JPH10135479A - 薄膜トランジスタアレイ、およびこれを用いた画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 貼り合わせ構造でも、非表示領域の面積が小
さく、かつ機械的強度が高いとともに高信頼性の大画面
の画像表示装置を提供する。 【解決手段】 複数のトランジスタ（２０３）および透
明導電膜（２０５）が形成された第１の透光性基板（２
００ａ）と、複数のトランジスタ（２０３）および透明
導電膜（２０５）が形成された第２の透光性基板（２０
０ｂ）とが側面で接合された薄膜トランジスタアレイで
ある。前記第１および第２の透光性基板の接合部（２０
７）と、この接合部に最近接したトランジスタとの間に
は、透明導電膜が配置されていることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透光性基板上に共
通電極が形成された対向基板と、アレイ基板との間に液
晶が封入された画像表示装置に係り、特に複数の基板を
側面で貼り合わせて形成されたアレイ基板を具備する画
像表示装置に関する。

【０００２】また、本発明は、Ｘ線二次元検出器やアク
ティブマトリックス型液晶表示装置に応用される薄膜ト
ランジスタ（ＴＦＴ）アレイに関する。

【０００３】

【従来の技術】従来の画像表示装置は、例えば図６３に
示すように、透光性基板上の片面に透明電極で共通電極
１４を形成した対向基板１１と、半導体素子およびその
信号線１３を形成したアレイ基板１２との間隙にシール
用樹脂１７を用いて液晶１６を封入した構成である。対
向基板１１とアレイ基板１２との間には、間隙を一定に
保つため、スペーサ１５として平均粒径のそろった樹脂
ビーズが適量散布されている。

【０００４】このようなアレイ基板１２上では、微細な
半導体素子を高精度に形成する領域には装置の制約によ
る限界があり、画像表示装置の大画面化を図るために
は、例えば、図６４（ａ）および６４（ｂ）に示すよう
に、予め製造された２つの画像表示装置を側面で貼り合
わせる方法が考えられる。しかしながら、この方法で
は、２つの画像表示装置の隣接する領域には、図６４
（ｂ）に示すように中央のシール部およびその間隙部を
含む帯状の非表示領域（幅約６ｍｍ以上、図中に示す）
２０が存在するうえに、接続部が構造的に弱いという欠
点があった。

【０００５】また、従来の表示装置では、貼り合わせ部
分付近に線欠陥がでやすいことがわかった。これは、貼
り合わせ部分付近のＴＦＴアレイにおいて、配線のオー
プン、ショートが起こっているためである。図６５に、
従来の貼り合わせ部分のＴＦＴアレイ構造の断面図を示
し、図６６にその平面図を示す。図６５に示すように、
アンダーコート層３２が形成されたガラス基板３１の上
には、ゲート電極３３が形成されており、ゲート電極３
３上には、ゲート絶縁膜３４を介してα−Ｓｉ島３５、
チャネル保護層３６、ｎ⁺ α−Ｓｉコンタクト層３７、
信号線電極３９ｂおよびソース電極３９ａが形成されて
ＴＦＴを構成している。さらに、ソース電極３９ａは、
ゲート絶縁膜３４上に形成された画素電極３８に接続さ
れており、ＴＦＴの上にはパッシベーション層４０が形
成されている。最表面には、ポリイミドからなる配向膜
４１が形成されて、アレイ基板を構成している。こうし
てＴＦＴや画素電極が形成された２枚のガラス基板は、
貼り合わせ部４２で接続されている。

【０００６】このようなＴＦＴアレイにおいては、図６
６に示すように貼り合わせ部分４２付近には信号線電極
３９ｂやＴＦＴが存在している。

【０００７】通常、ＴＦＴアレイは、アレイ基板を複数
枚作製してそれらを貼り合わせることによって、あるい
は、１枚の大判ガラス基板に複数のＴＦＴアレイを作製
し、それらを切り出して複数枚のアレイ基板に分割した
後、貼り合わせることによって製造されている。いずれ
の方法においても、ＴＦＴアレイを切り出す工程や貼り
合わせる工程を含み、このような工程ではゴミが発生す
るおそれがある。

【０００８】このため、図６６のように貼り合わせ部分
４２付近では、ゴミの影響により、信号線のオープン、
信号線・ゲート線のクロスショート、あるいはＴＦＴの
欠損などが起こりやすい。信号線やＴＦＴを貼り合わせ
部分（基板端）４２から遠ざければ、このような不都合
は避けられるものの、この場合には非表示領域が大きく
なるので画面に筋が現れることになる。

【０００９】なお、上述したような画像表示装置のアレ
イ基板には、スイッチング素子として薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）が形成されているが、このＴＦＴは画像表示
装置のみならず、種々のデバイスのスイッチング素子と
して用いられている。例えば最近では、ＴＦＴをスイッ
チング素子として構成したＴＦＴアレイを、信号読み出
し装置として用いるＸ線二次元検出器が注目されてい
る。このような検出器を用いたＸ線診断装置は、画像デ
ータを直接デジタル処理できるために、従来用いられて
きたフィルムにより画像を記録するＸ線診断装置と比較
して、保存および処理が容易であるという利点を有して
いる。このようなＸ線二次元検出器に用いられるＴＦＴ
アレイは、薄膜堆積工程、フォトリソグラフィー工程お
よび薄膜エッチング工程等の工程を含む一連の製造工程
によって製造される。例えば、胸部全体を撮影するには
縦４０ｃｍ×横６０ｃｍ程度の大きさが必要である。し
かしながら、ＴＦＴアレイは、サイズが大型化するほど
製造歩留まりが低下することが知られている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、貼り合わせ
構造でも、非表示領域の面積が小さく、かつ機械的強度
が高いとともに高信頼性の大画面の画像表示装置を提供
することを目的とする。

【００１１】また、本発明は、高い歩留まりで製造可能
な薄膜トランジスタアレイを提供することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
トランジスタおよび透明導電膜が形成された第１の透光
性基板と、複数のトランジスタおよび透明導電膜が形成
された第２の透光性基板とが側面で接合され、前記第１
および第２の透光性基板の接合部と、この接合部に最近
接したトランジスタとの間には、透明導電膜が配置され
ていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ提供さ
れる。

【００１３】また本発明によれば、複数のトランジスタ
および透明導電膜が形成された第１の透光性基板と、複
数のトランジスタおよび透明導電膜が形成された第２の
透光性基板とが側面で接合され、前記第１の透光性基板
と第２の透光性基板との接続部に導電膜が設けられてい
ることを特徴とする薄膜トランジスタアレイが提供され
る。

【００１４】さらに本発明によれば、複数のトランジス
タおよび導電性薄膜が形成された第１の透光性基板と、
複数のトランジスタおよび導電性薄膜が形成された第２
の透光性基板とが側面で接合され、この接合部上には、
平坦化のために配置された膜厚０．１μｍ以上の絶縁体
膜を介して導電性薄膜が形成されている薄膜トランジス
タアレイが提供される。

【００１５】またさらに本発明によれば、表面に共通電
極が形成された対向基板、上述の薄膜トランジスタアレ
イを含むアレイ基板、および前記対向基板とアレイ基板
との間隙に、シール用樹脂を用いて封入された液晶を具
備する画像表示装置が提供される。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
画像表示装置および薄膜トランジスタアレイを詳細に説
明する。

【００１７】（実施例Ｉ）本実施例においては、１枚の
対向基板に対して、複数枚のアレイ基板を配置した画像
表示装置を説明する。

【００１８】（実施例Ｉ−１）図１は、本実施例の画像
表示装置の構成を模式的に示した断面図である。

【００１９】図１に示す画像表示装置においては、アレ
イ基板１０２は、膜厚１５０ｎｍの信号線１０３および
ＴＦＴ（図示せず）が形成された厚さ０．７ｍｍの透光
性基板２枚を、側面で接着して形成されたものである。
このアレイ基板１０２に対し、スペーサ１０５を間に介
して対向基板１０１が配置されている。ここで、スペー
サとしては、平均粒径５μｍの樹脂ビーズを用いた。な
お、対向基板１０１は、厚さ０．７ｍｍの基板上に膜厚
１５０ｎｍのＩＴＯ共通電極パターン１０４が形成され
ており、対向基板１０１の面積は、前述のようにして貼
り合わされたアレイ基板１０２とほぼ等しい。

【００２０】アレイ基板１０２と対向基板１０１との間
隙には液晶１０６が封入されており、側面は樹脂１０７
によりシールされている。２つの透光性基板の側面同士
を接着しているので、アレイ基板１０２における透光性
基板間の接続部分の幅は極めて微小にとどまっている。

【００２１】本実施例の画像表示装置は、以下のように
して製造した。

【００２２】まず、厚さ０．７ｍｍの基板に、スパッタ
法で膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを成膜し、ロールコータで
レジスト塗布後、フォトリソグラフィにより電極パター
ン１０４を形成して対向基板１０１を得た。一方、０．
７ｍｍの厚さを有し、前記対向基板のほぼ半分の大きさ
の透光性基板を２枚用意し、それぞれの透光性基板上に
はスパッタ法およびＣＶＤ法でＴＦＴを形成してアレイ
基板を２枚作製した。このアレイ基板のそれぞれの一辺
にトランスファ１０８を設け、トランスファ１０８を設
けた辺の反対側の側面には、エンプラ−ポリアセタール
を主成分とする樹脂１０９を塗布した。樹脂を塗布した
側面同士を接合し、１２０℃で１時間加熱して接着して
１枚のアレイ基板１０２を得た。

【００２３】このアレイ基板１０２の外周端部、および
透光性の対向基板１０１の外周端部上に、ディスペンサ
ーを用いて熱硬化性樹脂でシール部１０７を形成した。
この際、基板端部には一部開口部を残した。配置された
熱硬化性樹脂は、８０℃で仮乾燥した。その後、平均粒
径５μｍのスペーサ１０５を対向基板１０１上に散布
し、アレイ基板１０２を位置合わせし加圧しながら１６
０℃で８時間加熱して樹脂１０７を硬化した。形成され
たシール部はほぼ５μｍの厚さで、その平均幅は１ｍｍ
であった。さらに端部に残した開口部から液晶１０６を
注入した後、前述と同様の熱硬化性樹脂１０７で開口部
を閉じて液晶を封入して画像表示装置を得た。

【００２４】こうして作製した画像表示装置を、トラン
スファ１０８を設けた両辺より両側駆動で駆動し、画像
を表示させたところ、２枚のアレイ基板の貼り合わせ部
分はほとんど認識されず、良好な大型画面が得られた。

【００２５】なお、本実施例において、２枚のアレイ基
板の接続部端面は、図１に示したように垂直でも構わな
いが、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように端面を
加工してもよい。このようにすることによって、接続部
の機械的強度が増し、かつ接続部がより認識されにくく
なるのでより好ましい。また、２枚のアレイ基板の接続
部端面は、図２（ｃ）に示すように加工して接続しても
よい。

【００２６】（実施例Ｉ−２）図３は、本実施例の画像
表示装置の製造工程の一例を表わす断面図である。

【００２７】まず、前述の実施例（Ｉ−１）の場合と同
様にして信号線１１３およびＴＦＴ（図示せず）を形成
した２枚の透光性基板のそれぞれ１辺に、２ｍｍ幅でポ
リビニルブチラールを主成分とする樹脂を塗布した。次
いで、重なり部が２ｍｍとなるように透光性基板の塗布
部同士を合わせ、加圧しながら１２０℃で１時間加熱す
ることにより接着して、図３（ａ）に示すような形状の
１枚のアレイ基板１１２を形成した。

【００２８】一方、アレイ基板１１２に離間・対向した
際の間隙寸法が一定となるように、図３（ｂ）に示すよ
うな形状の透光性基板を用意し、この基板上にスパッタ
法で膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを成膜した。さらにＩＴＯ
膜上にロールコータによりレジストを塗布し、フォトリ
ソグラフィにより電極パターン１１４を形成して、対向
基板１１１を作製した。

【００２９】前述の貼り合わせ後のアレイ基板１１２の
外周端部と、対向基板１１１の外周端部上に、ディスペ
ンサを用いて熱硬化性樹脂でシール部１１７を形成し
た。この際、基板端部には一部開口部を残した。配置さ
れた熱硬化性樹脂は、８０℃で仮乾燥した。その後、５
μｍのスペーサ１１５を対向基板１１１上に散布し、ア
レイ基板１１２を位置合わせし加圧しながら、１６０℃
で８時間加熱して樹脂を硬化した。形成されたシール部
１１７は、ほぼ５μｍの厚さで平均幅１ｍｍとなった。
開口部から液晶１１６を注入した後、前述と同様の熱硬
化性樹脂１１７で開口部を閉じて液晶を封入して図３
（ｃ）に示すような画像表示装置を得た。

【００３０】こうして作製した画像表示装置を駆動し、
画像を表示した。その結果、アレイ基板における貼り合
わせ部はほとんど認識されず、良好な大画像が得られ
た。

【００３１】（実施例Ｉ−３）図４（ａ）は、本実施例
の画像表示装置の製造工程の一例を模式的に示した平面
図であり、図４（ｂ）は、本実施例の画像表示装置の製
造工程の一例を模式的に示した断面図である。

【００３２】図４（ａ）に示すように、本実施例におい
ては、アレイ基板１０２を４枚構成としている。かかる
画像表示装置の製造に当たっては、まず、前述の実施例
（Ｉ−１）と同様にして共通電極パターン１０４を形成
して対向基板１０１を得た。一方、アレイ基板として
は、四辺の長さが対向基板の各辺のそれぞれ２分の１で
ある基板を４枚用意し、実施例（Ｉ−１）と同様にして
信号線１０３およびＴＦＴ（図示せず）を形成した。

【００３３】４枚のアレイ基板１０２は、図４（ａ）に
示すように対向基板１０１の四隅と位置合わせして配置
し、対向基板１０１の外周端部上にディスペンサを用い
て熱硬化性樹脂で基板端部にシール部１０７を形成し
た。次いで、８０℃で仮乾燥した後、平均粒径５μｍの
スペーサ１０５を散布し、アレイ基板１０２を位置合わ
せし加圧しながら、１６０℃で８時間加熱して樹脂を硬
化した。形成されたシール部１０７はほぼ５μｍの厚さ
であり、平均幅は１ｍｍであった。

【００３４】次いで、図５（ａ）および図５（ｂ）に示
すようにシール部１０７の外周にトランスファ１０８を
設け、４枚のアレイ基板間に生じた十字型の開口部から
液晶１０６を注入した。その後、アクリル樹脂を主成分
とする紫外線硬化樹脂１０９を前記開口部に塗布し、８
０℃で仮乾燥した。ここで用いた紫外線硬化樹脂は、可
視領域での波長の透過率が９５％以上のものである。次
いで、１０秒間紫外線を照射した後、１時間１００℃に
加熱して、開口部を封止して本実施例の画像表示装置を
得た。

【００３５】こうして作製した画像表示装置を、トラン
スファ１０８を設けた四辺よりＸ軸およびＹ軸それぞれ
両側駆動で駆動し、画像を表示した。その結果、４枚の
アレイ基板の貼り合わせ部はほとんど認識されず、良好
な大型画像が得られた。

【００３６】（実施例Ｉ−４）まず、実施例（Ｉ−１）
と同様して２枚のアレイ基板を作製し、この２枚のアレ
イ基板のそれぞれ一側面にポリシランを塗布した。ポリ
シランを塗布した側面同士を合わせ、加圧しながら１０
〜１００ｍＪの光を照射した。さらに、１２０〜１６０
℃に加熱することにより接合して一枚の大型アレイ基板
を得た。このアレイ基板を用いる以外は、前述の実施例
（Ｉ−１）と同様の画像表示装置を作製した。

【００３７】こうして作製した画像表示装置を、トラン
スファを設けた両辺より両側駆動で駆動し画像を表示し
た。その結果、２枚のアレイ基板の貼り合わせ部はほと
んど認識されず、良好な大型画像が得られた。

【００３８】（実施例Ｉ−５）２枚のアレイ基板の側面
同士を合わせ、治具で固定しながら酸化ケイ素の過飽和
珪フッ化水素酸溶液中に約１０時間浸漬した。これによ
り２枚のアレイ基板の間を、アレイ基板全体に液相成長
したＳｉＯ₂ により接着して一枚の大型アレイ基板を形
成した。このアレイ基板を用いる以外は、前述の実施例
（Ｉ−１）と同様な画像表示装置を作製した。

【００３９】こうして作製した画像表示装置を、トラン
スファを設けた両辺より両側駆動で駆動し画像を表示し
た。その結果、２枚のアレイ基板の貼り合わせ部はほと
んど認識されず、良好な大型画像が得られた。

【００４０】このように、本実施例の画像表示装置は、
対向基板が一枚であることから、複数枚のアレイ基板の
貼り合わせの際に、従来生じていたアレイ基板接続部に
おける機械的強度の低下や劣化を抑制することができ
る。

【００４１】なお、従来の構造では、個々のアレイ基板
と対向基板との間隙に液晶を封入した後、基板の貼り合
わせを行なうため、貼り合わせ部に大きな非表示領域が
発生するのを避けることができないという不都合を伴な
っていた。しかしながら、本実施例の構成とすることに
より、このような不都合も回避することができる。すな
わち、本実施例の画像表示装置の製造に当たっては、ま
ずアレイ基板同士を貼り合わせにより側面で接続し、そ
の後、アレイ基板および対向基板の最外周のみにシール
用樹脂を配置して液晶を封止している。このため、例え
ば、アレイ基板の側面を接着面として、かつその接続を
精度よく行なうことにより非表示領域を１５０μｍ以内
に抑えることが可能となる。結果として、基板を貼り合
わせたことによる画像表示装置の大画面化が容易に達成
できる。

【００４２】（実施例II）本実施例においては、２枚の
基板を貼り合わせてなるアレイ基板において、ＴＦＴの
配置を特定した例を説明する。

【００４３】（実施例II−１）図６に、本実施例の薄膜
トランジスタアレイの一例の平面概略図を示す。図６に
示す薄膜トランジスタアレイにおいては、２００ａおよ
び２００ｂの２枚のアレイ基板は貼り合わせ部２０７に
よって接続されている。各アレイ基板には、ゲート線２
０１、このゲート線と直交する方向に延び、絶縁膜を介
して設けられた信号線２０２、ＴＦＴ２０３および画素
電極２０５が形成されている。また、ゲート線２０１お
よび信号線２０２には、それぞれの配線端部にゲート電
極パッド２０４および信号電極パッド２０６が形成され
ている。

【００４４】図示するように、各アレイ基板２００ａお
よび２００ｂにおいては、貼り合わせ部２０７と、この
貼り合わせ部に最近接するＴＦＴ２０３との間には、画
素電極２０５が配置されている。すなわち、ＴＦＴ２０
３は、貼り合わせ部から遠くに配置されることになるの
で、ＴＦＴが破壊される確率が著しく減少する。

【００４５】（実施例II−２）図７は、本実施例の液晶
表示装置に用いられるアレイ基板の他の例を表わす平面
概略図である。図示するように、４枚のアレイ基板２１
０ａ，２１０ｂ，２１０ｃおよび２１０ｄが、貼り合わ
せ部２３１によって接続されている。各アレイ基板に
は、ゲート線２１１、ゲート線と直交する方向に延び、
絶縁膜を介して設けられた信号線２１２、ＴＦＴ２２７
および画素電極２１６が形成されている。ゲート線２１
１および信号線２１２には、それぞれの配線端部にゲー
ト電極パッド２２５および信号電極パッド２２６が形成
されている。

【００４６】図７においては、個々のアレイ基板内での
画素電極２１６の横方向（ゲート線２１１に平行な方
向）のピッチをＣとし、縦方向（信号線２１２に平行な
方向）の画素電極ピッチをＤとしている。また、貼り合
わせ部２３１を介して隣接する画素電極２１６について
は、その横方向のピッチをＥとし、縦方向のピッチをＦ
としている。本実施例で用いられるアレイ基板において
は、横方向の画素電極ピッチＣとＥとはほぼ等しくし、
縦方向のピッチＤとＦともほぼ等しくしたが、必ずしも
これらを等しくしなくともよい。

【００４７】図示するように、貼り合わせ部２３１と、
この貼り合わせ部に最近接したＴＦＴ２２７との間に
は、いずれの基板においても画素電極２１６が形成され
ている。すなわち、各アレイ基板においては、貼り合わ
せ部２３１から画素電極２１６、ＴＦＴ２２７の順に形
成されている。しかも、貼り合わせ部２３１を中心とし
て、画素電極２１６およびＴＦＴ２２７は、実質的に線
対称あるいは点対称の関係に配置されている。このよう
にすることで、ＴＦＴが貼り合わせ部から遠くに配置さ
れることになり、ＴＦＴが破壊される確率が著しく減少
する。また、画素間距離を狭くすることができるので、
より高精細の大型液晶表示装置を得ることができる。

【００４８】ここで、前述の図７に示したアレイ基板を
用いて製造された液晶表示装置のＧ−Ｈにおける概略断
面図を図８に示す。図示するように、支持基板２０９上
には、貼り合わせ部２３１で接続されたアレイ基板２１
０ｃおよび２１０ｄが設置されている。支持基板２０９
とアレイ基板との間には、金属薄膜または有機薄膜など
からなる反射層２２８、および反射層の保護膜２２９が
順次形成されている。各アレイ基板は、透明性基板上
に、ゲート電極２１１ａ、ゲート絶縁膜２１７、半導体
層２１４、ドレイン電極２１３ａおよびソース電極２１
３ｂからなるＴＦＴと、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる
画素電極２１６とが形成された構成である。さらに、透
明性基板上に、カラーフィルター２１９、ブラックマト
リックス（遮光膜）２２０および配向膜２２１を形成し
てなる対向基板２１８が、液晶層２２２を介して配置さ
れている。なお、カラーフィルター２１９は、アレイ基
板側に設けてもよい。本実施例の液晶表示装置は、対向
基板側から入射した光が、支持基板上に形成された反射
層により反射されることにより画像表示を行なうので、
支持基板２０９は光透過性を有していなくともよい。

【００４９】ここでは、反射型の液晶表示装置を例に挙
げたので２２８は反射層としたが、反射層および保護膜
２２９は必ずしも必要ではない。例えば、透過型とする
場合には反射層に代えて透明なものを、支持基板２０９
とアレイ基板との間に配置することができる。さらに透
過型の場合には、支持基板２０９としては光透過性を有
するものを使用する。また、支持基板２０９とアレイ基
板２１０ｃ、２１０ｄとは、接着層（図示せず）を介し
て接続されていてもよい。例えば、合わせガラス用の中
間膜を介して支持基板とアレイ基板とを接続することが
できる。

【００５０】本実施例の液晶表示装置において、２枚の
アレイ基板を接続している貼り合わせ部２３１は、複数
のアレイ基板の貼り合わせ部から液晶材料が浸み出るこ
とを防止し、かつアレイ基板同士を貼り合わせている。
なお、貼り合わせには、種々の接着剤を用いることがで
き、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタ
ール、およびポリビニルブチラールなどガラス貼り合わ
せに用いられる有機系接着剤；無機接着剤；水ガラス；
亜麻仁油、カナダ・バルサム、グリセリンなどの光学用
樹脂などが挙げられる。さらに、研磨された側面同士を
光学接着してもよく、ここに挙げたような貼り合わせ
は、アレイ基板の側面、あるいは裏面で行なうこともで
きる。

【００５１】また、反射層２２８は、アレイ基板表面、
画素電極２１６の表面またはそれ自体、あるいは支持基
板の裏面に形成しても同様の効果が得られる。アレイ基
板の表面に反射層を形成する場合は、反射層の保護膜が
絶縁膜としての効果を兼ね備える。このため、反射層上
に形成される複数の信号配線、ゲート配線同士が短絡す
るのを防止することができる。また、画素電極表面に反
射層を形成した場合には、ＴＦＴが形成されるアレイ基
板２１０、支持基板２０９は光の透過性を有する必要は
ない。さらに、金属箔を支持基板２０９とアレイ基板２
１０で挟持しても同様の効果が得られる。

【００５２】以上のように製造された液晶表示装置は、
それぞれのアレイ基板を独立して駆動することが可能と
なり、アレイ基板内の配線長を増加させることなく、大
型の液晶表示装置を製造することができる。また、それ
ぞれのアレイ基板の大きさは、最終的に得られる液晶表
示装置の１／４程度の大きさであるため、製造装置を大
型にする必要がない。さらに、アレイ基板は、その製造
工程の最終段階での良品のみを使用することができるの
で、一度に大面積のアレイ基板を形成する場合に比べ、
良品率を高めることができる。

【００５３】上述した例では、貼り合わせ型の液晶表示
装置に用いられるアレイ基板において、ＴＦＴと画素電
極との配置を規定することにより貼り合わせ部に起因し
た欠陥を低減したが、このような配置の規定は薄膜トラ
ンジスタアレイにも応用することができる。

【００５４】（実施例II−３）図９に、本実施例のアレ
イ基板の一例を表わす平面図を示す。

【００５５】図示するように、４枚の基板２４０ａ，２
４０ｂ，２４０ｃおよび２４０ｄが接合部２４９を貼り
合わされた構成である。各基板には、ゲート線２４１、
このゲート線と直交する方向に延び、絶縁膜を介して配
置された信号線２４２、ＴＦＴ２４４、および画素電極
２４３が形成されている。ゲート線２４１の端には、ゲ
ート電極パッド２４７および２４８が形成されており、
信号線２４２の端には、信号電極パッド２４５および２
４６が形成されている。なお、本実施例においては、Ｔ
ＦＴ（アレイ）の構造や製造方法は、従来とほぼ同様で
あるので詳細については省略する。

【００５６】図９に示すように、貼り合わせ面や配線と
の位置関係に応じて、４種類の大きさの画素電極が形成
されている。画素電極２４３ａは、その周囲に貼り合わ
せ部が存在しない場合、画素電極２４３ｂは、ゲート線
２４１に平行な方向に貼り合わせ部を有する場合、画素
電極２４３ｃは、信号線２４２に平行な方向に貼り合わ
せ部を有する場合、画素電極２４３ｄは、ゲート線およ
び信号線のいずれの方向にも平行に貼り合わせ部を有す
る場合である。

【００５７】これらの画素電極２４３ａ，２４３ｂ，２
４３ｃおよび２４３ｄの大きさは、電極パッド２４５、
２４６、２４７および２４８に与える信号や電圧、バッ
クライト、散乱板、反射の特性によって画質が最も優れ
るような大きさとすることができる。図示する例では、
画素電極２４３ｂおよび２４３ｃは、２４３ａのほぼ半
分の大きさであり、２４３ｄは２４３ａのほぼ１／４の
大きさである。なお、画素電極の画質は、例えば、明る
さが均一となるように散乱板の開口部のピッチやブラッ
クマトリックスの開口面積をそろえることによって調整
することができる。

【００５８】液晶表示装置の駆動に関しても従来と同様
であるので詳細は略すが、順次ゲート線を選択し、信号
を書き込むことによって画像が表示される。この際、ゲ
ート線は、ゲート電極パッド２４７より上から下に順次
選択され、それに同期した信号電極パッド２４５から与
えられる映像信号が画素に書き込まれて表示される。本
実施例の液晶表示装置においては、貼り合わせ面２４９
に隣接するゲート電極パッド２４８には、同時または順
次同じ電圧が印加される。貼り合わせ面に隣接する信号
電極パッド２４６も同様に、同じ映像信号が供給され
る。したがって、貼り合わせ面に隣接していない画素電
極２４３ａは１画素で１表示を行ない、一辺が貼り合わ
せ面に隣接している画素電極２４３ｂおよび２４３ｃ
は、貼り合わせ面を介して隣接する２画素で同じ表示を
行なう。さらに、２辺が貼り合わせ面に隣接している画
素電極２４３ｄは４画素で１つの表示を行なう。このこ
とによって、貼り合わせ部２４９が視認されることなく
表示が行なわれる。

【００５９】ここで、１枚のアレイ基板のサイズは、対
角２５型であり、４枚のアレイ基板を貼り合わせたとき
の対角サイズは５０型である。画素数は縦（信号線）１
２００本、横（ゲート線）１０００本である。画面サイ
ズを縦横９：１６とすると画素ピッチは縦が約０．９２
ｍｍ、横が約０．６２ｍｍとなる。

【００６０】例えば、信号駆動ＩＣの出力が３００、ゲ
ート駆動ＩＣの出力が２５０とすると、４枚のアレイ基
板２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｃおよび２４０ｄにはそ
れぞれ信号駆動ＩＣとゲート駆動ＩＣが２個ずつ接続さ
れる。なお、駆動ＩＣは、一般的なＴＣＰまたはＣＯＧ
実装により接続することができる。このとき、ゲート電
極２４６および信号電極２４８が共通であり、駆動ＩＣ
の出力とアレイ上の配線とが１：１に対応すると、例え
ば、アレイ基板２４０ａの６００本目の信号線には２４
０ａに接続された駆動ＩＣより６００番目（アレイ基板
２４０ａに接続された２番目駆動ＩＣの３００番目）が
印加される。また、アレイ基板２４０ｂの１本目の信号
線には、この２４０ｂに接続された信号ＩＣより１番目
の信号が印加され、それが前述のアレイ基板２４０ａの
６００本目の信号線に印加されるものと同じ信号であ
る。

【００６１】したがって、実際には１１９９本の信号線
と、９９９本のゲート線とを有している場合と同等の駆
動となり、このときは、１２００番目の信号および１０
００番目のゲート電圧は印加されないように設計する。
あるいは、貼り合わせ面２４９を介して隣接する２本の
信号線２４２またはゲート線２４１に１つの駆動ＩＣか
ら出力された信号（電圧）を接続すると、１２００本の
信号線と、１０００本のゲート線とを駆動することがで
き、このときは実際には信号線が１２０１本、ゲート線
が１００１本となる。例えば、アレイ基板２４０ａは信
号線６００本、ゲート線が５００本、アレイ基板２４０
ｂは信号線が６０１本、ゲート線が５００本、アレイ基
板２４０ｃは信号線が６００本、ゲート線が５０１本、
アレイ基板２４０ｄは信号線が６０１本、ゲート線が５
０１本となる。なお、２本の信号線あるいはゲート線
は、ワイヤー、導電ペースト、異方性導電接着剤を用い
て接続することができる。

【００６２】ここでは、駆動ＩＣの１つの出力を共通す
る２本の信号線（ゲート線）に供給したが、専用のＩＣ
を用いて駆動ＩＣとアレイ上の配線とを１：１に対応さ
せてもよい。例えばこの場合、信号駆動ＩＣの出力数を
３０１とし、４つのＩＣのうち１つのみ３０１番目を接
続すると、１２０１本の信号線を駆動することができ
る。あるいは３００出力のＩＣ３個と３０１出力のＩＣ
１個とを組み合わせてもよい。

【００６３】前述の図８や図９に示すような構成を有す
るアレイ基板を用いて、種々の構造の液晶表示装置を製
造することができ、例えば、図１０（ａ）から図１０
（ｄ）に示すような断面構造の液晶表示装置が挙げられ
る。図１０（ａ）に示す液晶表示装置は、対向基板が１
枚で、アレイ基板のみを貼り合わせた構造であり、図１
０（ｂ）は対向基板とアレイ基板とが、それぞれの側面
を接着面として１枚に貼り合わされた液晶表示装置であ
り、図１０（ｃ）は、対向基板とアレイ基板がそれぞれ
側面シール部材を介して１枚に貼り合わされた液晶表示
装置である。この場合、側面シール部材を使って液晶層
は分離されている。なお、画素ピッチが例えば０．９２
ｍｍと大きい場合には、アレイ基板の側面のみならず、
図１０（ｄ）に示すように、貼り合わせ部分の上面をシ
ール領域とすることもできる。さらに、これらの図１０
（ａ）から図１０（ｄ）に示す液晶表示装置は、アレイ
基板を支持基板の上に設置した構成としてもよく、この
場合に機械的強度を高めることができる。

【００６４】いずれの構造においても、２枚のアレイ基
板２４０は、貼り合わせ面２４９を介して１枚に貼り合
わされている。貼り合わせ部２４９は、複数のアレイ基
板の貼り合わせ部分から液晶材料がしみ出ることを防止
し、かつアレイ基板同士を貼り合わせている。貼り合わ
せにはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール、
およびポリビニルブチラールなどガラス貼り合わせに用
いられる有機系接着剤を用いる方法、無機接着剤・水ガ
ラスを用いる方法、研磨された側面同士を光学接着する
方法、亜麻仁油、カナダ・バルサム、グリセリンなどの
光学用樹脂を用いて接着する方法が挙げられる。さら
に、貼り合わせはアレイ基板の側面、あるいは裏面で行
なっても構わない。

【００６５】以上のように、本実施例の液晶表示装置
は、貼り合わされたアレイ基板において、接続部に隣接
する画素電極の大きさを規定し、接続部を介して隣接す
る２つの画素電極で１つの画素表示を行なっている。こ
れにより、貼り合わせ部が視認されることを防止し、１
枚のアレイ基板からなる大型の液晶表示装置と同等の装
置が得られた。また、それぞれのアレイ基板の大きさ
は、最終的に得られる液晶表示装置の１／４程度の大き
さであるため、製造装置を大型にする必要がなくなる。
さらに、アレイ基板はその製造工程の最終段階での良品
のみを使用することができるので、一度に大面積のアレ
イ基板を形成する場合に比べて良品率を高めることがで
きる。

【００６６】（実施例II−４）図１１に本実施例のＴＦ
Ｔアレイの断面図を示し、図１２にその平面図を示す。
図１１に示すＴＦＴアレイにおいては、ガラス基板２５
１上にＴＦＴが形成されており、ＴＦＴの上には、第１
のパッシベーション層２６０ａと第２のパッシベーショ
ン層２６０ｂとの２層のパッシベーション層が積層さ
れ、さらに第２のパッシベーション層２６０ｂ上に画素
電極２５８が形成されている。画素電極２５８とソース
電極層２５９ａとは、これらのパッシベーション層２６
０ａに設けられたコンタクトホール２６４ａ、パッシベ
ーション層２６０ｂに設けられたコンタクトホール２６
４ｂ、および２つのパッシベーション層の間に形成され
た画素接続電極２６３により接続されている。

【００６７】かかるＴＦＴアレイは、以下のようにして
製造した。まず、ガラス基板２５１上にＳｉＯ_x などの
アンダーコート層２５２を形成した後、Ｍｏ、Ｔａまた
はＡｌ合金などの高融点・低抵抗金属からなるゲート電
極２５３を形成した。さらに、ゲート電極２５３の上に
ＳｉＯ_x ，ＳｉＮ_x 単層、あるいはそれらの積層からな
るゲート絶縁膜２５４を形成した。このゲート絶縁膜２
５４上に、α−Ｓｉ、多結晶Ｓｉなどの半導体層２５
５、およびＳｉＮ_x などからなるチャネル保護層２５６
を順次形成した。ここで、ゲート絶縁膜と２５４して
は、ＴａＯ_x などの高誘電体、あるいはＰｂＴｉＯ_x や
ＢａＴｉＯ_x などの強誘電体を用いることができる。チ
ャネル保護層２５６の上に、ｎ⁺ α−Ｓｉなどからなる
コンタクト層２５７を形成した後、Ｍｏ，Ａｌなどの低
抵抗金属からなる信号線金属層２５９ｂおよびソース電
極層２５９ａを形成した。

【００６８】この後、第一層目のパッシベーション層２
６０ａを形成し、スルーホール２６４ａを設けた後、画
素接続電極２６３を形成した。また、画素接続電極２６
３としては、ＩＴＯなどの透明な導電性材料が望ましい
が、不透明な金属や半導体などを用いてもよい。次い
で、第２層目のパッシベーション層２６０ｂを形成し、
スルーホール２６４ｂを設けた。パッシベーション層２
６０ａ，２６０ｂとしては、ＳｉＮ_x およびＳｉＯ_x な
どの無機材料、あるいはアクリル、ポリイミドなどの有
機材料を用いることができる。さらに、ＩＴＯなどから
なる画素電極２５８を第２のパッシベーション層２６０
ｂ上に形成し、ポリイミドを塗布して配向膜２６１を設
けてアレイ基板を得た。

【００６９】このアレイ基板を２枚、信号線に平行な側
面において接着樹脂２６２で貼り合わせて大型の液晶表
示装置用のＴＦＴアレイ基板を得た。なお、貼り合わさ
れるアレイ基板の枚数は２枚に限定されず、３枚以上の
任意の枚数を貼り合わせることができる。

【００７０】一方、このＴＦＴアレイ基板に離間して配
置される対向基板は、ガラス基板上にＣｒ等の金属など
からなるブラックマトリックス層およびカラーフィルタ
ー層を形成した後、これらの上にＩＴＯなどの透明導電
膜からなる対向電極層を形成して得た。

【００７１】このようにして得られた対向基板を、前述
のＴＦＴアレイ基板と組み合わせ、それらの間に液晶と
スペーサとを注入した後、これをシール剤樹脂で封着し
て大型の画像表示装置を得た。

【００７２】本実施例のアレイ基板においては、図１２
に示すようにアレイ基板の接続部２６２に近接して配置
されているのは画素電極２５８であり、信号線２５９ｂ
は、画素ピッチ分だけ接続部２６２から遠ざかってい
る。このため、信号線、ゲート線間のクロスショートな
どによる線欠陥、およびＴＦＴの欠損による点欠陥がほ
とんど現れなくなり、良好な表示特性が得られた。

【００７３】（実施例II−５）前述の実施例（II−４）
においては、信号線を画素電極に対して１周期ずらし
て、貼り合わせ部分２６２からＴＦＴアレイを遠ざけた
が、図１３に示すように、ゲート線２５３を画素電極２
５８に対して１周期ずらして形成してもよい。これによ
って、ゲート線２５３方向に平行な辺を接続部として複
数のアレイ基板を貼り合わせても、ゲート線の線欠損お
よび信号線、ゲート線間のクロスショートによる線欠陥
や、ＴＦＴの欠損による点欠陥の数を激減することがで
きた。そのため、線欠陥、点欠陥のない良好な表示特性
を有する大型の画像表示装置が得られた。

【００７４】（実施例II−６）図１４は、信号線２５９
ｂ方向およびゲート線２５３方向にそれぞれ１周期同時
に画素電極２５８に対してＴＦＴをずらして形成した平
面図である。このように信号線２５９ｂおよびゲート線
２５３の両方に対して１周期ずらすことにより、信号
線、ゲート線がともに基板の貼り合わせ部２６２から遠
ざかる。すなわち、信号線方向、ゲート線方向にそれぞ
れ貼り合わせ部分を形成できるので、さらに画面の大き
さが大きくなり、かつ線欠陥、点欠陥の数も少ない画像
表示装置が得られる。

【００７５】以上説明したように、本実施例において
は、貼り合わせ部分、すなわち基板端のＴＦＴアレイに
おいて、配線およびＴＦＴを画素電極と画素ピッチ程度
離して接続した。このような構成とすることにより、信
号線やゲート線の線欠陥、配線間のクロスショートを防
止することが可能となった。本実施例のようなＴＦＴア
レイを用いて作製された液晶表示装置は、貼り合わせ部
分の非表示領域が少ないので筋の発生はなく、線欠陥、
点欠陥のない良好な表示特性を有する。

【００７６】（実施例III ）本実施例においては、２枚
のアレイ基板を貼り合わせ、この貼り合わせ部に導電膜
を配置した例を説明する。導電膜は、２枚の基板の貼り
合わせ部の上にまたがって設けてもよく、この場合は、
透明導電膜を用いて画素電極とすることができる。ある
いは導電膜は、２枚の基板の上に設けられた配線を、基
板の側面または表面で接続するためのものであってもよ
い。

【００７７】（実施例III −１）図１５は、本実施例の
画像表示装置の構成を模式的に示した断面図である。

【００７８】図１５に示す画像表示装置においてアレイ
基板３２２は、ＩＴＯパターン３２３が形成された厚さ
０．７ｍｍの透光性基板２枚を、側面で接着して形成さ
れたものである。このアレイ基板３２２に対し、平均粒
径５μｍの樹脂ビーズをスペーサ３２５として介して対
向基板３２１が配置されている。なお、対向基板３２１
は、厚さ０．７ｍｍの透光性基板上に共通電極パターン
３２４が形成されており、対向基板３２１の面積は、前
述のようにして貼り合わされたアレイ基板３２２とほぼ
等しい。

【００７９】アレイ基板３２２と対向基板３２１との間
隙には液晶３２６が封入されており、側面は樹脂３２７
によりシールされている。

【００８０】なお、図示していないが、対向基板３２１
およびアレイ基板３２２には、カラーフィルター、ゲー
ト電極、ソース電極、アモルファスシリコン層、および
それらを相互に接続する絶縁層など、一般的な画像表示
装置として必要な構成が含まれている。また、対向基板
３２１とアレイ基板３２２との間隙に配置される液晶や
スペーサ、さらには、その側面をシールするシール剤も
一般的な画像表示装置に用いられるものと同様のものを
使用することができる。

【００８１】例えば、液晶材料としては、ＴＮ液晶、お
よび強誘電性液晶などが挙げられ、表示モードによって
最適な材料を選択することができる。また、上述したよ
うな、数μｍ径のスペーサを散布する以外にも、接着性
を有する接着スペーサやレジスト柱を用いることができ
る。

【００８２】画像表示装置を駆動する信号は、駆動ＩＣ
より供給されており、この駆動ＩＣは、アレイ基板上に
駆動ＩＣを直接搭載するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）法や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｃ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により接続することができる。画
像表示装置がポリシリコンを用いて作製されている場合
には、駆動を予めアレイ基板作製時に作り込んでもよ
い。

【００８３】本実施例の画像表示装置は、以下のように
して製造した。なお、対向基板やアレイ基板の製造等に
おけるごく一般的な工程に関する説明は省略する。

【００８４】まず、対向基板３２１のほぼ半分の大きさ
の、厚さ０．７ｍｍの透光性基板上に、スパッタ法およ
びＣＶＤ法でＴＦＴを形成した。次いで、ＴＦＴ上にス
パッタ法で膜厚１５０ｎｍのＩＴＯを形成し、ロールコ
ータでレジストを塗布後、フォトリソグラフィにより
０．２ｍｍ×０．２ｍｍピッチ（電極幅０．１８ｍｍ、
電極間隔０．０２ｍｍ）で画素電極パターン３２３を形
成してアレイ基板を２枚作製した。なお、２枚のアレイ
基板上の画素電極パターン３２３のうち、接続部３３１
に接する電極３３３は、図１６に示すような寸法および
配置となるように形成した。具体的には、図１６に示す
ように２枚のアレイ基板の接続部３３１に接する電極３
３３は、接続部３３１の延びる方向においては０．１８
ｍｍ、これに直交する方向においては０．０９ｍｍの矩
形とした。さらに、画素電極パターンは、接続部３３１
に対して直交する方向において揃うように配置した。

【００８５】次に、この２枚のアレイ基板のそれぞれ一
辺にトランスファ３２８を設け、トランスファ３２８を
設けた辺の反対側の側面に、エンプラ−ポリアセタール
を主成分とする樹脂３３１を塗布した。２枚のアレイ基
板を１２０℃で１時間加熱して接着し、一枚の大型アレ
イ基板３２２を得た。この大型アレイ基板３２２の接続
部３３１上には、図１７に示すように、他の画素との規
則性を崩さない位置に、ＩＴＯ膜３３２（０．１８ｍｍ
×０．１８ｍｍ）をスパッタ法により１５０℃で１５０
ｎｍの膜厚でマスク成膜し、その後、２５０℃でアニー
ル処理を施した。すなわち、大型アレイ基板３２２の接
続部３３１上には、２枚の基板を接続する前に形成され
ていた第１のＩＴＯ画素電極パターン３３３と、２枚の
基板を貼り合わせた後に、この第１の画素電極パターン
の上に形成された第２のＩＴＯ画素電極パターン３３２
との積層構造のＩＴＯ電極が形成される。

【００８６】一方、厚さ０．７ｍｍの基板に、スパッタ
法により膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、ロールコ
ータでレジストを塗布した後、フォトリソグラフィによ
り電極パターン３２４を形成して対向基板３２１を得
た。

【００８７】上述のようにして作製されたアレイ基板３
２２の外周端部と、対向基板３２１の外周端部の上に、
ディスペンサーを用いて熱硬化性樹脂でシール部３２７
を形成した。この際、基板端部に一部開口部を残した。
配置された熱硬化性樹脂は、８０℃で仮乾燥した。その
後、平均粒径５μｍのスペーサ３２５を散布し、アレイ
基板３２２を位置合わせし加圧しながら１６０℃で８時
間加熱して樹脂３２７を硬化した。形成されたシール部
はほぼ５μｍの厚さで、その平均幅は１ｍｍであった。
端部に残した開口部から液晶３２６を注入した後、前述
と同様の熱硬化性樹脂３２７で開口部を閉じることによ
り液晶３２６を対向基板とアレイ基板との間隙の封入し
て画像表示装置を作製した。

【００８８】こうして作製した画像表示装置を、トラン
スファ３２８を設けた両辺より両側駆動で駆動し、画像
を表示させたところ、２枚のアレイ基板の接続部３３１
はほとんど認識されず、良好な大型画像が得られた。

【００８９】（実施例III −２）まず、実施例（III −
１）と同様にして２枚のアレイ基板を作製し、同様にし
てそれらを側面で貼り合わせて大型のアレイ基板を得
た。その後、スパッタリングにより接続部３３１上にＩ
ＴＯ膜を成膜し、メタノール系ガスを用いたドライエッ
チングによりパターンを形成した。このアレイ基板を用
いる以外は、前述の実施例（III −１）と同様にして画
像表示装置を作製した。

【００９０】こうして得られた画像表示装置を、トラン
スファ３２８を設けた両辺より両側駆動で駆動し、画像
を表示させたところ、２枚のアレイ基板の接続部３３１
はほとんど認識されず、良好な大型画像が得られた。

【００９１】（実施例III −３）まず、実施例（III −
１）と同様にして２枚のアレイ基板を作製し、同様にし
てそれらを側面で貼り合わせて大型のアレイ基板を得
た。これとは別に、ガラス基板上に０．１８ｍｍ×０．
１８ｍｍのＩＴＯ膜を、スパッタ法により１５０℃で１
５０ｎｍの膜厚でマスク成膜した後、２５０℃でアニー
ル処理して仮成形した。このガラス基板を２００℃まで
加温し、予め作製したアレイ基板接続部上の画素電極同
士が接続されている部分（図１６および図１７中の３３
３）に位置合わせして押しつけた。１０秒後、このガラ
ス基板をアレイ基板から離すと、ガラス基板に仮形成さ
れたＩＴＯ膜がアレイ基板接続部上の画素電極同士が接
続されている部分に転写された。このアレイ基板を用い
る以外は、前述の実施例（III−１）と同様にして画像
表示装置を作製した。

【００９２】こうして得られた画像表示装置を、トラン
スファ３２８を設けた両辺より両側駆動で駆動し、画像
を表示させたところ、２枚のアレイ基板の接続部３３１
はほとんど認識されず、良好な大型画像が得られた。

【００９３】（実施例 III −４）まず、実施例（III
−１）と同様にして２枚のアレイ基板を作製し、同様に
してそれらを側面で貼り合わせて大型のアレイ基板を得
た。これとは別に、厚さ１μｍのポリイミド等の有機フ
ィルム上に、ＩＴＯ膜をスパッタ法により１５０℃で１
５０ｎｍの膜厚で成膜した後、２５０℃でアニール処理
した。これを０．１８ｍｍ×０．１８ｍｍの大きさにカ
ットし、アレイ基板接続部上の画素電極同士が接続され
ている部分（図１６および図１７中の３３３）に位置合
わせして載置し、２００℃で１０分間アニールして貼り
付けた。このアレイ基板を用いる以外は、前述の実施例
（III −１）と同様にして画像表示装置を作製した。

【００９４】こうして得られた画像表示装置を、トラン
スファ３２８を設けた両辺より両側駆動で駆動し、画像
を表示させたところ、２枚のアレイ基板の接続部３３１
はほとんど認識されず、良好な大型画像が得られた。

【００９５】以上の実施例（III −１）〜（III −４）
においては、画素電極パターンが形成された２枚のアレ
イ基板を、画素電極パターンが貼り合わせ部を介して隣
接するように接続し、この接続部の上には、さらに画素
電極パターンが形成された画像表示装置を説明した。こ
のように接続部に積層構造の画素電極パターンを設けた
構成は、貼り合わせた２枚のアレイ基板の厚さが等しく
ない場合、すなわち、貼り合わせ部に段差が生じている
場合に特に有利である。予め画素電極を形成せずに、２
枚のアレイ基板を貼り合わせた後、接続部に画素電極パ
ターンを形成した場合には、貼り合わせ部に段差がある
と画素電極の段切れが生じるおそれがある。本実施例の
構成とすることにより、このような段切れは確実に防止
することができる。

【００９６】なお、貼り合わせ部上の画素電極は、アレ
イ基板内に形成された他の画素電極より厚くなることを
考慮して、駆動電圧を印加すれば、より接続部が視認さ
れにくい均一な画像が得られ得る。

【００９７】以上の例では、２枚のアレイ基板の接続部
に位置する画素電極パターンを、複数の層を積層するこ
とにより形成したが、実施例（III ）の画像表示装置
は、これに限定されるものではない。以下に、実施例
（III ）の画像表示装置の他の例を説明する。

【００９８】（実施例III −５）図１８に、本実施例の
画像表示素子の他の例の断面図を示す。

【００９９】図示するように、本実施例の画像表示装置
においては、ガラス基板３４１上にＴＦＴおよび画素電
極３５０等を形成してなるアレイ基板３３８と、ガラス
基板３５３上にＣｒ等からなるブラックマトリックス層
３５４、カラーフィルター層３５５、ＩＴＯ等の透明電
極３５６、およびポリイミド層からなる液晶配向膜３５
７を形成してなる対向基板３３９との間に、液晶３５８
が封入されシール材により封止されている。

【０１００】なお、図中、３４２はＳｉＯ_x などからな
るアンダーコート層であり、３４３ａおよび３４３ｂ
は、それぞれゲート電極および補助容量電極を表わす。
これらの電極は、いずれもＭｏ、ＭｏＴａ、ＭｏＷおよ
びＡｌ合金などの低抵抗・高融点金属により形成されて
いる。これらの電極の上には、ゲート絶縁膜層３４４、
α−Ｓｉなどの半導体層３４５、およびＳｉＮ_x などか
らなるチャネル保護層３４６が順次形成されている。な
お、ゲート絶縁膜は、ＳｉＮ_x およびＳｉＯ_x などの絶
縁膜の単層、あるいはそれらの積層により構成すること
ができる。半導体層３４５およびチャネル保護層３４６
の上には、Ｐ型不純物をドープしたｎ⁺ α−Ｓｉなどか
らなるコンタクト層３４７が２つ離間して設けられてい
る。それぞれのコンタクト層３４７の上には、Ｍｏ、Ａ
ｌなどの低抵抗金属層からなるソース電極３４８ｂ、お
よび信号線電極層３４８ａが形成されている。さらに、
ＳｉＮ_x などの無機絶縁膜層あるいはアクリル樹脂、Ｂ
ＣＢ（ベンゾシクロブテン）などの有機絶縁膜層、ある
いはそれらの積層からなるパッシベーション層３５１、
ＩＴＯ画素電極３５０、およびラビング処理されたポリ
イミド膜からなる液晶配向膜３５２が、ソース電極３４
８ｂおよび信号線電極層３４８ａの上に順次形成されて
いる。

【０１０１】図示するようにアレイ基板３３８において
は、２枚の基板が接続部３４９で接着樹脂により接続さ
れており、この接続部を覆うようにＩＴＯ画素電極３５
０が形成されている。すなわち、ＩＴＯ画素電極３５０
およびこれより上の層は、ＴＦＴが形成された複数のア
レイ基板を、接着樹脂にて貼り合わせた後に形成された
ものである。

【０１０２】ここで、ＴＦＴが形成されたアレイ基板を
貼り合わせる工程を、図面を参照して説明する。まず、
画素部分以外のＴＦＴアレイを大判ガラス基板上に複数
形成し、これを図１９に示すように複数の基板に切断す
る。なお、このように切断されたアレイ基板を用いる以
外に、予め所定の寸法の複数のアレイ基板を別々に形成
しておいてもよい。複数の基板は、アレイテスターにか
けて欠陥の様子を調べておく。

【０１０３】図１９中、３６１はゲート電極、補助容量
電極を表わしており、図１８中の３４３ａおよび３４３
ｂに相当する。また、３６２はＴＦＴ部を表わし、３６
４ａ、３６４ｂおよび３６４ｃは、パッシベーションス
ルーホールを表わす。なお、３６４ａは、ゲート電極・
補助容量電極の接続用のスルーホールであり、３６４ｂ
はソース電極接続用のスルーホールであり、３６４ｃは
信号線接続用のスルーホールである。また、切断部以外
の領域にもＴＦＴアレイの周期に応じてスルーホールを
設けてもよい。これらのスルーホールを通してアレイテ
スターの針を接触させ、パッドとして用いる。パッド
は、３６４ａ、３６４ｂを用いてもよいし、周期的に形
成された内側の開口部を用いてもよい。

【０１０４】このアレイテスターの結果、欠陥のないア
レイ基板、あるいは欠陥数の少ないアレイ基板を選び、
それらを図２０に示すように接続部３４９で貼り合わせ
る。その後、ＩＴＯなどの透明電極膜を成膜、パターニ
ングする。これによって、貼り合わせ部分を介して隣接
する信号線、ゲート線および補助容量線を接続する。す
なわち、図２１中に斜線で示すように、接続部３４９を
介して隣接するゲート電極・補助容量電極の上には、Ｉ
ＴＯ貼り合わせ接続電極３６５ａが形成され、接続部３
４９を介して隣接する信号線の上には、ＩＴＯ貼り合わ
せ接続電極３６５ｃが形成される。さらに、接続部３４
９を介して隣接する画素電極の上にはＩＴＯ画素電極３
６５ｂが形成される。

【０１０５】ここで、アレイ基板の貼り合わせ部３４９
におけるゲート線領域の断面図を図２２に示し、アレイ
基板の貼り合わせ部３４９における信号線接続部の領域
の断面図を、図２３に示す。図２２に示すように、接続
部３４９を介して隣接するゲート線・補助容量線３４３
ｃは、その上に形成されたＩＴＯ接続電極３６５ａで接
続されており、一方、接続部３４９を介して隣接する信
号線３４８ｃは、図２３に示すようにその上に形成され
たＩＴＯ接続電極３６５ｃにより接続されている。

【０１０６】なお、本実施例の画像表示装置において
は、図２４に示すようにパッシベーション膜を設けず
に、ＩＴＯ画素電極３５０を形成してもよい。

【０１０７】図１８および図２４に示したような画像表
示装置は、実施例Ｉの画像表示装置に比べ、開口率を大
きく設計することができるという利点を有している。実
施例Ｉでは、複数の基板を貼り合わせたアレイ基板を用
いて画像表示装置を作製する場合には、画面に筋がはい
るのを防ぐため、画素電極パターンのピッチを考慮しな
ければならない。貼り合わせ部分を介して隣接する画素
電極パターンのピッチを、これ以外の部分の画素ピッチ
よりも大きく形成すれば筋は見えにくくなるものの、こ
のように構成された従来の画像表示装置は、画素の開口
率が大きく低下する。

【０１０８】この開口率について、以下に詳細に説明す
る。

【０１０９】図２５に実施例Ｉのアレイの貼り合わせ部
分近傍の画素の平面構造を示し、このように貼り合わさ
れたアレイ基板を用いて製造された画像表示装置の断面
図を、図２６に示す。図２５中、斜線で示した領域３７
５は、アレイ基板の接続部を表わしており、ここでは４
枚の基板を貼り合わせた構造であることがわかる。各ア
レイ基板には、ゲート線３７１、α−Ｓｉ島３７２、信
号線電極３７３ａ、ソース線電極３７３ｂ、およびＩＴ
Ｏ画素電極３７４が形成されている。また、図２５中、
Ｗ_x およびＷ_y は、それぞれ信号線３７３ａおよびゲー
ト線３７１の幅であり、Ｌは画素電極３７４のピッチ
幅、Ｚは貼り合わせ部分（接着樹脂）３７５を介しない
で隣接した画素電極３７４と信号線３７３ａあるいはゲ
ート線３７１との距離、Ｖは貼り合わせ部分３７５を介
して隣接した画素電極３７４と信号線３７３ａあるいは
ゲート線３７１との距離、Ｇは貼り合わせ部分３７５の
幅を表している。さらに、Ｄは基板端と基板に最近接す
る画素電極３７４との距離を示しており、これは、貼り
合わせを行なう場合に、各々の基板の端に存在するパタ
ーンを形成できない領域に相当する。いずれの符号にお
いてもｘは、ゲート線３７１に並行な方向における距離
であり、ｙは信号線３７３ａに並行な方向における距離
である。

【０１１０】単位画素当たりに占める画素電極３７４の
面積をＳ、開口率をＫ、Ｐ＝Ｋ／Ｓとすると、開口率
は、下記数式（１）で表わされる。

【０１１１】 Ｋ＝ＰＳ ＝Ｐ（Ｌ_x −Ｗ_x −Ｚ_x −Ｖ_x ）（Ｌ_y −Ｗ_y −Ｚ_y −Ｖ_y ）／Ｌ_x Ｌ_y 数式（１） ここで、Ｖ＝Ｇ＋２Ｄである。

【０１１２】数式（１）より、貼り合わせ部分のパター
ンのマージンＤが大きいと開口率Ｋが低下することがわ
かる。実際にアレイ基板を作製したところ、このマージ
ンＤを５０μｍ未満にすると、基板端の画素電極パター
ンや信号線電極パターンが欠落する確率が著しく大きく
なることがわかった。

【０１１３】ここで、画素ピッチＬ_x ×Ｌ_y を３００μ
ｍ×９００μｍ、Ｚを５μｍ、Ｗを１０μｍ、Ｇ＝３０
μｍとすると、単純に見積もって画素面積率Ｓは、 (300-10-5-30-2×50)( 900-10-5-30-2×50) ／(300×90
0)×100 ＝43％ である。開口率は、これにＰをかけて得られる。

【０１１４】画素上置き構造にした場合、画素電極を信
号線に重ねる設計を行なうことで、高開口率化が可能で
ある。この場合、Ｚ＝０とすることができるので、画素
面積率Ｓは、 (300-10-30-2×50)( 900-10-30-2×50) ／(300×900)×
100 ＝45％ となり、開口率も上がる。

【０１１５】次に、本実施例の貼り合わせ部に画素があ
る構造を有する画像表示装置についての開口率を、前述
した実施例Ｉの開口率と比較する。

【０１１６】本実施例の画像表示装置に用いられるアレ
イ基板における貼り合わせ部分の画素構造を図２７に示
し、このアレイ基板を用いて製造した画像表示装置の断
面図を図２８に示す。図２７中、斜線で示した領域３７
５は、アレイ基板の接続部を表わし、４枚の基板を貼り
合わせた構造である。各アレイ基板には、ゲート線３７
１、α−Ｓｉ島３７２、信号線電極３７３ａ、ソース線
電極３７３ｂ、ＩＴＯ画素電極３７４が形成されてい
る。その他の符号も、図２５中と同様であるが、本実施
例の画像表示装置においては、貼り合わせ部３７５の上
をまたぐようにＩＴＯ画素電極３７４が形成されてい
る。

【０１１７】まず、前述の図２４に示したような、パッ
シベーション膜を介さないで画素電極が形成されたアレ
イ基板について考える。開口率Ｋは前述の数式（１）で
表される。この場合には、Ｖ_m ＝Ｚ_m ≧０である。すな
わち、本実施例では、ＩＴＯ画素電極パターン３７４を
基板貼り付け後に形成することにより、貼り合わせ接続
部３７５での画素パターン３７４のマージンが、原理的
にはＧやＤの大きさに依存しなくなる。Ｇ，Ｌ，Ｚおよ
びＷとして上述の計算値の値を採用すると、画素面積率
Ｓは、 (300-5×2-10)( 900-5×2-10)( 300×900)＝９１％ と、従来の構造の場合より大きな値を得ることができ
る。したがって、開口率Ｋもこれに比例して大きくな
る。

【０１１８】また、アレイ構造を図１８のように画素上
置き型にした場合には、信号線３７３ａおよびゲート線
３７１と画素電極パターン３７４とを重なるように配置
した場合には、Ｖ_m ＝Ｚ_m ＝０とすることができ、下記
式で表わされるような大きな開口率を得ることができ
る。

【０１１９】 Ｋ_max ＝Ｐ（Ｌ_x −Ｗ_x ) （Ｌ_y −Ｗ_y ) ／Ｌ_x Ｌ_y この場合、Ｓについてのみ計算してみると、 （３００−１０）（９００−１０）／（３００×９０
０）＝９６％ と著しく大きくなる。

【０１２０】ここで、図２６に示した実施例Ｉの画像表
示装置の断面図と、図２８に示した本実施例の画像表示
装置の断面図とを比較すると、本実施例により開口率が
高められたことがわかる。

【０１２１】また、Ｄを大きくしても開口率が下がらな
いので、基板端における配線パターンを基板端から遠ざ
けることができる。すなわち、Ｄ_max ≦Ｌ／２＝４００
μｍとすることができ、線欠陥を減少させる効果もあっ
た。さらに、接続部分にＩＴＯが形成されているため、
接続部分の接着樹脂から液晶中に入る不純物がブロッキ
ングされ、これにより結晶の劣化が少なくなることがわ
かった。このような理由から、表示特性のよい画像表示
装置を得ることができる。

【０１２２】なお、本実施例の画像表示装置は、上述し
た例に限定されるものではなく、種々の変更が可能であ
る。例えば、図２９に示すように、ＩＴＯ画素電極３７
４は貼り合わせ部分３７５に重なるようにパターニング
し、一方、ブラックマトリックス３８６の開口部に貼り
合わせ部分３７５がはみ出るようにしてもよい。また、
図３０に示すように貼り合わせ部分３７５にＩＴＯ画素
電極３７４は重ね、かつブラックマトリックス３８６の
開口部から貼り合わせ部分３７５がはみ出ないようにす
ることもできる。あるいは、図３１に示すように、ＩＴ
Ｏ接続電極３７４は貼り合わせ部分３７５に重ならない
ようにしてもよい。図３１は、従来の例とほぼ同じ構成
であるが、従来の場合には、貼り合わせ部分３７５とＩ
ＴＯパターン３７４との間に大きなマージンが必要であ
り、これに対し、本実施例は、貼り合わせ部分３７５と
ＩＴＯパターン３７４との間の距離を小さくすることが
できるため、従来よりも開口率を大きくすることができ
る。

【０１２３】（実施例III −６）図３２に、本実施例の
液晶表示装置の一例の断面図を示す。

【０１２４】ここに示す液晶表示装置は、基本的には図
１８の断面図に示したものと同様の構成であるが、アレ
イ基板のパッシベーション層３５１の形成方法が異な
る。本実施例においては、１枚の大判ガラス基板に複数
のＴＦＴを形成し、ガラス基板を切断して良品のみを貼
り合わせた後、まず、パッシベーション層３５１をＴＦ
Ｔ上に形成した。次いで、このパッシベーション層３５
１の上に、透明導電膜により画素電極３５０を形成し
た。パッシベーション層３５１としては、ＳｉＮなどの
無機絶縁層を用いてもよいが、アクリル樹脂、ポリイミ
ド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）およびＳＯＧ（スピ
ンオングラス）などの有機塗布絶縁膜を用いると、容易
に大面積に平坦なパッシベーション層を形成することが
できるので好ましい。

【０１２５】このようにして得られたアレイ基板を用い
て、前述の実施例（III −５）の場合と全く同様な対向
基板と組み合わせ、同様のプロセスで液晶表示装置を得
た。この構造では、基板貼り合わせ部分３４９がパッシ
ベーション層でカバーされるため、接着樹脂から液晶に
入り込む不純物をブロックすることができ、信頼性も向
上した。

【０１２６】前述の図１８および図３２に示した液晶表
示装置においては、対向基板側にブラックマトリックス
３５４が形成されているが、本実施例はこれに限定され
るものではない。例えば、図３３に示すように、パッシ
ベーション膜３５１上に画素電極３５０を形成し、この
画素電極３５０上にブラックマトリックス層３５４を形
成しても同様の効果が得られた。

【０１２７】このようにブラックマトリックスをアレイ
基板側に形成することで、開口率がさらに上がり、低消
費電力の液晶表示装置を得ることができた。なお、ブラ
ックマトリックス層３５４としては、黒色レジストを用
いるとブラックマトリックス層での反射が少なく、高コ
ントラストの液晶表示装置を得ることができたが、Ｓｉ
Ｇｅなどの高抵抗で不透明な半導体を用いてもよい。

【０１２８】また、ブラックマトリックス層３５４は、
画素電極３５０を形成する前のパッシベーション層３５
１上に形成し、ＩＴＯ画素電極３５０の下側に重なるよ
うに形成してもよい。

【０１２９】さらにまた、ブラックマトリックス３５４
のみならず、カラーフィルター層３５５もアレイ基板上
に形成すると、さらに開口率が上がり、低消費電力化お
よび低コスト化を実現することができた。カラーフィル
ター層３５５は、ＩＴＯ画素電極３５０の上側あるいは
下側のいずれの側に形成してもよく、あるいは２層のＩ
ＴＯ画素電極の間に挟んでもよい。またさらに、パッシ
ベーション層３５１を着色してカラーフィルター層を兼
ねてもよい。

【０１３０】（実施例III −７）図３４に、本実施例の
液晶表示装置の一例を表わす断面図を示す。

【０１３１】図示する液晶表示装置においては、ガラス
基板３４１上にＴＦＴおよび画素電極３５０等を形成し
てなるアレイ基板３３８と、ガラス基板３５３上にＣｒ
等からなるブラックマトリックス層３５４、カラーフィ
ルター層３５５、ＩＴＯ等の透明電極３５６、およびポ
リイミド層からなる液晶配向膜３５７を形成してなる対
向基板３３９との間に、液晶３５８が封入されシール材
により封止されている。

【０１３２】なお、図中、３４２はＳｉＯ_x などからな
るアンダーコート層であり、３４３ａおよび３４３ｂ
は、それぞれゲート電極および補助容量電極を表わす。
これらの電極は、いずれもＭｏ、ＭｏＴａ、ＭｏＷおよ
びＡｌ合金などの低抵抗・高融点金属により形成されて
いる。これらの電極の上には、ゲート絶縁膜層３４４、
α−Ｓｉなどの半導体層３４５、およびＳｉＮ_x などか
らなるチャネル保護層３４６が順次形成されている。ゲ
ート絶縁膜３４４は、ＳｉＮ_x およびＳｉＯ_x などの絶
縁膜の単層、あるいはそれらを積層して構成することが
できる。半導体層３４５およびチャネル保護層３４６の
上には、Ｐ型不純物をドープしたｎ⁺ α−Ｓｉなどから
なるコンタクト層３４７が２つ離間して設けられてい
る。各コンタクト層３４７の上には、Ｍｏ、Ａｌなどの
低抵抗金属層からなるソース電極３４８ｂ、および信号
線電極層３４８ａが形成されている。ソース電極３４８
ｂに接続して、第１の透明電極３５０ａがゲート絶縁膜
３４４上に延びて形成されている。さらに、パッシベー
ション層３５１、第２の透明電極３５０、およびラビン
グ処理されたポリイミド膜からなる液晶配向膜３５２
が、ソース電極３４８ｂ、信号線電極層３４８ａおよび
第１の透明電極３５０ａの上に順次形成されている。こ
こで、パッシベーション層３５１は、ＳｉＮ_x などの無
機絶縁膜層あるいはアクリル樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシク
ロブテン）などの有機絶縁膜層、あるいはそれらの積層
により構成することができる。

【０１３３】図示するようにアレイ基板３３８において
は、２枚の基板が接続部３４９で接着樹脂により接続さ
れており、この接続部を覆うように第２の透明電極３５
０がパッシベーション層３５１の上に形成されている。
第２の透明電極の面積は、ソース電極に接続して形成さ
れた第１の透明電極より大きい。また、第１の透明電極
３５０ａより上の層、例えば、パッシベーション層３５
１、第２の透明電極３５０およびポリイミド膜３５２
は、ＴＦＴが形成された複数のアレイ基板を、接着樹脂
にて貼り合わせた後に形成されたものである。

【０１３４】アレイ基板３３８においては、パッシベー
ション層３５１上に形成された第２の透明電極３５０
は、スルーホールを介して第１の透明電極３５０ａに接
続されている。第１の透明電極３５０はゲート絶縁膜３
４４上に延びて形成されているので、スルーホールを形
成可能な領域が増加する。図示した例では、ソース電極
３４８ｂに重なるようにスルーホールが形成されている
が、これに限定されず、任意の位置にスルーホールを形
成することができる。

【０１３５】なお、ポリイミド膜３５２より上の部分を
除いたものが、薄膜トランジスタアレイとなる。

【０１３６】ここで、アレイ基板の貼り合わせについて
説明する。支持基板（図示せず）上に接着シールを重
ね、２つのガラス基板３４１がそれぞれの側面で貼り合
わされるようにシール上に載置した。次いで、プレスに
挟み込んで支持基板とアレイ基板とを接着するとともに
アレイ基板同士を貼り合わせた。接着シールとしては、
一般の合わせガラスに使われる中間膜を用いたが、これ
に限定されず、シート状や液状のもの等、種々の接着シ
ールを使用することができる。その材料としては、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール、ポリビニル
ブチラールなどの有機系接着剤の他に、無機接着剤ある
いは水ガラス等が挙げられる。

【０１３７】なお、支持基板を用いずにアレイ基板の側
面のみを貼り合わせてもよい。側面のみを貼り合わせる
場合には、上述した接着剤を用いる以外にも、研磨され
た側面同士を光学接着することができる。基板の側面同
士を光学接着した場合には、貼り合わされる基板の接着
しろはほぼ０とすることができるが、一般的には貼り合
わせしろは数十μｍである。なお、本実施例において
は、貼り合わせしろの幅は平均３５μｍであった。

【０１３８】上述したように、支持基板を用いずにアレ
イ基板の側面同士を貼り合わせることもできるが、得ら
れる液晶表示装置の強度を考慮すると、アレイ基板の側
面同士を先に貼り合わせた場合でも、それらを支持基板
に接着することが望ましい。

【０１３９】本実施例に示したように、透明電極を２層
とし、スルーホールを介してそれらを接続することによ
って、開口率を大きくすることができるとともに、画素
を司る透明電極３５０とスイッチング素子（ＴＦＴ）と
の位置合わせも容易になるという利点が得られる。しか
も、接続不良の低減を図ることができる。

【０１４０】アレイ基板上のソース電極に接続して第１
の透明電極を設け、この第１の透明電極と、パッシベー
ション層上に形成された第２の透明電極とを接続すると
いう構成は、上述した例に限定されるものではない。こ
のような構成は、１枚の基板からなるアレイ基板にも応
用することができる。この場合の例を図３５に示す。

【０１４１】図３５に示す液晶表示装置は、アレイ基板
３３８’が１枚の基板からなる以外は、図３４に示した
ものと同様である。すなわち、ソース電極３４８ｂに接
続して第１の透明電極３５０ａが設けられており、パッ
シベーション層３５１上には、第２の透明電極３５０が
形成されている。第２の透明電極３５０は、パッシベー
ション層３５１に設けられたスルーホールを介して第１
の透明電極３５０ａに接続されている。

【０１４２】この場合も、開口率を大きくすることがで
きるとともに、透明電極とスイッチング素子との位置合
わせも容易になるという利点が得られる。

【０１４３】（実施例III −８）本実施例では、前述の
アレイ基板の製造方法と基本的には同様の方法で製造す
るが、パッドの形成方法が異なる。すなわち、上述の例
では、貼り合わせるアレイ基板のアレイテスター用パッ
ドは画素中に作り込み、それを貼り合わせて大判の液晶
表示装置を完成させていたが、本実施例では、以下のよ
うにパッドを形成してアレイ基板を得た。

【０１４４】まず、図３６（ａ）に示すように、アレイ
基板を作製するに当たって、ゲート電極３９１ａ、α−
Ｓｉ島３９２、信号線電極３９３ａおよびソース電極３
９３ｂとともに、パッド電極３９１ｂを所定の形状に形
成した。なお、図中、３９４ａは、ソース電極／画素電
極コンタクト部のパッシベーションスルーホールを表わ
し、３９４ｂおよび３９４ｃは、それぞれ、ゲートパッ
ド電極のパッシベーションスルーホール、およびゲート
電極接続用パッシベーションスルーホールを表わす。こ
のパッド電極３９１ｂを用いてアレイテスターで欠陥数
を調べた後、大判基板からアレイ基板を切断部３９６で
切り離す際に、パッド電極３９１ｂも同時に切り離す。

【０１４５】そして、図３６（ｂ）に示すように、欠陥
のない良品アレイ基板を接続部３９７で貼り合わせ、こ
の接続部３９７を跨ぐようにＩＴＯを成膜して画素電極
３９５ａを形成する。さらに、ゲート電極接続用パッシ
ベーションスルーホール３９４ｃには、ＩＴＯ貼り合わ
せ接続電極３９５ｂを形成して、接続部３９７を介して
隣接するゲート線を接続する。なお、図３６（ｂ）には
示されていないが、接続部３９７を介して隣接する信号
線もゲート線と同様にしてＩＴＯ貼り合わせ接続電極で
接続することができる。

【０１４６】その後、上述の実施例と同様のプロセスで
大型液晶表示装置を完成する。この場合、貼り合わせ部
分や画素部分にパッドが残らないので、開口率が高く、
すなわち、消費電力が小さく、かつ筋に見えにくい良好
な画質の液晶表示装置を低コストで提供することができ
る。

【０１４７】以上、貼り合わせ型の液晶表示装置におい
て、アレイ基板の接続部を跨ぐように画素電極や配線を
形成した例を説明したが、このような構成を応用して、
大型の薄膜トランジスタアレイを製造することも可能で
ある。

【０１４８】次に、２枚のアレイ基板を貼り合わせて、
これらの基板上に形成された配線を２枚のアレイ基板の
貼り合わせ部において接続した例を説明する。

【０１４９】（実施例III −９）図３７に本実施例の画
像表示装置の一例を表わす断面図を示す。図示する画像
表示装置においては、３枚のアレイ基板を一列に貼り合
わせて大型のアレイ基板を構成している。また、図３８
は、中央のアレイ基板と両側の２枚のアレイ基板との貼
り合わせ部分近傍を示した概略図である。

【０１５０】図３７に示すように、３枚のアレイ基板４
３０ａ，４３０ｂおよび４３０ｃには、ゲート線４３
１、絶縁膜を介してこのゲート線と交差する信号線４３
２、ＴＦＴ（図示せず）、および画素電極（図示せず）
がそれぞれ形成されている。なお、図３７および図３８
の両図を通して、４３４は貼り合わせ部分、４３５は異
方性導電性樹脂、４３６はスペーサー、４３７はシール
部、４３８は液晶、４３９はゲート線の駆動ＩＣ、４４
０は信号線の駆動ＩＣを表している。図示するように、
中央のアレイ基板４３０ｂは、その一方の側面４３４ｂ
がアレイ基板４３０ａの側面４３４ａに対向しており、
他方の側面４３４ｃは、アレイ基板４３０ｃの側面４３
４ｄに対向している。中央のアレイ基板４３０ｂの両側
面４３４ｂおよび４３４ｃには、上面に形成されている
ゲート線４３１が延長して縞状に形成されており、両側
のアレイ基板４３０ａおよび４３０ｃの側面４３４ａ、
４３４ｄにも、同様にゲート線４３１が延長して縞状に
形成されている。隣接する２つのアレイ基板４３０ａと
４３０ｂ、および４３０ｂと４３０ｃは、それぞれ前述
の側面に形成された縞状のゲート線４３１同士が向かい
合うように位置合わせされ、異方性導電性樹脂４３５に
より電気的および機械的に接続されている。

【０１５１】信号線４３２の駆動は、個々のアレイ基板
の一端に配置されている駆動ＩＣ４４０で行なうが、ゲ
ート線４３１に関しては、ゲート線が貼り合わせた基板
間で接続されているので、図に示す右端のアレイ基板４
３０ｃの右端に配置された駆動ＩＣ４３９のみによっ
て、３枚のアレイ基板を連動することができる。

【０１５２】上述の例では、ゲート線のみを連動にした
が、信号線のみ、あるいはゲート線と信号線との両者の
連動も可能である。なお、図３７には、貼り合わされた
アレイ基板と１枚の対向基板とからなる画像表示装置を
示したが、本実施例はこれに限定されるものではない。
例えば、支持基板の上にアレイ基板を配置して強度の向
上を図ることもでき、この場合には、各アレイ基板上に
形成された配線同士をメッキあるいは固相拡散により接
続することによってアレイ基板を接続することが可能と
なる。また、アレイ基板のみならず対向基板も同様に側
面で貼り合わせてもよい。さらに、駆動回路の実装方法
は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）に限定され
ず、ＴＡＢ、ワイヤボンディング等を用いて駆動回路を
実装することもできる。

【０１５３】図３７に示した画像表示装置は、次のよう
にして製造した。まず、厚さ０．７ｍｍの基板にスパッ
タ法により膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、次い
で、ＰＥＰ工程およびエッチングにより電極パターンを
形成して対向基板４３３を作製した。一方、厚さ０．７
ｍｍ、前記対向基板の３分の１の大きさの透光性基板を
用意し、この上に、ゲート線４３１、信号線４３２、Ｔ
ＦＴおよび画素電極等を形成して、アレイ基板を３枚
（４３０ａ，４３０ｂ，４３０ｃ）作製した。このと
き、中央に配置されるアレイ基板４３０ｂは、４辺のう
ちの向かい合う２辺の側面４３４ｂおよび４３４ｃにゲ
ート線４３１を延長して形成しておき、他の２枚のアレ
イ基板４３０ａおよび４３０ｃは、前述のアレイ基板４
３０ｂの２辺と等しい長さを有する１辺の側面４３４ａ
および４３４ｄに、ゲート線４３１を延長して形成し
た。なお、アレイ基板の側面に配線を形成する方法とし
ては、スパッタ、蒸着およびメッキ等の方法が挙げられ
る。

【０１５４】上述のようにして得られた３枚のアレイ基
板４３０ａ，４３０ｂおよび４３０ｃを、配線４３１が
形成された側面同士４３４ａと４３４ｂ、４３４ｃと４
３４ｄとが向かい合うようにして一列に並べ、異方性導
電性樹脂４３５でこの側面同士を貼り合わせて一枚のア
レイ基板を得た。接着に異方性導電性樹脂４３５を用い
ることによって、個々の基板内で隣接する配線同士の絶
縁は維持しつつ、貼り合わされた基板同士の配線間の電
気的接続が可能となる。なお、基板の側面に配線を延長
して形成したことによって側面に凹凸が生じているの
で、２枚の基板を側面で貼り合わせた際には配線の形成
されていない部分が空隙となるが、接着に用いられた異
方性導電樹脂４３５がこの空隙に入り込んで液晶が外部
に浸み出ないためのシール剤として作用する。このた
め、アレイ基板の下に支持基板を配置する必要がない。

【０１５５】貼り合わせ後のアレイ基板４３０の外周部
と対向基板４３３の外周部上に、ディスペンサを用い
て、熱硬化性樹脂で基板端部に一部開口部を残してシー
ル部４３７を形成し、８０℃で仮乾燥した。その後、平
均粒径５μｍのスペーサ４３６を配置し、アレイ基板を
位置合わせし加圧しながら、１６０℃で８時間加熱して
樹脂を硬化した。形成されたシール部４３７は、ほぼ５
μｍの厚さで平均幅１ｍｍとなった。開口部から液晶４
３８を注入した後、前述と同様の熱硬化性樹脂で開口部
を閉じて液晶４３８を封入して画像表示装置を得た。

【０１５６】このようにして得られた画像表示装置に駆
動回路を実装し、３枚のアレイ基板を連動して画像を表
示されたところ良好な画像が得られた。

【０１５７】以上、実施例（III −９）では、アレイ基
板の貼り合わせ部分の側面に予め配線を形成した後、異
方性導電性樹脂により側面同士の貼り合わせを行なって
いるので、多数枚のパネル貼り合わせが可能となった。
しかも、非表示領域が小さくなり、画質の低下を人間の
目にはほとんど感じさせない大画面の画像表示装置が得
られる。

【０１５８】（実施例III −１０）本実施例の画像表示
装置の一例の概略断面図を、図３９に示す。図３９に示
す画像表示装置においては、２枚のアレイ基板４４０ａ
および４４０ｂにはゲート線４４１、絶縁膜を介してゲ
ート線と交差している信号線４４２、ＴＦＴ（図示せ
ず）、および画素電極（図示せず）等が形成されてい
る。２枚のアレイ基板４４０ａおよび４４０ｂは、貼り
合わせ部分４４４で接続されており、こうして形成され
た１枚の大型アレイ基板には、対向基板４４３が離間し
て配置されている。アレイ基板と対向基板との間隙に
は、スペーサー４４５、液晶４４７が封入され、側面を
シール剤４４６でシールして画像表示装置が構成されて
いる。本表示装置において、ゲート線４４１はアレイ基
板に配置された駆動ＩＣ４４８により駆動される。

【０１５９】図３９には明確には示されていないが、２
つのアレイ基板４４０ａおよび４４０ｂ上に形成されて
いるゲート線４４１は、各々が貼り合わせ部で接続さ
れ、一本のゲート線として基板上を横断している。

【０１６０】なお、スペーサ、シールおよび液晶として
は、一般の液晶表示装置と同様のものを用いることがで
きる。例えば、液晶としては、ＴＮ液晶および強誘電性
液晶等が挙げられ、表示モードによって最適な材料を選
択することができる。また、スペーサとしては、一般的
な数μｍ径のスペーサを用いる以外にも、接着性を有す
る接着スペーサやレジスト柱を用いることができる。

【０１６１】信号線４４２の駆動は、個々のアレイ基板
の一端に配置されている駆動ＩＣで行なうが、ゲート線
４４１の駆動に関しては、ゲート線４４１が貼り合わさ
れた基板間で接続されているので、右端のアレイ基板４
４０ｂの右側に配置された駆動ＩＣ４４８のみによっ
て、２枚のアレイ基板を連動することができる。

【０１６２】図３９に示した画像表示装置は、次のよう
にして製造した。まず、厚さ０．７ｍｍの基板にスパッ
タ法により膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し、次い
で、ＰＥＰ工程およびエッチングにより電極パターンを
形成して対向基板４４３を作製した。一方、厚さ０．７
ｍｍ、前記対向基板の半分の大きさの透光性基板を用意
し、この上に、ゲート電極４４１、信号線４４２、ＴＦ
Ｔおよび画素電極等を形成し、アレイ基板を２枚（４４
０ａ，４４０ｂ）作製した。このとき、ゲート線および
信号線は、ガラス基板の端から約４μｍ内側まで形成し
た。

【０１６３】このようにして製造した２枚のアレイ基板
を、図４０（ａ）に示すように側面４４４を接着面とし
て位置合わせを行なって有機接着剤を用いて貼り合わ
せ、図４０（ｂ）に示すような１枚の基板とした。接合
部における接着剤厚さは平均３０μｍであったので、２
枚のアレイ基板は平均３０μｍの接着領域を介して１枚
となった。なお、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリア
セタール、ポリビニルブチラールなど、ガラス貼り合わ
せに用いられる有機系接着剤を用いる方法、無機接着剤
・水ガラスを用いる方法、研磨された側面同士を光学接
着する方法などにより２枚のアレイ基板を貼り合わせて
もよい。これらの方法のうち、光学接着にで基板を接着
した場合には、２枚のアレイ基板の接着領域をほぼ０と
することができる。

【０１６４】こうして貼り合わせたアレイ基板の表面
に、標準的なＰＥＰ工程によりレジストマスクを形成し
た後、電気メッキ装置に設置してメッキ処理を施すこと
により、２つのアレイ基板上の配線を接続した。メッキ
を行なうに当たっては、電気メッキ装置の陰極に、基板
上に形成された配線を接続し、陽極としてはリン含有量
（０．０３〜０．０８重量％）の高純度銅板を使用し
た。

【０１６５】図４１に、電気メッキ装置の一例を表わす
概略図を示す。電気メッキ装置４５０は、メッキ槽４５
１中にメッキ液４５２が収容されており、この中に陽極
４５３と陰極が設置されている。空気吹き出し口４５５
から空気を吹き出して、メッキ液の流れ４５６を作り出
す。なお、図４１中、４５４は定電流源を表している。

【０１６６】メッキ液４５２としては、下記の組成の溶
液を使用することができる。

【０１６７】 硫酸銅５水和物 ７５ｇ／Ｌ 硫酸（比重１．８４） １８０ｇ／Ｌ 塩酸 ０．１５ｍＬ／Ｌ ポリエチレングリコール（分子量約 400,000） ８０ｐｐｍ チオキサンテート−ｓ−プロスルホン酸 ４０ｐｐｍ メッキ処理条件は、液温２５℃、電流密度１〜５Ａ／ｄ
ｍ² とし、空気吹き出し口によりメッキ液を攪拌しなが
らメッキ処理を施した。空気吹き出し用送気ポンプの回
転数を増減させて空気吹き出し量を制御し、陰極表面の
メッキ液の流れ１５６の流速を２リットル／分に調節し
た。メッキ時間を調節して配線表面に銅膜を４μｍ堆積
させるとメッキは等方的に成長するため、図４０（ｃ）
に示すように両基板４４０ａ，４４０ｂ上に形成された
配線端の間のギャップ約８μｍが銅で充填されて、これ
により配線４４１同士が接続された。

【０１６８】上述のようにして配線を接続したアレイ基
板４４０の外周端部と対向基板４４３の外周端部上に、
ディスペンサを用いて熱硬化性樹脂でシール部４４６を
形成した。この際、基板端部に一部開口部を残した。配
置された熱硬化性樹脂は、８０℃で仮乾燥した。その
後、平均粒径５μｍのスペーサ４４５を散布し、アレイ
基板を位置合わせし加圧しながら、１６０℃で８時間加
熱して樹脂を硬化した。形成されたシール部４４６はほ
ぼ５μｍの厚さで、平均幅１ｍｍとなった。開口部から
液晶４４７を注入した後、前述と同様の熱硬化性樹脂で
開口部を閉じて液晶４４７を封入した。なお、液晶の封
入は、排気の後注入する一般の方法の他に、遠心法、塗
布法、あるいは液晶滴下法を用いてもよい。

【０１６９】これに駆動回路を実装し、２枚のアレイ基
板を連動して画像を表示させたところ、良好な画像が得
られた。

【０１７０】以上説明した例では、ゲート線のみを連動
にしたが、信号線のみ、あるいはゲート線と信号線との
両者の連動も可能である。なお、図３９には、貼り合わ
されたアレイ基板と１枚の対向基板とからなる画像表示
装置を示したが、本実施例はこれに限定されるものでは
ない。例えば、支持基板の上にアレイ基板を配置して強
度の向上を図ることもでき、また、アレイ基板のみなら
ず対向基板も同様に側面で貼り合わせることも可能であ
る。さらに、駆動回路の実装方法として本実施例ではＣ
ＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）を用いたが、ＴＡ
Ｂ、ワイヤボンディング等により駆動回路を実装しても
構わない。なお、画像表示装置がポリシリコンを用いて
作製されている場合には、駆動部を予めアレイ基板作製
時に作り込むこともできる。

【０１７１】実施例（III −９）および（III −１０）
の液晶表示装置は、個々のアレイ基板上に形成された配
線が接続されているのでアレイ基板を連動することが可
能となり、アレイ基板内の配線長を増加させることな
く、大型の画像表示装置を製造することができる。ま
た、一枚のアレイ基板を駆動する駆動系で複数枚のパネ
ルを一括駆動することができるので駆動系を簡略化する
ことができ、狭額縁の大画面画像表示装置が得られる。

【０１７２】さらに、それぞれのアレイ基板の大きさ
は、最終的に得られる液晶表示装置の数分の１の大きさ
であるため、製造装置を大型にする必要がなくなる。加
えて、アレイ基板はその製造工程の最終段階での良品の
みを使用できるので、一度に大面積のアレイ基板を形成
する場合に比べ、良品率を高めることができる。

【０１７３】以上、貼り合わせ型の画像表示装置におい
て、アレイ基板の接続部において配線を接続した例を説
明したが、このような構成を応用して、大型の薄膜トラ
ンジスタアレイを製造することも可能である。

【０１７４】（実施例IV）本実施例においては、アレイ
基板を貼り合わせた際に生じる接続部の段差の影響を解
消して、製造歩留りが向上する薄膜トランジスタアレイ
について説明する。

【０１７５】通常、ＴＦＴアレイ製造工程に投入するガ
ラス基板上には、例えば、図４２に示すような配置でＴ
ＦＴアレイユニット５２９が形成される。この際、ユニ
ット５２９は基板内で同一のものである必要はなく、異
なる種類のユニットを１つのガラス基板上に形成するこ
とも可能である。ＴＦＴアレイユニットが完成した段階
でユニットの良・不良を検査し、個々のユニットを切り
出す。

【０１７６】切断されたユニットは、例えば、図４３に
示すように台基板５２１の内側に配置される。なお、各
ユニットは、ＴＦＴアレイの使用目的に応じて、任意に
配置することができる。図４３において、ユニット５２
２は４辺のうちの２辺が他のユニットと接触しており、
ユニット５２７は４辺全てにおいて他のユニットと接触
している。ここで、ＴＦＴアレイユニットを製造する際
に使用する基板の厚さの規格を１０００μｍ±２５μｍ
とすると、例えば、ユニット５２２とユニット５２３の
ように隣接したユニットが異なる基板から切り出された
ものである場合には、これら２つのユニットの間に最大
で５０μｍの段差が生じるおそれがある。

【０１７７】したがって、このように段差を有する２つ
のユニット５２２および５２３の上に配線を直接形成す
ると、図４４に示すように段差部分において配線５２５
が断線し、いわゆる段切れが生じて不良の原因となる。

【０１７８】本実施例においては、図４５に示すよう
に、厚さの異なる２つのＴＦＴアレイユニットの接合部
には、ＳＯＧ膜等の絶縁体膜５２４を形成した。絶縁体
膜５２４の端部は、フォトリソグラフィ工程において、
フッ化水素溶液によるウエットエッチングを行なうこと
によりテーパ形状に形成した。この絶縁体膜５２４の上
には、ユニット５２２からユニット５２３にわたって金
属配線５２５としてのＡｌ膜と、パッシベーション膜と
しての窒化珪素膜５２６とを順次形成した。

【０１７９】このように本実施例においては、ＳＯＧ膜
５２４を形成することにより段差が緩和され、電極配線
５２５が段切れするのを防止することができる。

【０１８０】なお、本実施例は、以上説明した例に限定
されるものではなく、例えばアレイ基板としてシリコン
基板を使用することもでき、また、ＴＦＴアレイユニッ
トの段差部に配置される絶縁体５２４としてポリイミ
ド、アクリル樹脂、ＢＣＢなどの有機膜やシリコン窒化
膜等を用いることもできる。さらに、配線５２５として
Ａｌ以外の導電体を用いたり、シリコン酸化膜によりパ
ッシベーション膜５２６を形成することも可能である。
また、実施例では段差の近傍のみを平坦化したが、図４
６に示すように、ユニット５２２、５２３全体にわたっ
て平坦化膜５２４を形成してもよい。平坦化膜５２４
は、上述のものが適用できるが、ここではＢＣＢを用い
た。

【０１８１】このように、アレイ基板をつなぎ合わせ、
つなぎ部分に絶縁体を配置することにより、ガラス基板
間の段差を平滑化することができる。したがって、各Ｔ
ＦＴアレイ基板を接続する金属薄膜配線の段切れを防止
することができ、このようにしてユニットを組み合わせ
ることにより対角サイズが４０インチの大型アレイを歩
留まりよく製造することが可能となる。

【０１８２】（実施例Ｖ）本実施例においては、非表示
領域の面積が小さく、画質の高い大画面が得られる貼り
合わせ型の液晶表示装置を説明する。

【０１８３】（実施例Ｖ−１）図４７は、本実施例の液
晶表示装置の一例を模式的に示した平面図であり、この
Ａ−Ａ′における断面図を図４８に示す。図４８に示す
ように本実施例の液晶表示装置は、２枚の対向基板６６
０と２枚のアレイ基板６６１を貼り合わせてなる構成で
あり、６６２はシール、６６３は液晶を表わし、スペー
サ（図示せず）が配置されている。対向基板とアレイ基
板とは、それぞれ側面６６４を接着面とした接着により
１枚に接続されている。図示していないが、対向基板お
よびアレイ基板は、カラーフィルター、共通電極、ゲー
ト電極、ソース電極、画素電極、アモルファスシリコン
層、およびそれらを相互に絶縁する絶縁層など、一般的
な液晶表示装置として必要な構成が含まれている。ま
た、対向基板６６０とアレイ基板６６１との間隙に配置
される液晶やスペーサ、さらにはその側面をシールする
シール剤も、一般的な液晶表示装置に用いられるものを
使用することができる。例えば、液晶材料としては、Ｔ
Ｎ液晶や強誘電液晶などが挙げられ、表示モードによっ
て最適な材料を選択することができる。また、スペーサ
としては、数μｍ径の樹脂ビーズ等を散布する以外に
も、接着性を有する接着スペーサやレジスト柱を用いる
ことができる。

【０１８４】かかる液晶表示装置を駆動する信号は、駆
動ＩＣ（図示せず）により供給されており、この駆動Ｉ
Ｃは、アレイ基板上に駆動ＩＣを搭載するＣＯＧ（Ｃｈ
ｉｐｏｎ Ｇｌａｓｓ）法や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により接続するこ
とができる。なお、液晶表示装置がポリシリコンを用い
て作製されている場合には、駆動ＩＣを予めアレイ基板
作製時に作り込んでもよい。

【０１８５】本実施例の液晶表示装置は、以下のように
して製造した。なお、対向基板やアレイ基板の製造等に
おけるごく一般的な工程の説明は省略する。まず、信号
線やＴＦＴなどが形成されたアレイ基板上に接着性を有
するスペーサを散布した後、シール用樹脂６６２を印刷
またはディスペンスによって、貼り合わせる側面を除い
た３方向に供給した。次いで、アレイ基板と対向基板と
の位置合わせを行なって封着した。上述のようにスペー
サは接着性を有するものを用いているので対向基板とア
レイ基板の間隙に存在し、シールの施されていない１方
向から外に出ることはほとんどない。

【０１８６】このようにして製造した２枚の基板を側面
６６４を接着面として位置合わせを行ない、有機接着剤
で貼り合わせて１枚の基板とした。この際、接着剤厚さ
は３０μｍとなり、対向基板およびアレイ基板は、それ
ぞれ３０μｍの接着領域を介して１枚となった。なお、
貼り合わせには、種々の接着剤等を用いることができ、
例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアセター
ル、ポリビニルブチラールなどガラス貼り合わせに用い
られる有機系接着剤、無機接着剤・水ガラスなどを用い
てもよい。あるいは、研磨された側面同士を光学接着し
てもよく、この場合には接着領域をほぼ０とすることが
できる。

【０１８７】次に、注入口より液晶を注入した。注入に
当たっては、排気の後注入する一般的な方法の他に、遠
心法、塗布層、液晶滴下法を用いることができる。最後
に、液晶表示装置を駆動するための駆動系を接続し、画
像を表示したところ、良好な画像が得られた。

【０１８８】本実施例の液晶表示装置における基板の接
続部端面は、図４８のように主面に対し垂直とする以外
にも、図４９（ａ）、図４９（ｂ）および図４９（ｃ）
に示すような形状にすることができる。このようにアレ
イ基板または対向基板の一方、および両方の端面を主面
に対し鋭角または鈍角を有するように加工し、貼り合わ
せることで貼り合わせ部の機械的強度が増し、貼り合わ
せ部が認識されにくくなるので、より好ましい。

【０１８９】以上の例では、２枚の基板同士を貼り合わ
せた後、液晶を封入して得られた液晶表示装置について
説明したが、上述した方法と同様の方法によって４枚の
基板を貼り合わせ、図５０に示すような液晶表示装置と
してもよい。

【０１９０】（実施例Ｖ−２）図５１は、本実施例の液
晶表示装置の一例を模式的に示した平面図であり、この
Ｂ−Ｂ′における断面図を図５２に示す。図５２に示す
ように本実施例の液晶表示装置は、２枚の対向基板６７
０と２枚のアレイ基板６７１を貼り合わせてなる構成で
あり、６７２はシール、６７３は液晶を表わし、スペー
サ（図示せず）が配置されている。対向基板とアレイ基
板とは、それぞれ側面シール部材６７４を介して１枚に
接続されている。図示していないが、対向基板およびア
レイ基板は、カラーフィルター、共通電極、ゲート電
極、ソース電極、画素電極、アモルファスシリコン層、
およびそれらを相互に絶縁する絶縁層など、一般的な液
晶表示装置として必要な構成が含まれている。また、対
向基板６７０とアレイ基板６７１との間隙に配置される
液晶やスペーサ、さらにはその側面をシールするシール
剤も、一般的な液晶表示装置に用いられるものを使用す
ることができる。例えば、液晶材料としては、ＴＮ液晶
や強誘電液晶などが挙げられ、表示モードによって最適
な材料を選択することができる。また、スペーサとして
は、数μｍ径の樹脂ビーズ等を用いる以外にも、接着性
を有する接着スペーサやレジスト柱を用いることができ
る。

【０１９１】かかる液晶表示装置を駆動する信号は、駆
動ＩＣ（図示せず）により供給されており、この駆動Ｉ
Ｃは、アレイ基板上に駆動ＩＣを搭載するＣＯＧ（Ｃｈ
ｉｐｏｎ Ｇｌａｓｓ）法や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により接続するこ
とができる。なお、液晶表示装置がポリシリコンを用い
て作製されている場合には、駆動ＩＣを予めアレイ基板
作製時に作り込むこともできる。

【０１９２】本実施例の液晶表示装置は、以下のように
して製造した。なお、対向基板やアレイ基板の製造等に
おけるごく一般的な工程の説明は省略する。まず、信号
線やＴＦＴなどが形成されたアレイ基板上に接着性を有
するスペーサを散布した後、シール用樹脂６７２を印刷
またはディスペンサによって、貼り合わせる側面を除い
た３辺に供給した。次いで、アレイ基板と対向基板との
位置合わせを行なって封着した。このような構成の半完
成液晶表示装置を２組作製し、その一方のシールが施さ
れていない側に、側面シール部材６７４としての厚さ
０．１ｍｍのガラスを有機接着剤で貼り合わせた。な
お、側面シール部材６７４としては、ガラス以外にも、
プラスチックなどを用いることができ、貼り合わせに
は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール、ポ
リビニルブチラールなどガラス貼り合わせに用いられる
有機系接着剤、無機接着剤、水ガラスを用いてもよい。
あるいは、研磨された側面同士を光学接着する方法など
が挙げられる。

【０１９３】次に、もう一方の半完成液晶表示装置と位
置合わせを行ない、側面シール部材を介して貼り合わせ
たところ、接着剤厚さは平均３０μｍとなり、その結
果、対向基板およびアレイ基板を構成するそれぞれ２枚
の基板は、平均３０μｍの接着領域、側面シール部材、
０．１ｍｍ、接着領域を介して１枚となった。

【０１９４】上述の説明では、貼り合わされる基板のい
ずれか一方の側面に側面シール部材を予め貼り付け、こ
の側面シール部材を他方の基板の側面に貼り合わせた
が、これに限定されるものではない。それぞれの基板の
側面に側面シール部材を貼りつけ、その後に２枚の基板
を貼り合わせてもよい。

【０１９５】最後に、排気の後注入する一般的な方法を
用いて、対向基板とアレイ基板との間隙に注入口から液
晶を注入した。本実施例の液晶表示装置においては、対
向基板とアレイ基板との間隙は、側面シール部材により
２つに分かれているため、２カ所から液晶を注入するこ
とができる。しかも液晶の注入距離は、前述の実施例
（Ｖ−１）の液晶表示装置の１／２であるので、液晶の
注入はより容易に行なうことができた。最後に、液晶表
示装置を駆動するための駆動系を接続し、画像を表示し
たところ良好な画像が得られた。

【０１９６】前述の実施例（Ｖ−１）および（Ｖ−２）
の液晶表示装置は、図５３に示すように、支持基板６７
７上にアレイ基板を設置してもよく、このように支持基
板を設けられることにより、強度を高めることができ
る。また、支持基板に位置合わせマーク等を設けること
によりアレイ基板、対向基板との位置合わせや、２枚の
液晶表示装置との位置合わせ、貼り合わせが容易にな
る。また、支持台６７７と基板６７１との接続は、全面
にフィルム状のシート（接着剤）や液状の接着剤を介し
て行なってもよい。なお、図５２などにおいても予め支
持台と複数のアレイ基板とを同時に貼り合わせ、その後
に対向基板を貼り合わせることもできる。

【０１９７】（実施例VI）本実施例においては、画質の
高い大画面の液晶表示装置について説明する。

【０１９８】（実施例VI−１）図５４に、本実施例の液
晶表示装置に用いられるアレイ基板の平面概略図を示
す。図示するように、ここでは、４枚のアレイ基板７１
０ａ，７１０ｂ，７１０ｃおよび７１０ｄが、貼り合わ
せ部７３１によって接続されている。各アレイ基板に
は、ゲート線７１１、絶縁膜を介してゲート線と交差す
る信号線７１２、ＴＦＴ７２７および画素電極７１６が
形成されている。また、ゲート線７１１および信号線７
１２には、それぞれの配線端部にゲート電極パッド７２
５および信号電極パッド７２６が形成されている。

【０１９９】図５４においては、個々のアレイ基板内で
の画素電極７１６の横方向（ゲート線７１１に平行な方
向）のピッチをＣとし、縦方向（信号線７１２に平行な
方向）の画素電極ピッチをＤとしている。また、貼り合
わせ部７３１を介して隣接する画素電極７１６について
は、その横方向のピッチをＥとし、縦方向のピッチをＦ
としている。個々の基板内で隣接する画素電極、および
貼り合わせ部７３１を介して隣接する画素電極のいずれ
についても、本実施例に用いられるアレイ基板において
は、横方向の画素電極ピッチＣとＥとはほぼ等しく、縦
方向のピッチＤとＦともほぼ等しい。

【０２００】なお、ここで用いた１枚のアレイ基板のサ
イズは、対角２５型であり、４枚のアレイ基板を貼り合
わせた際の対角サイズは５０型となる。また、画素数は
縦（信号線）１２００本、横（ゲート線）１０００本で
あり、画面の縦横比が９：１６の場合、縦方向および横
方向の画素ピッチは、それぞれ約０．９２ｍｍおよび約
０．６２ｍｍとなる。

【０２０１】前述の図５４に示すような構成を有するア
レイ基板を用いて、種々の構造の液晶表示装置を製造す
ることができ、例えば、図５５（ａ）、図５５（ｂ）、
図５５（ｃ）および図５５（ｄ）に示すような断面構造
とすることができる。図５５（ａ）は対向基板が１枚
で、アレイ基板のみを貼り合わせた液晶表示装置であ
り、図５５（ｂ）は対向基板とアレイ基板とが、それぞ
れの側面を接着面として１枚に貼り合わされた液晶表示
装置であり、図５５（ｃ）は、対向基板とアレイ基板が
それぞれ側面シール部材を介して１枚に貼り合わされた
液晶表示装置である。なお、画素ピッチが例えば０．９
２ｍｍと大きい場合には、アレイ基板の側面のみなら
ず、図５５（ｄ）に示すように、貼り合わせ部分の上面
をシール領域とすることもできる。さらに、これらの図
５５（ａ）〜図５５（ｄ）に示す構成を支持基板の上に
設置してもよく、この場合には機械的強度を高めること
ができる。

【０２０２】ここで、前述の図５４に示したアレイ基板
を用いて製造された液晶表示装置の、Ｇ−Ｈにおける概
略断面図を図５６に示す。図示するように、支持基板７
０９上には、貼り合わせ部７３１で接続されたアレイ基
板７１０ｃおよび７１０ｄが設置されている。各アレイ
基板は、透明性基板上に、ゲート電極７１１ａ、ゲート
絶縁膜７１７、半導体層７１４、ドレイン電極７１３ａ
およびソース電極７１３ｂからなるＴＦＴと、ＩＴＯ等
の透明導電膜からなる画素電極７１６とが形成されてい
る。さらに、透明性基板上に、カラーフィルター７１
９、ブラックマトリックス（遮光膜）７２０および配向
膜７２１を形成してなる対向基板７１８が、液晶層７２
２を介して配置されている。なお、カラーフィルター７
１９は、アレイ基板側に設けてもよい。また、支持基板
７０９は、液晶表示装置のタイプに応じて選択し、透過
型の場合には透明基板とするが、反射型の場合には任意
の材料を用いることができる。

【０２０３】２枚のアレイ基板を接続している貼り合わ
せ部７３１は、複数のアレイ基板の貼り合わせ部から液
晶材料が浸み出ることを防止し、かつアレイ基板同士を
貼り合わせている。なお、貼り合わせには、種々の接着
剤を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、ポリアセタール、ポリビニルブチラールなどガ
ラス貼り合わせに用いられる有機系接着剤；無機接着
剤；水ガラス；亜麻仁油、カナダ・バルサム、グリセリ
ンなどの光学用樹脂などが挙げられる。さらに、研磨さ
れた側面同士を光学接着してもよく、ここに挙げたよう
な貼り合わせは、アレイ基板の側面、あるいは裏面で行
なうこともできる。

【０２０４】なお、上述の例では、画素電極７１６の大
きさを概略同じとしたが、画素の大きさ、必要とされる
開口率、貼り合わせ方法によっては、貼り合わせ部の上
に形成される画素面積が、貼り合わせ部分以外に形成さ
れる画素面積より小さくてもよい。この場合、貼り合わ
せ部の画素で表示される画像は、貼り合わせ部以外と比
較して若暗くなるが、バックライトや拡散板を調整して
貼り合わせ部分のみを、他より若干光量が得られるよう
にすれば、貼り合わせ部の画質が劣化することは避けら
れる。

【０２０５】以上のように作製された液晶表示装置は、
それぞれのアレイ基板を独立して駆動することが可能と
なり、アレイ基板内の配線長を増加させることなく、大
型の液晶表示装置を得ることができる。また、それぞれ
のアレイ基板の大きさは、最終的に得られる液晶表示装
置の１／４程度の大きさであるため、製造装置を大型に
する必要がなくなる。さらに、アレイ基板はその製造工
程の最終段階での良品のみを使用することができるの
で、一度に大面積のアレイ基板を形成する場合に比べ、
良品率を高めることができる。

【０２０６】（実施例ＶII）図５７に、本実施例の液晶
表示装置の一例を模式的に表した断面図を示す。

【０２０７】図示する液晶表示装置は、２枚の対向基板
８１０と２枚のアレイ基板８１２を貼り合わせて作製さ
れたものである。８１４はシール用樹脂、８１６は液晶
を表し、スペーサ（図示せず）が配置されている。対向
基板とアレイ基板とは、それぞれ側面８１８を接着面と
した接着により１枚に接続されている。アレイ基板８１
２の最上層は、絶縁膜８２０でコーティングされてい
る。

【０２０８】本実施例の液晶表示装置は、図５８および
図５９に示すように変更することができる。図５８に示
す液晶表示装置においては、８２２は側面シール部材を
表わし、アレイ基板の最上層は絶縁膜８２４でコーティ
ングされている。図５９の例では、１枚の対向基板に対
して貼り合わされて構成されたアレイ基板を配置した構
造である。２枚のアレイ基板は、側面８２６で接続さ
れ、アレイ基板の最上層は絶縁膜８２８でコーティング
されている。

【０２０９】ここで、絶縁膜８２０、８２４および８２
８は、ガラス端面のチッピングやクラッキングを抑える
効果のあるものであれば、全て適用することができる。
具体的には、ＳｉＮなどの無機膜、アクリル樹脂、ＰＩ
（ポリイミド）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブチレン）など
の高分子膜を用いることができ、これらは単層で、また
は複数層積層してもよい。ここでは、アレイ基板表面
は、平均膜厚３００ｎｍのＳｉＮ膜と平均膜厚６０ｎｍ
のＰＩ膜とでコーティングされている。ＳｉＮは画素部
分の一部ではパターニングが施され、例えばＩＴＯ画素
電極上にＰＩがコーティングされた構造となっている。
以上、アレイ基板の最上層に絶縁膜をコーティングした
構造について述べたが、対向基板もチッピングやクラッ
キングを抑えるために、貼り合わせ端面近傍まで同様に
絶縁膜でコーティングしてもよい。

【０２１０】なお、図には詳細に示していないが、対向
基板およびアレイ基板は、カラーフィルター、共通電
極、ゲート電極、ソース電極、画素電極、アモルファス
シリコン層、およびそれらを相互に絶縁する絶縁層な
ど、一般的な液晶表示装置としての必要な構成を含んで
いる。また、対向基板８１０とアレイ基板８１２との間
隙に配置される液晶やスペーサ、さらにはその側面をシ
ールするシール剤も一般的な液晶表示装置と同様のもの
を使用することができる。例えば、液晶材料としては、
ＴＮ液晶・強誘電液晶などが挙げられ、表示モードによ
って最適な材料を選択することができる。スペーサとし
ては、一般的な数μｍ径のものを散布する以外にも、接
着性を有する接着スペーサやレジスト柱を用いることが
できる。また、液晶表示装置を駆動する信号は、アレイ
基板上に駆動ＩＣを搭載するＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）法や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔ
ｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）法により接続された駆動ＩＣから
供給されている。液晶表示装置がポリシリコンを用いて
作製されている場合には、駆動回路を予めアレイ基板作
製時に作り込むこともできる。

【０２１１】図５９に示した液晶表示装置は、次のよう
にして製造した。なお、対向基板やアレイ基板の製造の
ごく一般的な工程は説明を省略する。まず、信号線、Ｔ
ＦＴ、および画素電極などが形成されたアレイ基板の最
上層に、ＣＶＤ法によってＳｉＮ膜を形成し、さらにこ
の上に印刷によってＰＩ膜を形成した。このように信号
線、ＴＦＴ、画素電極、ＳｉＮ膜およびＰＩ膜が形成さ
れたアレイ基板は、所定の領域から切断した。

【０２１２】切断する部分近傍を拡大した平面図を図６
０に示す。図６０中、８３０はソース線、８３２はゲー
ト線、８３４はＴＦＴ、８３６は画素電極であり、２枚
のアレイ基板は、端面８３８で貼り合わされる。画素部
分を除いてＳｉＮ、ＰＩ膜が形成されており、画素部で
は、例えば図６０中の画素８４０の斜線部で示すよう
に、その部分のＳｉＮ膜が取り除かれている。ＰＩ膜
は、アレイ基板を切断後に形成してもよいが、ここでは
切断する前に形成した。

【０２１３】次に、アレイ基板の切断時の保護のため
に、アレイ基板にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）膜を
形成し、アレイ基板の裏側から端面が８３８近傍となる
ように切断した。その後、８３８に沿った面がでるよう
に、必要に応じて面取りを行なった。

【０２１４】なお、図５９に示す液晶表示装置において
は、アレイ基板の貼り合わせ部８２６は、主面に対して
ほぼ垂直な面となっているが、主面に対し鋭角や鈍角と
なってもよい。その場合、図６１に示すように、鋭角の
端面と鈍角の端面とを貼り合わせて１枚のアレイ基板と
することができる。図６０に示すように、切断後の面取
りを考慮して、貼り合わせる部分の画素（端面８３８に
近接した画素）は、他の画素よりも大きく形成していた
が、アレイ基板を切断した後、面取りを行なったことに
より全ての画素の大きさは等しくなった。なお、ダイサ
ー等の切断精度の優れた部材によりアレイ基板を切断す
る場合には、面取りは特に必要ではない。

【０２１５】先に形成したＰＶＡ膜は温水などにより容
易に除去することができ、除去のプロセスは面取り前、
面取り後、あるいは基板を貼り合わせた後でもよい。こ
のようにしてＰＶＡ膜を除去した後でも、アレイ基板最
上層、特に貼り合わせ端面３３８には、その近傍まで絶
縁膜が形成されているので、チッピングやクラッキング
が発生することはない。

【０２１６】次に、２枚のアレイ基板を有機接着剤で貼
り合わせて、１枚の大型アレイ基板とした。接着剤厚さ
は平均３０μｍであり、２枚の基板は平均３０μｍの接
着領域を介して１枚となった。なお、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリアセタール、ポリビニルブチラールな
どガラス貼り合わせに用いられる有機系接着剤を用いる
方法、無機接着剤・水ガラスを用いる方法、研磨された
側面同士を光学接着する方法、亜麻仁油、カナダ・バル
サム、グリセリンなどの光学用樹脂を用いて接着する方
法などにより基板を貼り合わせてもよい。これらの方法
のうち、光学接着を用いると、２枚の基板の接着領域は
ほぼ０とすることができる。

【０２１７】本実施例の液晶表示装置は、図６２に示す
ように、支持基板８４３上に設置してもよく、この場合
には機械的強度を高めることができる。また、支持基板
に位置合わせマーク等を設けることにより、アレイ基
板、対向基板との位置合わせや、２枚の位置合わせ、貼
り合わせが容易になる。

【０２１８】続いて、貼り合わされたアレイ基板上にス
ペーサを散布し、シール剤を用いてディスペンスし、対
向基板を重ね合わせ封着した。さらに、対向基板とアレ
イ基板との間隙に液晶を注入し、注入口をシールして液
晶表示装置を得た。注入は、排気の後注入する一般の方
法の他に、遠心法、塗布法、液晶滴下法を用いても良
い。最後に、液晶表示装置を駆動するための駆動系を接
続し、画像を表示したところ良好な画像が得られた。

【０２１９】なお、図５７および図５８に示す液晶表示
装置は、それぞれ次のようにして製造した。

【０２２０】図５７に示す液晶表示装置の製造に当たっ
ては、まず、アレイ基板に接着性を有するスペーサを散
布し、シールを印刷またはディスペンスによって供給し
た後、アレイ基板と対向基板との位置合わせを行なって
重ね合わせ封着した。このようにして製造した２枚の基
板を側面を接着面として位置合わせを行ない、貼り合わ
せ１枚の基板とした。次に、注入口から液晶を注入し、
注入口を塞いで液晶表示装置を得た。

【０２２１】図５８に示した例は、２枚の対向基板と２
枚のアレイ基板とを貼り合わせた液晶表示装置であり、
対向基板とアレイ基板は、それぞれ側面シール部材を介
して１枚に接続されている。この液晶表示装置は、次の
ようにして製造することができる。すなわち、まず、信
号線やＴＦＴ、および最上層としての絶縁膜が形成され
たアレイ基板に接着性を有するスペーサを散布し、シー
ル用樹脂をディスペンスによって貼り合わせる側面を除
いた３辺に供給した。次いで、アレイ基板と対向基板と
の位置合わせを行なって封着した。このような構成の半
完成液晶表示装置を２組作製し、その一方のシールが施
されていない側に、側面シール部材を貼り合わせた。

【０２２２】続いて、もう一方の半完成液晶表示装置と
の位置合わせを行い、側面シール部材を介して貼り合わ
せた後、注入口から液晶を注入した。ここで得られた液
晶表示装置においては、対向基板とアレイ基板との間隙
は、側面シール部材により２つに分かれているため、液
晶の注入は２カ所から行なうことができる。しかも、液
晶の注入距離は、図５７に示した液晶表示装置の１／２
であるので、より容易に注入することができる。最後
に、液晶表示装置を駆動するための駆動系を接続し、画
像を表示したところ、良好な画像が得られた。

【０２２３】なお、以上の例で説明したように２枚の基
板を貼り合わせて１枚の基板とする以外にも、同様の方
法を用いて４枚の基板を貼り合わせて１枚の基板として
液晶表示装置を製造してもよい。

【０２２４】上述の例では、切断前のアレイ基板の最上
層に、切断部の近傍まで絶縁膜を予め形成しておき、こ
れを切断して貼り合わせることにより、ガラス端面のチ
ッピングやクラックキングを防止したが、本実施例は、
種々の変更が可能である。例えば、絶縁膜の代わりに画
素を形成する電極を、同様にして切断部の近傍まで形成
してもよく、さらには、画素電極と絶縁膜との積層構造
としても、ガラス端面のチッピングやクラッキングを有
効に防止することができる。

【０２２５】このように、本実施例によれば、貼り合わ
されるアレイ基板の最上層に、概略貼り合わせられる基
板端部まで絶縁膜または画素電極を形成し、その後、所
定の領域から切断して貼り合わせることによりアレイ基
板を作製しているので、ガラス端面でのチッピングやク
ラッキングの発生を抑えることができる。かかるアレイ
基板を用いることにより、画質の高い大画面の液晶表示
装置を得ることができる。

【０２２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非表示領域の面積が小さく、かつ機械的強度が高いとと
もに高信頼性の大画面の貼り合わせ型の液晶表示装置が
提供される。また、本発明によれば、高い歩留まりで製
造可能な薄膜トランジスタアレイが提供される。かかる
薄膜トランジスタアレイは、アクティブマトリックス型
液晶表示装置やＸ線二次元検出器等に有効であり、その
工業的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例（Ｉ−１）の画像表示装置の一例を示す
断面図である。

【図２】実施例（Ｉ−１）の画像表示装置の他の例を示
す断面図である。

【図３】実施例（Ｉ−２）の画像表示装置の製造工程の
一例を示す断面図である。

【図４】実施例（Ｉ−３）の画像表示装置の構成の一例
を示す図である。

【図５】実施例（Ｉ−３）の画像表示装置の構成の一例
を示す図である。

【図６】実施例（II−１）の薄膜トランジスタアレイの
一例を示す平面図である。

【図７】実施例（II−２）の液晶表示装置に用いられる
アレイ基板の一例を表わす平面図である。

【図８】実施例（II−２）の液晶表示装置の一例を表わ
す断面図である。

【図９】実施例（II−３）の液晶表示装置に用いられる
アレイ基板の一例を表わす平面図である。

【図１０】実施例（II−３）の液晶表示装置の他の例を
模式的に表わす断面図である。

【図１１】実施例（II−４）の画像表示装置に用いられ
る薄膜トランジスタアレイの一例を示す断面図である。

【図１２】実施例（II−４）の画像表示装置に用いられ
る薄膜トランジスタアレイの一例を示す平面図である。

【図１３】実施例（II−５）の画像表示装置に用いられ
る薄膜トランジスタアレイの一例を示す平面図である。

【図１４】実施例（II−６）の画像表示装置に用いられ
る薄膜トランジスタアレイの一例を示す平面図である。

【図１５】実施例（III −１）の画像表示装置の一例を
示す断面図である。

【図１６】実施例（III −１）の画像表示装置の接続前
の個々のアレイ基板上に予め形成された画素電極パター
ンを模式的に示した図である。

【図１７】実施例（III −１）の画像表示装置のアレイ
基板の接続部の上に形成された第２の画素電極を模式的
に示した図である。

【図１８】実施例（III −５）の画像表示装置の一例を
表わす断面図である。

【図１９】実施例（III −５）の画像表示装置に用いら
れるアレイ基板の切断された状態を示す平面図である。

【図２０】実施例（III −５）の画像表示装置に用いら
れるアレイ基板の貼り合わせ後の状態を示す平面図であ
る。

【図２１】実施例（III −５）の画像表示装置に用いら
れるアレイ基板の貼り合わせ後の状態を示す平面図であ
る。

【図２２】実施例（III −５）の画像表示装置に用いら
れるアレイ基板の一例を表わす断面図である。

【図２３】実施例（III −５）の画像表示装置に用いら
れるアレイ基板の一例 を表わす断面図である。

【図２４】実施例（III −５）の画像表示装置の他の例
を表わす断面図である 。

【図２５】実施例Ｉのアレイ基板の貼り合わせ部分近傍
の画素の平面構造を示す図である。

【図２６】図２５に示すアレイ基板を用いて製造された
画像表示装置の断面図である。

【図２７】実施例（III −５）に用いられるアレイ基板
の貼り合わせ部分近傍の画素の平面構造を示す図であ
る。

【図２８】実施例（III −５）の画像表示装置の断面図
である。

【図２９】実施例（III −５）に用いられるアレイ基板
の貼り合わせ部分近傍の画素の平面構造を示す図であ
る。

【図３０】実施例（III −５）に用いられるアレイ基板
の貼り合わせ部分近傍の画素の平面構造を示す図であ
る。

【図３１】実施例（III −５）に用いられるアレイ基板
の貼り合わせ部分近傍の画素の平面構造を示す図であ
る。

【図３２】実施例（III −６）の画像表示装置の一例を
表わす断面図である。

【図３３】実施例（III −６）の画像表示装置の他の例
を表わす断面図である。

【図３４】実施例（III −７）の画像表示装置の一例を
表わす断面図である。

【図３５】実施例（III −７）の画像表示装置の他の例
を表わす断面図である。

【図３６】実施例（III −８）の画像表示装置に用いら
れるアレイ基板の製造工程の一例を示す平面図である。

【図３７】実施例（III −９）の液晶表示装置の一例を
表わす断面図である。

【図３８】実施例（III −９）の液晶表示装置に用いら
れるアレイ基板の貼り合わせ部分を示す概略図である。

【図３９】実施例（III −１０）の液晶表示装置の一例
を表わす断面図である。

【図４０】実施例（III −１０）の液晶表示装置に用い
たアレイ基板の製造工程を表わす断面図である。

【図４１】実施例（III −１０）で用いた電気メッキ装
置の一例を模式的に表わす図である。

【図４２】アレイ製造工程時のユニット配置を示す平面
図である。

【図４３】最終的なユニット配置を示す平面図である。

【図４４】従来の接続されたアレイユニットを示す断面
図である。

【図４５】本実施例の接続されたアレイユニットを示す
断面図である。

【図４６】本実施例の接続されたアレイユニットを示す
断面図である。

【図４７】実施例（Ｖ−１）の液晶表示装置の一例を模
式的に表わした平面図である。

【図４８】実施例（Ｖ−１）の液晶表示装置の一例を表
わす断面図である。

【図４９】実施例（Ｖ−１）の液晶表示装置の他の例を
表わす断面図である。

【図５０】実施例（Ｖ−１）の液晶表示装置の他の例を
表わす断面図である。

【図５１】実施例（Ｖ−２）の液晶表示装置の一例を模
式的に表わした平面図である。

【図５２】実施例（Ｖ−２）の液晶表示装置の一例を表
わす断面図である。

【図５３】実施例（Ｖ−２）の液晶表示装置の他の例を
表わす断面図である。

【図５４】実施例（VI−１）の液晶表示装置に用いられ
るアレイ基板の一例を表わす平面図である。

【図５５】実施例（VI−１）の液晶表示装置の一例を概
略的に表わす断面図である。

【図５６】実施例（VI−１）の液晶表示装置の一例を表
わす断面図である。

【図５７】実施例（ＶII−１）の液晶表示装置の一例を
模式的に表わす断面図である。

【図５８】実施例（ＶII−１）の液晶表示装置の他の例
を模式的に表わす断面図である。

【図５９】実施例（ＶII−１）の液晶表示装置の他の例
を模式的に表わす断面図である。

【図６０】実施例（ＶII−１）の液晶表示装置に用いら
れるアレイ基板を模式的に示した平面図である。

【図６１】実施例（ＶII−１）の液晶表示装置の他の例
を模式的に表わす断面図である。

【図６２】実施例（ＶII−１）の液晶表示装置の他の例
を模式的に表わす断面図である。

【図６３】従来の液晶表示装置を表わす断面図である。

【図６４】従来の貼り合わせ型液晶表示装置を表わす図
である。

【図６５】従来の液晶表示装置に用いられるアレイ基板
を表わす断面図である。

【図６６】従来の液晶表示装置に用いられるアレイ基板
を表わす平面図である。

【符号の説明】

１１…対向基板 １２…アレイ基板 １３…信号線 １４…共通電極 １５…スペーサー １６…液晶 １７…シール用樹脂 ２０…非表示領域 ３２…アンダーコート層 ３３…ゲート電極 ３４…ゲート絶縁膜 ３５…α−Ｓｉ島 ３６…チャネル保護層 ３７…ｎ⁺ α−Ｓｉコンタクト層 ３８…画素電極 ３９ａ…ソース電極 ３９ｂ…信号線電極 ４０…パッシベーション層 ４１…配向膜 ４２…貼り合わせ部 １０１，１１１…対向基板 １０２，１１２…アレイ基板 １０３，１１３…信号線 １０４，１１４…ＩＴＯ共通電極パターン １０５，１１５…スペーサー １０６，１１６…液晶 １０７，１１７…シール樹脂 １０８，１１８…トランスファ １０９，１１９…樹脂 ２００，２１０，２４０…アレイ基板 ２０１，２１１，２４１…ゲート線 ２０２，２１２，２４２…信号線 ２０３，２２７，２４４…ＴＦＴ ２０４，２２５，２４７，２４８…ゲート電極パッド ２０５，２１６，２４３…画素電極 ２０６，２２６，２４５，２４６…信号電極パッド ２０７，２３１，２４９…貼り合わせ部 ２０９…支持基板 ２１３…ソース・ドレイン電極 ２１４，２５５…半導体層 ２１７，２５４…ゲート絶縁膜 ２１８…対向基板 ２１９…カラーフィルター ２２０…ブラックマトリックス ２２１，２６１…配向膜 ２２２…液晶層 ２２８…反射層 ２２９…保護膜 ２５１…ガラス基板 ２５２…アンダーコート層 ２５３…ゲート線 ２５６…チャネル保護層 ２５７…コンタクト層 ２５８…画素電極 ２５９ａ…ソース電極層 ２５９ｂ…信号線 ２６０…パッシベーション層 ２６２…接着樹脂 ２６３…画素接続電極 ２６４…コンタクトホール ３２１，３３９…対向基板 ３２２，３３８，３３８’…アレイ基板 ３２３…ＩＴＯパターン ３２４…共通電極パターン ３２５…スペーサ ３２６…液晶 ３２７…樹脂 ３２８…トランスファ ３２９…樹脂 ３３１…接続部 ３３２…ＩＴＯ膜 ３３３…画素電極パターン ３４１，３５３…ガラス基板 ３４２…アンダーコート層 ３４３ａ…ゲート電極 ３４３ｂ…補助容量電極 ３４３ｃ…ゲート線・補助容量線 ３４４…ゲート絶縁膜層 ３４５…半導体層 ３４６…チャネル保護層 ３４７…コンタクト層 ３４８ａ…信号線電極層 ３４８ｂ…ソース電極 ３４９…接続部 ３５０…ＩＴＯ画素電極 ３５２…液晶配向膜 ３５４…ブラックマトリックス層 ３５５…カラーフィルター層 ３５６…透明電極 ３６１…ゲート電極、補助容量電極 ３６２…ＴＦＴ ３６４…パッシベーションスルーホール ３６５…ＩＴＯ貼り合わせ接続電極 ３７１，３９１ａ…ゲート線 ３７２，３９２…α−Ｓｉ島 ３７３ａ，３９３ａ…信号線電極 ３７３ｂ，３９３ｂ…ソース線電極 ３７４，３９５ａ…ＩＴＯ画素電極 ３７５…貼り合わせ部 ３８６…ブラックマトリックス ３９１ｂ…パッド電極 ３９４…パッシベーションスルーホール ３９５ｂ…ＩＴＯ貼り合わせ接続電極 ３９６…切断部 ３９７…接続部 ４３０，４４０…アレイ基板 ４３１，４４１…ゲート線 ４３２，４４２…信号線 ４３３，４４３…対向基板 ４３４，４４４…貼り合わせ部 ４３５…異方性導電性樹脂 ４３６，４４５…スペーサー ４３７，４４６…シール部 ４３８，４４７…液晶 ４３９，４４０，４４８…駆動ＩＣ ４５１…メッキ槽 ４５２…メッキ液 ４５３…陽極 ４５４…定電流源 ４５５…空気吹き出し口 ４５６…メッキ液の流れ ５２１…台基板 ５２２，５２３，５２７，５２９…ユニット ５２４…絶縁体膜 ５２５…配線 ５２６…パッシベーション膜 ５２８…ガラス基板 ５２９…ＴＦＴアレイユニット ６６０，６７０，７１８，８１０…対向基板 ６６１，６７１，７１０，８１２…アレイ基板 ６６２，６７２…シール ６６３，６７３，８１６…液晶 ６６４，６７４…接着面 ６７７，７０９，８４３…支持基板 ７１１，８３２…ゲート線 ７１２…信号線 ７１３…ソース・ドレイン電極 ７１４…半導体層 ７１６，８３６，８４０…画素電極 ７１７…ゲート絶縁膜 ７１９…カラーフィルター ７２０…ブラックマトリックス ７２１…配向膜 ７２５…ゲート電極パッド ７２６…信号電極パッド ７２７，８３４…ＴＦＴ ７３１，８３８…貼り合わせ部 ８１４…シール用樹脂 ８１８，８２６…接着面 ８２０，８２４，８２８…絶縁膜 ８２２…側面シール部材 ８３０…ソース線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６２１ ６２６Ｚ ６２７Ａ (72)発明者 斉藤 雅之 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 熱田 昌己 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 小川 吉文 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 木崎 幸男 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 池田 光志 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 芦田 純生 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 小林 等 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 小野塚 豊 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 樋口 和人 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のトランジスタおよび透明導電膜が
   形成された第１の透光性基板と、複数のトランジスタお
   よび透明導電膜が形成された第２の透光性基板とが側面
   で接合され、前記第１および第２の透光性基板の接合部
   と、この接合部に最近接したトランジスタとの間には、
   透明導電膜が配置されていることを特徴とする薄膜トラ
   ンジスタアレイ。
2. 【請求項２】 前記第１および第２の透光性基板上に形
   成されたトランジスタおよび導電性薄膜は、前記第１お
   よび第２の透光性基板の接合された辺を軸として、線対
   称となるように配置されている請求項１に記載の薄膜ト
   ランジスタアレイ。
3. 【請求項３】 前記第１の透光性基板と第２の透光性基
   板との接合部に最近接して形成された透明導電膜の面積
   は、他の透明導電膜の面積より小さい請求項１または２
   に記載の薄膜トランジスタアレイ。
4. 【請求項４】 複数のトランジスタおよび透明導電膜が
   形成された第１の透光性基板と、複数のトランジスタお
   よび透明導電膜が形成された第２の透光性基板とが側面
   で接合され、前記第１の透光性基板と第２の透光性基板
   との接合部に導電膜が設けられていることを特徴とする
   薄膜トランジスタアレイ。
5. 【請求項５】 前記第１および第２の透光性基板の接合
   部に設けられた導電膜は、前記第１および第２の透光性
   基板にまたがって、接合部の上に設けられている請求項
   ４に記載の薄膜トランジスタアレイ。
6. 【請求項６】 前記第１および第２の透光性基板にまた
   がって形成された導電膜は、透明導電膜である請求項５
   に記載の薄膜トランジスタアレイ。
7. 【請求項７】 前記第１および第２の透光性基板にまた
   がって形成された透明導電膜は、複数の層を積層してな
   る請求項６に記載の薄膜トランジスタアレイ。
8. 【請求項８】 前記第１および第２の透光性基板にまた
   がって形成された導電膜はメッキであり、それぞれの基
   板上に形成された配線を接続している請求項５に記載の
   薄膜トランジスタアレイ。
9. 【請求項９】 前記第１および第２の透光性基板にまた
   がって設けられた導電膜は、絶縁膜を介してこれらの基
   板上に形成されている請求項５に記載の薄膜トランジス
   タアレイ。
10. 【請求項１０】 前記第１および第２の透光性基板の接
    合部に設けられた導電膜は、第１および第２の基板の側
    面に設けられた異方性導電性接着剤からなり、この異方
    性導電性接着剤よって、それぞれの基板上に形成された
    配線が接続されている請求項４に記載の薄膜トランジス
    タアレイ。
11. 【請求項１１】 表面に共通電極が形成された対向基
    板、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の薄膜ト
    ランジスタアレイを含むアレイ基板、および、前記対向
    基板とアレイ基板と間隙に、シール用樹脂を用いて封入
    された液晶を具備する画像表示装置。
12. 【請求項１２】 複数のトランジスタおよび導電性薄膜
    が形成された第１の透光性基板と、複数のトランジスタ
    および導電性薄膜が形成された第２の透光性基板とが側
    面で接合され、この接合部上には、平坦化のために配置
    された膜厚０．１μｍ以上の絶縁体膜を介して導電性薄
    膜が形成されている薄膜トランジスタアレイ。