JP2007299900A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007299900A5
JP2007299900A5 JP2006126104A JP2006126104A JP2007299900A5 JP 2007299900 A5 JP2007299900 A5 JP 2007299900A5 JP 2006126104 A JP2006126104 A JP 2006126104A JP 2006126104 A JP2006126104 A JP 2006126104A JP 2007299900 A5 JP2007299900 A5 JP 2007299900A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
semiconductor substrate
internal circuit
electrically connected
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006126104A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007299900A (ja
JP4820683B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006126104A priority Critical patent/JP4820683B2/ja
Priority claimed from JP2006126104A external-priority patent/JP4820683B2/ja
Priority to US11/790,035 priority patent/US7567484B2/en
Publication of JP2007299900A publication Critical patent/JP2007299900A/ja
Publication of JP2007299900A5 publication Critical patent/JP2007299900A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4820683B2 publication Critical patent/JP4820683B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (4)

  1. 半導体基板と該半導体基板上に形成された内部回路とを備えた半導体装置において、
    前記内部回路に接続されていないダミーパッドが、前記半導体基板に電気的に接続されたシールリングに、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 半導体基板上に内部回路を配し、
    かつ該内部回路に接続されていないダミーパッドを、前記半導体基板に電気的に接続されたシールリングへ、電気的に接続することを特徴とする半導体装置の絶縁破壊防止方法。
  3. 前記電気的な接続は、メタル層を介してなされていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記電気的な接続は、メタル層を介してなされていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の絶縁破壊防止方法。
JP2006126104A 2006-04-28 2006-04-28 半導体装置と半導体装置の絶縁破壊防止方法 Active JP4820683B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006126104A JP4820683B2 (ja) 2006-04-28 2006-04-28 半導体装置と半導体装置の絶縁破壊防止方法
US11/790,035 US7567484B2 (en) 2006-04-28 2007-04-23 Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006126104A JP4820683B2 (ja) 2006-04-28 2006-04-28 半導体装置と半導体装置の絶縁破壊防止方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007299900A JP2007299900A (ja) 2007-11-15
JP2007299900A5 true JP2007299900A5 (ja) 2009-03-26
JP4820683B2 JP4820683B2 (ja) 2011-11-24

Family

ID=38648157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006126104A Active JP4820683B2 (ja) 2006-04-28 2006-04-28 半導体装置と半導体装置の絶縁破壊防止方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7567484B2 (ja)
JP (1) JP4820683B2 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101470530B1 (ko) * 2008-10-24 2014-12-08 삼성전자주식회사 일체화된 가드 링 패턴과 공정 모니터링 패턴을 포함하는 반도체 웨이퍼 및 반도체 소자
JP5452290B2 (ja) * 2010-03-05 2014-03-26 ラピスセミコンダクタ株式会社 表示パネル
JP5830843B2 (ja) 2010-03-24 2015-12-09 富士通セミコンダクター株式会社 半導体ウエハとその製造方法、及び半導体チップ
TWI447889B (zh) * 2011-08-05 2014-08-01 Chipmos Technologies Inc 晶片封裝結構
US9478505B2 (en) * 2012-04-12 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Guard ring design structure for semiconductor devices
JP6129671B2 (ja) * 2013-07-19 2017-05-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR102071336B1 (ko) * 2013-09-30 2020-01-30 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치
KR102352316B1 (ko) 2015-08-11 2022-01-18 삼성전자주식회사 인쇄 회로 기판
JP6783648B2 (ja) * 2016-12-26 2020-11-11 新光電気工業株式会社 配線基板、半導体装置
CN110223969B (zh) * 2018-03-01 2021-07-13 联华电子股份有限公司 具静电放电防护功能的半导体装置及静电放电的测试方法
CN113809051B (zh) * 2021-08-31 2022-02-18 深圳市时代速信科技有限公司 一种半导体器件结构及其制造方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63141331A (ja) * 1986-12-03 1988-06-13 Nec Corp テ−プキヤリア半導体装置用リ−ドフレ−ム
JP2782365B2 (ja) * 1989-09-18 1998-07-30 曙ブレーキ工業株式会社 ４輪駆動車のアンチロック制御方法
JP2682227B2 (ja) 1990-10-26 1997-11-26 日本電気株式会社 半導体集積回路
JP2669310B2 (ja) * 1993-11-26 1997-10-27 日本電気株式会社 半導体集積回路装置およびその実装方法
JPH08111419A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JPH10173101A (ja) * 1996-12-10 1998-06-26 Toshiba Corp 半導体装置
KR100244259B1 (ko) 1996-12-27 2000-03-02 김영환 반도체소자의 가드 링 형성방법
JP3459560B2 (ja) * 1998-02-10 2003-10-20 三洋電機株式会社 半導体装置及び表示装置
JP3542517B2 (ja) 1999-04-27 2004-07-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2001044277A (ja) 1999-08-02 2001-02-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体基板および半導体装置
JP4034915B2 (ja) * 1999-09-22 2008-01-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体チップおよび液晶表示装置
JP2002343839A (ja) 2001-05-21 2002-11-29 Ricoh Co Ltd 半導体集積回路装置
JP3813562B2 (ja) 2002-03-15 2006-08-23 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3657246B2 (ja) * 2002-07-29 2005-06-08 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP3961398B2 (ja) * 2002-10-30 2007-08-22 富士通株式会社 半導体装置
JP2004153015A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004253555A (ja) 2003-02-19 2004-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2005251829A (ja) 2004-03-02 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその検査方法
JP4528035B2 (ja) * 2004-06-18 2010-08-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2006190839A (ja) * 2005-01-06 2006-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP4366328B2 (ja) 2005-03-18 2009-11-18 富士通株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP4675159B2 (ja) 2005-05-26 2011-04-20 パナソニック株式会社 半導体装置
JP2006344862A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4278672B2 (ja) * 2005-12-08 2009-06-17 パナソニック株式会社 半導体装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007299900A5 (ja)
JP2012028771A5 (ja)
JP2009194322A5 (ja)
WO2009028578A3 (en) Semiconductor device including semiconductor constituent and manufacturing method thereof
JP2010525558A5 (ja)
EP2762441A3 (en) Internal electrical contact for enclosed MEMS devices
JP2010272621A5 (ja) 半導体装置
TW200744173A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP2012114148A5 (ja)
JP2010135777A5 (ja) 半導体装置
TW200802756A (en) Embedded metal heat sink for semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2009520368A5 (ja)
JP2010245030A5 (ja)
JP2011009514A5 (ja)
JP2008182214A5 (ja)
JP2014215485A5 (ja)
WO2009013826A1 (ja) 半導体装置
JP2010135778A5 (ja) 半導体装置
JP2009278072A5 (ja)
WO2009020240A3 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2009044154A5 (ja)
JP2012004505A5 (ja)
JP2010278425A5 (ja)
JP2008103653A5 (ja)
TW200618289A (en) Integrated circuit and method for manufacturing