JP2010272621A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. (a)半導体基板の上層に形成されたパッドと、
    (b)前記パッド上に第1開口部が形成された第1表面保護膜と、
    (c)前記パッド上に第2開口部が形成され、前記パッドおよび前記第1表面保護膜上に形成された第2表面保護膜とを備え、
    前記パッドは、
    (a1)第1導体膜と、
    (a2)前記第1導体膜上に形成された反射防止膜とを有し、
    前記第1開口部の内部領域に前記第2開口部が内包されており、
    前記第1開口部の内部領域では前記反射防止膜が除去されている半導体装置であって、
    前記パッドには、プローブを接触させるプローブ接触領域と、ワイヤを接続するワイヤ接続領域が存在し、
    前記第1開口部および前記第2開口部は、前記プローブ接触領域と前記ワイヤ接続領域にわたって形成され、
    前記ワイヤ接続領域の前記第2開口部の大きさは、前記プローブ接触領域の前記第2開口部の大きさよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7875546B1 (en) * 2006-09-01 2011-01-25 National Semiconductor Corporation System and method for preventing metal corrosion on bond pads
JP5160498B2 (ja) * 2009-05-20 2013-03-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2011003578A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP5837783B2 (ja) * 2011-09-08 2015-12-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
US9768132B2 (en) * 2012-03-14 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor structure and method of forming the same
JP5945180B2 (ja) * 2012-07-19 2016-07-05 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5919128B2 (ja) * 2012-08-03 2016-05-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置とその製造方法
US9490190B2 (en) 2012-09-21 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal dissipation through seal rings in 3DIC structure
US8796829B2 (en) * 2012-09-21 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thermal dissipation through seal rings in 3DIC structure
KR101890875B1 (ko) * 2012-10-11 2018-09-28 엘지이노텍 주식회사 기판 및 발광소자 패키지
JP5331934B2 (ja) * 2012-12-12 2013-10-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2014165219A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP6235353B2 (ja) 2014-01-22 2017-11-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6215755B2 (ja) 2014-04-14 2017-10-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6503286B2 (ja) * 2015-12-24 2019-04-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体ウェハ
JP6736923B2 (ja) * 2016-03-17 2020-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6706520B2 (ja) * 2016-03-24 2020-06-10 シナプティクス・ジャパン合同会社 半導体集積回路チップ及び半導体集積回路ウェーハ
JP6577899B2 (ja) 2016-03-31 2019-09-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2018019006A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN109378299B (zh) * 2016-11-27 2020-05-15 乐清市风杰电子科技有限公司 一种晶圆封装结构
JP6783688B2 (ja) 2017-03-14 2020-11-11 エイブリック株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6832755B2 (ja) 2017-03-14 2021-02-24 エイブリック株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6783689B2 (ja) 2017-03-14 2020-11-11 エイブリック株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6757293B2 (ja) * 2017-06-01 2020-09-16 日本電信電話株式会社 化合物半導体集積回路及びその作製方法
JP7032159B2 (ja) 2018-02-05 2022-03-08 エイブリック株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN109166838A (zh) * 2018-08-29 2019-01-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 顶层金属键合垫的引出结构及其制造方法
WO2021075162A1 (ja) * 2019-10-18 2021-04-22 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP7165694B2 (ja) * 2020-03-13 2022-11-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体チップ
US20220189840A1 (en) * 2020-12-16 2022-06-16 Stmicroelectronics Pte Ltd Passivation layer for an integrated circuit device that provides a moisture and proton barrier
US11729915B1 (en) 2022-03-22 2023-08-15 Tactotek Oy Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3489025B2 (ja) * 2000-01-14 2004-01-19 大塚化学ホールディングス株式会社 エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた電子部品
JP2003142485A (ja) * 2001-11-01 2003-05-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP4489345B2 (ja) * 2002-12-13 2010-06-23 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4170103B2 (ja) * 2003-01-30 2008-10-22 Necエレクトロニクス株式会社 半導体装置、および半導体装置の製造方法
US20040183202A1 (en) * 2003-01-31 2004-09-23 Nec Electronics Corporation Semiconductor device having copper damascene interconnection and fabricating method thereof
JP4519571B2 (ja) * 2004-08-26 2010-08-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及びその検査方法と検査装置並びに半導体装置の製造方法
JP2006303452A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2007103593A (ja) 2005-10-03 2007-04-19 Seiko Instruments Inc 半導体装置及びその製造方法
WO2007083366A1 (ja) * 2006-01-18 2007-07-26 Fujitsu Limited 半導体装置、半導体ウエハ構造、及び半導体ウエハ構造の製造方法
JP5111878B2 (ja) * 2007-01-31 2013-01-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP2008218810A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその試験方法
CN101286459A (zh) * 2007-04-13 2008-10-15 矽品精密工业股份有限公司 可供堆叠的半导体装置及其制法
JP5259211B2 (ja) * 2008-02-14 2013-08-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

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