテロ構造のための異なる合金組成を有する層の成長を包含する。
ブロック１００は、サファイア基板を、垂直な、間隔の狭い、回転ディスクのＭＯＣＶＤ反応器への装填を示す。この工程について、＋／−２°以内のサファイアｒ平面
Figure 2018064122
で結晶学的に配向した表面を有する、準備前のサファイア基板が、市場の販売者から入手され得る。エキソサイチュ（ｅｘ−ｓｉｔｕ）ではない調製は、サファイア基板をＭＯＣＶＤ反応器に装填する前に実施される必要があるが、サファイア基板のエキソサイチュクリーニングは、予防上の手段として使用され得る。
ブロック１０２は、サファイア基板をインサイチュで高温（＞１０００℃）でアニールすることを表し、これは、原子規模で、基板表面の質を改善する。アニール後、基板の温度は、引き続く低温核生成層堆積のために低下される。
ブロック１０４は、薄い、低温の、低圧の窒化物ベースの核生成層を、緩衝層として、サファイア基板上に堆積させることを表す。このような層は、通常、ｃ平面（０００１）窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長において使用される。好ましい実施形態において、この核生成層は、１〜１００ナノメートル（ｎｍ）のＧａＮからなるが、これに限定されず、そして約４００〜９００℃および１ａｔｍで堆積される。
核生成層を堆積させた後に、反応温度は高温に上昇され、そしてブロック１０６は、エピタキシャル
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層を、約１．５μｎの厚さで成長させることを表す。この高温成長条件としては、約１１００℃の成長温度、約０．２ａｔｍ以下の成長圧力、１分間あたり３０μｍｏｌのＧａフロー、および１分間あたり４０，０００μｍｏｌのＮフローが挙げられるが、これらに限定されず、これによって、約１３００のＶ／ＩＩＩ比を与える。好ましい実施形態において、第ＩＩＩ族の供給源および第Ｖ族の供給源として使用される前駆体は、それぞれ、トリメチルガリウムおよびアンモニアであるが、代替の前駆体が同様に使用され得る。さらに、成長条件は、本発明の範囲から逸脱せずに、異なる成長速度（例えば、１秒間あたり５Åと９Åとの間）を生じるために変動され得る。
高温成長工程の完了の際に、ブロック１０８は、エピタキシャル
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層の、窒素過剰圧力下での冷却を表す。
最後に、ブロック１１０は、異なる合金組成、および従って、異なる電気的特性を有する、非極性
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層上に成長された非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を示す。これらの非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、量子井戸およびヘテロ構造を製造するために使用される。
量子井戸は、異なる帯域幅の交互の層を使用し、その結果、「井戸」が、この構造のエネルギー帯プロフィールにおいて形成される。構造における層の正確な数は、所望の量子井戸の数に依存する。励起の際に、電子およびホールが、それぞれ伝導帯および価電子帯の井戸内に蓄積する。バンドからバンドへの再結合が、井戸層において起こる。なぜなら、状態密度が、これらの位置において最高であるからである。従って、量子井戸は、所望の発光特徴および利用可能なエピタキシャル性超能力に従って、操作され得る。
非極性
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層上で首尾よく成長した層の見かけの厚さおよび組成としては、以下：
８ｎｍのＳｉドープしたＩｎ０．０３ＧａＮ障壁
１．５ｎｍ、２．５ｎｍまたは５ｎｍのＩｎ０．１ＧａＮ井戸
が挙げられるが、これらに限定されない。
さらに、上記ブロックは、必要に応じて繰り返され得る。１つの実施形態において、ブロック１１０は、ＧａＮでキャップされて（Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層の一体性を維持するＭＱＷ構造を形成するために、５回繰り返された。この例において、ＭＱＷ構造を含む層は、８２５℃の温度および大気圧で、ＭＯＣＶＤを介して成長された。
この構造のルミネッセンス特徴は、分極により誘導される電場が帯域プロフィールに影響を与えず、そして量子井戸が分極なしであるとみなされ得ることを示す。例えば、図２は、室温で測定される場合に１．５ｎｍ、２．５ｎｍおよび５．０ｎｍの見かけの井戸幅を有する、５周期のａ平面Ｉｎ０．１ＧａＮ／Ｉｎ０．０３ＧａＮ ＭＱＷ構造の光ルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを示す。ピークＰＬ発光の波長および強度は、井戸の深さの増加とともに増加する。
さらに、図３は、種々のポンプ電力について測定された、５．０ｎｍの見かけの井戸幅を有する、ａ平面Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ／Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ ＭＱＷ構造のＰＬスペクトルを示す。ＰＬ強度は、予測どおりに、ポンプ電力とともに増加するが、一方でピークの発光波長は、ポンプの電力に依存しない。このことは、帯域プロフィールが、分極によって誘導される電場によって影響を受けないことを示す。
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸に加えて、（Ａｌ，Ｇａ）Ｎ／ＧａＮ超格子を含むヘテロ構造もまた、非極性
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層上で成長され得る。例えば、ヘテロ構造は、代表的に、２つの層（最も通常には、ＧａＮ上の（ＡｌＧａ）Ｎ）からなり、トランジスタ作動のために必要な電子チャネルを生じる。超格子層の厚さおよび組成としては、以下：
９ｎｍのＡｌ０．４ＧａＮ障壁
１１ｎｍのＧａＮ井戸
が挙げられるが、これらに限定されない。
１つの実施例においてブロック１１０は、１１ｎｍのＧａＮ井戸層で終結する１０周期のＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ／ＧａＮ超格子を形成するために、１０回繰り返された。この超格子は、下にあるテンプレート層について使用された条件（約１１００℃の成長温度、約０．１ａｔｍ以下の成長圧力、３８μｍｏｌ／分のＡｌフロー、２０μｍｏｌ／分のＧａフロー、および４０，０００μｍｏｌ／分のＮフロー）と類似の条件で、ＭＯＣＶＤを介して成長された。Ａｌフローが簡単に遮断され、ＧａＮ井戸層を形成する。首尾よい成長条件は、上に提供される値によって厳密に規定されない。（Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸と同様に、上記超格子のルミネッセンス特徴は、分極場が構造に影響を与えないことを示す。
図４（ａ）は、１０周期のＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ／ＧａＮ超格子の２θ−ωｘ線回折走査を示し、これは、明らかに規定されたサテライトピークを明らかにする。一方で、図４（ｂ）は、図４（ａ）において特徴付けられた超格子のＰＬスペクトルを示す。分極によって誘導される電場の非存在は、超格子の３．４５ｅＶ（約３６０ｎｍ）の帯域境界発光によって証拠付けられた。帯域境界発光は、ｃ平面の超格子に存在するわずかな赤色シフトを経験しなかった。
（参考文献）
以下の参考文献が、本明細書中に参考として援用される：
Figure 2018064122
（結論）
これは、発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。以下は、本発明を達成するための、いくつかの代替の実施形態を記載する。
例えば、非極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸およびヘテロ構造の設計およびＭＯＣＶＤ成長条件のバリエーションが、代替の実施形態において使用され得る。さらに、層の特定の厚さおよび組成が、成長される量子井戸の数に加えて、量子井戸の構造設計に固有の変数であり、そして本発明の代替の実施形態において使用され得る。
さらに、特定のＭＯＣＶＤ成長条件は、量子井戸構造の層の寸法および組成を決定する。この点に関して、ＭＯＣＶＤ成長条件は、反応器に依存性であり、そして特定の反応器設計の間で変動し得る。このプロセスの多くのバリエーションが、産業および学問において現在使用される種々の反応器の設計を用いて、可能である。
成長温度、成長圧力、Ｖ／ＩＩＩ比、前駆体フロー、および原料のような条件におけるバリエーションが、本発明の範囲から逸脱することなく可能である。界面の質の制御は、このプロセスの別の重要な局面であり、そして特定の反応器設計のフロー切り替え能力に直接関連する。成長条件の連続した最適化が、上記一体化された量子井戸層のより正確な組成および厚さの制御を生じる。
さらに、ＭＯＣＶＤ以外の多数の異なる成長方法が、本発明において使用され得る。例えば、成長方法はまた、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）、水素化物蒸気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、昇華、およびプラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）であり得る。
さらに、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜が、本明細書中に記載されるが、同じ技術が、非極性のｍ平面ＧａＮ薄膜に対して適用可能である。さらに、非極性のＩｎＮ薄膜、ＡｌＮ薄膜、およびＡｌＩｎＧａＮ薄膜が、ＧａＮ薄膜の代わりに作製され得る。
最後に、サファイア基板以外の基板が、非極性ＧａＮ成長のために使用され得る。これらの基板としては、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素、酸化亜鉛、窒化ホウ素、アルミン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ゲルマニウム、窒化アルミニウム、および没食子酸リチウムが挙げられる。
要約すると、本発明は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを形成するための方法を記載する。第一に、非極性
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ薄膜層が、
Figure 2018064122
ｒ平面サファイア基板上に、ＭＯＣＶＤを使用して成長される。これらの非極性
Figure 2018064122
ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを含む。
本発明の１つ以上の実施形態の上記説明は、例示および説明の目的で提供された。排他的であることも、本発明を開示された正確な形態に限定することも、意図されない。多くの改変およびバリエーションが、上記教示を考慮して、可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によって限定されるのではなく、本明細書に添付された特許請求の範囲によって限定されることが、意図される。

Claims (1)

  1. 本願明細書に記載された発明。
JP2017249085A 2002-04-15 2017-12-26 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス Pending JP2018064122A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US37290902P 2002-04-15 2002-04-15
US60/372,909 2002-04-15

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016148176A Division JP2017011278A (ja) 2002-04-15 2016-07-28 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018064122A true JP2018064122A (ja) 2018-04-19

Family

ID=29250928

Family Applications (12)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003586402A Expired - Lifetime JP5046475B2 (ja) 2002-04-15 2003-04-15 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜
JP2003586401A Pending JP2005522888A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2003586403A Expired - Lifetime JP5254521B2 (ja) 2002-04-15 2003-04-15 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減
JP2009181100A Withdrawn JP2009295994A (ja) 2002-04-15 2009-08-03 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減
JP2009181101A Pending JP2009260386A (ja) 2002-04-15 2009-08-03 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜
JP2010044770A Withdrawn JP2010135845A (ja) 2002-04-15 2010-03-01 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2010250340A Withdrawn JP2011040789A (ja) 2002-04-15 2010-11-08 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2013213604A Pending JP2014060408A (ja) 2002-04-15 2013-10-11 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜
JP2014133816A Withdrawn JP2014195125A (ja) 2002-04-15 2014-06-30 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2014224170A Withdrawn JP2015061818A (ja) 2002-04-15 2014-11-04 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減
JP2016148176A Withdrawn JP2017011278A (ja) 2002-04-15 2016-07-28 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2017249085A Pending JP2018064122A (ja) 2002-04-15 2017-12-26 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス

Family Applications Before (11)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003586402A Expired - Lifetime JP5046475B2 (ja) 2002-04-15 2003-04-15 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜
JP2003586401A Pending JP2005522888A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2003586403A Expired - Lifetime JP5254521B2 (ja) 2002-04-15 2003-04-15 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減
JP2009181100A Withdrawn JP2009295994A (ja) 2002-04-15 2009-08-03 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減
JP2009181101A Pending JP2009260386A (ja) 2002-04-15 2009-08-03 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜
JP2010044770A Withdrawn JP2010135845A (ja) 2002-04-15 2010-03-01 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2010250340A Withdrawn JP2011040789A (ja) 2002-04-15 2010-11-08 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2013213604A Pending JP2014060408A (ja) 2002-04-15 2013-10-11 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜
JP2014133816A Withdrawn JP2014195125A (ja) 2002-04-15 2014-06-30 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP2014224170A Withdrawn JP2015061818A (ja) 2002-04-15 2014-11-04 非極性窒化ガリウム薄膜における転位の低減
JP2016148176A Withdrawn JP2017011278A (ja) 2002-04-15 2016-07-28 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス

Country Status (6)

Country Link
US (7) US6900070B2 (ja)
EP (6) EP2154270A3 (ja)
JP (12) JP5046475B2 (ja)
KR (7) KR20110132639A (ja)
AU (3) AU2003223563A1 (ja)
WO (3) WO2003089696A1 (ja)

Families Citing this family (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7361341B2 (en) * 2001-05-25 2008-04-22 Human Genome Sciences, Inc. Methods of treating cancer using antibodies that immunospecifically bind to trail receptors
JP4932121B2 (ja) * 2002-03-26 2012-05-16 日本電気株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板の製造方法
US7208393B2 (en) * 2002-04-15 2007-04-24 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
WO2003089696A1 (en) * 2002-04-15 2003-10-30 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar gallium nitride thin films
US8809867B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar III-nitride thin films
US6900067B2 (en) * 2002-12-11 2005-05-31 Lumileds Lighting U.S., Llc Growth of III-nitride films on mismatched substrates without conventional low temperature nucleation layers
AU2003259125A1 (en) 2002-12-16 2004-07-29 The Regents Of The University Of California Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US7427555B2 (en) 2002-12-16 2008-09-23 The Regents Of The University Of California Growth of planar, non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
KR100678407B1 (ko) * 2003-03-18 2007-02-02 크리스탈 포토닉스, 인코포레이티드 Ⅲ족 질화물 장치를 제조하는 방법과 이 방법으로 제조된장치
US20060276043A1 (en) * 2003-03-21 2006-12-07 Johnson Mark A L Method and systems for single- or multi-period edge definition lithography
EP1697965A4 (en) * 2003-04-15 2011-02-09 Univ California QUANTUM WELLS (A1, B, IN, GA) N NON-POLAR
US7323256B2 (en) * 2003-11-13 2008-01-29 Cree, Inc. Large area, uniformly low dislocation density GaN substrate and process for making the same
US7198970B2 (en) * 2004-01-23 2007-04-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Technique for perfecting the active regions of wide bandgap semiconductor nitride devices
US7115908B2 (en) * 2004-01-30 2006-10-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced polarization fields
US7408201B2 (en) * 2004-03-19 2008-08-05 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarized semiconductor light emitting device
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
KR100718188B1 (ko) * 2004-05-07 2007-05-15 삼성코닝 주식회사 비극성 ａ면 질화물 반도체 단결정 기판 및 이의 제조방법
KR20070013320A (ko) * 2004-05-10 2007-01-30 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 유기금속 화학기상증착법을 이용한 비극성 질화인듐갈륨박막들, 이중 구조들 및 소자들의 제조
US7504274B2 (en) 2004-05-10 2009-03-17 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
US9011598B2 (en) * 2004-06-03 2015-04-21 Soitec Method for making a composite substrate and composite substrate according to the method
US7956360B2 (en) 2004-06-03 2011-06-07 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density M-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US7842527B2 (en) * 2006-12-11 2010-11-30 The Regents Of The University Of California Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) growth of high performance non-polar III-nitride optical devices
US8227820B2 (en) * 2005-02-09 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Semiconductor light-emitting device
US20060073621A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-06 Palo Alto Research Center Incorporated Group III-nitride based HEMT device with insulating GaN/AlGaN buffer layer
JP4806999B2 (ja) * 2004-11-29 2011-11-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法
KR101145753B1 (ko) * 2005-03-10 2012-05-16 재팬 사이언스 앤드 테크놀로지 에이젼시 평면의 반극성 갈륨 질화물의 성장을 위한 기술
KR100593936B1 (ko) * 2005-03-25 2006-06-30 삼성전기주식회사 비극성 ａ면 질화갈륨 단결정 제조방법
EP1885918B1 (en) * 2005-05-11 2017-01-25 North Carolina State University Methods of preparing controlled polarity group iii-nitride films
EP2595175B1 (en) * 2005-05-17 2019-04-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating a lattice-mismatched semiconductor structure with reduced dislocation defect densities
US9153645B2 (en) 2005-05-17 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US8324660B2 (en) * 2005-05-17 2012-12-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
US20070267722A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication
JP2006324465A (ja) * 2005-05-19 2006-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
TW200703463A (en) * 2005-05-31 2007-01-16 Univ California Defect reduction of non-polar and semi-polar III-nitrides with sidewall lateral epitaxial overgrowth (SLEO)
TWI377602B (en) 2005-05-31 2012-11-21 Japan Science & Tech Agency Growth of planar non-polar {1-100} m-plane gallium nitride with metalorganic chemical vapor deposition (mocvd)
EP1900013A4 (en) 2005-06-01 2010-09-01 Univ California TECHNOLOGY FOR GROWTH AND MANUFACTURE OF SEMIPOLARS (GA, AL, IN, B) N THIN FILMS, HETEROSTRUCTURES AND COMPONENTS
TWI390633B (zh) * 2005-07-13 2013-03-21 Japan Science & Tech Agency 半極性氮化物膜缺陷減少之側向成長方法
JP5481067B2 (ja) * 2005-07-26 2014-04-23 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 代替活性エリア材料の集積回路への組み込みのための解決策
US20070054467A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Amberwave Systems Corporation Methods for integrating lattice-mismatched semiconductor structure on insulators
US7638842B2 (en) * 2005-09-07 2009-12-29 Amberwave Systems Corporation Lattice-mismatched semiconductor structures on insulators
JP2007080855A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界効果型トランジスタ
CN100344006C (zh) * 2005-10-13 2007-10-17 南京大学 一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法
EP1788619A3 (en) * 2005-11-18 2009-09-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
JP4807081B2 (ja) * 2006-01-16 2011-11-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法、並びに、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法
US20120161287A1 (en) * 2006-01-20 2012-06-28 Japan Science And Technology Agency METHOD FOR ENHANCING GROWTH OF SEMI-POLAR (Al,In,Ga,B)N VIA METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
KR101510461B1 (ko) 2006-01-20 2015-04-08 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 반극성 (Ａｌ,Ｉｎ,Ｇａ,Ｂ)Ｎ의 개선된 성장 방법
RU2315135C2 (ru) 2006-02-06 2008-01-20 Владимир Семенович Абрамов Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы
JP4888857B2 (ja) * 2006-03-20 2012-02-29 国立大学法人徳島大学 Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JPWO2007119433A1 (ja) * 2006-03-20 2009-08-27 財団法人神奈川科学技術アカデミー Ｉｉｉ−ｖ族窒化物層およびその製造方法
US7777250B2 (en) 2006-03-24 2010-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lattice-mismatched semiconductor structures and related methods for device fabrication
KR100809209B1 (ko) * 2006-04-25 2008-02-29 삼성전기주식회사 비극성 ｍ면 질화물 반도체 제조방법
KR20090018106A (ko) * 2006-05-09 2009-02-19 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 비극성 및 준극성 (ａｌ, ｇａ, ｉｎ)ｎ을 위한 인-시츄 결함 감소 기술
CN100373548C (zh) * 2006-06-13 2008-03-05 中国科学院上海光学精密机械研究所 铝酸锂晶片上生长非极性GaN厚膜的方法
CN100403567C (zh) * 2006-07-26 2008-07-16 武汉华灿光电有限公司 一种避免或减少蓝绿光发光二极管材料的v-型缺陷的方法
EP2062290B1 (en) 2006-09-07 2019-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Defect reduction using aspect ratio trapping
WO2008036256A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-27 Amberwave Systems Corporation Aspect ratio trapping for mixed signal applications
US7799592B2 (en) * 2006-09-27 2010-09-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Tri-gate field-effect transistors formed by aspect ratio trapping
US7875958B2 (en) 2006-09-27 2011-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Quantum tunneling devices and circuits with lattice-mismatched semiconductor structures
US8502263B2 (en) 2006-10-19 2013-08-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light-emitter-based devices with lattice-mismatched semiconductor structures
US7589360B2 (en) 2006-11-08 2009-09-15 General Electric Company Group III nitride semiconductor devices and methods of making
JP4538596B2 (ja) 2006-11-14 2010-09-08 国立大学法人大阪大学 ＧａＮ結晶の製造方法
US8193020B2 (en) 2006-11-15 2012-06-05 The Regents Of The University Of California Method for heteroepitaxial growth of high-quality N-face GaN, InN, and AlN and their alloys by metal organic chemical vapor deposition
EP2087507A4 (en) * 2006-11-15 2010-07-07 Univ California METHOD FOR THE HETEROEPITAXIAL GROWTH OF QUALITATIVELY HIGH-QUALITY N-SIDE-GAN, INN AND AIN AND THEIR ALLOYS THROUGH METALLORGANIC CHEMICAL IMMUNE
WO2008073384A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of University Of California Non-polar and semi-polar light emitting devices
WO2008073414A1 (en) * 2006-12-12 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Crystal growth of m-plane and semipolar planes of(ai, in, ga, b)n on various substrates
KR100843474B1 (ko) 2006-12-21 2008-07-03 삼성전기주식회사 Ⅲ족 질화물 단결정 성장방법 및 이를 이용하여 제조된질화물 단결정
GB0702560D0 (en) * 2007-02-09 2007-03-21 Univ Bath Production of Semiconductor devices
EP2111634A4 (en) * 2007-02-12 2014-01-08 Univ California NON-POLAR NITRIDE III LIGHT-EMITTING DIODES AND LIGHT-EMITTING DIODES, FREE OF AL (X) GA (1-X) N SHEATH
US8304805B2 (en) 2009-01-09 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor diodes fabricated by aspect ratio trapping with coalesced films
US8237151B2 (en) 2009-01-09 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Diode-based devices and methods for making the same
WO2008124154A2 (en) 2007-04-09 2008-10-16 Amberwave Systems Corporation Photovoltaics on silicon
US7825328B2 (en) 2007-04-09 2010-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitride-based multi-junction solar cell modules and methods for making the same
JP2008308401A (ja) * 2007-05-17 2008-12-25 Mitsubishi Chemicals Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス
US8329541B2 (en) 2007-06-15 2012-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. InP-based transistor fabrication
JP4825746B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物の製造方法
JP4825745B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物の製造方法
JP4825747B2 (ja) * 2007-07-13 2011-11-30 日本碍子株式会社 非極性面ｉｉｉ族窒化物単結晶の製造方法
EP2171748A1 (en) * 2007-07-26 2010-04-07 S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies Epitaxial methods and templates grown by the methods
EP2176878A4 (en) * 2007-08-08 2010-11-17 Univ California PLANAR NON-POLAR PLAN M GROUP III NITRIDE FILMS THAT ARE GROWN ON CUTTING ANGLE SUBSTRATES
US7847280B2 (en) * 2007-08-08 2010-12-07 The Regents Of The University Of California Nonpolar III-nitride light emitting diodes with long wavelength emission
JP4869179B2 (ja) * 2007-08-10 2012-02-08 三洋電機株式会社 半導体基板およびその製造方法
DE112008002387B4 (de) 2007-09-07 2022-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Struktur einer Mehrfachübergangs-Solarzelle, Verfahren zur Bildung einer photonischenVorrichtung, Photovoltaische Mehrfachübergangs-Zelle und Photovoltaische Mehrfachübergangs-Zellenvorrichtung,
US8080469B2 (en) * 2007-09-19 2011-12-20 The Regents Of The University Of California Method for increasing the area of non-polar and semi-polar nitride substrates
US7670933B1 (en) 2007-10-03 2010-03-02 Sandia Corporation Nanowire-templated lateral epitaxial growth of non-polar group III nitrides
KR100998008B1 (ko) * 2007-12-17 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 소자 형성용 기판의 제조방법 및 질화물계 반도체 레이저다이오드의 제조방법
KR101510377B1 (ko) * 2008-01-21 2015-04-06 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 및 수직형 발광 소자의 제조방법
JP2011511462A (ja) 2008-02-01 2011-04-07 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア ウエハの軸外カットによる窒化物発光ダイオードの偏光の向上
EP2261401A4 (en) * 2008-03-03 2012-11-28 Mitsubishi Chem Corp NITRIDE-SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
JP4979810B2 (ja) * 2008-03-05 2012-07-18 パナソニック株式会社 発光素子
US9048169B2 (en) * 2008-05-23 2015-06-02 Soitec Formation of substantially pit free indium gallium nitride
US8183667B2 (en) 2008-06-03 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Epitaxial growth of crystalline material
US8274097B2 (en) 2008-07-01 2012-09-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of edge effects from aspect ratio trapping
CN100565804C (zh) * 2008-07-04 2009-12-02 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2纳米掩膜及方法
US8981427B2 (en) 2008-07-15 2015-03-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing of small composite semiconductor materials
US8673074B2 (en) * 2008-07-16 2014-03-18 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {1 -1 0 0} M-plane and semi-polar {1 1 -2 2} gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
US7915178B2 (en) * 2008-07-30 2011-03-29 North Carolina State University Passivation of aluminum nitride substrates
JP2012501089A (ja) * 2008-08-28 2012-01-12 ソイテック 塩化物ガス流の紫外線吸収によるモニタおよび制御
JP5416212B2 (ja) 2008-09-19 2014-02-12 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 エピタキシャル層の成長によるデバイス形成
US20100072515A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Amberwave Systems Corporation Fabrication and structures of crystalline material
US8253211B2 (en) 2008-09-24 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities
KR100988478B1 (ko) 2008-11-12 2010-10-18 전자부품연구원 비극성 또는 반극성 질화물 반도체 기판 및 제조방법
TWI380368B (en) * 2009-02-04 2012-12-21 Univ Nat Chiao Tung Manufacture method of a multilayer structure having non-polar a-plane {11-20} iii-nitride layer
TWI398908B (zh) * 2009-02-27 2013-06-11 Lextar Electronics Corp 半導體層的形成方法
JP5095653B2 (ja) * 2009-03-23 2012-12-12 日本電信電話株式会社 窒化物半導体構造
CN102379046B (zh) 2009-04-02 2015-06-17 台湾积体电路制造股份有限公司 从晶体材料的非极性平面形成的器件及其制作方法
CN102369590A (zh) * 2009-04-03 2012-03-07 松下电器产业株式会社 氮化物半导体的结晶生长方法和半导体装置的制造方法
TWI362772B (en) * 2009-05-07 2012-04-21 Lextar Electronics Corp Fabrication method of light emitting diode
WO2010141943A1 (en) * 2009-06-05 2010-12-09 The Regents Of The University Of California LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES
US8629065B2 (en) 2009-11-06 2014-01-14 Ostendo Technologies, Inc. Growth of planar non-polar {10-10} M-plane gallium nitride with hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
KR101135950B1 (ko) * 2009-11-23 2012-04-18 전자부품연구원 반도체 소자 및 그 제조 방법
TW201200646A (en) * 2010-03-15 2012-01-01 Univ California Group-III nitride crystal ammonothermally grown using an initially off-oriented non-polar or semi-polar growth surface of a group-III nitride seed crystal
TWI414087B (zh) * 2010-08-16 2013-11-01 Univ Nat Sun Yat Sen 於藍寶石基板上成長非極性面氮化鎵薄膜方法及其發光二極體構造
CN102146585A (zh) * 2011-01-04 2011-08-10 武汉华炬光电有限公司 非极性面GaN外延片及其制备方法
US20130025531A1 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Capano Michael A Methods for modifying crystallographic symmetry on the surface of a silicon wafer
WO2013021606A1 (ja) 2011-08-09 2013-02-14 パナソニック株式会社 窒化物半導体層成長用構造、積層構造、窒化物系半導体素子および光源ならびにこれらの製造方法
JP5416754B2 (ja) * 2011-11-15 2014-02-12 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体基板およびその製造方法
US10435812B2 (en) 2012-02-17 2019-10-08 Yale University Heterogeneous material integration through guided lateral growth
WO2013147710A1 (en) * 2012-03-29 2013-10-03 Agency For Science, Technology And Research Iii-nitride high electron mobility transistor structures and methods for fabrication of same
US9722139B2 (en) * 2012-04-16 2017-08-01 Sensor Electronic Technology, Inc. Non-uniform multiple quantum well structure
WO2014054284A1 (ja) 2012-10-05 2014-04-10 パナソニック株式会社 窒化物半導体構造、積層構造、および窒化物半導体発光素子
KR101998339B1 (ko) 2012-11-16 2019-07-09 삼성전자주식회사 금속 산화물 반도체의 성장 결정면 제어방법 및 제어된 성장 결정면을 가지는 금속 산화물 반도체 구조물
CN103178171B (zh) * 2013-02-28 2015-08-05 溧阳市宏达电机有限公司 一种高亮度发光二极管
CN103215647A (zh) * 2013-03-27 2013-07-24 上海萃智科技发展有限公司 一种非极性a面GaN薄膜生长方法
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR101591677B1 (ko) 2014-09-26 2016-02-18 광주과학기술원 고품위 질화물계 반도체 성장방법
US9668573B2 (en) 2014-11-05 2017-06-06 Larry A. Salani Wine bottle rack-building kit, packaging, and method
KR102467949B1 (ko) * 2015-02-23 2022-11-16 미쯔비시 케미컬 주식회사 C 면 GaN 기판
US11322652B2 (en) * 2015-12-14 2022-05-03 Ostendo Technologies, Inc. Methods for producing composite GaN nanocolumns and light emitting structures made from the methods
US9608160B1 (en) 2016-02-05 2017-03-28 International Business Machines Corporation Polarization free gallium nitride-based photonic devices on nanopatterned silicon
TWI583831B (zh) * 2016-05-31 2017-05-21 國立中山大學 Ｍ面氮化鎵的製備方法
KR20190038639A (ko) 2016-08-12 2019-04-08 예일 유니버시티 성장 동안 질소 극성 패시트를 제거함으로써 외래 기판 상에 성장된 적층 무결함 반극성 및 비극성 GaN
WO2018217973A1 (en) * 2017-05-26 2018-11-29 Yale University Nitrogen-polar and semipolar gan layers and devices formed on sapphire with a high-temperature a1n buffer
CN109425442B (zh) * 2017-08-22 2020-07-24 北京自动化控制设备研究所 一种原子气室内部温度简易标定方法
US10892159B2 (en) 2017-11-20 2021-01-12 Saphlux, Inc. Semipolar or nonpolar group III-nitride substrates
US10373825B1 (en) * 2018-05-29 2019-08-06 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University Method for manufacturing gallium nitride substrate using core-shell nanoparticle
JP6595731B1 (ja) * 2018-10-26 2019-10-23 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体
US11949039B2 (en) 2018-11-05 2024-04-02 King Abdullah University Of Science And Technology Optoelectronic semiconductor device with nanorod array
CN113454272B (zh) * 2019-02-22 2024-03-08 三菱化学株式会社 GaN结晶和基板
CN110061104B (zh) * 2019-02-28 2020-08-14 华灿光电(苏州）有限公司 氮化镓基发光二极管外延片的制造方法
CN110129765B (zh) * 2019-05-23 2021-04-02 广东省半导体产业技术研究院 一种氮化物半导体材料及其制备方法
CN110517949B (zh) * 2019-07-29 2021-05-11 太原理工大学 一种利用SiO2作为衬底制备非极性a面GaN外延层的方法
CN114784123A (zh) * 2022-03-18 2022-07-22 华南理工大学 非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US372909A (en) 1887-11-08 Method of making dress-forms
JPH033233A (ja) * 1989-05-30 1991-01-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
US5290393A (en) * 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
JP2540791B2 (ja) * 1991-11-08 1996-10-09 日亜化学工業株式会社 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
US5432808A (en) * 1993-03-15 1995-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semicondutor light-emitting device
US6958093B2 (en) * 1994-01-27 2005-10-25 Cree, Inc. Free-standing (Al, Ga, In)N and parting method for forming same
US6440823B1 (en) * 1994-01-27 2002-08-27 Advanced Technology Materials, Inc. Low defect density (Ga, Al, In)N and HVPE process for making same
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US5974069A (en) * 1994-09-16 1999-10-26 Rohm Co., Ltd Semiconductor laser and manufacturing method thereof
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US5670798A (en) * 1995-03-29 1997-09-23 North Carolina State University Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact non-nitride buffer layer and methods of fabricating same
JP3599896B2 (ja) * 1995-05-19 2004-12-08 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法
JP2839077B2 (ja) * 1995-06-15 1998-12-16 日本電気株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH09116225A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Hitachi Ltd 半導体発光素子
JP3816176B2 (ja) * 1996-02-23 2006-08-30 富士通株式会社 半導体発光素子及び光半導体装置
US6072197A (en) * 1996-02-23 2000-06-06 Fujitsu Limited Semiconductor light emitting device with an active layer made of semiconductor having uniaxial anisotropy
US5923950A (en) * 1996-06-14 1999-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Inc. Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device
US5784187A (en) * 1996-07-23 1998-07-21 Lucent Technologies Inc. Wafer level integration of an optical modulator and III-V photodetector
US6177292B1 (en) 1996-12-05 2001-01-23 Lg Electronics Inc. Method for forming GaN semiconductor single crystal substrate and GaN diode with the substrate
JP3488587B2 (ja) * 1997-01-09 2004-01-19 株式会社東芝 昇圧回路及びこれを備えたｉｃカード
JP3139445B2 (ja) * 1997-03-13 2001-02-26 日本電気株式会社 ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体膜
ATE550461T1 (de) 1997-04-11 2012-04-15 Nichia Corp Wachstumsmethode für einen nitrid-halbleiter
JPH11191657A (ja) * 1997-04-11 1999-07-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
US6069021A (en) * 1997-05-14 2000-05-30 Showa Denko K.K. Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer
JPH10335637A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Sony Corp ヘテロ接合電界効果トランジスタ
JP3496512B2 (ja) * 1997-06-30 2004-02-16 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
JP3813740B2 (ja) 1997-07-11 2006-08-23 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス用基板
JPH11340580A (ja) 1997-07-30 1999-12-10 Fujitsu Ltd 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
US5926726A (en) * 1997-09-12 1999-07-20 Sdl, Inc. In-situ acceptor activation in group III-v nitride compound semiconductors
US6849472B2 (en) * 1997-09-30 2005-02-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Nitride semiconductor device with reduced polarization fields
JP3955367B2 (ja) * 1997-09-30 2007-08-08 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 光半導体素子およびその製造方法
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
CA2321118C (en) * 1998-02-27 2008-06-03 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6051849A (en) 1998-02-27 2000-04-18 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer
JP3988245B2 (ja) * 1998-03-12 2007-10-10 ソニー株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法および半導体装置の製造方法
JPH11346002A (ja) * 1998-04-01 1999-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
US6086673A (en) * 1998-04-02 2000-07-11 Massachusetts Institute Of Technology Process for producing high-quality III-V nitride substrates
JP3995790B2 (ja) * 1998-04-10 2007-10-24 シャープ株式会社 結晶製造方法
US6294440B1 (en) * 1998-04-10 2001-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor substrate, light-emitting device, and method for producing the same
JPH11297631A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Matsushita Electron Corp 窒化物系化合物半導体の成長方法
US6180270B1 (en) * 1998-04-24 2001-01-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low defect density gallium nitride epilayer and method of preparing the same
US6064078A (en) * 1998-05-22 2000-05-16 Xerox Corporation Formation of group III-V nitride films on sapphire substrates with reduced dislocation densities
TW417315B (en) 1998-06-18 2001-01-01 Sumitomo Electric Industries GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same
WO1999066565A1 (en) * 1998-06-18 1999-12-23 University Of Florida Method and apparatus for producing group-iii nitrides
JP2000058917A (ja) * 1998-08-07 2000-02-25 Pioneer Electron Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US6271104B1 (en) * 1998-08-10 2001-08-07 Mp Technologies Fabrication of defect free III-nitride materials
JP2000068609A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Ricoh Co Ltd 半導体基板および半導体レーザ
US6608330B1 (en) * 1998-09-21 2003-08-19 Nichia Corporation Light emitting device
JP3592553B2 (ja) * 1998-10-15 2004-11-24 株式会社東芝 窒化ガリウム系半導体装置
WO2000033388A1 (en) * 1998-11-24 2000-06-08 Massachusetts Institute Of Technology METHOD OF PRODUCING DEVICE QUALITY (Al)InGaP ALLOYS ON LATTICE-MISMATCHED SUBSTRATES
JP4304750B2 (ja) 1998-12-08 2009-07-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP3794530B2 (ja) * 1998-12-24 2006-07-05 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP2000216497A (ja) * 1999-01-22 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP4097343B2 (ja) 1999-01-26 2008-06-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
US6177057B1 (en) * 1999-02-09 2001-01-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process for preparing bulk cubic gallium nitride
JP3754226B2 (ja) * 1999-03-25 2006-03-08 三洋電機株式会社 半導体発光素子
JP3375064B2 (ja) * 1999-04-02 2003-02-10 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法
JP3587081B2 (ja) * 1999-05-10 2004-11-10 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2001007394A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Ricoh Co Ltd 半導体基板およびその作製方法および半導体発光素子
JP4329166B2 (ja) 1999-06-23 2009-09-09 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体光デバイス
JP2001010898A (ja) 1999-06-24 2001-01-16 Nec Corp 結晶基板およびその製造方法
JP3857467B2 (ja) * 1999-07-05 2006-12-13 独立行政法人科学技術振興機構 窒化ガリウム系化合物半導体とその製造方法
US6265089B1 (en) * 1999-07-15 2001-07-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic devices grown on off-axis sapphire substrate
US6268621B1 (en) * 1999-08-03 2001-07-31 International Business Machines Corporation Vertical channel field effect transistor
US6590336B1 (en) * 1999-08-31 2003-07-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Light emitting device having a polar plane piezoelectric film and manufacture thereof
US6455877B1 (en) * 1999-09-08 2002-09-24 Sharp Kabushiki Kaisha III-N compound semiconductor device
JP4424840B2 (ja) * 1999-09-08 2010-03-03 シャープ株式会社 Ｉｉｉ−ｎ系化合物半導体装置
US6398867B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-04 General Electric Company Crystalline gallium nitride and method for forming crystalline gallium nitride
US6812053B1 (en) 1999-10-14 2004-11-02 Cree, Inc. Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures
JP2001119066A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
JP2001160656A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体装置
US6515313B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Cree Lighting Company High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges
KR100388011B1 (ko) * 2000-01-17 2003-06-18 삼성전기주식회사 ＧａＮ박막 ＳＡＷ필터 및 이를 제조하는 방법
US6566231B2 (en) 2000-02-24 2003-05-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing high performance semiconductor device with reduced lattice defects in the active region
US6447604B1 (en) * 2000-03-13 2002-09-10 Advanced Technology Materials, Inc. Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices
JP3557441B2 (ja) 2000-03-13 2004-08-25 日本電信電話株式会社 窒化物半導体基板およびその製造方法
US6596079B1 (en) * 2000-03-13 2003-07-22 Advanced Technology Materials, Inc. III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
JP3946427B2 (ja) 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
JP2001298215A (ja) * 2000-04-14 2001-10-26 Nichia Chem Ind Ltd 発光素子
US6534332B2 (en) * 2000-04-21 2003-03-18 The Regents Of The University Of California Method of growing GaN films with a low density of structural defects using an interlayer
KR20010103998A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 이계안 하이브리드 전기 자동차의 누전 차단장치 및 그 제어방법
JP2001326385A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Sony Corp 半導体発光素子の製造方法
GB2363518A (en) * 2000-06-17 2001-12-19 Sharp Kk A method of growing a nitride layer on a GaN substrate
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
JP4556300B2 (ja) * 2000-07-18 2010-10-06 ソニー株式会社 結晶成長方法
US6680959B2 (en) * 2000-07-18 2004-01-20 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor laser
US6610144B2 (en) * 2000-07-21 2003-08-26 The Regents Of The University Of California Method to reduce the dislocation density in group III-nitride films
JP4327339B2 (ja) * 2000-07-28 2009-09-09 独立行政法人物質・材料研究機構 半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置
AU2001279163A1 (en) * 2000-08-04 2002-02-18 The Regents Of The University Of California Method of controlling stress in gallium nitride films deposited on substrates
US6586819B2 (en) * 2000-08-14 2003-07-01 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Sapphire substrate, semiconductor device, electronic component, and crystal growing method
JP2002076521A (ja) 2000-08-30 2002-03-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 窒化物半導体発光素子
JP4154558B2 (ja) 2000-09-01 2008-09-24 日本電気株式会社 半導体装置
JP4416297B2 (ja) * 2000-09-08 2010-02-17 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子、ならびにそれを使用した発光装置および光ピックアップ装置
JP2002094113A (ja) * 2000-09-19 2002-03-29 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体発光素子の製造方法
JP2002100838A (ja) * 2000-09-21 2002-04-05 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子とそれを含む光学装置
WO2002025746A1 (fr) 2000-09-21 2002-03-28 Sharp Kabushiki Kaisha Element emetteur de lumiere a semiconducteur de nitrure et dispositif optique contenant cet element
JP2002111134A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
US6649287B2 (en) * 2000-12-14 2003-11-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials and methods
US6635901B2 (en) 2000-12-15 2003-10-21 Nobuhiko Sawaki Semiconductor device including an InGaAIN layer
US6599362B2 (en) * 2001-01-03 2003-07-29 Sandia Corporation Cantilever epitaxial process
US6576932B2 (en) * 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
KR20040000418A (ko) * 2001-03-30 2004-01-03 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터제조되는 디바이스
US6773504B2 (en) * 2001-04-12 2004-08-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate
US6627551B2 (en) * 2001-06-06 2003-09-30 United Microelectronics Corp. Method for avoiding microscratch in interlevel dielectric layer chemical mechanical polishing process
RU2296189C2 (ru) * 2001-06-06 2007-03-27 АММОНО Сп.з о.о. Способ и устройство для получения объемного монокристаллического галлийсодержащего нитрида (варианты)
US6488767B1 (en) * 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
US7501023B2 (en) * 2001-07-06 2009-03-10 Technologies And Devices, International, Inc. Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP4111696B2 (ja) * 2001-08-08 2008-07-02 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子
US6977953B2 (en) * 2001-07-27 2005-12-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
JP2003060298A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子の製造方法と半導体発光素子
US7105865B2 (en) * 2001-09-19 2006-09-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. AlxInyGa1−x−yN mixture crystal substrate
JP4388720B2 (ja) * 2001-10-12 2009-12-24 住友電気工業株式会社 半導体発光素子の製造方法
TWI231321B (en) * 2001-10-26 2005-04-21 Ammono Sp Zoo Substrate for epitaxy
CN1300901C (zh) * 2001-10-26 2007-02-14 波兰商艾蒙诺公司 使用氮化物块状单晶层的发光元件结构
US6617261B2 (en) * 2001-12-18 2003-09-09 Xerox Corporation Structure and method for fabricating GaN substrates from trench patterned GaN layers on sapphire substrates
US6969426B1 (en) * 2002-02-26 2005-11-29 Bliss David F Forming improved metal nitrides
US7063741B2 (en) * 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
US7208393B2 (en) * 2002-04-15 2007-04-24 The Regents Of The University Of California Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
WO2003089696A1 (en) 2002-04-15 2003-10-30 The Regents Of The University Of California Dislocation reduction in non-polar gallium nitride thin films
US20060138431A1 (en) * 2002-05-17 2006-06-29 Robert Dwilinski Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
SG130935A1 (en) * 2002-06-26 2007-04-26 Agency Science Tech & Res Method of cleaving gan/sapphire for forming laser mirror facets
JP4201541B2 (ja) 2002-07-19 2008-12-24 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
US7119359B2 (en) * 2002-12-05 2006-10-10 Research Foundation Of The City University Of New York Photodetectors and optically pumped emitters based on III-nitride multiple-quantum-well structures
US6876009B2 (en) 2002-12-09 2005-04-05 Nichia Corporation Nitride semiconductor device and a process of manufacturing the same
US7186302B2 (en) * 2002-12-16 2007-03-06 The Regents Of The University Of California Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition
AU2003259125A1 (en) 2002-12-16 2004-07-29 The Regents Of The University Of California Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
US7098487B2 (en) * 2002-12-27 2006-08-29 General Electric Company Gallium nitride crystal and method of making same
EP1697965A4 (en) 2003-04-15 2011-02-09 Univ California QUANTUM WELLS (A1, B, IN, GA) N NON-POLAR
US6886375B2 (en) * 2003-06-27 2005-05-03 Paul J. Amo Handcuff restraint mechanism and method of use
US7170095B2 (en) * 2003-07-11 2007-01-30 Cree Inc. Semi-insulating GaN and method of making the same
US6847057B1 (en) * 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
US7808011B2 (en) * 2004-03-19 2010-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers
US7432142B2 (en) * 2004-05-20 2008-10-07 Cree, Inc. Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions
US7303632B2 (en) * 2004-05-26 2007-12-04 Cree, Inc. Vapor assisted growth of gallium nitride
TW200610150A (en) * 2004-08-30 2006-03-16 Kyocera Corp Sapphire baseplate, epitaxial substrate and semiconductor device
JP4883931B2 (ja) * 2005-04-26 2012-02-22 京セラ株式会社 半導体積層基板の製造方法
JP5113330B2 (ja) * 2005-11-30 2013-01-09 ローム株式会社 窒化ガリウム半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100102242A (ko) 2010-09-20
JP2011040789A (ja) 2011-02-24
US7091514B2 (en) 2006-08-15
JP2014060408A (ja) 2014-04-03
JP2009295994A (ja) 2009-12-17
US9039834B2 (en) 2015-05-26
EP1495169B1 (en) 2012-10-10
US20030198837A1 (en) 2003-10-23
WO2003089694A1 (en) 2003-10-30
KR20040102097A (ko) 2004-12-03
US20050040385A1 (en) 2005-02-24
EP1495168A1 (en) 2005-01-12
JP2005522888A (ja) 2005-07-28
KR20110132639A (ko) 2011-12-08
EP2336397A3 (en) 2014-11-26
KR101317469B1 (ko) 2013-10-11
US20120205623A1 (en) 2012-08-16
US8188458B2 (en) 2012-05-29
KR20050006162A (ko) 2005-01-15
JP2005522890A (ja) 2005-07-28
KR101167590B1 (ko) 2012-07-27
EP1495168B1 (en) 2014-06-11
WO2003089695A1 (en) 2003-10-30
KR100992960B1 (ko) 2010-11-09
EP2316989A3 (en) 2014-12-03
AU2003223563A1 (en) 2003-11-03
US20110229639A1 (en) 2011-09-22
EP2154270A3 (en) 2013-07-24
JP2015061818A (ja) 2015-04-02
KR20110069133A (ko) 2011-06-22
KR101288489B1 (ko) 2013-07-26
JP2017011278A (ja) 2017-01-12
US20030230235A1 (en) 2003-12-18
AU2003230876A1 (en) 2003-11-03
US6900070B2 (en) 2005-05-31
EP2154270A2 (en) 2010-02-17
EP1495169A1 (en) 2005-01-12
JP5046475B2 (ja) 2012-10-10
AU2003228497A1 (en) 2003-11-03
JP2010135845A (ja) 2010-06-17
JP2014195125A (ja) 2014-10-09
JP2009260386A (ja) 2009-11-05
WO2003089696A1 (en) 2003-10-30
US20110204329A1 (en) 2011-08-25
EP2316989A2 (en) 2011-05-04
EP1495167A1 (en) 2005-01-12
JP5254521B2 (ja) 2013-08-07
JP2005522889A (ja) 2005-07-28
EP2336397A2 (en) 2011-06-22
KR20120080246A (ko) 2012-07-16
US7982208B2 (en) 2011-07-19
US20060278865A1 (en) 2006-12-14
KR20050000511A (ko) 2005-01-05
KR101363377B1 (ko) 2014-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018064122A (ja) 非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス
JP5838523B2 (ja) 半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物の結晶
US9893236B2 (en) Non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum wells
JP2009527898A (ja) 半極性（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｂ）Ｎの光電子素子の成長方法
TW200419652A (en) Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
JP2010168274A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法およびテンプレート基板
KR101074852B1 (ko) 무극성 （Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ 양자 우물
Marchand et al. Extended defect reduction in GaN laterally overgrown on Si (lll)
Bhattacharyya et al. A Strategic Review of Reduction of Dislocation Density at the Heterogenious Junction of GAN Epilayer on Foreign Substrate
Zhang MOCVD growth of GaN on 200mm Si and addressing foundry compatibility issues

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180502

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180724

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190307