JP2860211B2 - ノイズ・フィルタ - Google Patents
ノイズ・フィルタInfo
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- JP2860211B2 JP2860211B2 JP28492392A JP28492392A JP2860211B2 JP 2860211 B2 JP2860211 B2 JP 2860211B2 JP 28492392 A JP28492392 A JP 28492392A JP 28492392 A JP28492392 A JP 28492392A JP 2860211 B2 JP2860211 B2 JP 2860211B2
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- Japan
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- spiral
- noise filter
- electrode
- film
- spiral electrode
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子機器における信
号通過回路または電源回路などに使用してノイズの伝搬
を阻止するノイズ・フィルタに関する。
号通過回路または電源回路などに使用してノイズの伝搬
を阻止するノイズ・フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータなどのディジタル信号を扱
う電子機器においては、信号通過回路または電源回路な
どにノイズ・フィルタが使用されている。
う電子機器においては、信号通過回路または電源回路な
どにノイズ・フィルタが使用されている。
【０００３】従来のノイズ・フィルタの一例として、図
３に示すように、誘電体20を介して１対のスパイラル電
極21、22を対向配置し、一方のスパイラル電極21の両端
子23、24を伝送信号通過回路に直列に挿入し、他方のス
パイラル電極22の任意の一端25を接地する。そして、図
４の等価回路に示すように、１対のスパイラル電極21、
22の間に分布容量を形成させるとともに、信号通過回路
となるスパイラル電極21が有するインダクタンスにより
シャープ・カットオフのローパス・フィルタを得てい
る。
３に示すように、誘電体20を介して１対のスパイラル電
極21、22を対向配置し、一方のスパイラル電極21の両端
子23、24を伝送信号通過回路に直列に挿入し、他方のス
パイラル電極22の任意の一端25を接地する。そして、図
４の等価回路に示すように、１対のスパイラル電極21、
22の間に分布容量を形成させるとともに、信号通過回路
となるスパイラル電極21が有するインダクタンスにより
シャープ・カットオフのローパス・フィルタを得てい
る。
【０００４】このような従来のフィルタにおいては、誘
電体20としてセラミック、プラスチック、ガラス、マイ
カなどの材料を使用し、印刷工程によりスパイラル電極
を形成している。
電体20としてセラミック、プラスチック、ガラス、マイ
カなどの材料を使用し、印刷工程によりスパイラル電極
を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、携帯電話、携帯
用パソコンなどのディジタル信号を扱う携帯用の電子機
器が普及するにつれて、ノイズ・フィルタも小型化が要
求されている。しかし、このような従来のフィルタにお
いては、誘電体を薄くして分布容量を増すこと、印刷工
程により長いスパイラル電極を形成することには限度が
あり、著しい小型化は困難であった。
用パソコンなどのディジタル信号を扱う携帯用の電子機
器が普及するにつれて、ノイズ・フィルタも小型化が要
求されている。しかし、このような従来のフィルタにお
いては、誘電体を薄くして分布容量を増すこと、印刷工
程により長いスパイラル電極を形成することには限度が
あり、著しい小型化は困難であった。
【０００６】そこで、この発明は、極めて小型で、優れ
たノイズ阻止特性を有するノイズ・フィルタを得るため
に考えられたものである。
たノイズ阻止特性を有するノイズ・フィルタを得るため
に考えられたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】絶縁基板上に、第１のア
ルミニューム膜のスパイラル状電極を形成し、この第１
のスパイラル状電極のアルミニューム膜の表面を酸化さ
せて絶縁性酸化皮膜を形成し、該絶縁性酸化皮膜を介し
て第２のアルミニューム膜のスパイラル状電極を形成し
て、一方のスパイラル状電極の少なくとも１つの端部を
接地し、他方のスパイラル状電極の両端を伝送信号通過
回路に直列に接続して、ノーマルモードで動作させる。
ルミニューム膜のスパイラル状電極を形成し、この第１
のスパイラル状電極のアルミニューム膜の表面を酸化さ
せて絶縁性酸化皮膜を形成し、該絶縁性酸化皮膜を介し
て第２のアルミニューム膜のスパイラル状電極を形成し
て、一方のスパイラル状電極の少なくとも１つの端部を
接地し、他方のスパイラル状電極の両端を伝送信号通過
回路に直列に接続して、ノーマルモードで動作させる。
【０００８】あるいは、各スパイラル状電極の両端部を
伝送信号通過回路に直列に接続して、コモンモードで動
作させる。
伝送信号通過回路に直列に接続して、コモンモードで動
作させる。
【０００９】
【実施例】この発明のノイズ・フィルタを製造工程順に
説明すると、図１の断面図に示すように、(１)まず、ガ
ラス、合成樹脂、高純度のシリコン・ウエハなどの絶縁
基板１を用意し、(２)この絶縁基板１の上にアルミニュ
ーム膜２を蒸着し、(３)写真蝕刻法により、アルミニュ
ーム膜２上に、スパイラル状のフォトレジスト３のパタ
ーンを形成し、(４)このフォトレジスト3aをマスクにし
て、スパイラル状に第１のアルミニューム電極2aを形成
した後、フォトレジスト３を洗い落とす。
説明すると、図１の断面図に示すように、(１)まず、ガ
ラス、合成樹脂、高純度のシリコン・ウエハなどの絶縁
基板１を用意し、(２)この絶縁基板１の上にアルミニュ
ーム膜２を蒸着し、(３)写真蝕刻法により、アルミニュ
ーム膜２上に、スパイラル状のフォトレジスト３のパタ
ーンを形成し、(４)このフォトレジスト3aをマスクにし
て、スパイラル状に第１のアルミニューム電極2aを形成
した後、フォトレジスト３を洗い落とす。
【００１０】(５)この第１のスパイラル状アルミニュー
ム電極2aの端部をレジスト3bによってマスクした後、
(６)陽極酸化して、アルミニューム電極2aの残余の表面
に絶縁性酸化皮膜４を形成して誘電体とする。
ム電極2aの端部をレジスト3bによってマスクした後、
(６)陽極酸化して、アルミニューム電極2aの残余の表面
に絶縁性酸化皮膜４を形成して誘電体とする。
【００１１】(７)再度、表面上にアルミニューム膜５を
蒸着し、(８)写真蝕刻法により、アルミニューム膜５上
に、スパイラル状のフォトレジスト3cのパターンおよび
引出電極のパターン3dを形成し、(９)これらのフォトレ
ジスト3c、3dをマスクにして、スパイラル状に第２のア
ルミニューム電極5aを形成し、第１のアルミニューム電
極2aの端部に引出電極８を形成した後、フォトレジスト
3c、3dを洗い落とす。
蒸着し、(８)写真蝕刻法により、アルミニューム膜５上
に、スパイラル状のフォトレジスト3cのパターンおよび
引出電極のパターン3dを形成し、(９)これらのフォトレ
ジスト3c、3dをマスクにして、スパイラル状に第２のア
ルミニューム電極5aを形成し、第１のアルミニューム電
極2aの端部に引出電極８を形成した後、フォトレジスト
3c、3dを洗い落とす。
【００１２】このような工程を経て、絶縁基板１上に形
成されたノイズ・フィルタ素子の平面形状は、図２の平
面図に示すとおりであり、絶縁基板１を分割して、マウ
ンティングを行ない、スパイラル状のアルミニウム電極
5aの両端および引出電極８にボンディングしてケースに
収める。
成されたノイズ・フィルタ素子の平面形状は、図２の平
面図に示すとおりであり、絶縁基板１を分割して、マウ
ンティングを行ない、スパイラル状のアルミニウム電極
5aの両端および引出電極８にボンディングしてケースに
収める。
【００１３】このように構成されたノイズ・フィルタ素
子を使用する際には、引出電極８を介して、第１のアル
ミニューム電極2aを基準電位点に接続、例えば接地し、
第２のアルミニューム電極5aを伝送信号通過回路に直列
に挿入すると、第２のスパイラル状のアルミニウム電極
5aは、交流的に接地された第１のアルミニューム電極2a
の存在により、分布定数的な回路を形成して、高い周波
数のノイズの伝搬を阻止することができる。
子を使用する際には、引出電極８を介して、第１のアル
ミニューム電極2aを基準電位点に接続、例えば接地し、
第２のアルミニューム電極5aを伝送信号通過回路に直列
に挿入すると、第２のスパイラル状のアルミニウム電極
5aは、交流的に接地された第１のアルミニューム電極2a
の存在により、分布定数的な回路を形成して、高い周波
数のノイズの伝搬を阻止することができる。
【００１４】スパイラル状の各アルミニューム電極2a、
5aは、膜厚および幅に応じた抵抗を有しおり、アルミニ
ューム電極2a、5aの厚みおよび／または幅を変えて抵抗
を調整することにより、分布定数的な回路のＱを調整す
ることができる。
5aは、膜厚および幅に応じた抵抗を有しおり、アルミニ
ューム電極2a、5aの厚みおよび／または幅を変えて抵抗
を調整することにより、分布定数的な回路のＱを調整す
ることができる。
【００１５】Ｑが高い場合には、減衰特性において特定
周波数に急峻な減衰または共振点をもつが、Ｑが低い場
合には、広い周波数帯域にわたって一様な減衰特定を得
ることができるので、スパイラル状のアルミニューム電
極の長さ、厚み、幅および絶縁性酸化皮膜４の厚みなど
を選択することにより、所望の減衰特定のノイズ・フィ
ルタを得ることができる。
周波数に急峻な減衰または共振点をもつが、Ｑが低い場
合には、広い周波数帯域にわたって一様な減衰特定を得
ることができるので、スパイラル状のアルミニューム電
極の長さ、厚み、幅および絶縁性酸化皮膜４の厚みなど
を選択することにより、所望の減衰特定のノイズ・フィ
ルタを得ることができる。
【００１６】（その他の実施例）スパイラル状のアルミ
ニューム電極のインダクタンスを増加させたい場合に
は、絶縁基板１としてフェライトのような磁性絶縁体を
使用すればよいのである。
ニューム電極のインダクタンスを増加させたい場合に
は、絶縁基板１としてフェライトのような磁性絶縁体を
使用すればよいのである。
【００１７】また、２つのスパイラル状電極間の容量が
大き過ぎる場合には、いずれか一方のスパイラル状電極
の長さを、他方のものより短くすればよいのである。
大き過ぎる場合には、いずれか一方のスパイラル状電極
の長さを、他方のものより短くすればよいのである。
【００１８】高純度の半導体基板、例えば、高純度のシ
リコン・ウエハは、その抵抗値がアルミニュームなどの
金属導電体に比して極めて高く、絶縁基板として充分使
用することができる。
リコン・ウエハは、その抵抗値がアルミニュームなどの
金属導電体に比して極めて高く、絶縁基板として充分使
用することができる。
【００１９】この発明のノイズ・フィルタをシリコン・
ウエハを絶縁基板として構成すると、従来から使用され
ている集積回路の製造装置によって製造することが可能
になり、新たな製造設備を設ける必要はないのである。
ウエハを絶縁基板として構成すると、従来から使用され
ている集積回路の製造装置によって製造することが可能
になり、新たな製造設備を設ける必要はないのである。
【００２０】この発明のノイズ・フィルタは、単一の素
子をケースに収めて１つの部品として使用することもで
きるが、印刷配線基板やＩＣカードなどの絶縁基板上に
形成される他の回路の一部としてノイズ・フィルタを形
成し、電源回路や伝送信号通過回路に接続して使用する
ことができる。
子をケースに収めて１つの部品として使用することもで
きるが、印刷配線基板やＩＣカードなどの絶縁基板上に
形成される他の回路の一部としてノイズ・フィルタを形
成し、電源回路や伝送信号通過回路に接続して使用する
ことができる。
【００２１】また、絶縁基板に複数個のノイズ・フィル
タを形成し、単一のケースに収めることにより、単一部
品によって、複数ビットの伝送信号より発生するノイズ
の伝搬を阻止することができる。
タを形成し、単一のケースに収めることにより、単一部
品によって、複数ビットの伝送信号より発生するノイズ
の伝搬を阻止することができる。
【００２２】以上の実施例においては、スパイラル状電
極としてアルミニュームを使用しているが、他の導電性
電極材料を使用してもよく、また、アルミニュームの酸
化皮膜を誘電体として使用しているが、他の絶縁材料を
使用してもよいのである。
極としてアルミニュームを使用しているが、他の導電性
電極材料を使用してもよく、また、アルミニュームの酸
化皮膜を誘電体として使用しているが、他の絶縁材料を
使用してもよいのである。
【００２３】
【図１】この発明のノイズ・フィルタを製造工程順に示
した断面図、
した断面図、
【図２】この発明のノイズ・フィルタの平面図、
【図３】従来のノイズ・フィルタの一例を示す(ａ)表面
図、(ｂ)側面図、(ｃ)裏面図、
図、(ｂ)側面図、(ｃ)裏面図、
【図４】従来のノイズ・フィルタの等価回路図である。
１ 絶縁基板 ４ 絶縁酸化皮膜 2a、5a スパイラル状のアルミニューム電極 ８ 引出電極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H03H 7/09 H03H 3/00 ５Ｅ０７０
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁基板上に、第１のアルミニューム膜
のスパイラル状電極を形成し、該第１のスパイラル状電
極のアルミニューム膜の表面を酸化させて絶縁性酸化皮
膜を形成し、該絶縁性酸化皮膜を介して第２のアルミニ
ューム膜のスパイラル状電極を形成して、一方のスパイ
ラル状電極の少なくとも１つの端部を接地し、他方のス
パイラル状電極の両端を伝送信号通過回路に直列に接続
して、ノーマルモードで動作することを特徴とするノイ
ズ・フィルタ。 - 【請求項２】 絶縁基板上に、第１のアルミニューム膜
のスパイラル状電極を形成し、該第１のスパイラル状電
極のアルミニューム膜の表面を酸化させて絶縁性酸化皮
膜を形成し、該絶縁性酸化皮膜を介して第２のスパイラ
ル状電極を形成して、各スパイラル状電極の両端部を伝
送信号通過回路に直列に接続して、コモンモードで動作
することを特徴とするノイズ・フィルタ。 - 【請求項３】 絶縁基板として高純度の半導体基板を用
いたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
ノイズ・フィルタ。 - 【請求項４】 絶縁基板として磁性絶縁体基板を用いた
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のノイ
ズ・フィルタ。 - 【請求項５】 絶縁基板上に複数個のノイズ・フィルタ
を形成して、単一のケースに収めたことを特徴とする請
求項１または請求項２に記載のノイズ・フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28492392A JP2860211B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-10-01 | ノイズ・フィルタ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19273992 | 1992-06-29 | ||
| JP4-192739 | 1992-06-29 | ||
| JP28492392A JP2860211B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-10-01 | ノイズ・フィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677711A JPH0677711A (ja) | 1994-03-18 |
| JP2860211B2 true JP2860211B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=26507496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28492392A Expired - Fee Related JP2860211B2 (ja) | 1992-06-29 | 1992-10-01 | ノイズ・フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2860211B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1921301B (zh) * | 2005-08-26 | 2010-09-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 表面声波元件 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07303009A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-14 | Takeshi Ikeda | 正弦波発振回路 |
| JP3522334B2 (ja) * | 1994-05-25 | 2004-04-26 | 新潟精密株式会社 | 正弦波発振回路 |
| US7335955B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-02-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | ESD protection for passive integrated devices |
| WO2011021411A1 (ja) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | 株式会社村田製作所 | Ｅｓｄ保護デバイス |
| US8891189B1 (en) | 2014-03-18 | 2014-11-18 | HGST Netherlands B.V. | Disk drive with filter compensation integrated in sliders for high-bandwidth read sensors |
| US20240162138A1 (en) * | 2021-06-25 | 2024-05-16 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method for forming conductive via, conductive via and passive device |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP28492392A patent/JP2860211B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1921301B (zh) * | 2005-08-26 | 2010-09-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 表面声波元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0677711A (ja) | 1994-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081204 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |