JPH10190307A - 高周波モジュール - Google Patents
高周波モジュールInfo
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- JPH10190307A JPH10190307A JP8348956A JP34895696A JPH10190307A JP H10190307 A JPH10190307 A JP H10190307A JP 8348956 A JP8348956 A JP 8348956A JP 34895696 A JP34895696 A JP 34895696A JP H10190307 A JPH10190307 A JP H10190307A
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- filter
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Abstract
(57)【要約】
【課題】平面面積の小さいマイクロストリップ型フィル
タを有する高周波モジュールを実現すること。 【解決手段】マイクロストリップ型フィルタ５を構成す
るマイクロストリップ線路５1 〜５4 の長手方向を、セ
ラミック多層基板１の厚さ方向に一致させて、セラミッ
ク多層基板１内に埋め込み形成する。
タを有する高周波モジュールを実現すること。 【解決手段】マイクロストリップ型フィルタ５を構成す
るマイクロストリップ線路５1 〜５4 の長手方向を、セ
ラミック多層基板１の厚さ方向に一致させて、セラミッ
ク多層基板１内に埋め込み形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波モジュール
に係り、特にマイクロストリップ線路で構成されたフィ
ルタや共振器などの素子を有する高周波モジュールに関
する。
に係り、特にマイクロストリップ線路で構成されたフィ
ルタや共振器などの素子を有する高周波モジュールに関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信や衛星放送などの無線
通信システムは、機器の低コスト化や利用料の引き下げ
により、爆発的に利用者が増加している。また、インタ
ーネットに代表されるマルチメディアの発展により、パ
ーソナル・コンピュータは高性能化しながらもコストダ
ウンし、家電製品と同様に扱われるようになってきてい
る。
通信システムは、機器の低コスト化や利用料の引き下げ
により、爆発的に利用者が増加している。また、インタ
ーネットに代表されるマルチメディアの発展により、パ
ーソナル・コンピュータは高性能化しながらもコストダ
ウンし、家電製品と同様に扱われるようになってきてい
る。
【０００３】このような本格的な情報化社会の到来とと
もに、画像情報を含むマルチメディア通信はさらに大容
量化が要求されている。この大容量伝送には新たな周波
数資源の開拓が必要である。
もに、画像情報を含むマルチメディア通信はさらに大容
量化が要求されている。この大容量伝送には新たな周波
数資源の開拓が必要である。
【０００４】このため、郵政省は１９９３年に６０Ｈｚ
を解放した。現在、６０ＧＨｚ帯を使用した無線ＬＡＮ
やその他のさまざまアプリケーションが考えられ研究開
発が進んでいる。
を解放した。現在、６０ＧＨｚ帯を使用した無線ＬＡＮ
やその他のさまざまアプリケーションが考えられ研究開
発が進んでいる。
【０００５】これらの装置には、共通して小型で軽いこ
とが要求される。中でも高周波ＩＣを搭載する中心部
は、通常、多くのＩＣと受動部品が実装され、大型化し
重くなっている。
とが要求される。中でも高周波ＩＣを搭載する中心部
は、通常、多くのＩＣと受動部品が実装され、大型化し
重くなっている。
【０００６】最近になって、化合物半導体のプロセス技
術やデバイス技術の発達により、必要な機能を１個のチ
ップに集積したＭＭＩＣが学会レベルで発表されている
が、安価で実用性の高いＭＭＩＣの開発にはまだまだ時
間がかかる。
術やデバイス技術の発達により、必要な機能を１個のチ
ップに集積したＭＭＩＣが学会レベルで発表されている
が、安価で実用性の高いＭＭＩＣの開発にはまだまだ時
間がかかる。
【０００７】一方、高周波モジュールを構成する部品と
して不可欠なフィルタは、ほとんどの場合、金属やプラ
スチックのパッケージに収められ、個別部品として基板
上に実装されている。
して不可欠なフィルタは、ほとんどの場合、金属やプラ
スチックのパッケージに収められ、個別部品として基板
上に実装されている。
【０００８】フィルタは、どの部分の周波数成分を通過
させるか、また、どの部品の周波数を遮断するかによ
り、一般的に４種類に分類されている。すなわち、低域
通過フィルタ、高域通過フィルタ、帯域通過フィルタお
よび帯域阻止フィルタの４種類に分類される。さらに、
システム全体としてこれらのフィルタに必要な電気的特
性や温度特性から、フィルタを構成する材料や動作方法
が選択される。
させるか、また、どの部品の周波数を遮断するかによ
り、一般的に４種類に分類されている。すなわち、低域
通過フィルタ、高域通過フィルタ、帯域通過フィルタお
よび帯域阻止フィルタの４種類に分類される。さらに、
システム全体としてこれらのフィルタに必要な電気的特
性や温度特性から、フィルタを構成する材料や動作方法
が選択される。
【０００９】フィルタの中でも、特にマイクロストリッ
プ線路で構成されたフィルタ（マイクロストリップ型フ
ィルタ）は、他のフィルタに比べて、製作が容易で、平
面上のパターンを変更するだけで、上述した４種類のフ
ィルタを形成できるという利点を持つ。このため、低価
格な携帯電話などにおいては、プリント基板の内層にフ
ィルタを作り込む場合がある。
プ線路で構成されたフィルタ（マイクロストリップ型フ
ィルタ）は、他のフィルタに比べて、製作が容易で、平
面上のパターンを変更するだけで、上述した４種類のフ
ィルタを形成できるという利点を持つ。このため、低価
格な携帯電話などにおいては、プリント基板の内層にフ
ィルタを作り込む場合がある。
【００１０】しかしながら、この種の従来のマイクロス
トリップ型フィルタには、以下のような問題がある。従
来のマイクロストリップ型フィルタは、基板表面上に２
次元的（平面的）にパターン形成されるため、つまり、
マイクロストリップ線路の長手方向が基板の厚さ方向に
対して垂直になるようにパターン形成されるため、基板
の上から見た面積（平面面積）は非常に大きくなる。
トリップ型フィルタには、以下のような問題がある。従
来のマイクロストリップ型フィルタは、基板表面上に２
次元的（平面的）にパターン形成されるため、つまり、
マイクロストリップ線路の長手方向が基板の厚さ方向に
対して垂直になるようにパターン形成されるため、基板
の上から見た面積（平面面積）は非常に大きくなる。
【００１１】また、信号配線の引き回しを考えると、こ
のような平面面積の大きなフィルタを避けるように、信
号配線の引き回しを行なう必要がある。したがって、信
号配線の引き回しの自由度は低くいものとなる。
のような平面面積の大きなフィルタを避けるように、信
号配線の引き回しを行なう必要がある。したがって、信
号配線の引き回しの自由度は低くいものとなる。
【００１２】このような自由度の低下は、信号配線の多
層化や基板の大面積化により解決できるが、今度は装置
の大型化や大重量化やコストアップという新たな問題が
生じる。
層化や基板の大面積化により解決できるが、今度は装置
の大型化や大重量化やコストアップという新たな問題が
生じる。
【００１３】このような問題は、マイクロストリップ型
フィルタのみならず、マイクロストリップ線路で構成さ
れた他の素子、例えば共振器（マイクロストリップ型フ
ィルタ）にも当てはまる。
フィルタのみならず、マイクロストリップ線路で構成さ
れた他の素子、例えば共振器（マイクロストリップ型フ
ィルタ）にも当てはまる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のマ
イクロストリップ型フィルタは、作製が容易であるが、
平面面積が大きく、これにより、信号配線の引き回しの
自由度が低下するという問題があった。
イクロストリップ型フィルタは、作製が容易であるが、
平面面積が大きく、これにより、信号配線の引き回しの
自由度が低下するという問題があった。
【００１５】このような問題は、信号配線の多層化や基
板の大面積化により解決できるが、装置の大型化や大重
量化やコストアップという新たな問題が生じる。同様な
問題は、マイクロストリップ線路で構成された他の素
子、例えばマイクロストリップ型共振器に関してもあっ
た。
板の大面積化により解決できるが、装置の大型化や大重
量化やコストアップという新たな問題が生じる。同様な
問題は、マイクロストリップ線路で構成された他の素
子、例えばマイクロストリップ型共振器に関してもあっ
た。
【００１６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、平面面積の小さい、マ
イクロストリップ線路で構成された素子を有する高周波
モジュールを提供することにある。
ので、その目的とするところは、平面面積の小さい、マ
イクロストリップ線路で構成された素子を有する高周波
モジュールを提供することにある。
【００１７】
［構成］上記目的を達成するために、本発明に係る高周
波モジュール（請求項１）は、基板上に実装された高周
波半導体素子と、長手方向を前記基板の厚み方向に一致
させて、前記基板内に埋め込み形成されたマイクロスト
リップ線路で構成されたマイクロストリップ型素子とを
備えていることを特徴とする。
波モジュール（請求項１）は、基板上に実装された高周
波半導体素子と、長手方向を前記基板の厚み方向に一致
させて、前記基板内に埋め込み形成されたマイクロスト
リップ線路で構成されたマイクロストリップ型素子とを
備えていることを特徴とする。
【００１８】また、本発明に係る他の高周波モジュール
（請求項２）は、基板上に実装された高周波半導体素子
と、長手方向を前記基板の厚み方向に一致させて、前記
基板内に埋め込み形成されたマイクロストリップ線路で
構成された、マイクロストリップ型フィルタおよびマイ
クロストリップ型共振器の少なくとも一方のマイクロス
トリップ型素子とを備えていることを特徴とする。
（請求項２）は、基板上に実装された高周波半導体素子
と、長手方向を前記基板の厚み方向に一致させて、前記
基板内に埋め込み形成されたマイクロストリップ線路で
構成された、マイクロストリップ型フィルタおよびマイ
クロストリップ型共振器の少なくとも一方のマイクロス
トリップ型素子とを備えていることを特徴とする。
【００１９】また、本発明に係る他の高周波モジュール
（請求項３）は、上記高周波モジュール（請求項１，
２）において、前記マイクロストリップ線路の形状が円
柱であることを特徴とする。
（請求項３）は、上記高周波モジュール（請求項１，
２）において、前記マイクロストリップ線路の形状が円
柱であることを特徴とする。
【００２０】［作用］本発明では、マイクロストリップ
型素子を構成するマイクロストリップ線路の長手方向
を、基板の厚さ方向に一致させている。したがって、本
発明に係るマイクロストリップ型素子の平面面積は、マ
イクロストリップ線路の長手方向が基板の厚さ方向に対
して垂直である、従来のマイクロストリップ型素子のそ
れよりも、十分に小さくなる。
型素子を構成するマイクロストリップ線路の長手方向
を、基板の厚さ方向に一致させている。したがって、本
発明に係るマイクロストリップ型素子の平面面積は、マ
イクロストリップ線路の長手方向が基板の厚さ方向に対
して垂直である、従来のマイクロストリップ型素子のそ
れよりも、十分に小さくなる。
【００２１】このように、本発明によれば、マイクロス
トリップ型素子の平面面積を小さくできるので、その
分、基板上の信号配線の密度を高くできる。これによ
り、従来と同じ基板面積で信号配線を多層化する場合に
は、信号配線の層数を従来よりも少なくできる。逆に、
同じ層数で多層化する場合には、基板面積を従来よりも
小さくできる。さらに、層数を従来よりも少なく、かつ
基板面積も従来よりも小さくすることも可能となる。
トリップ型素子の平面面積を小さくできるので、その
分、基板上の信号配線の密度を高くできる。これによ
り、従来と同じ基板面積で信号配線を多層化する場合に
は、信号配線の層数を従来よりも少なくできる。逆に、
同じ層数で多層化する場合には、基板面積を従来よりも
小さくできる。さらに、層数を従来よりも少なく、かつ
基板面積も従来よりも小さくすることも可能となる。
【００２２】このような層数の低減化や基板の小面積化
により、高周波モジュールの小型化や軽量化や低コスト
化を図ることができるようになる。そして、このような
高周波モジュールを使用することにより、軽量、低コス
トの携帯端末やその他の高周波機器を実現できるように
なる。
により、高周波モジュールの小型化や軽量化や低コスト
化を図ることができるようになる。そして、このような
高周波モジュールを使用することにより、軽量、低コス
トの携帯端末やその他の高周波機器を実現できるように
なる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係る高周波モジュールを示す断面図である。
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。 （第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に
係る高周波モジュールを示す断面図である。
【００２４】図中、１はセラミック多層基板を示してお
り、このセラミック多層基板１上には、高周波半導体素
子が集積形成されてなる高周波ＩＣ２1 ，２2 が、イン
ダクタンスを低減するための突起状電極３により、フェ
イスダウンで実装されている。セラミック多層基板１の
厚さは、１．０〜２．０ｍｍ程度である。なお、図中、
４はパッドを示している。
り、このセラミック多層基板１上には、高周波半導体素
子が集積形成されてなる高周波ＩＣ２1 ，２2 が、イン
ダクタンスを低減するための突起状電極３により、フェ
イスダウンで実装されている。セラミック多層基板１の
厚さは、１．０〜２．０ｍｍ程度である。なお、図中、
４はパッドを示している。
【００２５】一方、セラミック多層基板１の内部には、
４本のマイクロストリップ線路５１〜５４ で構成され
た３段のマイクロストリップ型フィルタ５が埋め込み形
成されている。このマイクロストリップ型フィルタ５の
両端は、それぞれ信号配線６により高周波ＩＣ２1 ，２
2 に電気的に接続されている。図には示していないが、
セラミック多層基板１上にも信号配線は形成されてい
る。
４本のマイクロストリップ線路５１〜５４ で構成され
た３段のマイクロストリップ型フィルタ５が埋め込み形
成されている。このマイクロストリップ型フィルタ５の
両端は、それぞれ信号配線６により高周波ＩＣ２1 ，２
2 に電気的に接続されている。図には示していないが、
セラミック多層基板１上にも信号配線は形成されてい
る。
【００２６】マイクロストリップ型フィルタ５の奥には
（紙面の裏面側）、グランドパターン７が埋め込み形成
されている。このグランドパターン７は、マイクロスト
リップ線路５1 〜５4 の特性インピーダンスが５０オー
ムに制御される距離だけ、マイクロストリップ型フィル
タ５から離れている。
（紙面の裏面側）、グランドパターン７が埋め込み形成
されている。このグランドパターン７は、マイクロスト
リップ線路５1 〜５4 の特性インピーダンスが５０オー
ムに制御される距離だけ、マイクロストリップ型フィル
タ５から離れている。
【００２７】本実施形態では、マイクロストリップ型フ
ィルタ５を構成するマイクロストリップ線路５1 〜５4
の長手方向を、セラミック多層基板１の厚さ方向に一致
させている。
ィルタ５を構成するマイクロストリップ線路５1 〜５4
の長手方向を、セラミック多層基板１の厚さ方向に一致
させている。
【００２８】したがって、本実施形態のマイクロストリ
ップ型フィルタ５を、セラミック多層基板１の上から見
た面積（平面面積）は、マイクロストリップ線路の長手
方向が基板の厚さ方向に対して垂直である、従来のマイ
クロストリップ型素子のそれよりも、十分に小さくな
る。
ップ型フィルタ５を、セラミック多層基板１の上から見
た面積（平面面積）は、マイクロストリップ線路の長手
方向が基板の厚さ方向に対して垂直である、従来のマイ
クロストリップ型素子のそれよりも、十分に小さくな
る。
【００２９】以下に、本実施形態のマイクロストリップ
型フィルタ５の平面面積と従来のマイクロストリップ型
フィルタのそれとを具体的に比較する。図２に、本実施
形態のマイクロストリップ型フィルタ５の平面パターン
およびその寸法を示す。また、図５に、従来のマイクロ
ストリップ型フィルタ５´を用いた高周波モジュールを
示す断面図、図６に、マイクロストリップ型フィルタ５
´の平面パターンおよびその寸法を示す。なお、図５、
図６において、図１、図２と対応する部分には図１、図
２と同一符号を付してある。
型フィルタ５の平面面積と従来のマイクロストリップ型
フィルタのそれとを具体的に比較する。図２に、本実施
形態のマイクロストリップ型フィルタ５の平面パターン
およびその寸法を示す。また、図５に、従来のマイクロ
ストリップ型フィルタ５´を用いた高周波モジュールを
示す断面図、図６に、マイクロストリップ型フィルタ５
´の平面パターンおよびその寸法を示す。なお、図５、
図６において、図１、図２と対応する部分には図１、図
２と同一符号を付してある。
【００３０】マイクロストリップ線路５1 〜５4 の周囲
は、通常の基板材料であるアルミナセラミックにより均
一に覆われ、信号配線の配線幅は５０μｍ、信号配線の
厚さは２０μｍ、信号配線を流れる高周波信号の周波数
は１００ＧＨｚとする。この場合、波長λは約１０００
μｍとなる。
は、通常の基板材料であるアルミナセラミックにより均
一に覆われ、信号配線の配線幅は５０μｍ、信号配線の
厚さは２０μｍ、信号配線を流れる高周波信号の周波数
は１００ＧＨｚとする。この場合、波長λは約１０００
μｍとなる。
【００３１】フィルタとして機能するためには、隣り合
うマイクロストリップ線路は互いに平行、かつ対向する
部分の長さはλ／４（＝２５０μｍ）である必要があ
る。したがって、図６に示すように、マイクロストリッ
プ線路５1 ，５4 の長さはともに２５０μｍで済むが、
マイクロストリップ線路５2 はマイクロストリップ線路
５1 ，５3 の両方に平行である必要があるので、マイク
ロストリップ線路５2 の長さは５００μｍとなる。
うマイクロストリップ線路は互いに平行、かつ対向する
部分の長さはλ／４（＝２５０μｍ）である必要があ
る。したがって、図６に示すように、マイクロストリッ
プ線路５1 ，５4 の長さはともに２５０μｍで済むが、
マイクロストリップ線路５2 はマイクロストリップ線路
５1 ，５3 の両方に平行である必要があるので、マイク
ロストリップ線路５2 の長さは５００μｍとなる。
【００３２】同様に、マイクロストリップ線路５3 はマ
イクロストリップ線路５2 ，５4 の両方に平行である必
要があるので、マイクロストリップ線路５3 の長さも５
００μｍとなる。
イクロストリップ線路５2 ，５4 の両方に平行である必
要があるので、マイクロストリップ線路５3 の長さも５
００μｍとなる。
【００３３】したがって、従来のマイクロストリップ型
フィルタ５´が必要とする平面面積は、３５０×７５０
＝２６２５００（μｍ2 ）となる。一方、本実施形態の
場合、図２に示すように、基板表面からは、マイクロス
トリップ線路５1 〜５4 の端面しか見えない。
フィルタ５´が必要とする平面面積は、３５０×７５０
＝２６２５００（μｍ2 ）となる。一方、本実施形態の
場合、図２に示すように、基板表面からは、マイクロス
トリップ線路５1 〜５4 の端面しか見えない。
【００３４】したがって、本実施形態のマイクロストリ
ップ型フィルタ５が必要とする平面面積は、２０×３５
０＝７０００（μｍ2 ）となる。すなわち、従来と比較
すると、約１／４０の小面積化（小型化）が実現されて
いる。なお、本実施形態では、３段のバンドパスフィル
タを用いたが、さらに多段のフィルタの場合には、上記
小面積化の効果はより顕著になる。
ップ型フィルタ５が必要とする平面面積は、２０×３５
０＝７０００（μｍ2 ）となる。すなわち、従来と比較
すると、約１／４０の小面積化（小型化）が実現されて
いる。なお、本実施形態では、３段のバンドパスフィル
タを用いたが、さらに多段のフィルタの場合には、上記
小面積化の効果はより顕著になる。
【００３５】このように、本実施形態によれば、マイク
ロストリップ型フィルタ５の平面面積を小さくできるの
で、その分、セラミック多層基板１上の信号配線の密度
を高くできる。
ロストリップ型フィルタ５の平面面積を小さくできるの
で、その分、セラミック多層基板１上の信号配線の密度
を高くできる。
【００３６】これにより、従来と同じ基板面積で信号配
線を多層化する場合には、信号配線の層数を従来よりも
少なくできる。逆に、同じ層数で多層化する場合には、
基板面積を従来よりも小さくできる。さらに、層数を従
来よりも少なく、かつ基板面積も従来よりも小さくする
ことも可能となる。
線を多層化する場合には、信号配線の層数を従来よりも
少なくできる。逆に、同じ層数で多層化する場合には、
基板面積を従来よりも小さくできる。さらに、層数を従
来よりも少なく、かつ基板面積も従来よりも小さくする
ことも可能となる。
【００３７】このような層数の低減化や基板の小面積化
により、高周波モジュールの小型化や軽量化や低コスト
化を図ることができるようになる。したがって、本実施
形態の高周波モジュールを使用することにより、軽量、
低コストの携帯端末やその他の高周波機器を実現できる
ようになる。
により、高周波モジュールの小型化や軽量化や低コスト
化を図ることができるようになる。したがって、本実施
形態の高周波モジュールを使用することにより、軽量、
低コストの携帯端末やその他の高周波機器を実現できる
ようになる。
【００３８】なお、ここでは、マイクロストリップ線路
５1 〜５4 の形状が長方体の場合について説明したが、
円柱の場合にも同様に平面面積を小さくできる。さら
に、円柱の場合には角部がないので、電界集中による損
失がないという効果もある。これにより、フィルタ全体
の損失を低く抑えることができ、フィルタ出力の増幅に
増幅率の小さい増幅器を使用できるようになる。
５1 〜５4 の形状が長方体の場合について説明したが、
円柱の場合にも同様に平面面積を小さくできる。さら
に、円柱の場合には角部がないので、電界集中による損
失がないという効果もある。これにより、フィルタ全体
の損失を低く抑えることができ、フィルタ出力の増幅に
増幅率の小さい増幅器を使用できるようになる。
【００３９】次にマイクロストリップ型フィルタ５の形
成方法について説明する。まず、図３（ａ）に示すよう
に、セラミック多層基板１となる第１のグリーンシート
１1 を用意し、この第１のグリーンシート１1 の表面
に、焼成処理後の深さがλ／４となる第１の穴を開孔す
る。
成方法について説明する。まず、図３（ａ）に示すよう
に、セラミック多層基板１となる第１のグリーンシート
１1 を用意し、この第１のグリーンシート１1 の表面
に、焼成処理後の深さがλ／４となる第１の穴を開孔す
る。
【００４０】次に図３（ｂ）に示すように、第１の穴内
にマイクロストリップ線路５1 となる導電性ペースト５
1P、例えばモリブデンペーストを印刷法により埋め込
む。次に同図（ｂ）に示すように、第１のグリーンシー
ト１1 上にセラミック多層基板１となる第２のグリーン
シート１2 を形成した後、第１および第２のグリーンシ
ート１1 ，１2 に、第１の穴と対向する部分の長さが焼
成処理後にλ／４となる深さの第２の穴を形成する。
にマイクロストリップ線路５1 となる導電性ペースト５
1P、例えばモリブデンペーストを印刷法により埋め込
む。次に同図（ｂ）に示すように、第１のグリーンシー
ト１1 上にセラミック多層基板１となる第２のグリーン
シート１2 を形成した後、第１および第２のグリーンシ
ート１1 ，１2 に、第１の穴と対向する部分の長さが焼
成処理後にλ／４となる深さの第２の穴を形成する。
【００４１】次に図３（ｃ）に示すように、導電性ペー
スト５1Pの場合と同様に、第２の穴内にマイクロストリ
ップ線路５2 となる導電性ペースト５2Pを埋め込む。次
に同図（ｃ）に示すように、第２のグリーンシート１2
上にセラミック多層基板１となる第３のグリーンシート
１3 を形成した後、第２、第３のグリーンシート１2 ，
１3 に、第２の穴と対向する部分の長さが焼成処理後に
λ／４となる深さの第３の穴、および第３のグリーンシ
ート１3 に、第３の穴と対向する部分の長さが焼成処理
後にλ／４となる深さの第４の穴を形成する。
スト５1Pの場合と同様に、第２の穴内にマイクロストリ
ップ線路５2 となる導電性ペースト５2Pを埋め込む。次
に同図（ｃ）に示すように、第２のグリーンシート１2
上にセラミック多層基板１となる第３のグリーンシート
１3 を形成した後、第２、第３のグリーンシート１2 ，
１3 に、第２の穴と対向する部分の長さが焼成処理後に
λ／４となる深さの第３の穴、および第３のグリーンシ
ート１3 に、第３の穴と対向する部分の長さが焼成処理
後にλ／４となる深さの第４の穴を形成する。
【００４２】次の図３（ｄ）に示すように、導電性ペー
スト５1Pの場合と同様に、第３、第４の穴内に、それぞ
れ、マイクロストリップ線路５3 ，５4 となる導電性ペ
ースト５3P，５4Pを埋め込む。この後、同図（ｄ）に示
すように、第３のグリーンシート１3 上にセラミック多
層基板１となる第４のグリーンシート１4 を形成する。
スト５1Pの場合と同様に、第３、第４の穴内に、それぞ
れ、マイクロストリップ線路５3 ，５4 となる導電性ペ
ースト５3P，５4Pを埋め込む。この後、同図（ｄ）に示
すように、第３のグリーンシート１3 上にセラミック多
層基板１となる第４のグリーンシート１4 を形成する。
【００４３】最後に、図３（ｅ）に示すように、第１〜
第４のグリーンシート１1 〜１4 を焼成処理して、マイ
クロストリップ線５1 〜５4 が完成する。すなわち、マ
イクロストリップ型フィルタ５を内蔵したセラミック多
層基板１が完成する。
第４のグリーンシート１1 〜１4 を焼成処理して、マイ
クロストリップ線５1 〜５4 が完成する。すなわち、マ
イクロストリップ型フィルタ５を内蔵したセラミック多
層基板１が完成する。
【００４４】ここでは、グランドパターン４や信号配線
６のプロセスについては説明しなかったが、これらもマ
イクロストリップ型フィルタ５と同様の方法で同時に形
成される。 （第２の実施形態）図４は、本発明の第２の実施形態に
係る高周波モジュールを示す断面図である。なお、図１
の高周波モジュールと対応する部分には図１と同一符号
を付してあり、詳細な説明は省略する。
６のプロセスについては説明しなかったが、これらもマ
イクロストリップ型フィルタ５と同様の方法で同時に形
成される。 （第２の実施形態）図４は、本発明の第２の実施形態に
係る高周波モジュールを示す断面図である。なお、図１
の高周波モジュールと対応する部分には図１と同一符号
を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００４５】本実施形態の高周波モジュールが第１の実
施形態のそれと異なる点は、マイクロストリップ型フィ
ルタ５の他に、マイクロストリップ型共振器８も同様に
セラミック多層基板１内に埋め込み形成されていること
にある。
施形態のそれと異なる点は、マイクロストリップ型フィ
ルタ５の他に、マイクロストリップ型共振器８も同様に
セラミック多層基板１内に埋め込み形成されていること
にある。
【００４６】ただし、マイクロストリップ型フィルタ５
は高周波ＩＣ２1 ，２2 の端子間ではなく、高周波ＩＣ
２1 の端子間に設けられ、マイクロストリップ型共振器
８は高周波ＩＣ２2 の端子間に設けられている。また、
マイクロストリップ型共振器８の形成方法は、マイクロ
ストリップ型フィルタ５のそれと同様である。
は高周波ＩＣ２1 ，２2 の端子間ではなく、高周波ＩＣ
２1 の端子間に設けられ、マイクロストリップ型共振器
８は高周波ＩＣ２2 の端子間に設けられている。また、
マイクロストリップ型共振器８の形成方法は、マイクロ
ストリップ型フィルタ５のそれと同様である。
【００４７】本実施形態では、マイクロストリップ型フ
ィルタ５と同様に、マイクロストリップ型共振器８を構
成するマイクロストリップ線路の長手方向をセラミック
多層基板１の厚さ方向に一致させている。
ィルタ５と同様に、マイクロストリップ型共振器８を構
成するマイクロストリップ線路の長手方向をセラミック
多層基板１の厚さ方向に一致させている。
【００４８】これにより、従来のマイクロストリップ型
共振器を用いた場合よりも、セラミック多層基板１上の
信号配線の密度を高くできる。したがって、第１の実施
形態と同様に、高周波モジュールの小型化や軽量化や低
コスト化を図ることができるようになり、さらに、本実
施形態の高周波モジュールを使用することにより、軽
量、低コストの携帯端末やその他の高周波機器を実現で
きるようになる。
共振器を用いた場合よりも、セラミック多層基板１上の
信号配線の密度を高くできる。したがって、第１の実施
形態と同様に、高周波モジュールの小型化や軽量化や低
コスト化を図ることができるようになり、さらに、本実
施形態の高周波モジュールを使用することにより、軽
量、低コストの携帯端末やその他の高周波機器を実現で
きるようになる。
【００４９】また、マイクロストリップ型共振器８を構
成するマイクロストリップ線路の形状は、マイクロスト
リップ型フィルタ５の場合と同様に、円柱であることが
好ましい。
成するマイクロストリップ線路の形状は、マイクロスト
リップ型フィルタ５の場合と同様に、円柱であることが
好ましい。
【００５０】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではない。例えば、上記実施例では、マイクロスト
リップ型フィルタとして、帯域通過フィルタの場合につ
いて説明したが、本発明は低域通過フィルタ、高域通過
フィルタ、帯域阻止フィルタにも適用できる。
ものではない。例えば、上記実施例では、マイクロスト
リップ型フィルタとして、帯域通過フィルタの場合につ
いて説明したが、本発明は低域通過フィルタ、高域通過
フィルタ、帯域阻止フィルタにも適用できる。
【００５１】さらに、マイクロストリップ型フィルタや
マイクロストリップ型共振器以外の他のマイクロストリ
ップ線路を用いた素子にも本発明は適用できる。その
他、本発明の技術的範囲の中で種々変形して実施でき
る。
マイクロストリップ型共振器以外の他のマイクロストリ
ップ線路を用いた素子にも本発明は適用できる。その
他、本発明の技術的範囲の中で種々変形して実施でき
る。
【００５２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、マ
イクロストリップ型素子を構成するマイクロストリップ
線路の長手方向を基板の厚さ方向に一致させているの
で、平面面積の小さい、マイクロストリップ線路で構成
された素子を有する高周波モジュールを実現できるよう
になる。
イクロストリップ型素子を構成するマイクロストリップ
線路の長手方向を基板の厚さ方向に一致させているの
で、平面面積の小さい、マイクロストリップ線路で構成
された素子を有する高周波モジュールを実現できるよう
になる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュー
ルを示す断面図
ルを示す断面図
【図２】図１の高周波モジュールのマイクロストリップ
型フィルタの平面パターンおよびその寸法を示す図
型フィルタの平面パターンおよびその寸法を示す図
【図３】図１の高周波モジュールのマイクロストリップ
型フィルタの形成方法を示す工程断面図
型フィルタの形成方法を示す工程断面図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュー
ルを示す断面図
ルを示す断面図
【図５】従来の高周波モジュールを示す断面図
【図６】図５の高周波モジュールのマイクロストリップ
型フィルタの平面パターンおよびその寸法を示す図
型フィルタの平面パターンおよびその寸法を示す図
１…セラミック多層基板 １1 〜１4 …グリーンシート ２1 ，２2 …高周波ＩＣ ３…突起状電極 ４…パッド ５…マイクロストリップ型フィルタ ５1 〜５4 …マイクロストリップ線路 ５1P〜５4P…導電性ペースト ６…信号配線 ７…グランドパターン ８…マイクロストリップ型共振器
Claims (3)
- 【請求項１】基板上に実装された高周波半導体素子と、 長手方向を前記基板の厚み方向に一致させて、前記基板
内に埋め込み形成されたマイクロストリップ線路で構成
されたマイクロストリップ型素子とを具備してなること
を特徴とする高周波モジュール。 - 【請求項２】基板上に実装された高周波半導体素子と、 長手方向を前記基板の厚み方向に一致させて、前記基板
内に埋め込み形成されたマイクロストリップ線路で構成
された、マイクロストリップ型フィルタおよびマイクロ
ストリップ型共振器の少なくとも一方のマイクロストリ
ップ型素子とを具備してなることを特徴とする高周波モ
ジュール。 - 【請求項３】前記マイクロストリップ線路の形状は円柱
であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
の高周波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8348956A JPH10190307A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 高周波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8348956A JPH10190307A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 高周波モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190307A true JPH10190307A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18400529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8348956A Pending JPH10190307A (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 高周波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10190307A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184898A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
| JP2007312221A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール |
| JP2007312220A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体素子結合装置、半導体素子、高周波モジュール及び半導体素子結合方法 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP8348956A patent/JPH10190307A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184898A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-06-28 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
| JP2007312221A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール |
| JP2007312220A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Sony Corp | 半導体素子結合装置、半導体素子、高周波モジュール及び半導体素子結合方法 |
| US7760045B2 (en) | 2006-05-19 | 2010-07-20 | Sony Corporation | Semiconductor device interconnecting unit, semiconductor device, high-frequency module, and semiconductor device interconnecting method |
| JP4506722B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 半導体素子結合装置、半導体素子、高周波モジュール及び半導体素子結合方法 |
| US7907924B2 (en) | 2006-05-19 | 2011-03-15 | Sony Corporation | Semiconductor device interconnecting unit, semiconductor device and high-frequency module having a millimeter wave band |
| JP4702178B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2011-06-15 | ソニー株式会社 | 半導体結合装置、半導体素子及び高周波モジュール |
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