WO2017077679A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Definitions
- a method for realizing a large screen display device there is known a method in which a large number of display devices having a small screen size are connected and tiled to display the entire screen.
- a display device is realized by connecting a plurality of LCDs or plasma display panels (PDP) using a glass substrate, the end portions of the respective display devices are arranged as close as possible.
- PDP plasma display panels
- Such a display device has a non-display area such as a peripheral sealing portion outside the effective display area. For this reason, there is a problem that the width of the joint portion between the display devices that cannot display an image becomes large, and the joint portion becomes conspicuous.
- the present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to provide a large-screen display device with high display quality in which a seam is difficult to be recognized even when a plurality of configurations are used.
- Adjacent electro-optic element drive substrates are connected to the other edge of one electro-optic element drive substrate and the edge of the nearest pixel electrode on the other electro-optic element drive substrate.
- the distance may be a distance of a viewing angle of 1 minute or less calculated from the observation distance.
- the electro-optic element driving substrate and the electro-optic element substrate may be bonded via an adhesive.
- the electro-optic element driving substrate may have flexibility.
- edge portions where the adjacent electro-optic element driving substrates are separated from each other may overlap each other.
- the electro-optic element substrate includes a substrate, a transparent electrode formed on the substrate, a polymer dispersed liquid crystal element formed on the transparent electrode, and an adhesive formed on the polymer dispersed liquid crystal element. You may prepare.
- the electro-optic element substrate may include a substrate, a transparent electrode formed on the substrate, an electrophoretic element formed on the transparent electrode, and an adhesive formed on the electrophoretic element.
- Another aspect of the present invention is a method for manufacturing the above-described display device, the step of connecting a plurality of substrates to each other, and the step of creating an electroluminescent element on the plurality of substrates after the step of connecting.
- the manufacturing method of the display apparatus containing this.
- the display device of the present invention is a display device that forms a large display by connecting a plurality of display devices, and the interval between display devices adjacent to each other, that is, the boundary seam is not recognized. Can be.
- FIG. 1A is a cross-sectional view of a display unit of a display device according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 1B is a plan view of the display unit surface of the display device according to the embodiment of the present invention.
- FIG. 1C is a plan view of the back surface of the display unit of the display device according to the embodiment of the present invention.
- FIG. 2A is a cross-sectional view of an electro-optic element driving substrate according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 2B is a cross-sectional view of an electro-optic element substrate according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 3A is a diagram illustrating a method for manufacturing an electro-optic element driving substrate according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 3A is a diagram illustrating a method for manufacturing an electro-optic element driving substrate according to an embodiment of the present invention.
- the display device 100 can connect a plurality of electro-optical element driving substrates.
- a configuration in which two electro-optical element driving substrates are connected will be described as an example.
- FIG. 1A is a cross-sectional view of a display unit of the display device 100
- FIG. 1B is a top plan view of the display device 100
- FIG. 1C is a back plan view of the display device 100.
- two electro-optic element driving substrates 20 each including a flexible substrate 1B and a plurality of pixel electrodes 5 arranged at an equal pitch on the flexible substrate 1B are arranged adjacent to each other.
- the ends of the flexible substrates 1B of the adjacent electro-optical element driving substrates 20 are connected to each other, and are electrically driven by the electro-optical element driving substrates 20 on the two electro-optical element driving substrates 20.
- One electro-optic element substrate 40 is laminated.
- a barrier film 6 that shields the display device 100 from the outside air may be provided on the outer periphery of the display device 100.
- FIG. 2A is a cross-sectional view of the electro-optic element driving substrate 20.
- the electro-optical element driving substrate 20 includes a flexible substrate 1B and a pixel electrode 5, and has flexibility.
- one pixel pitch of the pixel electrode 5 of the electro-optic element driving substrate 20 is expressed as “PIX”.
- Pixel electrodes 5 are formed within one pixel pitch from the end portion 11 of the flexible substrate 1B.
- the end portion 11 of the upper flexible substrate 1B and the lower flexible substrate 1B is preferably 1 pixel pitch or less.
- the viewing angle is 1 minute or less (when the viewing distance is 730 mm, 0.212 mm or less).
- step difference at this time is the thickness of the flexible substrate 1B, and it is preferable that it is 0.2 mm or less.
- FIG. 3A to 3C are diagrams showing a method for manufacturing the electro-optic element driving substrate 20.
- FIG. In the manufacture of the electro-optic element driving substrate 20, first, the support substrate 60 is prepared (FIG. 3A (a)), and the flexible substrate 1B is laminated on the support substrate 60 via the adhesive sheet 61 (FIG. 3A). (B)).
- the pressure-sensitive adhesive sheet 61 is preferably one whose adhesiveness is reduced by cooling (5 ° C. or lower).
- the gate electrode 62, the gate wiring 62 ', the capacitor electrode 63, and the capacitor wiring 63' are formed on the flexible substrate 1B ((c) in FIG. 3A).
- glass is suitable.
- the flexible substrate 1B PET, PEN, PES, PI, PEI, or the like can be used.
- materials for the gate electrode 62, the gate wiring 62 ', the capacitor electrode 63, and the capacitor wiring 63' metals such as Al, Ag, Cu, and Au can be used.
- Each electrode and wiring can be formed by vacuum film formation and photolithography, but can also be formed by a printing method using ink in which the above-described metals are made into nanoparticles and dispersed in a solvent.
- the source electrode 65, the source wiring 65 ′, the drain electrode 66, and A lower pixel electrode 67 is formed ((e) in FIG. 3B).
- a material of the gate insulating film 64 an inorganic insulating film such as SiO 2 or SiN, or an organic insulating film such as polyvinyl phenol or epoxy can be used.
- the gate insulating film 64 can be formed by sputtering, application of a liquid agent, and baking.
- a semiconductor pattern 68 is formed in a region including between the source electrode 65 and the drain electrode 66 ((f) in FIG. 3B), and further, a protective layer 68 ′ is formed so as to cover the semiconductor pattern 68 ( (G) of FIG. 3B).
- a material of the semiconductor pattern 68 a silicon semiconductor, an oxide semiconductor, an organic semiconductor, or the like can be used.
- the semiconductor pattern 68 can be formed by CVD, sputtering, or printing.
- As the material of the protective layer 68 ′ SiO 2 , SiN, or fluorine-based resin can be used.
- the protective layer 68 ′ can be formed by CVD, sputtering, or printing.
- an interlayer insulating film 69 having an opening is formed on the lower pixel electrode 67 (FIG. 3C (h)), and further the pixel electrode 5 is formed (FIG. 3C (i)).
- the pixel electrode 5 is connected to the lower pixel electrode 67 through the opening of the interlayer insulating film 69.
- the interlayer insulating film 69 is preferably an organic insulating film using epoxy or the like and can be formed by a printing method.
- the pixel electrode 5 can be formed by printing using Ag paste, C paste, or the like.
- the pixel electrode 5 is preferably black or a material that reflects light.
- the gate wiring and the source wiring are connected to the driving IC outside the display area.
- An electro-optic layer 3 is formed on the transparent electrode 2.
- the electro-optic layer 3 is formed by uniformly applying a liquid mixture of a photocurable polymer material and a liquid crystal, which is cured by polymerization reaction with light (ultraviolet wavelength region), by spin coating, slit coater, screen printing or gravure printing.
- a polymer-dispersed liquid crystal that is coated and cured with a predetermined wavelength and light amount can be used. If the polymer dispersed liquid crystal is desired to have a uniform film thickness, the mixed solution may be covered with a flat plate with a Teflon (registered trademark) sheet, and the polymer may be cured while applying pressure to the plate.
- the adhesive 4 is uniformly coated on the electro-optic layer 3 by spin coating, slit coater, screen printing or gravure printing to obtain an electro-optic element substrate 40.
- the two electro-optic element driving substrates 20 and the one electro-optic element substrate 40 prepared as described above are bonded together by applying pressure with a laminating apparatus.
- the number of electro-optical element substrates 40 is smaller than the number of electro-optical element driving substrates 20.
- the electro-optic element driving substrate 20 is preferably connected with a pitch of 1 pixel or less between adjacent substrates, but this is performed by precise alignment on the stage of the bonding apparatus.
- two electro-optic element driving substrates 20 may be aligned in advance by an alignment device and connected. In that case, it is preferable to allow the adhesive to penetrate into the connecting portion.
- the connecting portion step at this time is the thickness of the flexible substrate 1B and the thickness of the adhesive, and is preferably 0.2 mm or less.
- the substrate prepared as described above is covered with the barrier film 6 and hermetically sealed using a thermocompression bonding device to obtain the display device 100.
- an electroluminescence element can be used as the electro-optic element.
- an embodiment of the display device 110 according to the second embodiment will be described in detail with reference to the drawings.
- FIG. 4 shows a cross-sectional view of the display device 110.
- the display device 110 includes two electro-optic element driving substrates 20 having a boundary portion 10 connected so that one side is in contact, one electro-optic element 50 using an electroluminescence element, and blocks them from the outside air. It consists of a barrier film 6.
- the electro-optic element driving substrate 20 includes a flexible substrate 1B and a pixel electrode 5. Although not shown, when each pixel electrode 5 is driven by an active element such as a TFT, a gate, a source, a storage capacitor electrode, an insulating film, a semiconductor layer, and the like are arranged to drive the pixel electrode 5. ing.
- the method of creating the electro-optic element driving substrate 20 is the same as described above except for the pixel electrode 5. That is, the pixel electrode 5 is formed by patterning magnesium oxide or the like having an optimal work function for the electroluminescence element.
- an electroluminescence element is laminated as the electro-optic element 7 on the pixel electrode 5 of the connected electro-optic element driving substrate 20.
- the electroluminescence element is formed by spin coating, and is formed by forming a light emitting layer, a hole transport layer, and a transparent electrode.
- the produced substrate is covered with the barrier film 6 and sealed with a thermocompression bonding device to form the display device 110.
- Example 1 5A to 5C show a manufacturing method of the display device according to the embodiment.
- the electro-optic element driving substrate 20 was formed so that the number of pixels was 640 ⁇ 540, the pixel pitch was 0.369 mm, and the display area 70 was 236.16 mm ⁇ 199.26 mm (FIG. 5A).
- FIG. 5B 6 sheets were combined to form a 32-inch full HD (pixel count 1980 ⁇ 1080, display area 708.48 mm ⁇ 398.52 mm) display device.
- a 300 mm square glass substrate is prepared as the support substrate 60 ((a) in FIG. 3A), and a PEN substrate (thickness 25 ⁇ m) is used as the flexible substrate 1B through the adhesive sheet 61 whose adhesive strength is reduced by cooling. Lamination was performed ((b) in FIG. 3A).
- the epoxy solution was screen printed and baked to form an interlayer insulating film 8 ((h) in FIG. 3C). Further, carbon paste was screen printed and baked to form the upper pixel electrode 9 ((i) in FIG. 3C), and a thin film transistor array was obtained. Finally, by cooling to 5 ° C. or lower, the adhesive strength of the adhesive sheet 61 was reduced, and the electro-optic element driving substrate 20 was peeled from the support substrate 60. As shown in FIG. 5A, the peeled electro-optical element drive substrate 20 is provided with a gate wiring exposed portion 71 when the outer shape is cut so that the gate wiring 62 'is exposed when the electro-optical element driving substrate 20 is overlaid.
- a PEN substrate (outside size 730 mm ⁇ 420 mm) was prepared as the flexible substrate 1A, and ITO was sputtered to form the transparent electrode 2.
- a liquid mixture of an ultraviolet curable polymer material and liquid crystal was applied on the transparent electrode 2 with a slit coater, and cured by irradiating with ultraviolet rays to obtain the electro-optical layer 3.
- the adhesive 4 was applied by a slit coater to obtain an electro-optic element substrate 40.
- Example 2 The electro-optic element driving substrate 20 was manufactured by the same manufacturing method as in Example 1 with the number of pixels of 640 ⁇ 540, the pixel pitch of 0.369 mm, and the display area of 236.16 mm ⁇ 199.26 mm. As shown in FIG. 5B, 6 sheets were combined to form a 32-inch full HD (pixel count 1980 ⁇ 1080, display area 708.48 mm ⁇ 398.52 mm) display device.
- the electro-optic element driving substrate 20 is aligned on the stage of the bonding apparatus at a viewing angle of 1 minute (0.212 mm as a viewing distance of 730 mm) or less.
- Example 1 a polymer-dispersed liquid crystal was used for the electro-optic layer 3 of the electro-optic element substrate 40. However, in Example 2, a microcapsule type electrophoretic layer was formed, and the same production method as in Example 1 was used. A display device was obtained. In Examples 1 and 2, image display was performed, and it was confirmed that none of the unnaturalness of the joint portion of the display device was felt.
- the present invention is useful for display devices.
- Electro-optic element drive board 40 Electric Optical element substrate 50 Electro-optical element 60 Support substrate 61 Adhesive sheet 62 Gate electrode 62 'Gate wiring 63 Capacitor electrode 63' Capacitor wiring 64 Gate insulating film 65 Source electrode 65 'Source wiring 66 Drain electrode 67 Lower pixel electrode 68 Semiconductor pattern 68' Protective layer 69 Interlayer insulating film 70 Display area 71 Exposed portion of gate wiring
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Abstract
継ぎ目が認識され難く表示品質の高い大画面の表示装置を提供する。表示装置は、所定の画素ピッチの複数の画素電極をそれぞれ有し、それぞれの表示領域が隣接するように各端縁部が連結された複数の電気光学素子駆動基板と、複数の電気光学素子駆動基板上に積層され、複数の電気光学素子駆動基板により電気的に駆動される、複数の電気光学素子駆動基板より少ない数の、電気光学素子基板とを備える、表示装置である。
Description
本発明は表示装置及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、パネルモジュールのタイリング構造及びパネルモジュールの接続方法、及びその製造方法に関する。
電子ペーパーの用途として、電車内や屋外、店舗、公共施設等における広告表示や掲示板、案内板などサイネージへの応用が提案されている。これらの用途では、表示画面サイズが大きいものが要望されている。しかしながら、大画面の表示装置を製造するには歩留まり、製造設備を考慮すると、製造コストが大幅に上昇するという問題が生じる。
大画面表示装置を実現する別の方法として、小さな画面サイズの表示装置を多数枚連結タイリングして、全体で表示を行う方法が知られている。ガラス基板を用いたLCDやプラズマディスプレイパネル(PDP)等を複数枚連結して表示装置を実現する場合、各表示装置の端部がなるべく接するように配置される。
しかしながら、このような表示装置は、有効表示領域の外側に、周辺封止部等の非表示領域がある。そのため、画像を表示できない表示装置間の継ぎ目部分の幅が大きくなってしまい、継ぎ目が目だってしまうという問題があった。
そこで、表示装置間の継ぎ目部分の幅を小さくする手法として、例えば、表示装置の周縁部の一部を有効表示領域に掛からない範囲で、厚さ方向に重ねる方法等が提案されている(特許文献1、2)。
しかし、上記の提案されている方法は、連結する表示装置を重ねるものであり、連結部段差が大きくなるものであった。また、継ぎ目部分の狭額縁化と言う観点では不十分であった。したがって、上記の提案されている方法では、不自然な繋がり方を完全に解消することはできなかった。
本発明は上記状況を鑑みなされたものであり、複数で構成しても、継ぎ目が認識され難く表示品質の高い大画面表示装置を提供することを目的とする。
上述の目的を達成するための本発明の一局面は、所定の画素ピッチの複数の画素電極をそれぞれ有し、それぞれの表示領域が隣接するように各端縁部が連結された複数の電気光学素子駆動基板と、複数の電気光学素子駆動基板上に積層され、複数の電気光学素子駆動基板により電気的に駆動される、複数の電気光学素子駆動基板より少ない数の、電気光学素子基板とを備える、表示装置である。
また、隣接する電気光学素子駆動基板どうしは、一方の電気光学素子駆動基板の、他方寄りの端縁と、他方の電気光学素子駆動基板上の、一方に最寄の画素電極の端縁との距離が、画素ピッチ以下であってもよい。
また、隣接する電気光学素子駆動基板どうしは、一方の電気光学素子駆動基板の、他方寄りの端縁と、他方の電気光学素子駆動基板上の、一方に最寄の画素電極の端縁との距離が、観察距離から算出される視角1分以下の距離であってもよい。
また、電気光学素子駆動基板と、電気光学素子基板とは接着剤を介し、接着されてもよい。
また、電気光学素子駆動基板は、可撓性を有してもよい。
また、電気光学素子基板は、可撓性を有してもよい。
また、隣接する電気光学素子駆動基板どうしの離接する端縁部分は、重なっていてもよい。
また、電気光学素子基板は基板と、基板上に形成された透明電極と、透明電極上に形成された高分子分散型液晶素子と、高分子分散型液晶素子上に形成された接着剤とを備えてもよい。
また、電気光学素子基板は基板と、基板上に形成された透明電極と、透明電極上に形成された電気泳動素子と、電気泳動素子上に形成された接着剤とを備えてもよい。
また、本発明の他の局面は、上述の表示装置の製造方法であって、複数の基板を互いに連結する工程と、連結する工程の後に、複数の基板上にエレクトロルミネッセンス素子を作成する工程とを含む、表示装置の製造方法である。
以上説明したとおり、本発明の表示装置は、複数の表示装置を連結する事により、大きな表示を形成する表示装置であって、相互に隣接した表示装置の間隔、すなわち境界部の継ぎ目が認識されないようにすることができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態に係る表示装置100を詳しく説明する。表示装置100は、複数の電気光学素子駆動基板を連結することができるが、以下の実施の形態では、例として、2つの電気光学素子駆動基板を連結した構成について説明する。
図1Aは表示装置100の表示部の断面図であり、図1Bは表示装置100の表面平面図であり、図1Cは表示装置100の裏面平面図である。表示装置100は、可撓性基板1Bおよび可撓性基板1B上に等ピッチで配置された複数の画素電極5とを備えた電気光学素子駆動基板20が、2枚隣接するように配置されるとともに、隣接する電気光学素子駆動基板20の可撓性基板1Bの端部どうしが連結され、2枚の電気光学素子駆動基板20上に、これらの電気光学素子駆動基板20により電気的に駆動される1枚の電気光学素子基板40が積層されている。
図1Aに示したように、表示装置100の外周には、表示装置100を外気から遮断するバリアフィルム6を設けてもよい。
図2Aは電気光学素子駆動基板20の断面図である。図2Aに示すように、電気光学素子駆動基板20は、可撓性基板1Bと画素電極5とを有し、可撓性を有する。図2Aには、電気光学素子駆動基板20の画素電極5の1画素ピッチは「PIX」と表記してある。可撓性基板1Bの端部11から1画素ピッチ内に画素電極5が形成されている。また、電気光学素子駆動基板20間の境界部10では、連結された2つの可撓性基板1Bのうち、上側の可撓性基板1Bの端部11と、下側の可撓性基板1Bの端部11に隣接する画素電極5の端部12との距離Xは1画素ピッチ以下であることが好ましい。特に、視認性の観点からは、視角1分以下(視認距離730mmとした場合0.212mm以下)になるよう連結することが好ましい。またこの時の連結部段差は、可撓性基板1Bの厚さであり、0.2mm以下であることが好ましい。
また図示していないが、各画素電極5をTFT等のような能動素子で駆動する場合は、ゲート、ソース、キャパシタ電極、及び絶縁膜、半導体層等が画素電極5を駆動すべく配置されている。
また図示していないが、各画素電極5をTFT等のような能動素子で駆動する場合は、ゲート、ソース、キャパシタ電極、及び絶縁膜、半導体層等が画素電極5を駆動すべく配置されている。
図3A~図3Cは、電気光学素子駆動基板20の製造方法を示す図である。電気光学素子駆動基板20の製造では、はじめに、支持基板60を用意し(図3Aの(a))、支持基板60の上に粘着シート61を介して可撓性基板1Bをラミネートする(図3Aの(b))。粘着シート61は、冷却(5℃以下)により粘着性が低下するものが好適である。次に、可撓性基板1Bの上に、ゲート電極62、ゲート配線62’、キャパシタ電極63、キャパシタ配線63’を形成する(図3Aの(c))。支持基板60の材質としてはガラスが好適である。可撓性基板1Bの材質としては、PET、PEN、PES、PI、PEI等を用いることができる。ゲート電極62、ゲート配線62’、キャパシタ電極63、キャパシタ配線63’の材質としてはAl、Ag、Cu、Au等の金属を用いることができる。各電極及び配線の形成は、真空成膜とフォトリソグラフィとにより行うことができるが、先に挙げた金属をナノパーティクル化して溶媒に分散したインキを用い、印刷法により形成することもできる。
次に、可撓性基板1B及び各電極及び配線上の所定の位置に、ゲート絶縁膜64を形成した後(図3Aの(d))、ソース電極65、ソース配線65’、ドレイン電極66及び下部画素電極67を形成する(図3Bの(e))。ゲート絶縁膜64の材質には、SiO2やSiN等の無機絶縁膜や、ポリビニルフェノール、エポキシ等の有機絶縁膜を用いることができる。ゲート絶縁膜64の形成は、スパッタや、液剤の塗布及び焼成で行うことができる。ソース電極65、ソース配線65’、ドレイン電極66、下部画素電極67の材質としてはAl、Ag、Cu、Au等の金属を用いることができる。ソース電極65、ソース配線65’、ドレイン電極66、下部画素電極67の形成は、真空成膜とフォトリソグラフィとにより行うことができるが、先に挙げた金属をナノパーティクル化して溶媒に分散したインキを用い、印刷法により形成することもできる。
次に、ソース電極65とドレイン電極66との間を含む領域に、半導体パターン68を形成し(図3Bの(f))、さらに、半導体パターン68を覆うように保護層68’を形成する(図3Bの(g))。半導体パターン68の材質としては、シリコン半導体、酸化物半導体、有機半導体等を用いることができる。半導体パターン68の形成は、CVDやスパッタ、または印刷法で行うことができる。保護層68’の材質としては、SiO2やSiN、またはフッ素系樹脂を用いることができる。保護層68’の形成は、CVDやスパッタ、または印刷法を用いることができる。
続いて、下部画素電極67上に開口部を有する層間絶縁膜69を形成し(図3Cの(h))、さらに、画素電極5を形成する(図3Cの(i))。画素電極5は層間絶縁膜69の開口部を介して、下部画素電極67に接続されている。これにより薄膜トランジスタアレイが形成される。層間絶縁膜69にはエポキシ等を用いた有機絶縁膜が好適であり、印刷法で形成できる。画素電極5には、Agペーストや、Cペースト等を用い、印刷法で形成できる。また、画素電極5には黒色又は光を反射する材質が好適である。図には記載していないが、ゲート配線、ソース配線は表示領域外において駆動用ICに接続されている。
図2Bは電気光学素子基板40の断面図である。電気光学素子基板40は可撓性を有する。本実施形態では、可撓性基板1Aは、可撓性基板1Bの略2枚分の大きさである。可撓性基板1Aの上に透明電極2(ITO、IZO等)をスパッタにて成膜する。または、ナノ粒子材料をスピンコート、スリットコータ、スクリーン印刷あるいはグラビア印刷により均一に塗膜してもよい。この透明電極2は共通電極である為、基本的にはパターニング不要である。
透明電極2の上に、電気光学層3を形成する。電気光学層3は、例えば光(紫外線の波長領域)により重合反応して硬化する光硬化性の高分子材料と液晶との混合液を、スピンコート或いはスリットコータ、スクリーン印刷あるいはグラビア印刷により均一に塗膜し、所定の波長と光量とにより高分子を硬化させた高分子分散型液晶を用いることができる。なお高分子分散型液晶を均一膜厚にしたい場合には、混合液をテフロン(登録商標)シート付平板により覆い、その板に圧力を印加しながら高分子を硬化させてもよい。
電気光学層3としては、電気泳動層を用いてもよい。これは、透明溶媒が満たされたマイクロカプセル中に負に帯電した白い粒子と、正に帯電した黒い粒子が電界により電気泳動可能に分散されたもので、このマイクロカプセルが透明なバインダーに分散されたインキを、透明電極2の上にスクリーン印刷、スピンコート、スリットコート等の方法で塗工して形成する。
さらに、電気光学層3の上に、接着剤4をスピンコート或いはスリットコータ、スクリーン印刷あるいはグラビア印刷により均一に塗膜し、電気光学素子基板40とする。
上述の様に作成された電気光学素子駆動基板20を2枚と、電気光学素子基板40を1枚とを貼合装置により圧力を印加し張り合わせる。このように、電気光学素子基板40は、電気光学素子駆動基板20の数より少なくなる。なお電気光学素子駆動基板20は、隣り合う基板間において1画素ピッチ以下で連結されることが好ましいが、これは貼合装置のステージ上において、精密位置合わせにより実施される。或いは、電気光学素子駆動基板20を2枚予め位置合わせ装置で位置合わせし、連結してもよい。その際には連結部に接着剤を浸透させることが好ましい。またこの時の連結部段差は、可撓性基板1Bの厚さと接着剤の厚さであり、0.2mm以下であることが好ましい。
上述の様に作成された基板をバリアフィルム6で覆い、熱圧着装置を用いて密閉し表示装置100とする。
さらに本発明では電気光学素子にエレクトロルミネッセンス素子を用いることもできる。以下、図面を参照し、第2の実施形態に係る表示装置110の実施形態を詳しく説明する。
図4に、表示装置110の断面図を示す。表示装置110は、一方の辺が接するように連結された境界部10を有する2つの電気光学素子駆動基板20と、エレクトロルミネッセンス素子を用いた1つの電気光学素子50と、それらを外気から遮断するバリアフィルム6とからなる。
電気光学素子駆動基板20は、可撓性基板1Bと画素電極5とを有している。なお図示していないが、各画素電極5をTFT等のような能動素子で駆動する場合は、ゲート、ソース、保持容量電極、及び絶縁膜、半導体層等が画素電極5を駆動すべく配置されている。
電気光学素子駆動基板20の作成方法は、画素電極5以外は上述と同様である。つまり画素電極5はエレクトロルミネッセンス素子に最適な仕事関数を有する、酸化マグネシウム等をパターニングして形成するものである。
表示装置110の製造では、はじめに、作成された表示装置駆動基板20を2枚用いて、距離Xを1画素ピッチ以下で連結する。なお1画素ピッチ以下の連結には予め位置合わせ装置を用い、2枚の基板を位置合わせし、基板間を接着剤で連結しておく。
次に、連結された電気光学素子駆動基板20の画素電極5の上に、電気光学素子7としてエレクトロルミネッセンス素子を積層する。エレクトロルミネッセンス素子はスピンコートで製膜され、発光層、正孔輸送層、透明電極を成膜して作成する。
次に、作成された基板をバリアフィルム6で覆い、熱圧着装置を用いて密閉し表示装置110とする。
具体的な実施例について説明する。
(実施例1)
図5A~図5Cには、実施例に係る表示装置の製造方法を示す。電気光学素子駆動基板20を、画素数640×540、1画素ピッチ0.369mm、表示エリア70が236.16mm×199.26mmとなるように作成した(図5A)。これを図5Bの様に6枚組み合わせて32インチフルHD(画素数1980×1080、表示エリアが708.48mm×398.52mm)表示装置とした。
(実施例1)
図5A~図5Cには、実施例に係る表示装置の製造方法を示す。電気光学素子駆動基板20を、画素数640×540、1画素ピッチ0.369mm、表示エリア70が236.16mm×199.26mmとなるように作成した(図5A)。これを図5Bの様に6枚組み合わせて32インチフルHD(画素数1980×1080、表示エリアが708.48mm×398.52mm)表示装置とした。
はじめに、支持基板60として300mm角のガラス基板を用意し(図3Aの(a))、冷却により粘着力が低下する粘着シート61を介して可撓性基板1BとしてPEN基板(厚さ25μm)をラミネートした(図3Aの(b))。
次に、Agインキを転写印刷・焼成して、ゲート電極62、ゲート配線62’、キャパシタ電極63、キャパシタ配線63’を形成した(図3Aの(c))。さらに、ポリビニルフェノール溶液をダイコート・焼成してゲート絶縁膜64を形成した(図3Aの(d))。
そして、Agインキを転写印刷・焼成して、ソース電極65、ソース配線65’、ドレイン電極66、下部画素電極67を形成した(図3Bの(e))。次にチオフェン系の有機半導体溶液をフレキソ印刷・焼成して、半導体パターン68を形成した(図3Bの(f))。さらに、フッ素系樹脂溶液をスクリーン印刷・焼成して、保護層68’を形成した(図3Bの(g))。
続いて、エポキシ溶液をスクリーン印刷・焼成して、層間絶縁膜8を形成した(図3Cの(h))。さらに、カーボンペーストをスクリーン印刷・焼成して、上部画素電極9を形成し(図3Cの(i))、薄膜トランジスタアレイとした。最後に5℃以下に冷却することにより、粘着シート61の粘着力を低下させ、電気光学素子駆動基板20を支持基板60より剥離した。図5Aに示したように、剥離した電気光学素子駆動基板20は、重ね合わせたときにゲート配線62’が露出するように、外形カット時にゲート配線露出部71が設けられている。
別途、可撓性基板1AとしてPEN基板(外形サイズ730mm×420mm)を用意し、ITOをスパッタして透明電極2を形成した。次に、透明電極2の上に紫外線硬化性の高分子材料と液晶との混合液を、スリットコータにより塗工し、紫外線を照射して硬化させ電気光学層3とした。さらに、接着剤4をスリットコータにより塗工して、電気光学素子基板40とした。
電気光学素子駆動基板20は、貼合装置のステージ上に1画素ピッチ以下で位置合わせを行い吸着される(図5B)。なお基板の配置は貼合側面側から見て、上からL3、L2、L1、L3’、L2’、L1’とし、ゲート配線露出部71を露出させた。この状態で電気光学素子基板40を貼合する(図5C)。さらにバリアフィルム6で覆い、熱圧着装置を用いて密閉した(図5D)。駆動回路を電気光学素子駆動基板のゲート配線62’とソース配線65’とに接合して、表示装置とした。画像表示を行い、表示装置の継ぎ目部分の不自然さが感じられないことを確認できた。
(実施例2)
実施例1と同様の製造方法にて、電気光学素子駆動基板20を、画素数640×540、画素ピッチ0.369mm、表示エリア236.16mm×199.26mmにて作製した。これを図5Bの様に6枚組み合わせて32インチフルHD(画素数1980×1080、表示エリア708.48mm×398.52mm)表示装置とした。なお電気光学素子駆動基板20は、貼合装置のステージ上に視角1分(視認距離730mmとして0.212mm)以下で位置合わせされている。
実施例1と同様の製造方法にて、電気光学素子駆動基板20を、画素数640×540、画素ピッチ0.369mm、表示エリア236.16mm×199.26mmにて作製した。これを図5Bの様に6枚組み合わせて32インチフルHD(画素数1980×1080、表示エリア708.48mm×398.52mm)表示装置とした。なお電気光学素子駆動基板20は、貼合装置のステージ上に視角1分(視認距離730mmとして0.212mm)以下で位置合わせされている。
実施例1では電気光学素子基板40の電気光学層3に高分子分散型液晶を用いたが、実施例2では、マイクロカプセル型電気泳動層を形成し、実施例1と同様の作成方法によりに表示装置とした。実施例1、2において、画像表示を行い、表示装置の継ぎ目部分の不自然さがいずれにおいても感じられないことを確認できた。
本発明は、表示装置に有用である。
1A、1B 可撓性基板
2 透明電極
3 電気光学層
4 接着剤
5 画素電極
6 バリアフィルム
7 エレクトロルミネッセンス素子
10 境界部
11 可撓性基板端部
12 画素電極端部
20 電気光学素子駆動基板
40 電気光学素子基板
50 電気光学素子
60 支持基板
61 粘着シート
62 ゲート電極
62’ ゲート配線
63 キャパシタ電極
63’ キャパシタ配線
64 ゲート絶縁膜
65 ソース電極
65’ ソース配線
66 ドレイン電極
67 下部画素電極
68 半導体パターン
68’ 保護層
69 層間絶縁膜
70 表示エリア
71 ゲート配線露出部
2 透明電極
3 電気光学層
4 接着剤
5 画素電極
6 バリアフィルム
7 エレクトロルミネッセンス素子
10 境界部
11 可撓性基板端部
12 画素電極端部
20 電気光学素子駆動基板
40 電気光学素子基板
50 電気光学素子
60 支持基板
61 粘着シート
62 ゲート電極
62’ ゲート配線
63 キャパシタ電極
63’ キャパシタ配線
64 ゲート絶縁膜
65 ソース電極
65’ ソース配線
66 ドレイン電極
67 下部画素電極
68 半導体パターン
68’ 保護層
69 層間絶縁膜
70 表示エリア
71 ゲート配線露出部
Claims (10)
- 所定の画素ピッチの複数の画素電極をそれぞれ有し、それぞれの表示領域が隣接するように各端縁部が連結された複数の電気光学素子駆動基板と、
前記複数の電気光学素子駆動基板上に積層され、前記複数の電気光学素子駆動基板により電気的に駆動される、前記複数の電気光学素子駆動基板より少ない数の、電気光学素子基板とを備える、表示装置。 - 隣接する前記電気光学素子駆動基板どうしは、一方の前記電気光学素子駆動基板の、他方寄りの端縁と、他方の前記電気光学素子駆動基板上の、前記一方に最寄の画素電極の端縁との距離が、前記画素ピッチ以下である、請求項1に記載の表示装置。
- 隣接する前記電気光学素子駆動基板どうしは、一方の前記電気光学素子駆動基板の、他方寄りの端縁と、他方の前記電気光学素子駆動基板上の、前記一方に最寄の画素電極の端縁との距離が、観察距離から算出される視角1分以下の距離である、請求項1に記載の表示装置。
- 前記電気光学素子駆動基板と、前記電気光学素子基板とは接着剤を介し、接着されている、請求項1から3のいずれかに記載の表示装置。
- 前記電気光学素子駆動基板は、可撓性を有する、請求項1から4のいずれかに記載の表示装置。
- 前記電気光学素子基板は、可撓性を有する、請求項1から5のいずれかに記載の表示装置。
- 前記隣接する電気光学素子駆動基板どうしの離接する端縁部分は、重なっている、
請求項1から6のいずれかに記載の表示装置。 - 前記電気光学素子基板は基板と、前記基板上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成された高分子分散型液晶素子と、前記高分子分散型液晶素子上に形成された接着剤とを備える、請求項1から7のいずれかに記載の表示装置。
- 前記電気光学素子基板は基板と、前記基板上に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成された電気泳動素子と、前記電気泳動素子上に形成された接着剤とを備える、請求項1から7のいずれかに記載の表示装置。
- 請求項1から9のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、複数の基板を互いに連結する工程と、
前記連結する工程の後に、前記複数の基板上にエレクトロルミネッセンス素子を作成する工程とを含む、表示装置の製造方法。
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