JP2009246218A5 - - Google Patents

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  1. 主面、前記主面に形成された半導体回路、および前記主面とは反対側の裏面を有する基板と、
    第１領域および第２領域を備えた表面を有し、前記半導体回路と電気的に接続され、かつ、前記基板の前記主面上に形成されたパッドと、
    前記パッドの前記第１領域を覆い、かつ、前記パッドの前記第２領域を露出するように、前記基板の前記主面上に形成された絶縁膜と、
    前記パッドの前記第２領域と接続され、かつ、前記絶縁膜上に形成された配線層と、
    を含み、
    前記パッドの前記第１領域には、プローブ痕が形成されており、
    前記配線層は、めっき法により形成されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１記載の半導体装置において、 前記パッドの前記第２領域の平坦度は、前記第１領域の平坦度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項２記載の半導体装置において、
    前記配線層の一部は、前記配線層を被覆する保護膜から露出しており、
    前記配線層の前記一部は、平面視において、前記パッドと重なっていないことを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項３記載の半導体装置において、
    前記基板の前記主面の平面形状は、四角形からなり、
    前記パッドは、前記基板の前記主面における周縁部に配置されており、
    前記パッドの前記第２領域は、前記第１領域よりも前記基板の前記主面における中央部側に位置していることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項４記載の半導体装置において、
    前記配線層の前記一部は、平面視において、前記パッドよりも前記基板の前記主面における中央部側に位置していることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項５記載の半導体装置において、
    前記パッドの前記表面は、前記基板の前記主面上に形成されたパッシベーション膜から露出しており、
    前記絶縁膜は、前記パッドの前記第１領域を覆い、かつ、前記パッドの前記第２領域を露出するように、前記パッシベーション膜上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
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