JP2005522889A - 金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜 - Google Patents

金属・有機化学気相成長によって成長した非極性ａ平面窒化ガリウム薄膜 Download PDF

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Abstract

平坦な表面を有する非極性（１１２０）ａ平面の窒化ガリウム（ＧａＮ）フィルムが、非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ薄膜の高温成長の前に、低温核生成層を緩衝層として使用することによって、（１１０２）ｒ平面サファイア基板上で成長される。本発明は、デバイス品質の、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜を、ＭＯＣＶＤを介して、ｒ平面サファイア基板上で成長させるための方法を記載する。本発明は、分極により誘導される効果のない、窒化物ベースのデバイスのための経路を提供する。なぜなら、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜の成長方向は、極性のｃ軸に対して垂直であるからである。分極により誘導される電場は、存在する場合、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜上で成長する（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎデバイス層に対して、最小の影響を有する。

Description

（関連出願の引用）
本願は、米国特許法第１１９条第（ｅ）項のもとで、以下の同時係属中の、同一人に譲渡された米国仮特許出願番号６０／３７２，９０９（発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＢＡＳＥＤ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ ＡＮＤ ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、２００２年４月１５日出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒ，Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，Ｔａｌ Ｍａｒｇａｌｉｔｈ，Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ，Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ，およびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、代理人文書番号３０７９４．９５−ＵＳ−Ｐ１）の利益を主張する。この出願は、本明細書中に参考として援用される。
本願は、以下の同時係属中の、同一人に譲渡された米国特許出願に関する：
出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ（ＡＬ，Ｂ，ＩＮ，ＧＡ）Ｎ ＱＵＡＮＴＵＭ ＷＥＬＬ ＡＮＤ ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔａｃｉａ Ｋｅｌｌｅｒ，Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，Ｔａｌ Ｍａｒｇａｌｉｔｈ，Ｊａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ，Ｓｈｕｊｉ Ｎａｋａｍｕｒａ，およびＵｍｅｓｈ Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、代理人文書番号３０７９４．１０１−ＵＳ−Ｕ１）；ならびに
出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＤＩＳＬＯＣＡＴＩＯＮ ＲＥＤＵＣＴＩＯＮ ＩＮ ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ ＧＡＬＬＩＵＭ ＮＩＴＲＩＤＥ ＴＨＩＮ ＦＩＬＭＳ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔｅｖｅｎ Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，およびＪａｍｅｓ Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、代理人文書番号３０７９４．１０２−ＵＳ−Ｕ１）；
これらの出願の両方が、本明細書中に参考として援用される。
（１．発明の分野）
本発明は、半導体材料、方法、およびデバイスに関し、そしてより具体的には、金属・有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）によって成長された、非極性のａ平面窒化ガリウム（ＧａＮ）薄膜に関する。
（２．関連技術の説明）
（注：本願は、多数の異なる特許、出願および／または刊行物を、１つ以上の参照番号によって、本明細書全体に示されるように参照する。これらの異なる刊行物の、これらの参照番号に従った順序にしたリストは、以下の「参考文献」の表題の節に見出され得る。これらの刊行物の各々は、本明細書中に参考として援用される）。
ウルツ鉱ＩＩＩ窒化物化合物における分極は、分極によって誘導される電場が、窒化物ベースの光電子デバイスおよび電子デバイスにおいて通常使用されるヘテロ構造に対して有する大きい影響に起因して、増加した注意を引き付けている。窒化物ベースの光電子デバイスおよび電子デバイスは、分極により誘導される効果に供される。なぜなら、これらのデバイスは、極性ｃ方向［０００１］（この軸に沿って、窒化物フィルムの自発的な圧電分極が整列する）に成長した窒化物フィルムを使用するからである。窒化物フィルムの全分極は、組成およびひずみ状態に依存するので、隣接するデバイス層の間の界面において不連続性が存在し、そして一定のシート電荷に関連し、これは、内部電場を生じる。
分極により誘導される電場は、窒化物ベースのトランジスタ構造体における二次元電子気体（２ＤＥＧ）形成のためには有利であるが、量子井戸（ＱＷ）構造体における電子およびホールの波動関数を空間的に分離し、これによって、ＱＷベースのデバイス（例えば、レーザーダイオードおよび発光ダイオード）におけるキャリア再結合効率を減少させる。参考文献１を参照のこと。光学遷移の振動強度および赤色移動の対応する減少が、ＧａＮｃ軸に沿って成長したＡｌＧａＮ／ＧａＮおよびＧａＮ／ＩｎＧａＮの量子井戸について、報告されている。参考文献２〜７を参照のこと。
これらの分極により誘導される場の効果を排除するための潜在的な手段は、ＧａＮのｃ軸（非極性）の方向に対して垂直な方向で、構造を成長させることによる。例えば、ｍ平面ＡｌＧａＮ／ＧａＮ量子井戸が、最近、アルミン酸リチウム基板上で、プラズマにより補助される分子線エピタキシー（ＭＢＥ）によって、成長の方向に沿った分極により誘導される電場の存在なしで成長された。参考文献８を参照のこと。
ａ平面窒化物半導体の成長はまた、ウルツ鉱窒化物量子構造における分極により誘導される電場の影響を排除する手段を提供する。例えば、先行技術において、ａ平面ＧａＮ成長が、ＭＯＣＶＤおよび分子線エピタキシー（ＭＢＥ）を介して、ｒ平面サファイア上で達成された。参考文献９〜１５を参照のこと。しかし、これらの以前の努力によって報告されたフィルム成長は、低温緩衝層を利用せず、そして平滑な平坦な表面を有さず、従って、これらの層は、ヘテロ構造の成長および分析に、あまり適さなかった。その結果、以前に報告された、ＭＯＣＶＤによるｒ平面サファイア上でのＧａＮの成長と比較して、改善された表面および構造的品質を示すフィルムを成長させる、改善された方法に対する必要性が存在する。
（発明の要旨）
本発明は、デバイス品質の、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜を、ＭＯＣＶＤを介して、ｒ平面サファイア基板上で成長させるための方法を記載する。本発明は、分極により誘導される効果のない、窒化物ベースのデバイスのための経路を提供する。なぜなら、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜の成長方向は、極性のｃ軸に対して垂直であるからである。分極により誘導される電場は、存在する場合、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜上で成長する（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎデバイス層に対して、最小の影響を有する。
（発明の詳細な説明）
以下の好ましい実施形態の説明において、添付の図面に対して参照がなされる。この図面は、本明細書の一部を形成し、そしてこの図面において、例として、本発明が実施され得る特定の実施形態が説明され得る。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態が利用され得、そして構造的変化がなされ得ることが、理解されるべきである。
（概説）
本発明は、デバイス品質の非極性の
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮ薄膜を、ＭＯＣＶＤを介して、
Figure 2005522889
 ｒ平面サファイア基板上に成長させるための方法を記載する。この方法は、大気圧で成長した低温緩衝層を使用して、ｒ平面サファイア上でのＧａＮ成長を開始させる。その後、平坦なフィルムを生じるために、高温成長工程が低圧（例えば、約０．１気圧（ａｔｍ））で実施される。
平坦な成長表面が、本発明を使用して達成された。具体的には、ｒ平面サファイア基板に対するＧａＮの面内配向が、
Figure 2005522889
 であることが確認された。
得られるフィルムは、引き続く（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎデバイス層の成長のために適切な表面を保有する。具体的には、分極により誘導される電場が、存在する場合、非極性のａ平面ＧａＮベース層上で成長する（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎデバイス層に対して最小の影響を有する。
（プロセス工程）
図１は、本発明の好ましい実施形態に従って、非極性の
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮ薄膜の、
Figure 2005522889
 ｒ平面サファイア基板上での成長のためのＭＯＣＶＤプロセスの工程を示すフローチャートである。この成長プロセスは、ｃ−サファイア上でのｃ−ＧａＮの成長に対して標準となった、２工程プロセスの後にモデル化された。
ブロック１００は、サファイア基板を、垂直な、間隔の狭い、回転ディスクのＭＯＣＶＤ反応器への装填を示す。この工程について、＋／−２°以内のサファイアｒ平面
Figure 2005522889
 で結晶学的に配向した表面を有する、準備前のサファイア基板が、市場の販売者から入手され得る。エキソサイチュ（ｅｘ−ｓｉｔｕ）ではない調製は、サファイア基板をＭＯＣＶＤ反応器に装填する前に実施される必要があるが、サファイア基板のエキソサイチュクリーニングは、予防上の手段として使用され得る。
ブロック１０２は、サファイア基板をインサイチュで高温（＞１０００℃）でアニールすることを表し、これは、原子規模で、基板表面の質を改善する。アニール後、基板の温度は、引き続く低温核生成層堆積のために低下される。
ブロック１０４は、薄い、低温の、低圧の窒化物ベースの核生成層を、緩衝層として、サファイア基板上に堆積させることを表す。好ましい実施形態において、この核生成層は、１〜１００ナノメートル（ｎｍ）のＧａＮからなるが、これに限定されず、そして約４００〜９００℃および１ａｔｍの低温、低圧の堆積条件で堆積される。このような層は、通常、ｃ平面（０００１）窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長において使用される。具体的には、この堆積工程は、ｒ平面サファイア基板上でのＧａＮ成長を開始させる。
核生成層を堆積させた後に、反応温度は高温に上昇され、そしてブロック１０６は、非平面の
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮ薄膜を、この基板上で成長させることを表す。好ましい実施形態において、この高温成長条件としては、約１１００℃の成長温度、約０．２ａｔｍ以下の成長圧力、１分間あたり３０μｍｏｌのＧａフロー、および１分間あたり４０，０００μｍｏｌのＮフローが挙げられるが、これらに限定されず、これによって、約１３００のＶ／ＩＩＩ比を与える。好ましい実施形態において、第ＩＩＩ族の供給源および第Ｖ族の供給源として使用される前駆体は、それぞれ、例えば、トリメチルガリウムおよびアンモニアであるが、代替の前駆体が同様に使用され得る。さらに、成長条件は、本発明の範囲から逸脱せずに、異なる成長速度（例えば、１秒間あたり５Åと９Åとの間）を生じるために変動され得る。約１．５μｍの厚さの非極性ＧａＮが、成長され、そして特徴付けられた。
高温成長工程の完了の際に、ブロック１０８は、非極性
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮ薄膜の、窒素過剰圧力下での冷却を表す。
最後に、ブロック１１０は、処理工程の最終結果を表し、これは、ｒ平面サファイア基板上の非極性
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮフィルムである。これらのプロセス工程を使用して製造され、引き続くデバイス成長のための非極性
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮベース層を形成する潜在的なデバイス層としては、レーザーダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、共振空洞ＬＥＤ（ＲＣ−ＬＥＤ）、垂直空洞表面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ結合双極トランジスタ（ＨＢＴ）、ヘテロ結合電場効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）ならびにＵＶ光検出器および近ＵＶ光検出器が挙げられる。
（実験結果）
成長したままのＧａＮフィルムおよびｒ平面サファイアの結晶学的配向および構造の質を、４バウンスＧｅ（２２０）単色Ｃｕ Ｋα放射線および１．２ｍｍのスリットを検出器アームに有する受容スリットモードで作動する、ＰｈｉｌｉｐｓＴＭ４サイクル高解像度Ｘ線回折計（ＨＲ−ＸＲＤ）を使用して決定した。集束ビーム電子回折（ＣＢＥＤ）を使用して、サファイア基板に対するａ−ＧａＮフィルムの極性を規定した。ウェッジポリシングおよびイオンミリングによって調製した、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）サンプルの平面図および断面図を分析して、ａ−ＧａＮの欠損構造を決定した。タッピングモードのＤｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｄ３０００ 原子力顕微鏡（ＡＦＭ）は、表面形態学の画像を生じた。
図２（ａ）は、ＧａＮフィルムの成長方向を
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮとして示す、２θ−ω回折走査を示す。この走査は、サファイアの
Figure 2005522889
 回折、およびＧａＮの
Figure 2005522889
 回折を検出した。これらの測定の感度の範囲内で、２θ＝３４．６０４°に対応するＧａＮ（０００２）回折は検出されなかった。このことは、これらのフィルムにｃ平面（０００２）成分が存在せず、従って、ＧａＮの成長方向の不安定性が考慮されないことを示す。
図２（ｂ）は、ＧａＮとｒ−サファイアとの間の面内エピタキシャル関係を決定するために使用される、オフ軸φ走査の比較であり、ここで、傾斜角ψが、各走査について記載されるオフ軸投影に近付くために使用された。ａ平面成長表面に閉じ込められるので、オフ軸回折のピークを使用して、ＧａＮとｒ−サファイアとの間のインエピタキシャル関係を決定した。オフ軸投影を回折計の散乱面にもたらすために、２つのサンプル回転φおよびψを調節した。ここで、φは、サンプル表面の法線の周りでの回転の角度であり、そしてψは、ブラッグ面と散乱面との交差によって形成される軸の周りでのサンプルの傾きの角度である。サンプルを傾けてψを特定のオフ軸回折について補正した後に、φ走査は、図２（ｂ）に示されるように、
Figure 2005522889
 およびサファイア（０００６）のピークを検出した。これらのピークのφ位置の間の相関を、以下のエピタキシャル関係：
Figure 2005522889
 に従って決定した。
図２（ｃ）は、ＧａＮとｒ平面サファイアとの間のエピタキシャル関係の概略図である。結晶学的配向のＸ線分析を補償するために、ａ−ＧａＮ極性を、ＣＢＥＤを使用して決定した。極性の符号は、ＧａＮのｃ軸に沿って整列した極性Ｇａ−Ｎ結合の方向によって規定される；正のｃ軸［０００１］は、ガリウム原子から窒素原子を指す。その結果、ガリウム面のｃ−ＧａＮフィルムは、［０００１］の成長方向を有し、一方で、窒素面のｃ−ＧａＮ結晶は、
Figure 2005522889
 の成長方向を有する。ｒ−サファイア上でのａ−ＧａＮ成長について、［０００１］ＧａＮは、サファイアのｃ軸投影
Figure 2005522889
 と整列し、従って、上で規定されるエピタキシャル関係は、極性の観点で正確である。その結果、正のＧａＮのｃ軸は、成長表面上（ＣＢＥＤによって決定される）で、サファイアのｃ軸投影と同じ方向を指す。この関係は、種々の成長技術を使用するグループによって以前に報告されたエピタキシャル関係と一致する。参考文献９、１２および１４を参照のこと。従って、エピタキシャル関係は、ｒ平面サファイア基板上でのＧａＮの成長について、特に規定される。
図３（ａ）および３（ｂ）は、ｒ平面サファイア基板上のａ平面ＧａＮフィルムの欠損構造の、それぞれ断面ＴＥＭ画像および平面ＴＥＭ画像である。これらの画像は、それぞれ、線および面の欠損の存在を明らかにする。図３（ａ）および３（ｂ）の回折条件は、それぞれ、
Figure 2005522889
 である。
図３（ａ）における断面ＴＥＭ画像は、線の方向が成長方向
Figure 2005522889
 に平行な、サファイア／ＧａＮ界面にいて始まる螺旋転移（ｔｈｒｅａｄｉｎｇｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）（ＴＤ）の大きい密度を明らかにする。平面ＴＥＭによって決定されるＴＤ密度は、２．６×１０１０ｃｍ−２であった。ＴＤ線の方向が成長方向と平行であるので、純粋な螺旋転移（ｓｃｒｅｗ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）は、成長方向
Figure 2005522889
 に沿って整列したバーガースベクトルを有し、一方で、純粋な刃状転移は、ｂ＝±［０００１］を有する。ｃ−ＧａＮに対して減少したａ−ＧａＮ表面の対称性は、混合した転移の特徴付けを複雑にする。なぜなら、結晶学的に等価な
Figure 2005522889
 方向は、
Figure 2005522889
 族として処理され得ないからである。具体的には、混合された転移の可能なバーガースベクトルは、以下の３つの細分：
Figure 2005522889
 に分割され得る。
線の欠損に加えて、図３（ｂ）における平面ＴＥＭ画像は、ａ−ＧａＮフィルムにおいて観察される面の欠損を明らかにする。ｃ軸に対して垂直に、３．８×１０５ｃｍ−１の密度で整列した積層欠損が、平面ＴＥＭ画像において観察された。この積層欠損（通常、密に充填された面のエピタキシャル成長に関連する）は、三次元（３Ｄ）の島のｃ面側壁に最も生じやすく、この島は、高温成長の開始段階の間に形成される。その結果、積層欠損は、現在固有であると仮定され、そして逆の符号のショックレー部分転移によって終わる。類似の特徴を有する積層欠損が、ｒ平面サファイア基板上で成長したａ面Ａ１Ｎフィルムにおいて観察された。参考文献１７を参照のこと。積層欠損は、密に充填された（０００１）に対して平行な、約３．８×１０５ｃｍ−１の密度の共通の欠損面を有する。
ωロッキングカーブを、ＧａＮのオン軸
Figure 2005522889
 反射およびオフ軸
Figure 2005522889
 反射の両方について測定し、ａ平面ＧａＮ結晶の質を特徴付けた。オン軸ピークの全半値幅（ＦＷＨＭ）は、０．２９°（１０３７”）であり、一方で、オフ軸ピークは、０．４６°（１６５９”）のＦＷＨＭで間隔を空けた、より大きい配向を示した。大きいＦＷＨＭ値が予測される。なぜなら、微細構造が、かなりの転位密度を含むからである。Ｈｅｙｉｎｇらによって提供された、ｃ−サファイア上のｃ−ＧａＮフィルムについての分析によれば、オン軸ピーク幅は、螺旋転移および混合転移によって広くされ、一方で、オフ軸幅は、刃状成分ＴＤによって広くされる（ＴＤ線がフィルムの法線に平行であると仮定する）。参考文献１８を参照のこと。オン軸ピークと比較したオフ軸ピークの幅広化に起因して、比較的大きい刃状転位密度が、ｒ−サファイア上のａ−ＧａＮについて予測される。さらなる微細構造分析が、ａ−ＧａＮ ＴＤジオメトリーをロッキングカーブ測定に相関付けるために必要とされる。
図４（ａ）および４（ｂ）は、成長したままのａ平面ＧａＮフィルムの表面の、それぞれＡＦＭ振幅画像およびＡＦＭ高さ画像である。図４（ａ）のＡＦＭ振幅画像における表面の穴は、ＧａＮのｃ軸に平行に均一に整列し、一方で、図４（ｂ）のＡＦＭ高さ画像において見られる段は、ｃ軸に対して垂直に整列する。
２．６ｎｍの表面ＲＭＳ粗さで光学的に透過性（ｓｐｅｃｕｌａｒ）であるが、ａ−ＧａＮの成長表面は、図４（ａ）に示されるＡＦＭ振幅画像に明らかに観察され得るように、ミクロン未満の規模で穴があいている。表面の穴は、表面で転移の終結を修飾していることが提唱されている；平面ＴＥＭによって決定される転位密度は、１桁以内で、表面の穴の密度に相関する。
ＧａＮのｃ軸［０００１］にそって整列した小さい表面の穴に加えて、図４（ｂ）におけるＡＦＭ高さ画像は、ｃ軸に対して垂直な、わずかな段を明らかにする。継ぎ目は、明らかには規定されない原子段階であるが、これらの結晶学的特徴は、表面成長様式の初期の兆候であり得る。ａ平面成長プロセスの発達におけるこの初期の時点において、穴も段もいずれも、特定の欠損構造に相関しなかった。
（参考文献）
以下の参考文献が、本明細書中に参考として援用される：
Figure 2005522889
Figure 2005522889
 （結論）
これは、発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。以下は、本発明を達成するための、いくつかの代替の実施形態を記載する。
例えば、上記説明の内容が示すように、非極性の
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮ薄膜を
Figure 2005522889
 ｒ平面サファイア基板上で成長させるために使用され得る、ＭＯＣＶＤ技術および設備の多数の改変およびバリエーションが存在する。さらに、異なる成長条件が、異なるＭＯＣＶＤ反応器設計について最適であり得る。このプロセスの多くのバリエーションが、産業および学問において現在使用されている種々の反応器設計を用いて、可能である。これらの差異にもかかわらず、成長パラメータは、フィルムの質を改善するために最適化され得るようである。ＭＯＣＶＤ成長のための最も重要な変数としては、成長温度、Ｖ／ＩＩＩ比、前駆体フロー、および成長圧力が挙げられる。
ＭＯＣＶＤ成長技術を用いて可能な多数の改変に加えて、他の改変が可能である。例えば、ｒ平面サファイア基板の特定の結晶学的配向が、引き続くエピタキシャルなＧａＮ成長を最適化するために、変化され得る。さらに、特定の結晶学的解説において特定の程度のミスカット（ｍｉｓｃｕｔ）を有するｒ平面サファイア基板が、成長のために最適であり得る。
さらに、核生成層の堆積が、平滑な成長表面および最小の結晶欠損を有するエピタキシャルＧａＮフィルムを達成するために重要である。基本的なＭＯＣＶＤパラメータを最適化する以外に、ＧａＮの代わりにＡｌＮまたはＡｌＧａＮの核生成層の使用が、高品質のａ平面ＧａＮフィルムを得る際に有用であることが示され得る。
さらに、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜が、本明細書中に記載されるが、同じ技術が、非極性のｍ平面ＧａＮ薄膜に対して適用可能である。さらに、非極性のＩｎＮ薄膜、ＡｌＮ薄膜、およびＡｌＩｎＧａＮ薄膜が、ＧａＮ薄膜の代わりに作製され得る。
最後に、サファイア基板以外の基板が、非極性ＧａＮ成長のために使用され得る。これらの基板としては、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素、酸化亜鉛、窒化ホウ素、アルミン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ゲルマニウム、窒化アルミニウム、および没食子酸リチウムが挙げられる。
要約すると、本発明は、エピタキシャル
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮフィルムの高温成長の前に、低温核生成層を緩衝層として使用することによって、非極性の
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮ薄膜の、ｒ平面
Figure 2005522889
 サファイア基板上への成長を記載する。エピタキシャル関係は、
Figure 2005522889
 であり、正のＧａＮのｃ軸位置は、成長表面上のサファイアのｃ軸投影と同じ方向にある。
本発明の１つ以上の実施形態の上記説明は、例示および説明の目的で提供された。排他的であることも、本発明を開示された正確な形態に限定することも、意図されない。多くの改変およびバリエーションが、上記教示を考慮して、可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によって限定されるのではなく、本明細書に添付された特許請求の範囲によって限定されることが、意図される。
ここで、図面が参照される、図面において、類似の参照番号は、全体にわたって、対応する部品を表す。
図１は、本発明の好ましい実施形態に従う、
Figure 2005522889
 ｒ平面サファイア上での非極性
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮ薄膜の成長のための、ＭＯＣＶＤプロセスの工程を示すフローチャートである。
図２（ａ）は、
Figure 2005522889
 ａ平面ＧａＮとしてＧａＮフィルムの成長方向を示す、２θ−ω回折走査を示す。
図２（ｂ）は、ＧａＮとｒ−サファイアとの間の面内エピタキシャル関係を決定するために使用される、オフ軸φ走査の編集であり、ここで、傾斜角ψを使用して、各走査について記載されるオフ軸投影に接近した。
図２（ｃ）は、ＧａＮとｒ平面サファイアとの間のエピタキシャル関係の概略図である。
図３（ａ）および３（ｂ）は、それぞれ、ｒ平面サファイア上のａ平面ＧａＮフィルムの欠損構造の、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）画像の断面図および平面図である。 図４（ａ）および４（ｂ）は、それぞれ、成長したままのａ平面ＧａＮフィルムの表面の、原子力顕微鏡（ＡＦＭ）の振幅画像および高さ画像である。

Claims (15)

  1. 非極性のａ平面窒化ガリウム薄膜を、ｒ平面基板上で、金属・有機化学気相成長によって成長させる方法であって、以下の工程：
    （ａ）該基板をアニールする工程；
    （ｂ）窒化物ベースの核生成層を、該基板上に堆積させる工程；
    （ｃ）該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを、該核生成層上で成長させる工程；および
    （ｄ）窒素の過剰圧力下で、該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを冷却する工程、
    を包含する、方法。
  2. 前記基板が、ｒ平面サファイア基板である、請求項１に記載の方法。
  3. 前記窒化ガリウムフィルムの、前記ｒ平面基板に対する面内配向が、
    Figure 2005522889
     である、請求項２に記載の方法。
  4. 前記基板が、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ケイ素、酸化亜鉛、窒化ホウ素、アルミン酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ゲルマニウム、窒化アルミニウム、および没食子酸リチウムからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
  5. 前記アニールする工程（ａ）が、前記基板の高温アニールを包含する、請求項１に記載の方法。
  6. 前記堆積させる工程（ｂ）が、前記窒化物ベースの核生成層の、前記基板上への低温堆積を包含する、請求項１に記載の方法。
  7. 前記堆積させる工程（ｂ）が、前記窒化物ベースの核生成層の、前記基板上への低圧堆積を包含する、請求項１に記載の方法。
  8. 前記低温堆積条件が、約４００〜９００℃および大気圧を含む、請求項１に記載の方法。
  9. 前記堆積させる工程（ｂ）が、前記ｒ平面基板上での窒化ガリウムの成長を開始させる、請求項１に記載の方法。
  10. 前記核生成層が、１〜１００ナノメートルの窒化ガリウムを含有する、請求項１に記載の方法。
  11. 前記成長させる工程（ｂ）が、前記非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムの、前記核生成層上での高温成長を包含する、請求項１に記載の方法。
  12. 前記高温層が、０．２気圧以下で堆積される、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記高温成長条件が、約１１００℃の成長温度、約０．２気圧以下の成長圧力、１分間あたり３０μｍｏｌのガリウムフロー、および１分間あたり４０，０００μｍの窒素フローを含む、請求項１１に記載の方法。
  14. 前記成長させる工程（ｂ）が、平坦な窒化ガリウムフィルムを生じる、請求項１に記載の方法。
  15. 請求項１に記載の方法を使用して製造されたデバイス。
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