KR101890875B1 - 기판 및 발광소자 패키지 - Google Patents
기판 및 발광소자 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101890875B1 KR101890875B1 KR1020120113120A KR20120113120A KR101890875B1 KR 101890875 B1 KR101890875 B1 KR 101890875B1 KR 1020120113120 A KR1020120113120 A KR 1020120113120A KR 20120113120 A KR20120113120 A KR 20120113120A KR 101890875 B1 KR101890875 B1 KR 101890875B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- opening
- conductive layer
- emitting device
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title description 27
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 153
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 29
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 24
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 4
- -1 YAG Chemical compound 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고, 서로 이격된 적어도 2개의 전도층, 상기 전도층에 서로 이격되어 형성되는 적어도 2개의 오프닝, 상기 전도층의 상면 중 상기 오프닝들 사이의 일정한 공간 밖의 영역에 배치되는 반사층 및 상기 전도층들에 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하고, 상기 오프닝은 상기 전도층의 일부 영역이 제거되어 적어도 상기 절연층이 노출되는 것을 포함한다.
Description
실시 예는 기판 및 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다.
또한 발광소자가 전기적으로 연결되는 기판은 전기적 특성이 우수해야 한다.
실시 예는 반사층의 들뜸 및 이탈을 방지하여서 신뢰성을 향상된 기판 및 발광소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 절연층, 상기 절연층 상에 배치되고, 서로 이격된 적어도 2개의 전도층, 상기 전도층에 서로 이격되어 형성되는 적어도 2개의 오프닝, 상기 전도층의 상면 중 상기 오프닝들 사이의 일정한 공간 밖의 영역에 배치되는 반사층 및 상기 전도층들에 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하고, 상기 오프닝은 상기 전도층의 일부 영역이 제거되어 적어도 상기 절연층이 노출되는 것을 포함한다.
실시예는 잔류하는 솔더 플럭스가 전도층과 반사층 사이로 침습하는 것을 방지하는 이점이 있다.
또한, 실시예는 잔류하는 솔더 플럭스가 표면장력을 초과하여 흐르는 경우, 오프닝이 일정 공간을 제공하여서 솔더 플럭스가 전도층과 반사층 사이로 침습하는 것을 방지하는 이점이 있다.
.또한, 실시예는 반사층의 들뜸 및 이탈을 방지하게 되므로, 발광소자 패키지의 광도 및 신뢰성을 향상시키는 이점이 있다.
도 1은 실시예에 따른 기판을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 기판을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 B-B' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 기판을 도시한 일부 평면도이다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 C-C' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 부분 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 13은 도 12 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 14는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 15는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 기판을 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 B-B' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 기판을 도시한 일부 평면도이다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 7은 도 6의 C-C' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 부분 단면도이다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 13은 도 12 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 14는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 15는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 실시예에 따른 기판을 나타내는 평면도, 도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예의 기판(100)은, 금속 플레이트층(111), 절연층(113), 전도층(114-1)(114-2), 오프닝(120), 반사층(116) 및 반사층(116)에 형성되는 노출영역(116A)을 포함할 수 있다.
실시예의 기판(100)은 금속 플레이트층(111) 상에 절연층(113)이 배치되고, 절연층(113) 상에 전도층(114-1)(114-2)이 배치되는 구성을 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 전도층(114-1)(114-2)과 절연층(113)은 서로 교번되어 복수층이 배치될 수도 있다.
여기서, 금속 플레이트층(111)은 기판(100)의 베이스 역할을 하며, Cu, Al, Ti, Mg 중 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으며, 방열 및 지지를 위해 소정 두께 예컨대, 1mm ± 0.5mm 정도로 형성될 수 있으며, 이러한 두께로 한정하지는 않는다.
절연층(113)은 절연층(113)에 인접하는 층들 사이를 전기적으로 절연시켜준다. 절연층(113)의 재질은 전기적 부도체의 성질을 가지는 에폭시 계열, 실리콘 계열, 프레그(preg) 계열 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있다. 또한, 절연층(113)은 인접한 두 층 사이를 접착시켜 주는 접착 부재로 기능할 수 있다. 또한 상기 각 층과 각 층 사이에는 접착제를 이용하여 접착시켜 줄 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
절연층(113) 상에는 전도층(114-1)(114-2)이 배치된다. 전도층(114-1)(114-2)은 절연층(113) 상에서 서로 이격되어 적어도 2개가 배치될 수 있다. 즉, 전도층(114-1)(114-2)은 서로 다른 극성의 전원이 공급되어서 적기적 쇼트가 발생하지 않을 정도의 거리로 이격되어 배치된다. 전도층(114-1)(114-2)은 기판(100)에 설치되는 발광소자(미도시) 등에 전원을 공급한다.
전도층(114-1)(114-2)은 도 1에서 도시하는 바와 같이, 예를 들면, 제1 전도층(114-1)과 제1 전도층(114-1)에서 소정거리 이격된 제2 전도층(114-2)을 포함할 수 있다. 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2)의 사이에는 전기적 쇼트를 방지하는 절연부재(미도시)가 더 포함될 수 있다. 또는 절연층(113)이 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2)의 사이로 연장되어 형성될 수도 있다.
전도층(114-1)(114-2)은 전도성 물질로 형성될 수 있고, 예컨대 Cu, Al, Ti, Mg 중 선택되는 물질을 이용하여 형성될 수 있으며, 바람직하게 Cu를 이용하여 구현할 수 있으며, 상기 Cu의 표면에는 다른 물질이 더 코팅될 수 있고 실시 예의 기술적 범위 내에서 변경될 수 있다. 또한, 전도층(114-1)(114-2)은 전도성 물질이 다층으로 적층되어 형성될 수도 있다.
반사층(116)은 전도층(114-1)(114-2)의 상면에 배치된다. 그리고, 반사층(116)에는 전도층(114-1)(114-2) 중 일부 영역이 노출되는 노출영역(116A)이 형성된다. 즉, 반사층(116)은 전도층(114-1)(114-2)의 상면 중 와이어 본딩될 공간을 제외하고 배치된다. 즉, 반사층(116)은 전도층(114-1)(114-2) 상부영역 중 오프닝(120)들 사이에 와이어 본딩될 공간을 제외하고 배치될 수 있다. 반사층(116)은 광원부(미도시)에서 발생된 광을 반사시켜서, 제품의 광도를 향상시킨다.
반사층(116)은 광의 반사특성이 우수한 물질, 예를 들면, PSR(Photo Solder Resist), 들어 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다.
전도층(114-1)(114-2)이 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2)를 포함하는 경우, 반사층(116)은 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2) 상에 배치된다.
반사층(116)의 상에는 광원부와 위치되는 광원부 영역(140)과 다른 영역을 구획하는 댐(142)이 위치할 수 있다. 댐(142)의 배치는 제한이 없고, 위에서 바라볼 때 원형 또는 다각형의 형상을 가질 수 있다. 댐(142)은 전기적 절연재질을 포함할 수 있다.
오프닝(120)은 노출영역(116A) 아래의 전도층(114-1)(114-2)에 서로 이격되어 형성된다. 즉, 도 1에서 도시하는 바와 같이, 오프닝(120)은 적어도 2개가 서로 이격되어 노출영역(116A)과 수직적으로 중첩되어서 전도층(114-1)(114-2)에 형성된다. 또한, 오프닝(120)의 개수는 제한이 없고, 2개 이상의 다수개가 형성될 수 있다. 오프닝(120)은 솔더 플럭스가 흐르는 것을 방지하고, 솔더 플럭스의 표면장력을 강화시키며, 솔더 플럭스가 흐르게 될 때 이를 방지하는 댐의 역할을 한다.
오프닝(120)들의 배치는 적어도 2개가 서로 이격되는 자유로운 배치를 가질 수 있다. 예를 들면, 오프닝(120)들 중 적어도 한 쌍은 서로 마주보게 형성되거나, 오프닝(120)은 가상의 사각형의 변에 형성되거나, 가상의 원주 상에 형성될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
오프닝(120)들은 와이어가 솔더링될 수 있는 충분한 공간을 제공하도록 적정거리를 이격한다. 즉, 상술한 가상의 사각형이나 원주 내의 공간에 와이어가 본딩되는 것이다.
전도층(114-1)(114-2)이 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2)로 구성되는 경우 오프닝(120)은 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2)에 각각 형성된다.
오프닝(120)은 전도층(114-1)(114-2)의 일부 영역이 제거되어 적어도 절연층(113)이 노출되도록 형성된다. 또한, 오프닝(120)은 적어도 전도층(114-1)(114-2)의 일부 영역이 제거되고 금속 플레이트층(111)이 노출되도록 형성될 수도 있다. 또한, 오프닝(120)은 전도층(114-1)(114-2)이 형성되지 않는 빈 공간일 수 있다. 다시 설명하면, 오프닝(120)은 전도층(114-1)(114-2)이 없는 공간이거나, 전도층(114-1)(114-2)이 제거된 공간이다.
오프닝(120)은 절연층(113) 상에 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2)이 형성되고, 각각의 전도층(114-1)(114-2) 상에 오프닝(120)이 형성될 공간을 제외한 곳에 마스크를 배치한 후 건식식각 또는 습식식각의 방법으로 전도층(114-1)(114-2)을 제거하여 형성될 수 있다. 또한, 오프닝(120)은 절연층(113) 상에 오프닝(120)이 형성될 공간에 PR(Photo Resist)을 배치한 후, 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2)을 증착하여 형성될 수도 있다. 다만, 오프닝(120)의 형성방법은 이에 한정되는 것은 아니다.
오프닝(120)은 솔더 플럭스의 표면장력을 유지시키고, 솔더 플럭스가 흐를 때 일정한 공간을 제공할 수 있는 소정의 형상을 가질 수 있다. 즉, 오프닝(120)의 형상은 상부에서 바라볼 때, 사각형, 다각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 오프닝(120)의 단면 형상은 사각형, 마름모형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 오프닝(120)들의 형상은 서로 동일할 수도 있고, 다를 수도 있다.
오프닝(120)이 도 1에와 같이 사각형의 형상을 가진다면, 오프닝(120)의 폭은 200㎛ 내지 250㎛일 수 있고, 오프닝(120)의 길이는 200㎛ 이상일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다. 오프닝(120)이 원의 형상으로 형성되는 경우, 오프닝(120)의 직경은 200㎛ 내지 250㎛일 수 있다.
광원부 영역(140)은 제1 전도층(114-1) 또는 제2 전도층(114-2)의 상부에 위치할 수도 있고, 독자적인 영역을 가지고 제1 전도층(114-1)과 제2 전도층(114-2) 사이의 공간에 위치할 수도 있다.
일반적으로 전도층(114-1)(114-2)에 와이어를 본딩할 때, 솔더링을 하게 되는 데, 이때, 솔더가 접하는 부위의 오염물질을 제거하고, 효율적 솔더링을 위해 솔더와 솔더 플럭스를 같이 사용하게 된다. 솔더 플럭스는 이후 제거되지만, 완전하게 제거되기는 힘들고, 미세량이 솔더 부위에 잔류하게 된다. 솔더 플럭스는 제품의 사용 중에 반사층(116)의 하부로 침습하여 반사층(116)의 들뜸 및 이탈을 야기하게 된다. 반사층(116)의 들뜸 및 파괴는 광효율의 저하의 원인이 되고, 제품의 신뢰성이 저하되는 원인도 된다.
전도층(114-1)(114-2)에 오프닝(120)이 형성되면, 솔더링 후에 잔류하는 솔더 플럭스의 표면 장력을 강화하여서 잔류하는 솔더 플럭스가 전도층(114-1)(114-2)과 반사층(116) 사이로 침습하는 것을 방지하는 이점이 있다. 또한, 잔류하는 솔더 플럭스가 표면장력을 초과하여 흐르는 경우, 오프닝(120)이 일정 공간을 제공하므로, 솔더 플럭스가 전도층(114-1)(114-2)과 반사층(116) 사이로 침습하는 것을 방지하는 이점이 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 기판을 나타내는 평면도, 도 4는 도 3의 B-B' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도, 도 5는 다른 실시예에 따른 기판을 도시한 일부 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 기판(100A)은 도 1의 실시예에 비해서, 노출영역(116A)에 의해 노출된 전도층(114-1)(114-2) 상에 상기 오프닝(120)들 사이에 배치되는 전극패드(130A)를 더 포함한다.
전극패드(130A)는 노출영역(116A)에 의해 노출된 전도층(114-1)(114-2) 상에 와이어가 본딩될 영역(오프닝(120)들 사이의 공간)에 배치된다.
전극패드(130A)는 예를 들면, 니켈(Ni) 및 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하거나, 니켈(Ni)과 금(Au)의 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니고, 전기 전도성이 우수하고, 내습성이 우수한 금속재질도 사용될 수 있다.
이때, 오프닝(120)들은 전극패드(130A)의 둘레에 인접하여 배치된다. 즉, 오프닝(120)은 전극패드(130A)의 외면과 수직적으로 인접하게 형성된다.
특히, 도 5를 참조하면, 오프닝(120)들의 배치는 적어도 2개가 서로 이격되는 자유로운 배치를 가질 수 있다.
도 5(a)를 참조하면, 오프닝(120)은 가상의 사각형의 변에 형성될 수 있다. 바람직하게는 오프닝(120)은 가상의 사각형의 단변(짧은 변)에 형성될 수도 있고, 모든 변에 형성될 수도 있다. 오프닝(120)이 가상의 사각형의 변에 형성되는 경우, 길이는 가상의 사각형의 한 변의 길이의 30% 내지 90%의 길이를 가질 수 있다. 이 때에 전극패드(130A)는 상술한 가상의 사각형 내에 가상의 사각형에 대응되는 형상으로 배치된다. 다시 설명하면, 전도층(114-1)(114-2) 상에 사각형의 전극패드(130A)가 배치되고, 오프닝(120)은 전극패드(130A)의 외변에 수직적으로 인접하여 오프닝(120)이 형성되거나, 전극패드(130A)의 둘레에 인접하여 형성된다. 상기 가상의 사각형은 전극패드(130A)의 외변이 기준이 될 수 있다. 오프닝(120)이 4개가 형성되는 경우, 솔더 플럭스가 전도층(114-1)(114-2)과 반사층(116) 사이로 침습하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
도 5(b)를 참조하면, 오프닝(120)은 가상의 원주 상에 형성될 수 있다. 이 때에 전극패드(130A)는 상술한 가상의 원주 내에 가상의 원주에 대응되는 형상으로 배치된다. 다시 설명하면, 전도층(114-1)(114-2) 상에 원형의 전극패드(130A)가 배치되고, 상기 전극패드(130A)의 둘레에 인접하여 오프닝(120)이 형성될 수 있다. 상기 가상의 원은 전극패드(130A)의 둘레가 기준이 될 수 있다.
도 5(c)를 참조하면, 오프닝(120)은 가상의 사각형의 코너와 가상의 사각형의 변의 일부 영역에 형성될 수 있다. 이 때에 전극패드(130A)는 상술한 가상의 사각형 내에 가상의 사각형에 대응되는 형상으로 배치된다. 다시 설명하면, 전도층(114-1)(114-2) 상에 사각형의 전극패드(130A)가 배치되고, 상기 전극패드(130A)의 둘레에 인접하여 오프닝(120)이 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이 오프닝(120)들의 배치를 설명하였지만, 오프닝(120)들의 배치는 이에 한정되는 것은 아니고, 오프닝(120)들 사이의 영역의 전도층(114-1)(114-2)과 이외의 영역의 전도층(114-1)(114-2)이 통전되는 어떠한 형상도 가능하다.
도 6은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도, 도 7은 도 6의 C-C' 선을 따라 절단한 면을 도시한 부분 단면도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 도 1의 실시예의 기판(100)의 전도층(214-1)(214-2)에 발광소자(250)가 전기적으로 연결되는 것을 더 포함한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 금속 플레이트(211) 상에 절연층(213)이 배치되고, 절연층(213) 상에는 전도층(214-1)(214-2)이 배치되며, 전도층(214-1)(214-2)에는 오프닝(220) 형성되고, 전도층(214-1)(214-2) 상에는 반사층(216)을 포함하고, 전도층(214-1)(214-2)과 발광소자(250)는 전기적으로 연결된다.
발광소자(250)는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 발광소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광소자(250)는 한 개 이상 실장될 수 있다.
또한, 발광소자(250)는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다.
발광소자(250)는 제1 전도층(214-1) 및 제2 전도층(214-2)에 전기적으로 연결되고, 바람직하게는 제1 전도층(214-1) 및 제2 전도층(214-2)에 와이어(251) 본딩되어 연결될 수 있다. 와이어(251) 본딩 시에 솔더(261)와 솔더 플럭스(262)를 혼합하여 솔더링 작업을 하면, 솔더 플럭스(262)를 제거하는 작업을 수행하더라도 도 5에서 도시하는 바와 같이 미량의 솔더 플럭스(262)가 잔류하게 된다.
따라서, 오프닝(220)이 솔더링 후에 잔류하는 솔더 플럭스(262)의 표면 장력을 강화하여서 잔류하는 솔더 플럭스(262)가 전도층(214-1)(214-2)과 반사층(216) 사이로 침습하는 것을 방지하는 이점이 있다. 또한, 잔류하는 솔더 플럭스(262)가 표면장력을 초과하여 흐르는 경우, 오프닝(220)이 일정 공간을 제공하므로, 솔더 플럭스(262)가 전도층(214-1)(214-2)과 반사층(216) 사이로 침습하는 것을 방지하는 이점이 있다. 또한, 이로 인해 반사층(216)의 들뜸 및 이탈을 방지하게 되므로, 발광소자 패키지의 광도를 향상시키는 이점이 있다.
솔더 플럭스(262)는 솔더링 물질 간의 전기적 연결을 향상시키는 물질로써, 계면 활성제(surfactant) 및 산 첨가물(acid additive)을 포함하는 것이 보통이다.
발광소자(250)는 바람직하게는 광원부 영역(240)에 배치될 수 있지만, 제1 전도층(214-1) 또는 제2 전도층(214-2) 상에 배치될 수도 있다. 물론, 발광소자(250)와 제1 전도층(214-1) 또는 제2 전도층(214-2) 사이에는 반사층(216)이 형성된다.
도 8은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 부분 단면도이다.
도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200A)는 도 7의 실시예와 비교하면, 전도층(214-1)(214-2) 상에 배치되는 전극패드(230A)를 더 포함한다.
전극패드(230A)는 상술한 바와 같이 전도층(214-1)(214-2) 상의 오프닝(220)들 사이에 배치된다. 전극패드(230A)는 발광소자(250)와 전기적으로 연결된다. 바람직하게는 발광소자(250)와 전극패드(230A)는 와이어(251) 본딩되어 전기적으로 연결된다.
전극패드의 재질은 상술한 바와 같고, 전극패드(230A)는 와이어(251)와의 본딩을 용이하게 하고, 전기적 특성이 우수하다.
도 9는 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다. 즉, 도 9는 발광소자 패키지의 대각선의 단면을 따라 절단한 모습을 도시한 도면이다.
도 9를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200B)는 도 6의 실시예와 비교하면, 발광소자(250)를 둘러싸는 수지층(260)과 형광체(262)를 더 포함한다.
수지층(260)은 적어도 발광소자(250)의 상부영역에 위치할 수 있고, 더불어 댐(242)의 공간에도 위치하여서, 와이어(251)를 고정할 수 있다. 수지층(260)의 상부는 다양한 형상을 가질 수 있지만, 도 9에서는 볼록한 형상으로 형성되어서 광 지향각을 확대시킬 수 있다.
수지층(260)은 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질 중 적어도 하나 이상의 재질로 형성될 수 있으며, 댐(242) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.
또한 수지층(260)은 형광체(262)를 포함할 수 있으며, 형광체는 발광소자(250)에서 방출되는 광의 파장에 종류가 선택되어 발광소자 패키지가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.
이러한 형광체(262)는 발광소자(250)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다.
즉, 형광체(262)는 발광소자(250)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 발광소자(250)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(200B)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
이러한 형광체(262)는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.
도 9에서는 광원부 영역(240)과 제1 전도층(214-1) 및 제2 전도층(214-2) 사이에는 절연부재(280)가 포함되는 것으로 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 구조를 가지는 점은 이미 상술하였다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 10을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200C)는 도 9의 실시예와 비교하면, 발광소자(250)를 둘러싸는 수지층(260)의 형상에 차이가 있다.
수지층(260)의 상면은 평평하게 형성되어서, 발광소자(250)에서 발생되는 광의 지향각을 줄일 수 있다. 수지층(260)의 상면은 댐(242)의 상면과 동일하게 형성될 수 있다.
도 11은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(200D)는 도 10의 실시예와 비교하면, 수지층(260)의 상면에 보호층(270D)을 더 포함한다.
보호층(270D)은 수지층(260) 및 발광소자(250)를 외부의 충격 및 습기로부터 보호한다. 보호층(270D)은 합성수지 재질일 수 있다. 또한, 보호층(270D)은 수지층(260)에 포함된 형광체와 다른 형광체를 포함하거나, 발광소자(250)에서 발생된 광을 확산시키는 광확산재를 포함할 수 있다.
도 12는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 13 는 도 12 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 조명장치(600)는 몸체(610), 몸체(610)와 체결되는 커버(630) 및 몸체(610)의 양단에 위치하는 마감캡(650)을 포함할 수 있다.
몸체(610)의 하부면에는 발광소자 모듈(640)이 체결되며, 몸체(610)는 발광소자 패키지(644)에서 발생된 열이 몸체(610)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.
발광소자 패키지(644)는 PCB(642) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB(642)로 MPPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다. 또한, 발광소자 패키지(644)는 기판과 발광소자가 결합된 타입일 수 있다.
발광소자 패키지(644)는 연장된 리드 프레임(미도시)를 포함하여 향상된 방열 기능을 가질 수 있으므로, 발광소자 패키지(644)의 신뢰성과 효율성이 향상될 수 있으며, 발광소자 패키지(622) 및 발광소자 패키지(644)를 포함하는 조명장치(600)의 사용 연한이 연장될 수 있다.
커버(630)는 몸체(610)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.
커버(630)는 내부의 발광소자 모듈(640)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(630)는 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광은 커버(630)를 통해 외부로 방출되므로 커버(630)는 광 투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(630)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
마감캡(650)은 몸체(610)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(650)에는 전원핀(652)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(600)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 14는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 14는 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(710)은 백라이트 유닛(770)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(710)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(712) 및 박막 트랜지스터 기판(714)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(712)은 액정표시패널(710)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(714)은 구동 필름(717)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로 기판(718)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(714)은 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(714)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(770)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(720), 발광소자 모듈(720)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(710)로 제공하는 도광판(730), 도광판(730)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(752, 766, 764) 및 도광판(730)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(730)으로 반사시키는 반사 시트(747)로 구성된다.
발광소자 모듈(720)은 복수의 발광소자 패키지(724)와 복수의 발광소자 패키지(724)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(722)을 포함할 수 있다. 이 경우 굽어진 발광소자 패키지(724)의 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 백라이트 유닛(770)은 도광판(730)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(710) 방향으로 확산시키는 확산필름(766)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(752)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(750)를 보호하기 위한 보호필름(764)을 포함할 수 있다.
도 15 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 14 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 15 은 직하 방식으로, 액정표시장치(800)는 액정표시패널(810)과 액정표시패널(810)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(870)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(810)은 도 14에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트 유닛(870)은 복수의 발광소자 모듈(823), 반사시트(824), 발광소자 모듈(823)과 반사시트(824)가 수납되는 하부 섀시(830), 발광소자 모듈(823)의 상부에 배치되는 확산판(840) 및 다수의 광학필름(860)을 포함할 수 있다.
발광소자 모듈(823) 복수의 발광소자 패키지(822)와 복수의 발광소자 패키지(822)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(821)을 포함할 수 있다.
반사 시트(824)는 발광소자 패키지(822)에서 발생한 빛을 액정표시패널(810)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자 모듈(823)에서 발생한 빛은 확산판(840)에 입사하며, 확산판(840)의 상부에는 광학 필름(860)이 배치된다. 광학 필름(860)은 확산 필름(866), 프리즘필름(850) 및 보호필름(864)를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
Claims (23)
- 절연층;
상기 절연층 상에 배치되는 전도층;
상기 전도층 상에 배치되는 반사층;
상기 반사층에 상기 전도층 중 일부 영역이 노출되어 형성되는 노출영역;
상기 노출영역 아래의 전도층에 서로 이격되어 형성되는 적어도 2개의 오프닝을 포함하고,
상기 오프닝은 상기 전도층의 일부 영역이 제거되어 적어도 상기 절연층이 노출되는 것을 포함하는 기판. - 제1항에 있어서,
상기 오프닝은 가상의 원주 상에 배치되며,
상기 오프닝들 중 적어도 한 쌍은 서로 마주보게 형성되는 기판. - 제1항에 있어서,
상기 오프닝은,
가상의 사각형의 단변에 위치되며,
상기 오프닝은 상기 가상의 사각형의 한 변의 길이의 30% 내지 90%의 길이인 기판. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 오프닝의 폭은 200㎛ 내지 250㎛ 이며,
상기 오프닝의 길이는 200㎛ 이상인 기판. - 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 전도층 상에는 상기 오프닝들 사이에 배치되는 전극패드를 더 포함하며,
상기 오프닝들은 상기 전극패드의 둘레에 인접하여 배치되며,
상기 절연층의 아래에는 베이스를 형성하는 금속 플레이트층을 더 포함하는 기판. - 삭제
- 삭제
- 절연층;
상기 절연층 상에 배치되는 전도층;
상기 전도층 상에 배치되는 반사층;
상기 반사층에 상기 전도층 중 일부 영역이 노출되어 형성되는 노출영역;
상기 노출영역 아래의 전도층에 서로 이격되어 형성되는 적어도 2개의 오프닝; 및
상기 노출영역에 의해 노출된 전도층들에 전기적으로 연결된 발광소자를 포함하고,
상기 오프닝은 상기 전도층의 일부 영역이 제거되어 적어도 상기 절연층이 노출되는 것을 포함하는 발광소자 패키지. - 제11항에 있어서,
상기 오프닝들 중 적어도 한 쌍은 서로 마주보게 형성되며,
상기 발광소자는 상기 오프닝들 사이의 상기 전도층 상에 와이어 본딩되어 연결되는 발광소자 패키지. - 삭제
- 제11항에 있어서,
상기 전도층 상에는 상기 오프닝들 사이에 배치되는 전극패드를 더 포함하고,
상기 발광소자는 상기 전극패드 상에 와이어 본딩되어 연결되며,
상기 오프닝들은 상기 전극패드의 둘레에 인접하여 배치되는 발광소자 패키지. - 제11항에 있어서,
상기 오프닝은,
가상의 사각형의 단변에 위치되며,
상기 오프닝은,
상기 가상의 사각형의 한 변의 길이의 30% 내지 90%의 길이인 발광소자 패키지. - 삭제
- 제11항에 있어서,
상기 오프닝은 가상의 원주 상에 배치되며,
상기 오프닝의 폭은 200㎛ 내지 250㎛ 이며,
상기 오프닝의 길이는 200㎛ 이상인 발광소자 패키지. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제11항에 있어서,
상기 절연층의 아래에는 베이스를 형성하는 금속 플레이트층을 더 포함하고,
상기 발광소자를 둘러싸는 수지층을 더 포함하며,
상기 수지층에는 상기 발광소자에서 발생되는 광의 파장을 변환시키는 형광체가 더 포함되는 발광소자 패키지.
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120113120A KR101890875B1 (ko) | 2012-10-11 | 2012-10-11 | 기판 및 발광소자 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120113120A KR101890875B1 (ko) | 2012-10-11 | 2012-10-11 | 기판 및 발광소자 패키지 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140046906A KR20140046906A (ko) | 2014-04-21 |
| KR101890875B1 true KR101890875B1 (ko) | 2018-09-28 |
Family
ID=50653735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120113120A KR101890875B1 (ko) | 2012-10-11 | 2012-10-11 | 기판 및 발광소자 패키지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101890875B1 (ko) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135588A (ja) | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置用の支持体及びそれを用いた発光装置 |
| JP2010272621A (ja) | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011018801A (ja) | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-10-11 KR KR1020120113120A patent/KR101890875B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135588A (ja) | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置用の支持体及びそれを用いた発光装置 |
| JP2010272621A (ja) | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011018801A (ja) | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Citizen Electronics Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140046906A (ko) | 2014-04-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8502253B2 (en) | Light emitting device package | |
| KR101805118B1 (ko) | 발광소자패키지 | |
| JP2011238933A (ja) | 発光素子モジュール、照明システム | |
| KR20120056543A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101824886B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101890875B1 (ko) | 기판 및 발광소자 패키지 | |
| KR101781043B1 (ko) | 발광소자 어레이 | |
| KR20130036617A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101978942B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR102075522B1 (ko) | 발광소자패키지 | |
| KR101824882B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20120128884A (ko) | 발광소자 모듈 | |
| KR101781047B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR20140098523A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101877410B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101894933B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101883344B1 (ko) | 발광소자 어레이 | |
| KR101831278B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20120071150A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR101766717B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20130061421A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR101807097B1 (ko) | 발광소자 모듈 | |
| KR101731811B1 (ko) | 발광소자 어레이 | |
| KR101735310B1 (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20120034484A (ko) | 발광소자 패키지 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |