JPH0682811A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶表示装置において対向配置される 2枚の
基板間隙いわゆるセルギャップを均一化して、良好な画
質や表示コントラストの画像表示を実現する。 【構成】 シール材１９が塗布される領域、つまり駆動
回路一体型の液晶表示素子における基板周辺部に作り込
まれた駆動回路部１１、１５と液晶セルの画素電極７が
配列された表示領域との間の領域における基板間隙が等
しくなるような基板間隙調整領域３３あるいは基板間隙
調整層２１、２３、２５、２７、２９、３１を設けるこ
とで、対向配置されて液晶セルを形成する 2枚の基板間
隙をどの位置においても均一な間隙に保つことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関するも
ので、特に 2枚の基板間隙を均一に接合す構造を有する
液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置の画像処理の高速化
や、表示画像の高品位化を実現するために、表示画素ご
とにスイッチング用の薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと
略称）を設けた、いわゆるアクティブマトリクス型液晶
表示装置が開発されている。

【０００３】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置のスイッチング用ＴＦＴとしては、非晶質シリコ
ン（ａ−Ｓｉ）、または多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ）を用いたＴＦＴが一般に用いられている。

【０００４】特にｐｏｌｙ−Ｓｉは移動度が大きく、プ
ロセス整合性の点からも駆動回路として画素領域のスイ
ッチング用ＴＦＴ等と同一基板上に一体に形成できるた
め、小型で高精細な表示能力が要求されるアクティブマ
トリックス型液晶表示装置に好適なＴＦＴの形成材料で
あることが知られている。

【０００５】このような従来のアクティブマトリクス型
液晶表示装置におけるスイッチング素子アレイ基板の概
略構造を説明する。図９はスイッチング素子アレイ基板
を示す平面図、図１０はシール材で覆われた部分におけ
る信号線を中心として示すＡ−Ａ´断面図、図１１はシ
ール材で覆われた部分における走査線を中心として示す
Ｂ−Ｂ´断面図である。なお図９においては説明の簡潔
化のために、特に液晶セル内部の画素部分を 9画素に簡
略化して示した。また実際のＴＦＴ基板には図示の他に
も例えば補助容量Ｃ_s やこれに接続される補助容量線等
が形成されているが、図９においては説明の簡潔化のた
めにそれらの図示は省略している。

【０００６】図９に示すように、液晶表示装置のスイッ
チング素子アレイ基板５０１の画素部のスイッチング素
子としてＴＦＴ５０３が形成され、このＴＦＴ５０３の
ドレインは信号線５０５に、ソースは画素電極５０７
に、ゲートは走査線５０９に各々接続されている。

【０００７】そして信号線５０５は、シール材５１１に
覆われた部分を通ってそのシール材５１１で囲まれた表
示領域の外部にまで延伸し、信号線駆動回路５１３に接
続されている。また走査線５０９は、シール材５１１に
覆われた部分を通ってそのシール材５１１で囲まれた表
示領域の外部にまで延伸し、走査線駆動回路５１５に接
続されている。

【０００８】信号線５０５のシール材５１１で覆われた
部分は、図１０のＡ−Ａ´断面図に示すように、ガラス
基板６００上に形成された例えばＳｉＯ_x からなる層間
絶縁膜６０１、Ａｌ／Ｃｒ膜をパターンニングして形成
された信号線５０５、保護膜６０３から形成されてい
る。

【０００９】一方、走査線５０９のシール材５１１で覆
われた部分は、図１１のＢ−Ｂ´断面図に示すように、
ガラス基板６００上に成膜され不純物が添加されて低抵
抗化された多結晶シリコン膜をパターンニングしてなる
走査線５０９、層間絶縁膜６０１、保護膜６０３で構成
されている。

【００１０】そしてこのスイッチング素子アレイ基板５
０１と、ＩＴＯからなる対向電極を有しその表面に配向
膜が形成された対向基板（図示省略）とを対向配置し、
信号線駆動回路５１３と表示領域との間にある領域の信
号線５０５の一部および走査線駆動回路５１５と表示領
域との間の領域にある走査線５０９の一部を覆うように
シール材（封止材兼接着剤）５１１を所定の幅で印刷あ
るいは塗布し、両基板の配向膜の配向方向が直交するよ
うに両基板を重ね合わせ圧力を加えながら接合して、両
基板の間隙とシール材とによって形成されるいわゆる空
セル状態の液晶セルに光変調層として液晶組成物（図示
省略）を封入・挟持させることで液晶表示装置を製作し
ている。

【００１１】ところで、前記の 2枚の基板を接合するた
めのシール材５１１としては従来一般に、保持すべき所
望の基板間隙と等しい径と長さの仕様の間隙制御用部
材、例えば 5μｍ程度の径で長さが20μｍ〜 200μｍ程
度の円柱状のガラスファイバからなるシール部分用スペ
ーサを接着剤に混ぜてシール材としたものを、前記の領
域に印刷または塗布して、 2枚の基板間隙が均一になる
ように制御している。

【００１２】しかしながら、上記のように製作された液
晶表示装置においては、スイッチング素子アレイ基板５
０１のシール材５１１で覆われる部分の基板６００表面
から保護膜６０３までの厚さ（つまり 2枚の基板どうし
の基板間隙）は、信号線５０５の部分では層間絶縁膜
（0.45μｍ）＋Ａｌ／Ｃｒ 2層構造（ 0.8μｍ／0.05μ
ｍ）＋保護膜（ 0.3μｍ）でトータル厚さ 1.6μｍとな
る一方、走査線５０９の部分では多結晶シリコン膜（
0.4μｍ）＋層間絶縁膜（0.45μｍ）＋保護膜（ 0.3μ
ｍ）でトータル厚さ1.15μｍとなってその厚さが異なる
ものとなる。この両者の厚さの差は 1.6μｍ−1.15μｍ
＝0.45μｍ程度にもなる。この厚さの差、つまりシール
材５１１の高さによって支持される基板間隙の差は、例
えば一般的な基板間隙が 5μｍとするとその約10％にも
相当するため、このようなシール材５１１の高さの差に
よって 2枚の基板間隙の画面内での位置的なばらつきが
でき、これに起因して画面（表示領域）内で表示むらが
発生するという問題があった。特に画面の縦方向での基
板間隙と横方向での基板間隙とが不均一になるため、全
体的には 2枚の基板は平行を欠いた配置となるため、表
示むらが顕著に発生するという問題がある。

【００１３】このようなシール材が形成された領域にお
ける走査線５０９上のシール材上面と信号線５０５上の
シール材上面の高さの差は、その走査線５０９部分と信
号線５０５部分との層構造および膜厚の違いに起因して
いることは上記の通りであるが、このような走査線５０
９の層構造と信号線５０５の層構造との違いは、一般に
ＴＦＴを形成する上で不可避的に存在するものである。
すなわち、一般に走査線５０９と信号線５０５とは層間
絶縁膜６０１等を介して異なった層に形成されて絶縁が
図られている。このときＴＦＴ５０３内部でそのゲート
（またはゲート電極）と走査線５０９とが接続され、ド
レイン（またはドレイン電極）と信号線５０５とが接続
される。そしてＴＦＴ５０３のゲートとドレインとは半
導体層を介して異なる層に形成されており、しかもこれ
らの各層はプロセス条件が極めて大きく異なる。これは
ＴＦＴの構造としてゲート電極が半導体層の上層に配置
された構造（即ちスタガ型の場合）でも、逆に下に配置
された構造（即ち逆スタガ型の場合）でも、いずれの場
合でも同様である。したがって走査線５０９と信号線５
０５とは異なった層に異なった膜厚で形成することが必
要となり、シール材が形成された領域における走査線５
０９部分と信号線５０５部分とでの高さの差が一般に不
可避的に存在することになるのである。そして製造プロ
セス中の互いの膜厚のばらつきにより変動するという要
因も有している。

【００１４】また上記のガラスファイバは長さが20μｍ
〜 200μｍ程度で、その端部の切断面は一般に鋭角的な
形状となっているので、保護膜６０３を介して信号線５
０５、走査線５０９の上にこれを配置し圧力を加えて接
着する際に、信号線５０５、走査線５０９をこのガラス
ファイバが傷つけてしまうという問題もある。

【００１５】良好な表示を得るためには、 2枚の基板間
隙が不均一であることで生じる光の干渉による色付きや
色むらや、液晶組成物に実際に印加される電界が異なる
ことやリタデーションの違いによるコントラストむらや
色むらなどの表示むらを低減しなければならない。特に
多階調表示や高精細で高画質な画像表示を行なうために
は、印加電圧応答性の高い液晶組成物が用いられる。こ
のような印加電圧応答性の高い液晶組成物は一般にリタ
デーションの変化に対して光透過特性が急峻に変化する
ため、基板間隙が不均一であるとリタデーションのばら
つきが大きくなり、表示画像の輝度の位置的な均一性が
著しく低下して画像表示品質に大きな悪影響を及ぼすこ
とになる。特に 3枚の液晶表示素子を用いて表示を行な
う投射型液晶表示装置の場合に、上記の問題はいっそう
顕著なものとなる。

【００１６】したがってこのような液晶表示装置におい
て画像表示の表示品位を考えた場合、 2枚の基板間隙の
ばらつきは少なくとも± 0.1μｍ以下程度にまでは小さ
くすることが実際上必要であり、製造プロセスによる誤
差以外の不均一化の要因を避けることが高品位な画像再
現性を実現するために必要である。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
液晶表示装置においては走査線がシール材によって覆わ
れた部分の基板間隙（基板表面から走査線上の保護膜上
面までのトータルの厚さ）と、信号線がシール材によっ
て覆われた部分の基板間隙（基板表面から信号線上の保
護膜上面までのトータルの厚さ）とが異なるため、走査
線が列設された側のシール材の高さで支えられた基板間
隙と信号線が列設された側のシール材で支えられた基板
間隙とが互いに不均一になり、表示画像に色むらやコン
トラストむら等が生じて画像表示性能が低劣なものとな
るという問題があった。

【００１８】本発明はこのような問題を解決するために
成されたもので、その目的は 2枚の基板間隙を均一化し
て画質や表示コントラストを良好なものとした液晶表示
装置を提供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、スイッチング素子と前記スイッチング素子に接続さ
れた走査線および信号線と前記スイッチング素子に接続
された画素電極とを有するスイッチング素子アレイ基板
と、前記走査線に接続された走査線駆動回路と、前記信
号線に接続された信号線駆動回路と、前記画素電極に間
隙を有して対向配置され表示領域を形成する対向電極を
有し前記表示領域の周囲に形成されたシール材によって
前記スイッチング素子アレイ基板に接着された対向基板
と、前記スイッチング素子アレイ基板と前記対向基板と
の基板間隙に周囲を前記シール材によって封止されて封
入・挟持された光変調層とを有する液晶表示装置におい
て、前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域に
おける基板間隙と前記表示領域と前記信号線駆動回路と
の間の領域における基板間隙とを均一に調整する基板間
隙調整領域を、前記シール材によって覆われる部分を含
む前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域およ
び前記表示領域と前記信号線駆動回路との間の領域のう
ち少なくともいずれか一方の領域に設けたことを特徴と
している。

【００２０】また、本発明の液晶表示装置は、スイッチ
ング素子と前記スイッチング素子に接続された走査線お
よび信号線と前記スイッチング素子に接続された画素電
極とを有するスイッチング素子アレイ基板と、前記走査
線に接続された走査線駆動回路と、前記信号線に接続さ
れた信号線駆動回路と、前記画素電極に間隙を有して対
向配置され表示領域を形成する対向電極を有し前記表示
領域の周囲に形成されたシール材によって前記スイッチ
ング素子アレイ基板に接着された対向基板と、前記スイ
ッチング素子アレイ基板と前記対向基板との基板間隙に
周囲を前記シール材によって封止されて封入・挟持され
た光変調層とを有する液晶表示装置において、前記表示
領域と前記走査線駆動回路との間の領域における基板間
隙と前記表示領域と前記信号線駆動回路との間の領域に
おける基板間隙とを均一な間隙に調整する基板間隙調整
層を、前記シール材によって覆われる部分を含む前記表
示領域と前記走査線駆動回路との間の領域および前記表
示領域と前記信号線駆動回路との間の領域のうち少なく
ともいずれか一方に設けたことを特徴としている。なお
上記の基板間隙調整領域あるいは基板間隙調整層として
は、前記シール材によって覆われる部分を含む前記表示
領域と前記走査線駆動回路との間の領域における基板間
隙と前記表示領域と前記信号線駆動回路との間の領域に
おける基板間隙とを等しく揃えることのできる領域ある
いは層であればどのようなものを用いてもよい。例え
ば、前記のシール材によって覆われる部分に電気絶縁性
の良好な有機材料を均一かつ所望の基板間隙に等しい層
厚に形成し、その上に接着剤と兼用の前記シール材を薄
く塗布して、 2枚の基板を接着することなども可能であ
る。あるいは、液晶駆動回路系の回路構成要素の一部分
を上記の基板間隙調整領域あるいは基板間隙調整層とし
て用いてもよい。あるいは、走査線と走査線駆動回路と
を接続する走査線用引き出し配線を走査線とは別の材料
を用いて設ける、あるいは信号線と信号線駆動回路とを
接続する信号線用引き出し配線を信号線とは別の材料を
用いて設ける、あるいは走査線用引き出し配線および信
号線用引き出し配線をともに走査線および信号線とは別
の材料を用いて設けて、それら走査線用引き出し配線と
信号線用引き出し配線とを同じ高さに形成して、上記の
基板間隙調整領域あるいは基板間隙調整層として用いて
もよい。

【００２１】また、本発明は、上記の液晶表示装置にお
いて、前記基板間隙調整領域または前記基板間隙調整層
を走査線および信号線のうち少なくとも一方に重なるよ
うに設けたことを特徴としている。その基板間隙調整層
としては、前記の走査線や信号線に対して直交して交差
部が重なるようなパターンに形成してもよく、あるいは
平行に重なるようなパターンに形成してもよい。またこ
のとき直線状または千鳥状のパターンに配置してもよ
い。またこの基板間隙調整層は走査線や信号線の上層に
形成してもよく、あるいは下層に形成してもよい。いず
れの場合も、前記表示領域と前記走査線駆動回路との間
の領域における基板間隙と前記表示領域と前記信号線駆
動回路との間の領域における基板間隙とを等しく揃える
ことができれば、どのような積層順に形成してもよく、
あるいはどのようなパターンに形成してもよい。またさ
らに前記の基板間隙調整層は補助容量線などに重なるよ
うに配置してもよいことは言うまでもない。

【００２２】また、本発明は、上記の液晶表示装置にお
いて、前記基板間隙調整領域または前記基板間隙調整層
を、走査線および信号線に沿って設けたことを特徴とし
ている。例えば列設された走査線どうしの間の領域や信
号線どうしの間の領域に走査線や信号線との接触を避け
て柱状に前記基板間隙調整層を設けてもよく、あるいは
走査線や信号線と平行なパターンに前記基板間隙調整層
を設けてもよい。また走査線および信号線のみならず例
えば補助容量線に沿っても設けるようにしてもよい。

【００２３】また、本発明は、前記基板間隙調整層の形
成材料として、前記基板間隙調整層を形成すべき液晶表
示装置に用いられる材料のうち少なくとも一つの材料を
用いたことを特徴としている。

【００２４】このように液晶表示装置に用いられる材料
を用いて前記基板間隙調整層を簡易に形成することがで
きるので好ましい。

【００２５】また、本発明は、前記表示領域と前記走査
線駆動回路との間の領域に形成される基板間隙調整層を
前記信号線の形成材料を用いて前記信号線と同層に形成
し、前記表示領域と前記信号線駆動回路との間の領域に
形成される基板間隙調整層を前記走査線の形成材料を用
いて前記走査線と同層に形成してなることを特徴として
いる。ただしこのとき、基板間隙調整層によって列設さ
れた走査線どうしや列設された信号線どうしが短絡する
ことのないように基板間隙調整層の材質あるいは形状を
設定しておくことは言うまでもない。例えば基板間隙調
整層を層間絶縁膜などを用いて絶縁体として形成しても
よく、あるいは導電体材料を用いる場合でも隣り合う走
査線や信号線どうしが短絡しないように区切れたパター
ンに形成すればよい。

【００２６】したがって本発明は、上記の液晶表示装置
において、前記基板間隙調整領域または前記基板間隙調
整層が前記走査線および前記信号線と電気的に絶縁され
ているようにしてもよい。

【００２７】また、本発明は、前記表示領域における基
板間隙を前記基板間隙調整領域または前記基板間隙調整
層によって均一に調整してなることを特徴としている。
すなわち、前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の
領域および前記表示領域と前記信号線駆動回路との間の
領域つまりシール材で覆われた領域を含む前記基板間隙
調整領域における基板間隙を均一に支持することによ
り、対向する 2枚の基板全体の基板間隙を均一に支持す
ることができる。このとき基板としては反りや捩じれの
十分小さなものを用いることは言うまでもない。このよ
うにすることで、従来一般に表示領域内に用いられてい
た基板間隙保持部材（いわゆるスペーサ）を省略して、
表示画像のさらなる画質向上を図ることができるので好
ましい。

【００２８】なお、本発明は前記走査線駆動回路および
前記信号線駆動回路が前記走査線や前記信号線が配設さ
れた前記スイッチング素子アレイ基板上に配設されたい
わゆる駆動回路一体型で、画素部から四方向に各引出し
配線が伸びた構造の液晶表示装置において特に好適な技
術である。しかしこれのみにはもちろん限定されず、例
えば走査線の一端に走査線駆動回路が、信号線の一端に
信号線駆動回路が接続され、他端はいずれも電気的に解
放となっておりシール材から外に出る引き出し配線を他
端側には有さないものについても、他端側のシール材を
含んだ基板間隙の厚さを調整する基板間隙調整領域ある
いは基板間隙調整層を新たに設けるなどして、シール材
全体にわたって基板間隙の厚さを調整して均一にしても
よい。

【００２９】また、上記のスイッチング素子としては、
例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）のような 3端子
素子や、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal ）素子のよう
な 2端子素子などが好適に用いられる。

【００３０】また、上記の光変調層としては、例えばＴ
Ｎ（Twisted Nematic ）型やＳＴＮ（Super Twisted Ne
matic ）型などの光変調作用を有する液晶組成物、ある
いは樹脂マトリックス中に液晶材料を分散してなる高分
子分散型またはカプセル状の液晶材料が樹脂中に含有さ
れた高分子分散型等の液晶層を好適に用いることができ
る。

【００３１】

【作用】シール材が塗布される領域、つまり駆動回路一
体型の液晶表示素子における基板周辺部に作り込まれた
駆動回路部と液晶セル内部との間のシール材の形成され
た領域における基板間隙が等しくなるような基板間隙調
整領域あるいは基板間隙調整層を設けることで、 2枚の
基板間隙をどの位置においても均一な間隙に保つことが
できる。

【００３２】特にシール材に覆われる部分の信号線上の
基板間隙と走査線上の基板間隙とを均一化することで、
対向する 2枚の基板どうしの走査線列に沿った方向と信
号線列に沿った方向での（基板の縦横両方向での）基板
間隙を液晶セル全体にわたって均一化することができる
ので、液晶セル全体にわたって表示画像の色むらやコン
トラストむらを抑えて均一で良好な表示画面を実現する
ことができる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明に係る液晶表示装置の一実施例
を、図面に基づいて詳細に説明する。

【００３４】（実施例１）図１は本発明に係る液晶表示
装置のＴＦＴアレイ基板を示す平面図である。図２
（ａ）は表示領域と信号線駆動回路との間の領域におけ
る信号線を中心としてその近傍を拡大して示す平面図、
図２（ｂ）はそのＣ−Ｃ´断面図である。また図３
（ａ）は表示領域と走査線駆動回路との間の領域におけ
る走査線を中心としてその近傍を拡大して示す平面図、
図３（ｂ）はそのＤ−Ｄ´断面図である。また図４
（ａ）は本発明に係る液晶表示装置の画素部分を拡大し
て示す平面図、図４（ｂ）はそのＥ−Ｅ´断面図であ
る。なお上記の図２、３では、平面図においても図示の
理解を容易なものとするために同一の材料で形成される
部位に同じ斜線を付して示している。また、以降の各実
施例における平面図および説明においては説明の簡潔化
のために、液晶セル内部の画素部分を 9画素に簡略化し
て示している。また、ＴＦＴアレイ基板に対向配置され
る対向基板の輪郭線はシール材の外側の輪郭線とほぼ重
なる位置にあるものとして、図面の簡潔化のために対向
基板の図示は以降の図面および説明においては省略して
いる。

【００３５】図１に示すように、この液晶表示装置のＴ
ＦＴアレイ基板１の表示領域のスイッチング素子として
ＴＦＴ３が形成され、このＴＦＴ３のドレイン４１１は
コンタクトホール４１７を通じて信号線５に、ソース４
０９はコンタクトホール４１５、導電パターンを通して
画素電極７に、ゲート４０５は走査線９に各々接続さ
れ、さらに所定の映像信号電圧を供給する信号線５は、
それを順次駆動させる信号線駆動回路１１に信号線５の
引出し配線部分１３を介して、また各ＴＦＴのゲート４
０５にそのＴＦＴ３のオン・オフを行なわせる走査電圧
（走査パルス）を供給する走査線９は、それを順次駆動
させる走査線駆動回路１５に引き出し配線部分１７を介
して接続されている。前記の信号線５とその引出し配線
部分１３とは一体形成されており、実質的には引出し配
線部分１３は信号線５を延伸したものとなっている。ま
た前記の走査線９も同様にその引き出し配線部分１７と
は一体形成されており、実質的には引出し配線部分１７
は走査線９を延伸したものとなっている。

【００３６】そして、信号線５の引き出し配線部分１
３、走査線９の引き出し配線部分１７のシール材１９で
覆われた部分には、それぞれ基板間隙調整部材２１、２
３が形成されている。

【００３７】信号線５の引き出し配線部分１３に重なる
ように設けられた基板間隙調整層２１は、走査線９の引
き出し配線部分１７を形成する材料と同じ膜をパターン
ニングして形成したもので、また走査線９の引き出し配
線部分１７の基板間隙調整層２３は、信号線５の引き出
し配線部分１３を形成する材料つまり信号線５の材料と
同じ膜をパターンニングして形成したものである。

【００３８】信号線５の引き出し配線部分１３の近傍の
構造は、図２（ｂ）の断面図に示すように、ガラス基板
２００上に成膜され不純物が添加されて低抵抗化された
多結晶シリコン膜をパターンニングしてなる基板間隙調
整層２１、層間絶縁膜２０１、Ａｌ／Ｃｒ膜をパターン
ニングしてなる信号線５の引き出し配線部分１３、保護
膜２０５でこの順に下層から形成されている。

【００３９】また走査線９の引き出し配線部分１７の近
傍の構造は、図３（ｂ）の断面図に示すように、ガラス
基板２００上に成膜され不純物が添加されて低抵抗化さ
れた多結晶シリコン膜をパターンニングしてなる走査線
９の引き出し配線部分１７、層間絶縁膜２０１、Ａｌ／
Ｃｒ膜をパターンニングしてなる基板間隙調整層２３、
保護膜２０５で構成されている。

【００４０】このように、信号線５の引き出し配線部分
１３の部分の層構造と、走査線９の引き出し配線部分１
７の部分の層構造はともに、ガラス基板２００上に不純
物が添加され低抵抗化された多結晶シリコン膜、層間絶
縁膜、Ａｌ／Ｃｒ膜、保護膜が下からこの順で積層され
ている。したがってパターンニングで異なったパターン
に形成されているが、層構造はこのように同様の層構造
となっているので、その基板表面からのトータルの厚さ
ｔ₁ 、ｔ₂ は、製造時の誤差などを除いて等しくなって
いる。その結果、信号線５の引き出し配線部分１３の厚
さｔ₁ と走査線９の引き出し配線部分１７の厚さｔ₂ と
の差は 0.1μｍ以下にまで抑えられている。

【００４１】そしてこのＴＦＴアレイ基板１と、ＩＴＯ
からなる対向電極を有しその表面に配向膜が形成された
対向基板（図示省略）とが対向配置され、信号線駆動回
路１１に接続される信号線５の引き出し配線部分１３お
よび走査線駆動回路１５に接続される走査線９の引き出
し配線部分１７の上にシール材（シール材兼接着剤）１
９を印刷し、両基板の配向膜の配向方向が直交するよう
に両基板を重ね合わせて圧力を加えて接着し、両基板の
間隙とシール材１９とにより形成されるいわゆる空セル
に光変調層として正の誘電異方性を有する液晶組成物
（図示省略）を封入・挟持して、この液晶表示装置は形
成されている。

【００４２】次に、このようなＴＦＴアレイ基板１の製
造方法を述べる。透明絶縁基板として石英基板上にスイ
ッチング素子としてＴＦＴのチャンネルなどの活性層４
０１および駆動回路を構成するＴＦＴなどの活性層（図
示省略）となる非結晶シリコン膜を低圧ＣＶＤ法で成膜
し、 600℃で24時間の固相成長を行ない、多結晶化して
パターニングする。

【００４３】次にゲート絶縁膜４０３を熱酸化法で形成
し、低圧ＣＶＤ法により低抵抗化した第２の多結晶シリ
コン膜を成膜するが、これはＴＦＴのゲート４０５およ
び走査線９および引き出し配線部分１７および基板間隙
調整部材２１となる。

【００４４】ゲート４０５両側には、ｎ型ドーパントで
あるＰ（燐）をイオン注入法で打ち込み低抵抗化してＴ
ＦＴ３のソース４０９、ドレイン４１１を形成する。

【００４５】さらに、層間絶縁膜２０１を低圧ＣＶＤ法
で成膜し、これにコンタクトホール４１５、４１７を形
成する。

【００４６】ＭＯＳ容量である補助容量４１９は、活性
層４０１と一体で画素電極７の一部と層間絶縁膜２０１
を挟んで上部に補助容量線４２３があり、これらによっ
て画素に並列に接続される補助容量Ｃ_s として形成され
ている。補助容量線４２３は、シール材１９に概ね覆わ
れる領域の引き出し配線部分１８と同層に同じ材料で一
体形成されている。この補助容量線４２３（およびその
引き出し配線部分１８）は、例えば通常の補助容量線の
形成と同様にゲート４０５を形成する膜を、ゲート４０
５の形成と同じ工程でパターニングして形成することが
可能である。あるいは、成膜工程等が増えるというデメ
リットはあるが、補助容量線４２３およびその引き出し
配線部分１８をゲート４０５とは別の材料から形成して
もよい。あるいは補助容量線４２３と引き出し配線部分
１８のうちいずれか一方をゲート４０５とは別の材料か
ら形成してもよい。

【００４７】次にＴＦＴ３のドレイン４１１はコンタク
トホール４１７を通して信号線５に、ソース４０９はコ
ンタクトホール４１５、導電パターンを通して画素電極
７に、ゲート４０５は走査線９に各々接続される。この
信号線５はＡｌ／Ｃｒ 2層構造からなり信号線駆動回路
１１に信号線５を延伸してなる引き出し配線部分１３を
通して接続するように形成される。また不純物が添加さ
れ低抵抗化された多結晶シリコン膜よりなる走査線９は
走査線駆動回路１５に走査線引き出し配線部分１７を通
して接続される。

【００４８】これら 2つの異なる引き出し配線部分上の
少なくとも一部に、図２及び図３に示したように信号線
５の引き出し配線部分１３上には走査線９と同じ材料の
多結晶シリコン膜からなる層として、また走査線９の引
き出し配線部分１７上には信号線５と同じ材料であるＡ
ｌ／Ｃｒ膜からなる層として、その基板表面からのトー
タルの厚さが等しくなるように形成された基板間隙調整
層２３、２１をそれぞれ、各引き出し配線部分の幅より
大きく、かつ隣接する引き出し配線部分に接続しない大
きさに形成する。

【００４９】このとき、この基板間隙調整層２１、２３
の配置は、図２に示すような直線状配置としてもよく、
あるいは図３に示すような千鳥状配置としてもよい。

【００５０】そして各パターンの最上層にはそれら各パ
ターンを覆うようにＳｉＮ_x からなる保護膜２０５を形
成する。

【００５１】上述したＴＦＴアレイ基板１には対向基板
（図示省略）とともに、その表面にポリイミド膜を形成
し、これにラビング処理を行なって配向膜（図示省略）
を形成する。さらに、対向基板の表面にスペーサ（図示
省略）を散布し、注入口（図示省略）を除いて各引き出
し配線部分部分に、接着剤に対して重量比 0.1％のガラ
スファイバを間隙制御材として光硬化型のエポキシ系接
着剤に混合してなるシール材１９を配置しこのシール材
１９を封止材兼接着剤として用いて、 2枚の基板を位置
合わせして組み合わせＵＶ（紫外）光を照射して接着す
る。このシール材１９の材料としては、上記の他にも熱
硬化型の封止材兼接着剤などを用いてもよい。

【００５２】その後、注入口より通常の方法を用いて液
晶組成物（図示省略）を注入し、注入口を紫外線硬化性
樹脂で封止して液晶表示装置を完成する。

【００５３】このようにして製造された液晶表示装置
は、各引き出し配線部分上の少なくとも一部に、そのト
ータルの厚さが等しくなるような基板間隙調整層２１、
２３を設けることで、 2枚の基板間隙を均一に保つこと
ができる。特に、信号線５の引き出し配線部分１３と走
査線９の引き出し配線部分１７との厚さを均一にするこ
とで、対向する 2枚の基板どうしの走査線方向（横方
向）と信号線方向（縦方向）での基板間隙を均一化する
ことができる。これにより、表示領域（画面）内での位
置的な色むらやコントラストむらを抑えて、良好な表示
を実現することができる。

【００５４】また、上記のように信号線５の引き出し配
線部分１３や走査線９の引き出し配線部分１７にシール
材１９を塗布しガラスファイバを配置しているので、こ
のシール材１９を走査線駆動回路１５や信号線駆動回路
１１の上に設けた構造の従来の液晶表示装置と比べて、
走査線駆動回路１５や信号線駆動回路１１がシール材１
９のガラスファイバから傷つけられることを避けること
もできる。

【００５５】また、走査線あるいは信号線駆動回路外側
のみをシール材によって封止する場合に比べて液晶に前
記の駆動回路からの電圧が印される焼き付きなどのはっ
せいを招くことも防ぐことができる。

【００５６】さらに、各引き出し配線部分１３、１７、
１８の基板間隙調整層２１、２３を各引き出し配線部分
１３、１７、１８の幅よりも大きく、かつ隣り合う引き
出し配線部分１３、１７、１８に接触しない大きさに形
成すれば、製造プロセス中でマスクずれなどによるパタ
ーンずれが生じてもこの基板間隙調整層２１、２３は常
に各引き出し配線部分１３、１７、１８上に形成され、
また引き出し配線部分１３、１７、１８とこの基板間隙
調整層２１、２３とが例えば層間絶縁層２０１の絶縁不
良などで層間ショートした場合でも、その他の引き出し
配線部分とのショートを防ぐことができる。

【００５７】また、基板間隙調整層２１、２３の配置パ
ターンを、直線状もしくは千鳥状等に複数列に形成する
ことにより、ガラスファイバのような間隙制御材が複数
の基板間隙調整層２１、２３に配置されやすくなること
で、より一層広い部分で確実に基板間隙の均一化を図る
ことができる。

【００５８】なお上記の実施例では、引き出し配線部分
１３、１７、１８上に形成された基板間隙調整層２１、
２３を、多結晶シリコン膜、層間絶縁膜、Ａｌ／Ｃｒ 2
層構造、保護膜の 4層構造に適用する方法を述べてきた
が、この部分の構造は、本実施例のみには限定しない。
上記実施例では、走査線や信号線等を形成する材料とし
てＡｌ／Ｃｒ以外にも、例えばＷＳｉ_x 、ＭｏＳｉ_x 、
Ａｌ／Ｔｉなどを好適に用いることができる。特に前記
のＷＳｉ_x のようなシリサイドを用いることにより、Ａ
ｌなどを配線材料として用いた場合に生じることの多か
ったヒロックを抑えることができるので好ましい。また
この他にも、例えばＡｌ／Ｃｒ 2層構造と保護膜との間
に層間絶縁膜とＩＴＯをさらに形成すれば、基板間隙が
一定に保たれる効果のみならず、さらにファイバによっ
て生じるＡｌ／Ｃｒ 2層構造の信号線の傷つき等をも避
けることが可能となる。

【００５９】また、ゲート電極を形成する材料として
も、上記実施例の他にも例えば不純物打ち込みによって
低抵抗化したドープドｐ−Ｓｉや、ＷＳｉ_x やＭｏＳｉ
_x を好適に用いることができる。このような材料を用い
ることにより、配線のさらなる低抵抗化を図ることがで
きるので好ましい。

【００６０】また、基板間隙調整層２１、２３の配置の
一例として本実施例においては信号線引き出し配線部分
１３側に直線状配置を、走査線引き出し配線部分１７側
に千鳥状配置を採用した場合を示したが、この配置法は
本実施例のみには限定しないことは言うまでもない。各
引き出し配線部分上に形成された基板間隙調整層２１、
２３が隣接する引き出し配線部分に接触しないようなパ
ターンであれば、両方の基板間隙調整層２１、２３とも
に直線状配置あるいは千鳥状配置のパターンや、本実施
例とは逆に、信号線引き出し配線部分１３側に千鳥状配
置を、走査線引き出し配線部分１７側に直線状配置を採
用してもよい。

【００６１】またその基板間隙調整層２１、２３の材料
についても、本実施例の液晶表示装置で用いた材料のみ
には限定しない。例えば走査線９や信号線５の形成材料
とは別に絶縁体材料を用いて基板間隙調整層２１、２３
を形成してもよい。このような絶縁体を用いることによ
り、基板間隙調整層２１、２３が製造時のパターンずれ
などによって隣り合う複数本の走査線どうしあるいは信
号線どうしに接触してしまった場合でも、短絡欠陥の発
生を避けることができる。

【００６２】ただし上記実施例で示したように信号線５
や走査線９に用いた材料やＴＦＴ３の活性層に用いた材
料と同じ材料を用いて基板間隙調整層２１、２３を形成
すれば、製造工程および構造をより簡易なものとするこ
とができるので好ましい。

【００６３】また基板間隙調整層２１、２３の幅は、本
実施例では各引き出し配線部分１３、１７、１８の幅と
同程度から数倍程度の幅としているが、これのみには限
定しない。例えばシール材１９の幅と同じ程度の幅にし
てもよい。

【００６４】さらに、シール材に混合する間隙制御材と
してはガラスファイバを用いたが、基板間隙が均一に保
てるのであれば、この他にも例えば粒状の（ミクロパー
ルのような）間隙制御材を用いてもよい。あるいはその
ようなガラスファイバなどの間隙制御材の混合を省略す
ることもできる。

【００６５】このような構造に形成された本実施例の液
晶表示装置は、対向配置される 2枚の基板間隙、いわゆ
るセルギャップを均一化して良好な画質や表示コントラ
ストの画像表示を実現することができる。

【００６６】また、上記実施例で示したような本発明に
係る液晶表示パネルを 3枚用いて、光の経路が、光源、
光源光の色分離系、液晶表示パネル、色合成系、投射レ
ンズ系の順に配置して投射型液晶表示装置（いわゆるプ
ロジェクション型液晶表示装置）を製作し、表示を行な
わせてその画像表示性能を検証したところ、色むらやコ
ントラストむらのない均一で良好な表示が得られた。

【００６７】上記の第１の実施例の液晶表示装置のよう
に基板の四辺に駆動回路を形成し走査線や信号線の両端
にそれぞれ駆動回路を接続する場合には、冗長性を得る
ことができ一方の駆動回路に動作不良が生じても他方を
動作させて正常な駆動を行なうことが可能である。ある
いは両端の駆動回路を動作させることで走査電圧波形や
信号電圧波形の電圧傾斜に起因した歪みや鈍りを防ぐこ
とができる。また上記の場合、駆動回路がシール材や対
向基板に覆われていないので例えばレーザリペアのよう
な欠陥修復を簡易に施すことができるという利点もあ
り、好ましい。

【００６８】（実施例２）図５は第２の実施例の液晶表
示装置を示す平面図である。なおこの第２の実施例の説
明および図５においては、説明の簡潔化のために第１の
実施例と同様の部位には同じ番号を付して示すととも
に、この第２の実施例における特徴的な部分を中心とし
て説明する。

【００６９】この第２の実施例の液晶表示装置において
は、シール材１９で囲まれた内側の画素電極７が配列さ
れた表示領域と走査線駆動回路１５との間のシール材１
９によって概ね覆われる領域に、列設された走査線９の
引き出し配線部分１７および補助容量線４２３の引き出
し配線部分１８に沿って基板間隙調整層２５をパターニ
ング形成するとともに、列設された信号線５の引き出し
配線部分１３どうしの狭間の部分に沿って基板間隙調整
層２７を成膜、パターニングして配置したことを特徴と
している。

【００７０】前記の基板間隙調整層２５、２７は、とも
にこの液晶表示装置の形成材料を用いて形成するように
すれば、基板間隙調整層２５、２７を別の材料を用いて
新たに形成するための成膜工程などを省略することがで
きるので、その構造および製造工程を簡易なものとする
ことができて好ましい。

【００７１】例えば本実施例では、基板間隙調整層２
５、２７の形成材料として、前述の第１の実施例と同様
の材料、つまり走査線９（および引き出し配線部分１
７）の形成材料と、信号線５（および引き出し配線部分
１３）の形成材料と、層間絶縁膜の形成材料２０１と、
保護膜の形成材料２０５とを用いて、走査線９の引き出
し配線部分１７側に設けられる基板間隙調整層２５の基
板２００上面からの高さと信号線５の引き出し配線部分
１３側に設けられる基板間隙調整層２７の基板２００上
面からの高さとを同じ高さに形成している。このときこ
れら基板間隙調整層２５、２７の高さは、例えばＴＦＴ
３や補助容量４１９や補助容量線４２３など、その他の
構成部位の高さよりも高い高さに形成する。このように
して、走査線９の引き出し配線部分１７側の基板間隙と
信号線５の引き出し配線部分１３側の基板間隙とを等し
く支持することができる。

【００７２】そしてその他の走査線９、走査線９の引き
出し配線部分１７、信号線５、信号線５の引き出し配線
部分１３、ＴＦＴ３、補助容量線４２３、シール材１９
の形成領域、走査線駆動回路１５、信号線駆動回路１１
などの各部位は第１の実施例と同様の構造および材料で
形成されている。

【００７３】このような構造に形成された第２の実施例
の液晶表示装置においても、対向配置される 2枚の基板
間隙、いわゆるセルギャップを均一化して、良好な画質
や表示コントラストの画像表示を実現することができ
る。

【００７４】なお、用いることができる材料としては、
上記のような材料構成のみには限定しない。例えば基板
間隙調整層２５、２７を形成する材料として、液晶表示
装置の形成材料とは別に新たに他の形成材料を用いて、
基板間隙調整層２５、２７を単層で形成してもよいこと
は言うまでもない。このような場合には、基板間隙調整
層２５、２７は他の構成部位よりも膜厚が厚くなるの
で、成膜や膜厚制御が容易な材料を用いることが望まし
いことは言うまでもない。

【００７５】また、上記実施例では基板間隙調整層を走
査線９の引き出し配線部分１７側のと信号線５の引き出
し配線部分１３側との両方に配置したが、これのみには
限定せず、いずれか一方の側のみに設けてもよい。この
とき基板間隙調整層はシール材１９で覆われる領域内に
おけるその他の構成部位の高さが低い方の側に設けて、
その高さを高い方の側に揃えるようにすることは言うま
でもない。

【００７６】また、上記実施例では基板間隙調整層２
５、２７を引き出し配線部分１３、１７、１８と全て非
接触に配置したが、これのみには限定せず、例えば各引
き出し配線部分１３、１７、１８に対して沿うように基
板間隙調整層２５、２７を列設し、かつ隣り合う引き出
し配線部分１３、１７、１８には同じ一つの基板間隙調
整層２５、２７のパターンが接触しないような配置に形
成してもよい。このような少なくとも隣り合う引き出し
配線部分１３、１７、１８どうしが短絡しないような配
置であれば、第２の実施例における基板間隙調整層２
５、２７のパターンは種々の変更が可能である。例えば
引き出し配線部分１３、１７、１８に平行に長いパター
ンに形成することなども可能である。

【００７７】（実施例３）図６、図７は第３の実施例の
液晶表示装置を示す平面図である。なおこの第３の実施
例の説明および図６、図７においては、説明の簡潔化の
ために第１の実施例と同様の部位には同じ番号を付して
示すとともに、この第３の実施例における特徴的な部分
を中心として説明する。

【００７８】この第３の実施例の液晶表示装置において
は、シール材１９で囲まれた内側の画素電極７が形成さ
れた表示領域と走査線駆動回路１５との間のシール材１
９によって概ね覆われる領域に、走査線９に接続される
引き出し配線部分１７および補助容量線４２３に接続さ
れる引き出し配線部分１８を走査線９および補助容量線
４２３とは別の材料、例えば導電性の良好なＡｌ（アル
ミニウム）を単層に成膜およびパターニングして形成
し、この引き出し配線部分１７、１８を基板間隙調整層
２９として兼用するとともに、信号線５に接続される引
き出し配線部分１３を信号線５とは別の材料を用いて例
えば前記のＡｌを材料として形成して、この引き出し配
線部分１３を基板間隙調整層３１として兼用することを
特徴としている。

【００７９】前記の基板間隙調整層２９、３１は、とも
に基板２００上面からの高さが同じ高さに形成される。
このようにして、走査線９の引き出し配線部分１７側の
基板間隙と信号線５の引き出し配線部分１３側の基板間
隙とを等しく支持することができる。

【００８０】そしてその他の走査線９、走査線９の引き
出し配線部分１７、信号線５、信号線５の引き出し配線
部分１３、ＴＦＴ３、補助容量線４２３、シール材１
９、走査線駆動回路１５、信号線駆動回路１１などの各
部位は第１の実施例と同様の構造および材料で形成され
ている。

【００８１】このような構造に形成された第２の実施例
の液晶表示装置においても、対向配置される 2枚の基板
間隙、いわゆるセルギャップを均一化して、良好な画質
や表示コントラストの画像表示を実現することができ
る。

【００８２】なお、用いることができる材料としては、
上記のような材料のみには限定しない。基板間隙調整層
２９、３１を形成する材料としては、上記のような単層
のＡｌの他にも、例えばＣｒ／Ｍｏ／Ｃｒの 3層に積層
することなども可能である。あるいはドーパントを打ち
込んで低抵抗化したｐ−Ｓｉを用いてもよい。このよう
な低抵抗化を図ることのできる材料としては、例えばＷ
Ｓｉ_x やＭｏＳｉ_x のようなシリサイドを好適に用いる
ことができる。

【００８３】また、上記実施例では基板間隙調整層２
９、３１を走査線９の引き出し配線部分１７側と信号線
５の引き出し配線部分１３側との両方に配置したが、こ
れのみには限定せず、いずれか一方の側のみに設けても
よい。このとき基板間隙調整層はシール材１９で覆われ
る領域内におけるその他の構成部位の高さが低い方の側
に設けて、高さを高い方の側に揃えるようにすることは
言うまでもない。

【００８４】また、上記実施例では引き出し配線部分１
３、１７、１８の全てを基板間隙調整層２９、３１とし
たが、これのみには限定せず、例えば引き出し配線部分
１３、１７はそれぞれ信号線５、走査線９とは別体でそ
れぞれ基板間隙調整層２９、３１として形成する一方、
補助容量線４２３とその引き出し配線部分１８とは同層
で同じ材料から一体形成して、基板間隙調整層２９とし
ては用いないようにしてもよい。つまり走査線９の引き
出し配線部分１３側と信号線５の引き出し配線部分１７
側とが等しい基板間隙に支持されるように基板間隙調整
層２９、３１を配置すればよい。この他にも、液晶表示
装置の層構造によっては引き出し配線部分１３、１７、
１８のうちいずれか 1種類のみを基板間隙調整層として
兼用するようにする、あるいはいずれか 2種類を基板間
隙調整層として兼用するようにしてもよいことは言うま
でもない。

【００８５】また、上記実施例では基板間隙調整層２
９、３１の平面的パターンを引き出し配線部分１３、１
７、１８と同程度の幅の細線に形成したが、この他に
も、さらに幅広なパターンに形成してもよい。ただしそ
の場合には、隣り合う基板間隙調整層２９、３１どうし
の間が短絡しないように距離を置いて形成することが必
要である。この第３の実施例の場合では、基板間隙調整
層２９、３１は引き出し配線部分１３、１７、１８と兼
用される構造をとっているため、基板間隙調整層２９、
３１は導電性材料から形成されているので、隣り合うパ
ターンどうしが接触すると短絡不良を引き起こすためで
ある。このように少なくとも隣り合う引き出し配線部分
１３、１７、１８どうしが短絡しないような配置であれ
ば、上記の第３の実施例における基板間隙調整層２９、
３１のパターンは種々変更が可能である。

【００８６】上記実施例では、基板の周辺部の 4辺に駆
動回路が配置された液晶表示装置について示したが、本
発明はこれのみには限定しない。この他にも、例えば図
７に示すように、走査線駆動回路１５がＴＦＴアレイ基
板１の周辺部の 1辺だけに配置されて走査線９の一端に
接続され、走査線９の他端は解放状態になっており、信
号線駆動回路１１も基板の周辺部の前記走査線駆動回路
が配置された辺に直交する方向の 2辺のうちの 1辺側だ
けに配置されて信号線５の一端に接続され、信号線５の
他端は解放状態になっているような液晶表示装置におい
ても適用可能である。

【００８７】この場合には、信号線５と信号駆動回路１
１との間のシール材１９に概ね覆われる領域における引
き出し配線部分１３、および走査線９と走査線駆動回路
１５との間のシール材１９に概ね覆われる領域における
引き出し配線部分１７、１８を上記の実施例と同様に基
板間隙調整層２９、３１として兼用する一方、信号線５
および走査線９それぞれの解放端側にも、前記の引き出
し配線部分１３、１７、１８と同様の基板間隙調整層３
０、３２を設けておくことは言うまでもない。この基板
間隙調整層３０、３２は、それぞれ信号線５、走査線９
に電気的に接続されるように設けてもよく、あるいは切
り離していわゆるダミーパターンとして設けてもよい。
図７に示した一例では、基板間隙調整層３０は信号線５
と一体形成されて電気的に接続されている。一方、基板
間隙調整層３２は、走査線９とは切り離されて設けられ
ており補助容量線４２３とは一体形成されて電気的に接
続されている。この他にも、例えば基板間隙調整層３
０、３２は全て電気的に（あるいはパターンとして）切
り離された構造に形成してもよい。あるいは逆に、基板
間隙調整層３０、３２は全て電気的に（あるいはパター
ンとして）接続された構造に形成してもよい。

【００８８】このように駆動回路が走査線や信号線の一
端のみに接続された液晶表示装置の場合においても、上
記のようにその他端側にも基板間隙調整層３０、３２を
設けることにより、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板との
間の基板間隙を、走査線駆動回路１５の配置された基板
1辺に平行な方向と信号線駆動回路１１の配置された基
板 1辺に平行な方向とで等しく均一な間隙に調整するこ
とができる。

【００８９】また、上記実施例以外にも、例えば走査線
駆動回路１５が走査線９の両端に接続されるように基板
の両側に設けられている一方、信号線駆動回路１１は信
号線５の一端だけに接続され他端は解放となるように基
板の 1辺側だけに設けられているような場合などにも、
本発明が適用可能であることは言うまでもない。そのよ
うな場合にも、信号線５の解放端側に上記の図７に示し
たような場合と同様に基板間隙調整層３１と同様の基板
間隙調整層３１と等しい高さに揃えたダミーパターンを
設けて、これを基板間隙調整層３０として用いるように
すればよい。

【００９０】（実施例４）図８は第４の実施例の液晶表
示装置を示す平面図である。なおこの第４の実施例の説
明および図８においては、説明の簡潔化のために第１の
実施例と同様の部位には同じ番号を付して示すととも
に、この第４の実施例における特徴的な部分を中心とし
て説明する。

【００９１】この第４の実施例の液晶表示装置において
は、表示領域外に蓄積容量を設けた場合を示しており、
特にシール材で覆われた領域内にその蓄積容量を設けた
ことを特徴としている。

【００９２】図８（ａ）に示すようにシール材１９で囲
まれた内側の画素電極７が配列された表示領域と走査線
駆動回路１５との間のシール材１９によって概ね覆われ
る領域およびシール材１９で囲まれた内側の画素電極７
が配列された表示領域と信号線駆動回路１１との間のシ
ール材１９によって概ね覆われる領域が、対向する 2枚
の基板どうしの基板間隙を縦横方向ともに均一な間隙に
調整する基板間隙調整領域３３であることを特徴として
いる。具体的には、この基板間隙調整領域３３において
引き出し配線部分１３に沿って蓄積容量３５が形成され
るとともに引き出し配線１３にその一端が接続され他端
は所定の電圧に接続されている。そしてこの蓄積容量３
５の基板２００上面からの高さによって信号線５の引き
出し配線１３側の基板間隙が支持されている。この蓄積
容量３５は、このような基板間隙調整領域３３における
基板間隙調整のために用いられる一方、それぞれが接続
された信号線５の 1ラインごとに映像信号電圧を表示に
適した値に保持するために設けられているものである。

【００９３】この蓄積容量３５は、上記のようなシール
材１９によって覆われた領域以外にも、表示領域内に設
けてもよく、表示領域外に設けてもよい。あるいは蓄積
容量３５を駆動回路内部に作り込んでもよいことは言う
までもない。ただし、上記実施例のようにシール材１９
に覆われる領域に設けることにより、実質的にこの蓄積
容量３５を基板間隙調整層として兼用することができる
という利点があるため、この点で上記実施例は好ましい
ものである。

【００９４】この蓄積容量３５の構造は、例えば図８
（ｂ）に示すように基板２００上に走査線９やゲート４
０５と同層に同じ膜材料から下電極７０１を形成し、そ
の上に層間絶縁膜２０１を誘電体層として形成し、さら
にその上に信号線５およびその引き出し配線部分１３等
に用いる材料から上電極７０３を形成し、この上電極７
０３と前記の下電極７０１との間で誘電体層としての層
間絶縁膜２０１を挟むことにより、蓄積容量３５の主要
部を構成する構造となっている。そしてそれを覆って保
護するようように保護膜２０５が形成されている。この
ように液晶表示装置の形成材料を用いて蓄積容量３５の
主要部を構成すれば、その層構造および製造工程を簡易
なものとすることができるので好ましい。

【００９５】この蓄積容量３５の基板２００上面からの
高さは、補助容量線４２３の引き出し配線部分１８が形
成された部分の基板２００上面からの高さに揃えて均一
な高さに形成されている。つまり蓄積容量３５の基板２
００上面からの高さと、補助容量線４２３の引き出し配
線部分１８の層構造の最上部の高さとが等しく均一にな
るように、引き出し配線部分１８の層構造が図８（ｂ）
に示す蓄積容量３５の層構造と同様に、下層から順に下
電極７０１と同じ膜厚の同じ材料、層間絶縁膜２０１と
同じ膜厚の同じ材料、上電極７０３と同じ膜厚の同じ材
料、保護膜２０５、という層構造に形成されている。こ
のとき、上電極７０３と同じ膜厚の同じ材料で形成され
た引き出し配線部分１８の上層部分は蓄積容量３５とは
異なり外部の電源に接続されておらずフローティング状
態となっているので、この引き出し配線部分１８には表
示に対して実質的に悪影響を与えるような電気容量（つ
まりこの引き出し配線部分１８を通る電流の鈍りや遅延
など）はほとんど無視できるほど小さいものとなってい
る。

【００９６】このようにして、走査線９の引き出し配線
部分１７側の基板間隙と信号線５の引き出し配線部分１
３側の基板間隙とを等しく支持することができる。

【００９７】そしてその他の走査線９、走査線９の引き
出し配線部分１７、信号線５、信号線５の引き出し配線
部分１３、ＴＦＴ３、シール材１９の形成領域、走査線
駆動回路１５、信号線駆動回路１１などの各部位は第１
の実施例と同様の構造および材料で形成されている。

【００９８】このような構造に形成された第４の実施例
の液晶表示装置においても、対向配置される 2枚の基板
間隙、いわゆるセルギャップを均一化して、良好な画質
や表示コントラストの画像表示を実現することができ
る。

【００９９】なお、上記実施例では基板間隙調整領域３
３において基板間隙調整のために信号線５の引き出し配
線部分１３に配置される蓄積容量３５を用いたが、本発
明はこれのみには限定しない。

【０１００】この他にも例えば基板２００上に形成され
た（いわゆる駆動回路一体型の）信号線駆動回路１１お
よび走査線駆動回路１５の一部あるいは全体をシール材
１９に概ね覆われる基板間隙調整領域３３内に含まれる
ように形成し、信号線駆動回路１１および走査線駆動回
路１５の構成部位の一部あるいは全体の高さによって、
信号線５の引き出し配線部分１３側と走査線９の引き出
し配線部分１７側との基板間隙を均一に支持するような
構造に形成してもよい。

【０１０１】あるいは、基板間隙調整領域３３において
上記のように蓄積容量３５を用いて信号線５の引き出し
配線部分１３側の基板の支持高さを調整することにより
基板間隙を調整するとともに、その一方で走査線９の引
き出し配線部分１７側には前述の第１乃至第３の実施例
で示したような基板間隙調整層２３、２５、２９を形成
して、走査線９の引き出し配線部分１７側の基板の支持
高さを調整することにより基板間隙を調整して、両側の
基板間隙を等しく均一に調整することも可能である。ま
た補助容量線４２３の引き出し配線部分１８のみなら
ず、走査線９の引き出し配線部分１７および信号線５の
引き出し配線部分１３の両方にも基板間隙調整層２３、
２５、２９のような基板間隙調整層を形成してもよいこ
とは言うまでもない。

【０１０２】このように基板間隙調整領域３３において
基板の縦横両方向にわたって基板間隙を均一に保持する
ことができる。

【０１０３】なお、本発明によれば、以上の各実施例で
示したような基板間隙調整領域あるいは基板間隙調整層
によって 2枚の基板の基板間隙を基板の縦横両方向にわ
たって等しく保つことができるので、 2枚の基板の面方
向での剛性が十分なものであれば、従来の液晶表示装置
において画素電極が配列された表示領域に散布されてい
たスペーサを省略することも可能である。このような画
素電極が配列された表示領域には、低密度とは言えども
スペーサのような液晶とは透過率の異なる部材を配置し
ないことが望ましい。したがって本発明を用いてスペー
サを省略することによって、画質のさらなる向上を図る
ことができる。

【０１０４】また、以上の第１乃至第４の実施例におい
ては、活性層が多結晶シリコンからなるいわゆるｐｏｌ
ｙ−ＳｉＴＦＴを用いた場合について述べたが、この他
にも、ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴのみならず単結晶ＳｉＴＦ
Ｔあるいはａ−ＳｉＴＦＴをスイッチング用のＴＦＴと
して用いた場合や、ＴＦＴのなかでもスタガ型ＴＦＴ構
造の場合も逆スタガ型ＴＦＴ構造の場合も、あるいはＭ
ＩＭ素子のような 2端子素子を用いた場合においても、
本発明の技術は適用可能であることは言うまでもない。

【０１０５】また、走査線駆動回路や信号線駆動回路は
スイッチング用のＴＦＴと同様にｐ−Ｓｉを用いて同時
に形成する場合を示したが、例えば駆動回路のみを単結
晶Ｓｉで形成してもよく、あるいは駆動回路として液晶
駆動用ＬＳＩを用いてガラス基板上にＣＯＧ（Chip On
Glass ）方式で実装してもよい。

【０１０６】あるいは、図示は省略したが駆動回路のさ
らに外側にも上記のシール材料とは別に第２のシール材
を設けて、駆動回路を外部の湿度や温度変化等から保護
して耐久性のさらなる向上を図るようにしてもよい。

【０１０７】あるいは、上記の各実施例では対向基板が
ＴＦＴアレイ基板の外形寸法よりも小さい場合について
示したが、これのみには限定せず、液晶表示パネルを一
つの大型ガラス基板上に複数多面取りして製造する場合
などには、 2枚の基板を対向して貼り合わせ液晶層を注
入した後のスクライブの簡易化を図るために、対向基板
の外形寸法をＴＦＴアレイ基板と同じ大きさ以上の大き
さにしてもよい。

【０１０８】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、本発明の液晶表示装置の各部位の形成材料などの変
更が種々可能であることは言うまでもない。

【０１０９】

【発明の効果】以上、詳細な説明で明示したように、本
発明によれば、液晶表示装置において対向配置される 2
枚の基板間隙（いわゆるセルギャップ）を均一化して、
良好な画質や表示コントラストの画像表示を実現するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の液晶表示装置の構造を示す図。

【図２】第１の実施例の液晶表示装置における信号線５
の引き出し配線部分１３近傍の構造を示す図。

【図３】第１の実施例の液晶表示装置における走査線９
の引き出し配線部分１７近傍の構造を示す図。

【図４】第１の実施例の液晶表示装置における一画素部
分の構造を示す図。

【図５】第２の実施例の液晶表示装置の構造を示す図。

【図６】第３の実施例の液晶表示装置の構造を示す図。

【図７】第３の実施例の液晶表示装置において、片側だ
けに駆動回路を配置した場合の液晶表示装置の構造を示
す図。

【図８】第４の実施例の液晶表示装置の構造を示す図。

【図９】従来の液晶表示装置の構造を示す図。

【図１０】従来の液晶表示装置における信号線５０５の
引き出し配線部分近傍の構造を示す図。

【図１１】従来の液晶表示装置における走査線５０９の
引き出し配線部分近傍の構造を示す図。

【符号の説明】

１…ＴＦＴアレイ基板、３…ＴＦＴ、５…信号線、７…
画素電極、９…走査線、１１…信号線駆動回路、１３…
信号線の引出し配線部分、１５…走査線駆動回路、１７
…走査線の引き出し配線部分、１９…シール材、２１、
２３…基板間隙調整部材

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 スイッチ素子と前記スイッチ素子に接続
   された走査線および信号線と前記スイッチ素子に接続さ
   れた画素電極とを有するスイッチ素子アレイ基板と、前
   記走査線に接続された走査線駆動回路と、前記信号線に
   接続された信号線駆動回路と、前記画素電極に間隙を有
   して対向配置され表示領域を形成する対向電極を有し前
   記表示領域の周囲に形成されたシール材によって前記ス
   イッチ素子アレイ基板に接着された対向基板と、周囲を
   前記シール材によって封止され前記スイッチング素子ア
   レイ基板と前記対向基板との基板間隙に挟持された光変
   調層とを有する液晶表示装置において、 前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域におけ
   る基板間隙と前記表示領域と前記信号線駆動回路との間
   の領域における基板間隙とを均一に調整する基板間隙調
   整領域を、前記シール材によって覆われる部分を含む前
   記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域および前
   記表示領域と前記信号線駆動回路との間の領域のうち少
   なくともいずれか一方の領域に設けたことを特徴とする
   液晶表示装置。
2. 【請求項２】 スイッチング素子と前記スイッチング素
   子に接続された走査線および信号線と前記スイッチング
   素子に接続された画素電極とを有するスイッチング素子
   アレイ基板と、前記走査線に接続された走査線駆動回路
   と、前記信号線に接続された信号線駆動回路と、前記画
   素電極に間隙を有して対向配置され表示領域を形成する
   対向電極を有し前記表示領域の周囲に形成されたシール
   材によって前記スイッチング素子アレイ基板に接着され
   た対向基板と、周囲を前記シール材によって封止され前
   記スイッチング素子アレイ基板と前記対向基板との基板
   間隙に挟持された光変調層とを有する液晶表示装置にお
   いて、 前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域におけ
   る基板間隙と前記表示領域と前記信号線駆動回路との間
   の領域における基板間隙とを均一な間隙に調整する基板
   間隙調整層を、前記シール材によって覆われる部分を含
   む前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域およ
   び前記表示領域と前記信号線駆動回路との間の領域のう
   ち少なくともいずれか一方に設けたことを特徴とする液
   晶表示装置。
3. 【請求項３】 スイッチング素子と前記スイッチング素
   子に接続された走査線および該走査線に交差するように
   配置された信号線と前記スイッチング素子に接続された
   画素電極と、前記走査線の両端にそれぞれ接続されるよ
   うに基板両端の 2辺に沿ってそれぞれ配置された走査線
   駆動回路と、前記信号線の両端にそれぞれ接続されるよ
   うに走査線駆動回路が形成された前記基板の 2辺とは異
   なる基板両端の 2辺にそれぞれ配置された信号線駆動回
   路とを有するスイッチング素子アレイ基板と、前記画素
   電極に間隙を有して対向配置され表示領域を形成する対
   向電極を有し前記表示領域の周囲に形成されたシール材
   によって前記スイッチング素子アレイ基板に接着された
   対向基板と、周囲を前記シール材によって封止され前記
   スイッチング素子アレイ基板と前記対向基板との基板間
   隙に挟持された光変調層とを有する液晶表示装置におい
   て、 前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域におけ
   る基板間隙と前記表示領域と前記信号線駆動回路との間
   の領域における基板間隙とを均一な間隙に調整する基板
   間隙調整層を、前記シール材によって覆われる部分を含
   む前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域およ
   び前記表示領域と前記信号線駆動回路との間の領域のう
   ち少なくともいずれか一方に設けたことを特徴とする液
   晶表示装置。
4. 【請求項４】 スイッチング素子と前記スイッチング素
   子に接続された走査線および該走査線に交差するように
   配置された信号線と前記スイッチング素子に接続された
   画素電極と、前記走査線の一端に接続されて該走査線の
   他端は電気的に解放状態となるように基板の 1辺に配置
   された走査線駆動回路と、前記信号線の一端に接続され
   て該信号線の他端は電気的に解放状態となるように前記
   走査線駆動回路の配置された前記基板の 1辺とは異なる
   向きの 1辺に配置された信号線駆動回路とを有するスイ
   ッチング素子アレイ基板と、前記画素電極に間隙を有し
   て対向配置され表示領域を形成する対向電極を有し前記
   表示領域の周囲に形成されたシール材によって前記スイ
   ッチング素子アレイ基板に接着された対向基板と、周囲
   を前記シール材によって封止され前記スイッチング素子
   アレイ基板と前記対向基板との基板間隙に挟持された光
   変調層とを有する液晶表示装置において、 前記スイッチング素子アレイ基板と前記対向基板との間
   の基板間隙を、前記走査線駆動回路の配置された前記基
   板の 1辺と平行な方向と前記信号線駆動回路の配置され
   た前記基板の 1辺と平行な方向とで等しく均一な間隙に
   調整する基板間隙調整領域または基板間隙調整層を、前
   記シール材によって覆われる部分を含む前記表示領域の
   外周部のうち前記走査線駆動回路の配置された前記基板
   の 1辺と平行な方向および前記信号線駆動回路の配置さ
   れた前記基板の 1辺と平行な方向のうち少なくともいず
   れか一方に設けたことを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】 請求項１乃至請求項４記載の液晶表示装
   置において、 前記基板間隙調整領域または前記基板間隙調整層を、走
   査線および信号線のうち少なくとも一方に重なるように
   設けたことを特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項４記載の液晶表示装
   置において、 前記基板間隙調整領域または前記基板間隙調整層を、走
   査線および信号線に沿って設けたことを特徴とする液晶
   表示装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項６記載の液晶表示装
   置において、 前記基板間隙調整層の形成材料として前記液晶表示装置
   に用いられる材料のうち少なくとも一つの材料を用いた
   ことを特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 請求項１乃至請求項７記載の液晶表示装
   置において、 前記表示領域と前記走査線駆動回路との間の領域に形成
   される基板間隙調整層を、前記信号線の形成材料を用い
   て形成し、前記表示領域と前記信号線駆動回路との間の
   領域に形成される基板間隙調整層を、前記走査線の形成
   材料を用いて形成してなることを特徴とする液晶表示装
   置。
9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項８記載の液晶表示装
   置において、 前記基板間隙調整領域または前記基板間隙調整層が、前
   記走査線および前記信号線と電気的に絶縁されているこ
   とを特徴とする液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至請求項９記載の液晶表示
    装置において、 前記表示領域における基板間隙を、前記基板間隙調整領
    域または前記基板間隙調整層によって均一に調整してな
    ることを特徴とする液晶表示装置。