JP2010272621A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- (a)半導体基板の上層に形成されたパッドと、
(b)前記パッド上に第1開口部が形成された第1表面保護膜と、
(c)前記パッド上に第2開口部が形成され、前記パッドおよび前記第1表面保護膜上に形成された第2表面保護膜とを備え、
前記パッドは、
(a1)第1導体膜と、
(a2)前記第1導体膜上に形成された反射防止膜とを有し、
前記第1開口部の内部領域に前記第2開口部が内包されており、
前記第1開口部の内部領域では前記反射防止膜が除去されている半導体装置であって、
前記パッドには、プローブを接触させるプローブ接触領域と、ワイヤを接続するワイヤ接続領域が存在し、
前記第1開口部および前記第2開口部は、前記プローブ接触領域と前記ワイヤ接続領域にわたって形成され、
前記ワイヤ接続領域の前記第2開口部の大きさは、前記プローブ接触領域の前記第2開口部の大きさよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
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JP4519571B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-08-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその検査方法と検査装置並びに半導体装置の製造方法 |
JP2006303452A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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WO2007083366A1 (ja) * | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Fujitsu Limited | 半導体装置、半導体ウエハ構造、及び半導体ウエハ構造の製造方法 |
JP5111878B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-01-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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