JP2010287592A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 矩形形状の半導体チップを備え、
    前記半導体チップは、
    (a)半導体基板と、
    (b)前記半導体基板の素子形成面に形成された突起形状の複数のバンプ電極とを有し、
    前記半導体チップには、前記半導体チップの端部から所定距離内の端部領域と、前記端部領域以外の内部領域が存在する半導体装置であって、
    前記半導体チップの前記端部領域における厚さは、前記半導体チップの前記内部領域における厚さよりも薄いことを特徴とする半導体装置。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5512292B2 (ja) * 2010-01-08 2014-06-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
KR20110124993A (ko) * 2010-05-12 2011-11-18 삼성전자주식회사 반도체 칩 및 이를 포함하는 반도체 패키지 및 반도체 칩의 제조 방법
US9064836B1 (en) * 2010-08-09 2015-06-23 Sandisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. Extrinsic gettering on semiconductor devices
CN102556943B (zh) * 2010-12-31 2014-12-31 上海丽恒光微电子科技有限公司 微机电传感器的形成方法
JP2014082281A (ja) * 2012-10-15 2014-05-08 Olympus Corp 基板、半導体装置、基板の製造方法
US20150340339A1 (en) * 2013-01-16 2015-11-26 Yutaka Sacho Method for manufacturing a semiconductor device
US9105710B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-11 Applied Materials, Inc. Wafer dicing method for improving die packaging quality
US9564404B2 (en) * 2015-01-20 2017-02-07 Sandisk Technologies Llc System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor wafer caused by uneven internal metallization layers
US9659882B2 (en) 2015-01-20 2017-05-23 Sandisk Technologies Llc System, method and apparatus to relieve stresses in a semiconductor die caused by uneven internal metallization layers
JP2017152608A (ja) * 2016-02-26 2017-08-31 富士通株式会社 半導体ウェハ及び半導体ウェハの製造方法
US9922920B1 (en) 2016-09-19 2018-03-20 Nanya Technology Corporation Semiconductor package and method for fabricating the same
US10026651B1 (en) * 2017-06-21 2018-07-17 Palo Alto Research Center Incorporated Singulation of ion-exchanged substrates
US11721657B2 (en) * 2019-06-14 2023-08-08 Stmicroelectronics Pte Ltd Wafer level chip scale package having varying thicknesses
US11264264B2 (en) * 2019-07-24 2022-03-01 Semiconductor Components Industries, Llc Solder bump formation using wafer with ring

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001250800A (ja) * 2000-03-06 2001-09-14 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電気光学装置の製造方法
JP2002110718A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003100801A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP4260405B2 (ja) * 2002-02-08 2009-04-30 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
JP2003332270A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4507175B2 (ja) * 2004-09-09 2010-07-21 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
KR100771874B1 (ko) * 2006-07-06 2007-11-01 삼성전자주식회사 반도체 탭 패키지 및 그 제조방법
US8110912B2 (en) * 2008-07-31 2012-02-07 Infineon Technologies Ag Semiconductor device

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