JP2014003097A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 多層の金属膜からなるパッド構造を有する半導体装置であって、
   半導体基板と、
   前記半導体基板の表面に設けられた第一絶縁膜と、
   前記第一絶縁膜の上に設けられた第一金属膜と、
   前記第一金属膜の上に設けられた第二絶縁膜と、
   前記第二絶縁膜の上に設けられた第一の第二金属膜と、
   前記第二絶縁膜に設けられた前記第一金属膜と前記第一の第二金属膜とを接続する第一ビアと、
   前記第一の第二金属膜の上に設けられた第三絶縁膜と、
   前記第三絶縁膜の上に設けられた最上層金属膜と、
   前記第三絶縁膜に設けられた前記第一の第二金属膜と前記最上層金属膜とを接続する第二ビアと、
   前記最上層金属膜の上に設けられ、前記最上層金属膜の表面の一部を露出するためのパッド開口部を有する保護膜と、
   からなり、
   前記第一の第二金属膜は、リング形状であり、前記パッド開口部の下において開口部を有し、前記開口部の縁はボールボンディングに用いられるボールボンダ用キャピラリ先端の面取り角の外側に位置するとともに、前記第一の第二金属膜は前記パッド開口部の内側に所定のはみ出し量だけはみ出していることを特徴とする半導体装置。
2. 前記パッド開口部および前記開口部はともに正方形である請求項１記載の半導体装置。
3. 前記はみ出し量は、前記はみ出し量をｄ３とするとき、前記パッド開口部の一辺の長さをｄ０、前記一辺と同じ方向となる、前記第一の第二金属膜の前記開口部の一辺の長さをｄ４とすると、 ｄ３＝（ｄ０−ｄ４）／２なる関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
4. 前記パッド開口部の一辺の長さｄ０および前記第一の第二金属膜の前記開口部の一辺の下に位置する一辺の長さをｄ４、潰れたボールの幅をｒ２、面取り角同士の幅をｒ１とすると、 ｄ０＞ｒ２、および、ｄ４＞ｒ１なる関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
5. ボールボンディング時の前記面取り角の下に無く、前記パッド開口部の下のリング形状の前記第一の第二金属膜と接しないよう前記パッド開口部の下に設けられた、断面が矩形または円形の第二の第二金属膜をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
6. ボールボンディング時の前記面取り角の下に無く、前記パッド開口部の下のリング形状の前記第一の第二金属膜と接しないよう前記パッド開口部の下に設けられた、断面が複数の矩形または円形の集合であるドットパターンを有する第二の第二金属膜をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
7. 前記矩形または円形の前記第二の第二金属膜は、前記第二ビアによって前記最上層金属膜に電気的に接続されていることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置。
8. 前記第一の第二金属膜は、スリットを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
9. 前記パッド開口部の下の第一絶縁膜の下に設けられた素子をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
10. 前記素子は、ＥＳＤ保護素子であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
11. 多層の金属膜からなるパッド構造を有する半導体装置であって、
    半導体基板と、
    前記半導体基板の表面に設けられた第一絶縁膜と、
    前記第一絶縁膜の上に設けられた第一金属膜と、
    前記第一金属膜の上に設けられた第二絶縁膜と、
    前記第二絶縁膜の上に設けられた第一の第二金属膜と、
    前記第二絶縁膜に設けられた前記第一金属膜と前記第一の第二金属膜とを接続する第一ビアと、
    前記第一の第二金属膜の上に設けられた第三絶縁膜と、
    前記第三絶縁膜の上に設けられた最上層金属膜と、
    前記第三絶縁膜に設けられた前記第一の第二金属膜と前記最上層金属膜とを接続する第二ビアと、
    前記最上層金属膜の上に設けられ、前記最上層金属膜の表面の一部を露出するためのパッド開口部を有する保護膜と、
    からなり、
    前記第一の第二金属膜は、リング形状であり、前記パッド開口部の下において開口部を有し、平面視において、前記開口部の縁は前記パッド開口部の縁の内側に位置し、前記第一の第二金属膜は前記パッド開口部の内側に一定量はみ出していることを特徴とする半導体装置。