JP2009520368A5 - - Google Patents

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  1. ESD保護を備えた集積装置であって、
    ESD過渡現象に潜在的にさらされる部分を有する1つまたは複数の受動要素と、
    ESD過渡現象に潜在的にさらされる該部分間に延在する1つまたは複数の電荷漏洩抵抗と、
    を備え、該抵抗は、正常な動作周波数における該1つまたは複数の受動要素のインピーダンスよりも大幅に大きな値を有する、装置。
  2. 前記1つまたは複数の受動要素は絶縁性基板上に形成され、前記装置は、
    前記1つまたは複数の受動要素の下で前記基板上に形成された高抵抗層と、
    離間したコンタクト間の層抵抗により前記電荷漏洩抵抗が形成されるように、ESD過渡現象に潜在的にさらされる前記部分を該高抵抗層上の該離間したコンタクトにカプリングする電気リード線と
    をさらに備える、請求項1に記載の装置。
  3. ESD保護された集積電子装置であって、
    インダクタと、
    該インダクタにカプリングされたコンデンサと、
    該インダクタおよび該コンデンサにカプリングされた2つの端子と、
    該2つの端子間にカプリングされた1つまたは複数の電荷漏洩抵抗と
    を備える、ESD保護された集積電子装置。
  4. ESD保護された電子装置を形成するための方法であって、
    基板を設ける工程と、
    該基板上に少なくとも2つの離間した電気コンタクトを形成する工程と、
    該少なくとも2つの離間した電気コンタクトから延在する電気導電体を形成する工程と、
    該電気導電体とコンタクト状態にある部分を有する少なくとも1つの受動要素を形成する工程と
    を備える、方法。
  5. 前記基板上に前記少なくとも2つの離間した電気コンタクトを形成する前記工程は、
    前記基板の上部表面の上または中に電気絶縁性層を形成する工程と、
    該絶縁性層上に高抵抗層を形成する工程と、
    該高抵抗層上に前記少なくとも2つの離間したコンタクトを形成する工程と
    を備える、請求項4に記載の方法。
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