JP2011511462A - ウエハの軸外カットによる窒化物発光ダイオードの偏光の向上 - Google Patents
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Abstract
本発明は、無極性LEDから高偏光比を得るための技術を提供する。軸外カットを有するm平面GaNウエハ上に成長されるLEDは、高偏光比を伴う発光特徴を保有する傾向にある。ウエハの軸外カット(「オフカット」として知られる)は、極性(−c)方位に面して行なわれる。極性(−c)方位に面した無極性III族窒化物ウエハの軸外カットは、そのような軸外カットを伴わないウエハより高い発光偏光比をもたらす。軸外カットの5°角度は、0°乃至27°の軸外カットのいずれの他の検証された角度の中でも最高偏光比(0.9)を提供することが認められている。
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、米国特許法第119条(e)項の下、2008年2月1日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Asako Hirai、Makoto Saito、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.Denbaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY WAFER OFF−AXIS CUT」というタイトルの、同時係属中で同一譲受人の米国仮特許出願第61/025,600号、代理人整理番号30794.260−US−P1(2008−361−1)の利益を主張し、その出願は本明細書に参考として援用される。
本出願は、米国特許法第119条(e)項の下、2008年2月1日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Asako Hirai、Makoto Saito、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.Denbaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY WAFER OFF−AXIS CUT」というタイトルの、同時係属中で同一譲受人の米国仮特許出願第61/025,600号、代理人整理番号30794.260−US−P1(2008−361−1)の利益を主張し、その出願は本明細書に参考として援用される。
本出願は以下の同時係属中で同一譲受人の米国特許出願に関連する:
2008年6月16日に出願された、Asako Hirai、Zhongyuan Jia、Makoto Saito、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、James S.Speckらによる、「PLANAR NONPOLAR M−PLANE GROUPE III NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国実用特許出願第12/140,096号、代理人整理番号30794.238−US−U1(2007−674−2)で、この出願は、2007年6月15日に出願された、Asako Hirai、Zhongyuan Jia、Makoto Saito、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、James S.Speckらによる、「PLANAR NONPOLAR M−PLANE GROUPE III NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国仮特許出願第60/944,206号、代理人整理番号30794.238−US−P1(2007−674−1)の利益を主張する;
2008年8月8日に出願された、Kenji Iso、Hisashi Yamada、Makoto Saito、Asako Hirai、Steven P.DenBaars、James S.Speck、Shuji Nakamuraらによる、「PLANAR NONPOLAR M−PLANE GROUPE III−NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国実用特許出願第12/189,026号、代理人整理番号30794.249−US−U1(2008−004−2)で、この出願は、2007年8月8日に出願された、Kenji Iso、Hisashi Yamada、Makoto Saito、Asako Hirai、Steven P.DenBaars、James S.Speck、Shuji Nakamuraらによる、「PLANAR NONPOLAR M−PLANE GROUPE III−NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国仮特許出願第60/954,744号、代理人整理番号30794.249−US−P1(2008−004−1)、および2007年8月8日に出願された、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Makoto Saito、Asako Hirai、Steven P.DenBaars、James S.Speck、Shuji Nakamuraらによる、「III−NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国仮特許出願第60/954,767号、代理人整理番号30794.248−US−P1(2008−062−1)の利益を主張する;
本出願と同日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.DenBaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY INCREASED INDIUM INCORPORATION」というタイトルの、米国実用特許出願第xx/xxx,xxx号、代理人整理番号30794.259−US−U1(2008−323−1)で、この出願は、米国特許法第119条(e)項の下、2008年2月1日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.DenBaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY INCREASED INDIUM INCORPORATION」というタイトルの、同時係属中で同一譲受人の米国仮特許出願第61/025,592号、代理人整理番号30794.259−US−P1(2008−323−2)の利益を主張し、その出願は本明細書に参考として援用される。
2008年6月16日に出願された、Asako Hirai、Zhongyuan Jia、Makoto Saito、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、James S.Speckらによる、「PLANAR NONPOLAR M−PLANE GROUPE III NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国実用特許出願第12/140,096号、代理人整理番号30794.238−US−U1(2007−674−2)で、この出願は、2007年6月15日に出願された、Asako Hirai、Zhongyuan Jia、Makoto Saito、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura、James S.Speckらによる、「PLANAR NONPOLAR M−PLANE GROUPE III NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国仮特許出願第60/944,206号、代理人整理番号30794.238−US−P1(2007−674−1)の利益を主張する;
2008年8月8日に出願された、Kenji Iso、Hisashi Yamada、Makoto Saito、Asako Hirai、Steven P.DenBaars、James S.Speck、Shuji Nakamuraらによる、「PLANAR NONPOLAR M−PLANE GROUPE III−NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国実用特許出願第12/189,026号、代理人整理番号30794.249−US−U1(2008−004−2)で、この出願は、2007年8月8日に出願された、Kenji Iso、Hisashi Yamada、Makoto Saito、Asako Hirai、Steven P.DenBaars、James S.Speck、Shuji Nakamuraらによる、「PLANAR NONPOLAR M−PLANE GROUPE III−NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国仮特許出願第60/954,744号、代理人整理番号30794.249−US−P1(2008−004−1)、および2007年8月8日に出願された、Hisashi Yamada、Kenji Iso、Makoto Saito、Asako Hirai、Steven P.DenBaars、James S.Speck、Shuji Nakamuraらによる、「III−NITRIDE FILMS GROWN ON MISCUT SUBSTRATES」というタイトルの、米国仮特許出願第60/954,767号、代理人整理番号30794.248−US−P1(2008−062−1)の利益を主張する;
本出願と同日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.DenBaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY INCREASED INDIUM INCORPORATION」というタイトルの、米国実用特許出願第xx/xxx,xxx号、代理人整理番号30794.259−US−U1(2008−323−1)で、この出願は、米国特許法第119条(e)項の下、2008年2月1日に出願された、Hisashi Masui、Hisashi Yamada、Kenji Iso、James S.Speck、Shuji Nakamura、Steven P.DenBaarsらによる、「ENHANCEMENT OF OPTICAL POLARIZATION OF NITRIDE LIGHT−EMITTING DIODES BY INCREASED INDIUM INCORPORATION」というタイトルの、同時係属中で同一譲受人の米国仮特許出願第61/025,592号、代理人整理番号30794.259−US−P1(2008−323−2)の利益を主張し、その出願は本明細書に参考として援用される。
(1.本発明の分野)
本発明は、発光ダイオードに関し、より具体的には、ウエハの軸外カットによる窒化物発光ダイオードの偏光の向上に関する。
本発明は、発光ダイオードに関し、より具体的には、ウエハの軸外カットによる窒化物発光ダイオードの偏光の向上に関する。
(本発明の背景)
(2.関連技術の説明)
(注記:本願は、括弧内の1つ以上の参照番号(例えば、参考文献[x])によって、本明細書を通して指示されるように、いくつかの異なる刊行物を参照する。このような参照番号に従って順序付けられたこれらの異なる刊行物の一覧は、以下の「参考文献」の項に列挙される。これらの刊行物はそれぞれ、本明細書に参考として援用される。)
発光ダイオード(LED)は、多くの用途の中でもとりわけ、表示ランプ、局所照明器、および光送信機として、過去30年にわって使用されている。過去10年においては、青色および緑色LED系高輝度アルミニウム−インジウム−窒化ガリウム[(Al,In,Ga)N]が開発され、一般照明およびフルカラーディスプレイ用途に出現し始めている。
(2.関連技術の説明)
(注記:本願は、括弧内の1つ以上の参照番号(例えば、参考文献[x])によって、本明細書を通して指示されるように、いくつかの異なる刊行物を参照する。このような参照番号に従って順序付けられたこれらの異なる刊行物の一覧は、以下の「参考文献」の項に列挙される。これらの刊行物はそれぞれ、本明細書に参考として援用される。)
発光ダイオード(LED)は、多くの用途の中でもとりわけ、表示ランプ、局所照明器、および光送信機として、過去30年にわって使用されている。過去10年においては、青色および緑色LED系高輝度アルミニウム−インジウム−窒化ガリウム[(Al,In,Ga)N]が開発され、一般照明およびフルカラーディスプレイ用途に出現し始めている。
LED加工の観点において、従来のLEDは、非干渉性かつ非偏光発光のため、ダイがパッケージに取り付けられる際、LEDパッケージの特定のダイ方位を画定することは、必須ではない。一般的LED加工では、ダイ方位は、LEDウエハがダイスカットされる際にのみ重要であって、これは、ウエハ上へのLEDフォトリソグラフィパターニングが、結晶方向に沿って、パターンを配向することによって行なわれる理由である。本配向プロセスは、ダイ分割を信頼性のあるものにし、より高い生産収率をもたらす。
絶縁基板(例えば、サファイア)上に調製されるAlInGaN LEDの場合、2つの電気接点がLEDダイの片側に生成され、パッケージに対するダイ方位は、正および負の金属接点の位置の観点から重要である。信頼性のあるダイ分割および電気接点のためのこのような配向は、必ずしもLED加工のみにおいてではなく、いずれの半導体素子にとっても、一般的慣行である。しかしながら、LEDダイ配向は、発光特性の観点から、加工に考慮されてはいない。
内部電気分極は、光電子工学において使用される半導体の中でも、AlInGaN系の特異的特性であって、本特性は、該材料系の六方晶構造に由来する。図1は、その標示付け規約とともに、結晶主軸a1 102、a2 104、a3 106、c軸108、および一般的な着目結晶平面(r平面110、a平面112、m平面114、およびc平面116)を伴う、一般的六方晶構造100を図式的に示す。
電気分極は、c軸に沿った反転対称の欠如によって、六方晶構造中に生成される。例えば、GaNの場合、図2は、GaN結晶200中の原子の配列を例示し、白丸202は、ガリウム(Ga)原子を表し、黒丸204は、窒素(N)原子を表す。図2に示されるGaNのc軸206に沿って、Ga原子202(陽イオン、正の電荷を帯びている)およびN原子204(陰イオン、負の電荷を帯びている)が交互に位置付けられ、全体として、電気的中性が維持される。また、図2には、a軸208も示される。
しかしながら、反転対称の欠如のため、原子が、c軸に沿って、互いに対してその理想的位置から変位されると、本c軸に沿って、内部電場が存在する。AlInGaN系内の原子は、通常、その理想的位置を維持しないため、本分極場は、ほぼ常に、c軸に沿って存在する。このような理由から、c平面は、極性平面と呼ばれる。分極場は、これらの特定の軸に沿った反転対称によって、a軸またはm軸のいずれに沿っても存在しない。このような理由から、a平面およびm平面は、無極性平面と呼ばれる。これらの無極性平面に対して、偏極ベクトル(分極場の方向および強度を表す)は、正味偏極ベクトルがc軸に平行であるため、平面に平行である。
AlInGaN材料は、従来、c方向(すなわち、c軸に沿った方向)、したがって、c平面上に成長される。c平面上に成長されるLEDは、極僅かな偏光を示す。本c平面上では、分極場は、面内成分を有さず、LEDの量子井戸(QW)構造中のc平面内の等方性機械応力は、QW内のキャリア再結合の性質を変化させない。
近年、aおよびm平面上にAlInGaN LEDを調製することが可能となっている。これらのLEDは、直線偏光発光を呈する。分極場は、平面内の特定の方向(c方向)にあって、QW内の応力は、基板とQWとの間の異なる格子不整合度によって、aまたはm平面内の2つの垂直方向に等方性である。発明者らは、これらの無極性LEDからの発光は、c軸に垂直方向の直線偏光であることを認めている。直線偏光は、波動伝搬に対して垂直の一平面内においてのみ、その電場を有する電磁波である。非偏光は、波動伝搬に対して垂直の平面方向に、その電場を均等に分布させる。偏光の主要用途は、液晶ディスプレイ(LCD)のための背面照明であって、LEDは、従来の冷陰極蛍光灯と比較して、そのコンパクト性およびエネルギー効率により有益である。
また、半極性平面上に調製されるAlInGaN LEDも、偏光を放出することが認められている。c軸に平行な偏極ベクトルの射影は、無極性平面場合と同様に、半極性平面上にある。
偏光発光は、(Al,In,Ga)Nの無極性および半極性方位に調製されるLEDから、実験的に認められている。あらゆる従来のLEDは、非偏光を放出するが、偏光発光は、LCDのための背面照明等のある用途において有用であると考えられる。
偏光発光の利点を享受するため、高偏光比が好ましい。したがって、LEDにおいて、高偏光比を得るための技術改良の必要性が、当技術分野に存在する。
(本発明の概要)
本発明は、無極性LEDから高偏光比を得るための技術を提供する。軸外カットを有するm平面GaNウエハ上に成長されるLEDは、高偏光比を伴う発光特徴を保有する傾向にある。ウエハの軸外カット(「オフカット」として知られる)は、極性(−c)方位に面して行なわれる。オフカットの5°角度は、0°乃至27°のいずれの他の検証されたオフカット角度と比較しても、より高い偏光比(0.9)を提供することが認められている。
本発明は、無極性LEDから高偏光比を得るための技術を提供する。軸外カットを有するm平面GaNウエハ上に成長されるLEDは、高偏光比を伴う発光特徴を保有する傾向にある。ウエハの軸外カット(「オフカット」として知られる)は、極性(−c)方位に面して行なわれる。オフカットの5°角度は、0°乃至27°のいずれの他の検証されたオフカット角度と比較しても、より高い偏光比(0.9)を提供することが認められている。
上述の従来技術の制限を克服し、本明細書を熟読および理解することによって明白となるであろう他の制限を克服するために、本発明は、極性(−cまたは+c)方位に面して無極性III族窒化物の軸外カットを行なうステップと、軸外カット無極性III族窒化物上にLEDを成長させるステップとを含む、LEDからの発光の偏光比を増加させるための方法を開示する。
発光は、軸外カットを伴わないものより高い偏光比を有する。例えば、軸外カットは、0°乃至27°の軸外カット角度を有してもよく、方位は、[000−1]であってもよい。軸外カット角度は、約5°であって、0°乃至27°の他の軸外カット角度より高い偏光比を提供してもよい。
いくつかの実施形態では、450nmの発光波長における5°の軸外カット角度の偏光比は、約0.91であってもよく、430nmの発光波長における10°の軸外カット角度の偏光比は、0.80超であってもよく、470nmの発光波長における0°の軸外カット角度の偏光比は、0.80超であってもよく、450nmの発光波長における27°の軸外カット角度の偏光比は、約0.55超であってもよく、390nmの発光波長における0°の軸外カット角度の偏光比は、約0.55であってもよい。
本発明は、無極性指向III族窒化物の表面上に1つ以上の発光層を含み、表面は、無極性指向III族窒化物の無極性平面に対して軸外角度にあり、角度は、[0001]または[000−1]方向または方位に面し、角度は、0.8超の発光層によって放出される光の偏光比を達成する、LEDをさらに開示する。
次に、図面を参照する(同一参照番号は、全体を通して対応する部品を表す)。
図1は、一般的六方晶構造および着目結晶平面の概略図である。
図2は、GaN結晶中の原子の配列を例示し、白丸は、Gaを表し、黒丸は、Nを表す。
図3は、(LEDのGaN基板の)m平面に対し、かつ[000−1](度、°)に面する軸外カットの角度の関数として、LEDによって放出される光の偏光比を例示するグラフであって、27°の角度は、半極性平面(10−1−1)に対応し、データ点マーカに隣接する数字は、試料LEDの発光波長(ナノメートル、nm)を示し、図3のデータに対するLED材料組成および構造は、参考文献[1]に記載される。
図4は、本発明の方法を例示する工程図である。
図5(a)は、本発明によって加工される素子の断面図であり、図5(b)は、図5(a)の素子の上面図の概略図であって、偏光方向aおよびbを例示し、aおよびbは、直交し、素子表面の同一平面上にある。
図6(a)および図6(b)は、LCD動作の原理を例示し、従来の技術では、偏光は、第1の偏光子を通過後に得られる。
(本発明の詳細な説明)
好ましい実施形態の以下の説明では、本明細書の一部を形成し、本発明が実践され得る特定の実施形態の一例として示される、付随の図面が参照される。他の実施形態が利用されてもよく、構造的変化は、本発明の範囲から逸脱することなく成され得ることを理解されたい。
好ましい実施形態の以下の説明では、本明細書の一部を形成し、本発明が実践され得る特定の実施形態の一例として示される、付随の図面が参照される。他の実施形態が利用されてもよく、構造的変化は、本発明の範囲から逸脱することなく成され得ることを理解されたい。
(用語)
ここで、窒化ガリウム(GaN)系材料の本特定の研究分野の慣習に基づく、本開示で使用される用語を明確にすることは有意義である。
ここで、窒化ガリウム(GaN)系材料の本特定の研究分野の慣習に基づく、本開示で使用される用語を明確にすることは有意義である。
電気分極および偏光は両方とも、本発明における重要な概念であるが、異なる物理的現象である。但し、両方とも「偏極」と称されている。
電気分極は、偏極ベクトルおよび内部分極電場に関し、特定の材料系の結晶構造に基づく。この場合、材料は、「偏極」材料と称される。材料が内部電気分極を有さない場合、「無極性」材料と称される。
偏光は、電磁波放出に関し、光は、「偏光」と称される場合が多い。偏光の概念は、電磁波が空間中を伝搬する様子に基づく。
平面に垂直な偏極ベクトルを有する極性材料の結晶平面は、「極性」平面と称される。平面に平行な偏極ベクトルを有する平面は、「無極性」平面と称される。平面に対していずれかの他の角度で偏極ベクトルを有する平面は、「半極性」平面と称される。本慣習(極性、無極性、または半極性)が、素子(例えば、LED)に適用される場合、素子がその(極性、無極性、または半極性)結晶平面上に調製されることを意味する。
(概要)
無極性および半極性AlInGaN系LEDは、偏光を放出するように示されている一方、従来のLEDは、非偏光のみ放出する。無極性LEDの偏光比の最高報告値は、0.8である(室温測定)。実践用途の場合、依然として、より高い偏光比が必要とされる。本発明は、極性(−c)方位に面して無極性指向ウエハの軸外カット(すなわち、オフカット)を行なうことによって、無極性LEDからのエレクトロルミネセンスにおいてより高い偏光比を達成する。
無極性および半極性AlInGaN系LEDは、偏光を放出するように示されている一方、従来のLEDは、非偏光のみ放出する。無極性LEDの偏光比の最高報告値は、0.8である(室温測定)。実践用途の場合、依然として、より高い偏光比が必要とされる。本発明は、極性(−c)方位に面して無極性指向ウエハの軸外カット(すなわち、オフカット)を行なうことによって、無極性LEDからのエレクトロルミネセンスにおいてより高い偏光比を達成する。
(技術説明)
無極性および半極性LEDからの偏光発光が報告されている。偏光比は、偏光度を示す数字であって、0は、光の偏光がなく、1は、完全偏光である。これらのLEDの偏光比の一般的な値は、0.8である。これらの偏光源を使用する実践的用途の場合、高偏光比が必要とされる。
無極性および半極性LEDからの偏光発光が報告されている。偏光比は、偏光度を示す数字であって、0は、光の偏光がなく、1は、完全偏光である。これらのLEDの偏光比の一般的な値は、0.8である。これらの偏光源を使用する実践的用途の場合、高偏光比が必要とされる。
無極性LEDの偏光比を増加させるためのいくつかの方法が存在する。使用されるLED構造および/または基板を変化させることによって誘発される歪は、偏光比に影響を及ぼすであろう。技術は、LED構造中の歪制御層の導入または異種基板の使用を含んでもよい。入念に調製されたLEDチップは、迷光を低減し、偏光比を増加させることが可能である。低温(約100K)で動作するLEDは、偏光比を増加させる別の方法である。しかしながら、これは、光源用途にとって実用的ではない。外部技術、例えば、偏光子の使用が周知であるが、エネルギー効率の観点から好ましくない。
本発明に説明される技術は、偏光比を向上させる方法の1つである。発明者らは、LED構造の成長のために、オフカット基板を採用することによって、偏光比が改良されたことを実験的に認めている。
図3は、(LEDのGaN基板の)m平面に対して、かつ[000−1]に面したオフカット角度の関数として、偏光比を例示するグラフであって、データ点マーカに隣接する数字は、試料LEDの発光波長を示す。
図3に示されるように、偏光比は、450nmに対して5°のオフカットで最大となる傾向にある一方、430nmにおける10°のオフカットは、発光波長が短いが、依然として、470nmにおける0°のオフカットと同一偏光比を維持している(より長い波長は、インジウム(In)混和によって誘発されるより高い歪によって、より高い偏光比を示す傾向にある)。また、450nmにおける半極性平面(10−1−1)に対応する27°のオフカットは、390nmにおける0°のオフカットと同一偏光比を有することに留意されたい。
これらの結果は、理論的研究によって予測されてはいない。発明者らは、これらの現象がオフカット基板上に調製される発光層の歪状態に起因すると考える。
したがって、本発明の一実施形態は、[000−1]に面して、0乃至27°のオフカット角度を伴う、m平面GaN基板(スライスされたバルク基板または異種基板上に異種エピタキシャルに成長されるGaN層)を採用する。そのような基板を採用することによって、基板上に加工されるLED構造からの発光の結果として得られる偏光比は、(公称)オフカットを伴わないm平面基板上に加工されるLED構造からの発光の偏光比より高い。
(プロセスステップ)
図4は、発光ダイオード(LED)から放出される光の偏光比を増加させるための方法を例示する工程図である。
図4は、発光ダイオード(LED)から放出される光の偏光比を増加させるための方法を例示する工程図である。
ブロック400は、無極性平面に対して角度付けられたIII族窒化物の表面を提供するステップを表し、角度は、[0001]または[000−1]方向(または、方位)に面する。例えば、表面は、極性(−cまたは+c)方位に面して無極性III族窒化物の軸外カットを行なうことによって得られてもよい。しかしながら、表面を得る他の方法が使用されてもよい。
軸外カットは、0°乃至27°の軸外カット角度を有してもよく、方位は、[000−1]であってもよい。軸外カット角度は、約5°であって、0°乃至27°の他の軸外カット角度より高い偏光比を提供してもよい。
ブロック402は、表面上、例えば、軸外カット無極性III族窒化物上にLEDを成長させるステップを表す。
ブロック404は、本方法を使用して加工される素子、例えば、無極性LEDを表す。LEDからの発光は、軸外カットを伴わないものより高い偏光比を有する。例えば、実施例として提供されるいくつかの構造の場合、図3は、450nmの発光波長における5°の軸外カット角度の偏光比は、約0.91であって、430nmの発光波長における10°の軸外カット角度の偏光比は、0.80超であって、470nmの発光波長における0°の軸外カット角度の偏光比は、0.80超であって、450nmの発光波長における27°の軸外カット角度の偏光比は、約0.55であって、390nmの発光波長における0°の軸外カット角度の偏光比は、約0.55であることを例示する。
図5(a)は、素子が、無極性(例えば、a平面またはm平面)指向III族窒化物基板506の表面504上に1つ以上の発光層502を含むLED500であってもよく、表面504は、無極性指向III族窒化物506の無極性平面510a、510b(例えば、a平面またはm平面)に対して軸外角度508にあって、III族窒化物506の[0001]または[000−1]方向または方位512に面し、角度508は、0.8超の発光層502によって放出される光の偏光比を達成することを示す。発光層502は、p−n接合を形成するp型III族窒化物領域514およびn型III族窒化物領域516、または発光III族窒化物活性層518(例えば、発光QW)、あるいはp型層514とn型層516との間の活性層518を含んでもよい。このように、発光層502は、指向される、または方向520に成長される、あるいは平面510a、510bに対して角度508にある上表面522を有する。また、中間層、例えば、III族窒化物基板層524も示される。
表面504上に成長される領域または層502、524は、(Al、B、Ga、In)N素子の加工の当該分野において周知のように、III族窒化物層((Al、B、Ga、In)N層)であってもよい。
通常は、実際の素子においては、軸上無極性指向III族窒化物基板506は、オフカット基板524およびオフカット素子層502が平行表面522、526が曝露され、結晶学的決定方法が行なわれない限り、角度508が見えないように、層502、524の成長後に除去される。
また、活性領域518によって放出される光528を透過させる素子500の表面522の実施例も、示される。図5(a)では、点線510aおよび510bは、無極性平面を示す。加えて、点線510bは、点線530および532とともに、表面504を得るために、無極性指向III族窒化物506が除去され得る領域を示す。
図5(b)は、図5(a)の(表面522の垂線に沿った)概略上面図であって、光528の偏光比を例示する。光(ρ)の偏光比は、ρ=(Ia+Ib)/(Ia−Ib)として一般的に定義され、式中、IaおよびIbは、それぞれ、面内方向aおよびbに平行(すなわち、素子表面522に平行またはその同一平面上にある)の極性(電場)を有する光528の強度である(aおよびb方向は、互いに直交する)。言い換えると、Iaは、方向aに偏光を有する光528の強度であって、Ibは、方向bに偏光を有する光528の強度である。ρがゼロ、すなわち、Ia=Ibの時、光528は、非偏光である。IaがIbと等しくない時、光528は、(部分的に)直線偏光される。IaまたはIbがゼロ(すなわち、ρが単位元)である時、光528は、(完全に)直線偏光される。
議論を容易にするために(aおよびbが表面528に平行であるように)、図5(a)は、表面522に垂直に出現する光528のみ示す。しかしながら、他の角度および他の表面から出現する光も可能である。したがって、本発明の偏光比の測定は、表面522に垂直に放出される光528を観察することによって行なわれたが、偏光aおよびbは、通常は、観察方向(すなわち、光528の伝搬方向)に対して決定される。したがって、光528が表面522に垂直に伝搬しない場合、aおよびbは、必ずしも表面522に平行ではない。実際、光528は、表面522から任意の方向に伝搬し、偏光aおよびbは、観察方向(視線の位置)に対するものである。
(可能性として考えられる修正例および変形例)
本発明の可能性として考えられる修正例は、[0001]に面したオフカットの採用である。[000−1]および[0001]の結晶方位は、類似特徴を有する。結果として、[0001]に面するウエハオフカットは、偏光において同一利点を示してもよい。
本発明の可能性として考えられる修正例は、[0001]に面したオフカットの採用である。[000−1]および[0001]の結晶方位は、類似特徴を有する。結果として、[0001]に面するウエハオフカットは、偏光において同一利点を示してもよい。
別の可能性として考えられる修正例は、他の無極性基板、例えば、a平面を採用することである。a平面方位に調製される基板は、[000−1]または[0001]に面してオフカット可能である。
本発明に記載される基板506は、スライスされたバルクGaN結晶(例えば、ブロック400によって表されるステップに先立って、または表面504の調製に先立って、III族窒化物基板が、無極性平面510a、510bに沿ってスライスされ、無極性指向III族窒化物基板506を提供してもよい)に限定されず、エピタキシャル技術(例えば、異種基板上のa軸またはm軸に沿った成長)によって、異種基板上に調製されるGaN基板506も含む。しかしながら、基板506は、任意の好適な方法によって調製可能である。
また、半極性LEDまたはレーザは、本発明の方法を使用して加工され得る。また、オフカット無極性方位は、オフカットの大きさに応じて、半極性平面としても検討され得る。例えば、m平面からc方向に面した27°のオフカットは、(10−1−1)半極性方位に対応する。
(利点および改良点)
本発明は、公称オフカットを伴わない従来の基板を置換するために、素子構造成長において、オフカット基板のみを採用する。故に、材料成長のさらなるプロセス、無菌室処理、または素子パッケージングは、必要とされない。ウエハのオフカットは、素子成長に使用される場合が多いが、偏光特徴にオフカットの影響を及ぼさないことは周知である。または、大きなオフカット角度(5°および10°等)は、概して、成長を大幅に変化させると考えられるため、一般的には使用されない。
本発明は、公称オフカットを伴わない従来の基板を置換するために、素子構造成長において、オフカット基板のみを採用する。故に、材料成長のさらなるプロセス、無菌室処理、または素子パッケージングは、必要とされない。ウエハのオフカットは、素子成長に使用される場合が多いが、偏光特徴にオフカットの影響を及ぼさないことは周知である。または、大きなオフカット角度(5°および10°等)は、概して、成長を大幅に変化させると考えられるため、一般的には使用されない。
本発明の特定の用途の1つは、LCDの背面照明のためのものである。LCDは、フラットパネルディスプレイにおける成長技術である。自己発光素子ではないため、LCDは、ディスプレイユニット内に光源を必要とする。光源は、現在、冷陰極蛍光灯からLEDに変化しつつあり、したがって、LED市場の本部門は、増加するであろうことが期待される。
LCD600は、図6(a)および図6(b)に示されるように、偏光技術に基づく。液晶602の薄層は、電気的制御された偏光回転子として作用する。直線偏光604が、液晶層602上に入射すると、光604は、液晶602を電気的に動作608させることによって、通過(図6(a)の光出力606)または遮断(光出力606がない、図6(b))され得る。LCDユニット600が必要とするものは、光源610によって放出される源光614の好ましくない偏光成分を濾光するためのプラスチックシートである、線形偏光子612と組み合わせた光源610である。例えば、図6(b)は、交流(AC)電圧608が液晶602に印加されると、光出力616が偏光子618によって遮断されるように、液晶602が、偏光604を回転させないことを示す。図6(a)は、印加されるAC電圧608の不在下、液晶602が偏光604を回転させ、偏光子618を通過し、光出力606を形成する偏光を有する光620を形成することを示す。また、図6(a)および図6(b)には、配向膜622が示される。
偏光子612の透過率は、通常は、80%であって、したがって、光614の20%は、偏光子612によって損失される。1つ以上の偏光LED(光源610として)がLCD適用される場合、偏光子612は、もはや必要とされず、ディスプレイ輝度が、大幅に増加される。加えて、ディスプレイユニット600の重量が減少される。これらの利点を達成するために、高偏光比が、LED610のために必要とされる。本発明は、本目的に寄与する単純な技術である。
(参考文献)
以下の参考文献が本明細書中で参考として援用される。
以下の参考文献が本明細書中で参考として援用される。
1. Hisashi Yamada,Kenji Iso,Makoto Saito,Kenji Fujito,Steven P.DenBaars,Shuji Nakamura,“Impact of Substrate Miscut on the Characteristic of m−plane InGaN/GaN Light Emitting Diodes”,Jpn.J.Appl.Phys.Vol.46,No.46,p.L1117(2007).
2. K.Okamoto,et al.,“Dislocation−free−m−plane InGaN/GaN light−emitting diodes on m−plane GaN single crystals”,Jpn.J.Appl.Phys.45,L1197(2006)。この論文は、バルクGaN基板上に加工された無極性のLEDについて0.77の偏光比を報告している。
2. K.Okamoto,et al.,“Dislocation−free−m−plane InGaN/GaN light−emitting diodes on m−plane GaN single crystals”,Jpn.J.Appl.Phys.45,L1197(2006)。この論文は、バルクGaN基板上に加工された無極性のLEDについて0.77の偏光比を報告している。
3. H.Tsujimura,et al.,“Characteristics of polarized electroluminescence from m−plane InGaN−based light emitting diodes”,Jpn.J.Appl.Phys.46,L1010(2007)。この論文は、バルクGaN基板上に加工された無極性のLEDについて0.8の最大偏光比を報告している。
4. S.Nakagawa,“Temperature dependence of polarized electroluminescence from nonpolar m−plane InGaN−based light emitting diodes”,Appl.Phys.Lett.91,171110(2007)。この論文は、偏光比における温度の影響を報告している。報告された最高数は0.98(100Kにて測定)。室温においては偏光比として0.85が報告されている。
5. A.A.Yamaguchi,“Anisotropic optical matrix elements in strained GaN quantum wells”,Jpn.J.Appl.Phys.46、L789(2007)。この論文は、無極性および他の入射面において偏光の理論的計算を提供する。
6. Hisashi Masui,Hisashi Yamada,Kenji Iso,Shuji Nakamura,Steven P.DenBaars,“Optical polarization characteristics of m−oriented InGaN/GaN light−emitting diodes with various indium compositions in single−quantum−well structure”,J.Phys.D:Appl.Phys.41(2008)225104(7pp)。
(結論)
ここで、本発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。本発明の1つ以上の実施形態の上述の説明は、例示および説明の目的のために提示されている。本発明を包括的または開示される正確な形態に限定することを意図するものではない。多くの修正例および変形例が、上述の教示に照らして可能である。本発明の範囲は、本発明を実施するための形態によってではなく、本明細書に添付の請求項によって限定されることが意図される。
ここで、本発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。本発明の1つ以上の実施形態の上述の説明は、例示および説明の目的のために提示されている。本発明を包括的または開示される正確な形態に限定することを意図するものではない。多くの修正例および変形例が、上述の教示に照らして可能である。本発明の範囲は、本発明を実施するための形態によってではなく、本明細書に添付の請求項によって限定されることが意図される。
Claims (13)
- 発光ダイオード(LED)からの発光の偏光比を増加させるための方法であって、
極性(−cまたは+c)方位に面して、無極性III族窒化物の軸外カットを行なうことと、
該無極性III族窒化物の該軸外カット上に該LEDを成長させ、それによって、該LEDからの発光の偏光比を増加させることと
を含む、方法。 - 前記発光は、前記軸外カットを伴わないものより高い偏光比を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記軸外カットは、0°乃至27°の軸外カット角度を有し、前記方位は、[000−1]である、請求項1に記載の方法。
- 前記軸外カット角度は、約5°であって、0°乃至27°の他の軸外カット角度より高い偏光比を提供する、請求項1に記載の方法。
- 450nmの発光波長における5°の軸外カット角度の偏光比は、約0.91である、請求項1に記載の方法。
- 430nmの発光波長における10°の軸外カット角度の偏光比は、0.80超である、請求項1に記載の方法。
- 前記470の発光波長における0°の軸外カット角度の偏光比は、0.80超である、請求項1に記載の方法。
- 450nmの発光波長における27°の軸外カット角度の偏光比は、約0.55である、請求項1に記載の方法。
- 390nmの発光波長における0°の軸外カット角度の偏光比は、約0.55である、請求項1に記載の方法。
- 前記LEDは、無極性LEDである、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に従って加工される、発光ダイオード(LED)。
- 発光ダイオード(LED)であって、
無極性指向III族窒化物の表面上の1つ以上の発光層を含み、
該表面は、該無極性指向III族窒化物の無極性平面に対して軸外角度にあって、
該角度は、該無極性指向III族窒化物の[0001]または[000−1]方向または方位に面し、
該角度は、0.8超の該発光層によって放出される光の偏光比を達成する、発光ダイオード。 - 発光ダイオード(LED)から発光させるための方法であって、
無極性指向III族窒化物の表面上の1つ以上の発光層から光を放出することを含み、
該表面は、該無極性指向III族窒化物の無極性平面に対して軸外角度にあって、
該角度は、[0001]または[000−1]方向または方位に面し、
該角度は、0.8超の該発光層によって放出される光の偏光比を達成する、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2560008P | 2008-02-01 | 2008-02-01 | |
PCT/US2009/032865 WO2009097611A1 (en) | 2008-02-01 | 2009-02-02 | Enhancement of optical polarization of nitride light-emitting diodes by wafer off-axis cut |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011511462A true JP2011511462A (ja) | 2011-04-07 |
Family
ID=40913308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545250A Withdrawn JP2011511462A (ja) | 2008-02-01 | 2009-02-02 | ウエハの軸外カットによる窒化物発光ダイオードの偏光の向上 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8278128B2 (ja) |
JP (1) | JP2011511462A (ja) |
KR (1) | KR20100107054A (ja) |
WO (1) | WO2009097611A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100032695A1 (en) * | 2008-08-05 | 2010-02-11 | The Regents Of The University Of California | Tunable white light based on polarization sensitive light-emitting diodes |
US9077151B2 (en) * | 2007-02-12 | 2015-07-07 | The Regents Of The University Of California | Semi-polar III-nitride optoelectronic devices on M-plane substrates with miscuts less than +/-15 degrees in the C-direction |
US8791473B2 (en) * | 2009-04-09 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device |
US8436362B2 (en) * | 2009-08-24 | 2013-05-07 | Micron Technology, Inc. | Solid state lighting devices with selected thermal expansion and/or surface characteristics, and associated methods |
Family Cites Families (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2905034B2 (ja) * | 1993-05-21 | 1999-06-14 | シャープ株式会社 | 量子井戸構造体 |
US5777350A (en) * | 1994-12-02 | 1998-07-07 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor light-emitting device |
US6849472B2 (en) * | 1997-09-30 | 2005-02-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nitride semiconductor device with reduced polarization fields |
WO1999066565A1 (en) | 1998-06-18 | 1999-12-23 | University Of Florida | Method and apparatus for producing group-iii nitrides |
JP3592553B2 (ja) | 1998-10-15 | 2004-11-24 | 株式会社東芝 | 窒化ガリウム系半導体装置 |
US20010047751A1 (en) | 1998-11-24 | 2001-12-06 | Andrew Y. Kim | Method of producing device quality (a1) ingap alloys on lattice-mismatched substrates |
US6614059B1 (en) * | 1999-01-07 | 2003-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device with quantum well |
US6515313B1 (en) * | 1999-12-02 | 2003-02-04 | Cree Lighting Company | High efficiency light emitters with reduced polarization-induced charges |
US20010027920A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-10-11 | Large Scale Proteomics Corp. | Device and method for manipulation of an electrophoresis gel |
US6576932B2 (en) * | 2001-03-01 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices |
US6489636B1 (en) | 2001-03-29 | 2002-12-03 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Indium gallium nitride smoothing structures for III-nitride devices |
US7501023B2 (en) | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
US7105865B2 (en) | 2001-09-19 | 2006-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | AlxInyGa1−x−yN mixture crystal substrate |
US6833564B2 (en) * | 2001-11-02 | 2004-12-21 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices |
US6683327B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-01-27 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Nucleation layer for improved light extraction from light emitting devices |
KR20110132639A (ko) | 2002-04-15 | 2011-12-08 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 무극성 질화 갈륨 박막의 전위 감소 |
US7208393B2 (en) | 2002-04-15 | 2007-04-24 | The Regents Of The University Of California | Growth of planar reduced dislocation density m-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy |
US7186302B2 (en) * | 2002-12-16 | 2007-03-06 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition |
US7221037B2 (en) * | 2003-01-20 | 2007-05-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device |
US7816863B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US7115908B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-10-03 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | III-nitride light emitting device with reduced polarization fields |
JP3888374B2 (ja) | 2004-03-17 | 2007-02-28 | 住友電気工業株式会社 | GaN単結晶基板の製造方法 |
US7808011B2 (en) * | 2004-03-19 | 2010-10-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
US7408201B2 (en) * | 2004-03-19 | 2008-08-05 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Polarized semiconductor light emitting device |
US7285799B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-10-23 | Philip Lumileds Lighting Company, Llc | Semiconductor light emitting devices including in-plane light emitting layers |
US7504274B2 (en) | 2004-05-10 | 2009-03-17 | The Regents Of The University Of California | Fabrication of nonpolar indium gallium nitride thin films, heterostructures and devices by metalorganic chemical vapor deposition |
US7432142B2 (en) | 2004-05-20 | 2008-10-07 | Cree, Inc. | Methods of fabricating nitride-based transistors having regrown ohmic contact regions |
US7538357B2 (en) * | 2004-08-20 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Semiconductor light emitting device |
US20060043400A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Erchak Alexei A | Polarized light emitting device |
US20070285000A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-12-13 | Luminus Devices, Inc. | Polarization recycling illumination assembly and methods |
US20080128727A1 (en) * | 2004-09-10 | 2008-06-05 | Luminus Devices, Inc. | Light recycling systems and methods |
US20080128728A1 (en) * | 2004-09-10 | 2008-06-05 | Luminus Devices, Inc. | Polarized light-emitting devices and methods |
US20070284567A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-12-13 | Luminus Devices, Inc | Polarization recycling devices and methods |
US7221000B2 (en) * | 2005-02-18 | 2007-05-22 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Reverse polarization light emitting region for a semiconductor light emitting device |
JP5706601B2 (ja) | 2005-03-10 | 2015-04-22 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 平坦な半極性窒化ガリウムの成長技術 |
JP2006269581A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
TW200707799A (en) * | 2005-04-21 | 2007-02-16 | Aonex Technologies Inc | Bonded intermediate substrate and method of making same |
US20060288928A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-28 | Chang-Beom Eom | Perovskite-based thin film structures on miscut semiconductor substrates |
WO2007002151A2 (en) * | 2005-06-21 | 2007-01-04 | The Regents Of The University Of California | Packaging technique for the fabrication of polarized light emitting diodes |
US20070029541A1 (en) * | 2005-08-04 | 2007-02-08 | Huoping Xin | High efficiency light emitting device |
WO2007084782A2 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | The Regents Of The University Of California | Method for improved growth of semipolar (al,in,ga,b)n |
KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100735470B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-07-03 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법 |
TWI533351B (zh) * | 2006-12-11 | 2016-05-11 | 美國加利福尼亞大學董事會 | 高效能非極性第三族氮化物光學裝置之金屬有機化學氣相沈積生長 |
KR100863210B1 (ko) * | 2007-05-22 | 2008-10-13 | 고려대학교 산학협력단 | 편광 발광다이오드 |
US7791096B2 (en) * | 2007-06-08 | 2010-09-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Mount for a semiconductor light emitting device |
WO2008157510A1 (en) | 2007-06-15 | 2008-12-24 | The Regents Of The University Of California | Planar nonpolar m-plane group iii nitride films grown on miscut substrates |
WO2009021201A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | The Regents Of The University Of California | Planar nonpolar m-plane group iii-nitride films grown on miscut substrates |
KR20100129280A (ko) * | 2008-02-01 | 2010-12-08 | 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 | 증가된 인듐 도입에 의한 질화물 발광 다이오드들의 광학 편광의 강화 |
-
2009
- 2009-02-02 KR KR1020107018648A patent/KR20100107054A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-02-02 US US12/364,272 patent/US8278128B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-02 WO PCT/US2009/032865 patent/WO2009097611A1/en active Application Filing
- 2009-02-02 JP JP2010545250A patent/JP2011511462A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8278128B2 (en) | 2012-10-02 |
KR20100107054A (ko) | 2010-10-04 |
US20100052008A1 (en) | 2010-03-04 |
WO2009097611A1 (en) | 2009-08-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A072 | Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination] |
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|
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